JPS59112250A - 組織学ナイフ用コランダム切断要素 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特にミクロトームに使用するために好適なナイ
フに関し、且つ特に切断要素の幾伺学的境界がコランダ
ム結晶の特定のパラメータに関して特定の配向を有する
ようなコランダム切断要素を有する組織学用ナイフに関
する。

標本の比較的に厚い切片を切断するだめの組織学または
臨床の用途に廟用なミクロトームナイフを製造するため
にガラスまたはスチールを使用することは知られている
。スチールナイフを使用して得られた切片の厚さは１〜
２ミクロンないし１０〜２０ミクロン程艮である。ガラ
スナイフは％〜２０ミクロンの厚さの切片を切断するこ
とができる。

しかしながら、ガラスまたはスチールナイフの基本的な
制約はその耐用寿命が短いことである。これはこれらの
材料が極めて硬くはなく且つ良好に規制された結晶構造
を有していない（すなわちこれらの材料が非晶質である
）という事実に起因している。−例として、スチールナ
イフはほぼ５００ないし１０００個の切片を製造する間
その刃を維持することができる。その結果、スチールナ
イフを使用するとき、通常はぼ４時間毎にそのブレード
を再びとぐことが必要である。ガラスナイフについては
、ナイフの刃を作り直す前に１０〜２０個の切片のみを
切断することができる。

これらの比較的にひんばんな再研削または作りＶしを回
避するために、場合に応じて、１９ＩＩｌ＃＋（％イン
チ）ないし３８．１　ａｎ　（１ｇインチ）の代表的な
長さを有する試料ブロック面を裁断するナイフの刃に治
って二つまたはそれ以上の切断位置を設けるために比較
的に長い刃を有するナイフ（スチールナイフでは１５．
２ｃｒｎ（６インチ）ないし２５．４ｃｒｎ（１０イン
チ）、またガラスナイフでは約５．１　ｃｍ　（２イン
チ）を使用することがこの技術分野で知られている。

また、薄い切片を切断するためにダイヤモンドまたはガ
ラスの超ミクロトームナイフを使用することが知られて
いる。ダイヤモンド超ミクロトームナイフは厚さが１Ａ
ｏｏ−％ミクロンの極めて薄い切片を製造することがで
きる。ダイヤモンドの極めて高い硬度および良好に規制
された結晶構造はガラス製の組織学用または超ミクロト
ームナイフでは得られない望ましい耐久性をダイヤモン
ド製のナイフブレードに与えることができる。

材料の硬度については、コランダムまたは透明なサファ
イアは大きい（すなわち最も短い寸法で１副よりも大き
い）結晶サイズで得られる良好に規制された結晶構造を
廟する、ダイヤモンドの次に最も硬い材料である。この
ような材料は従来あるナイフに使用されてきた。米国特
許第３，８３４，２６５号明細書は切刃がサファイア結
晶の元軸に平行にまたは該元軸に対して３０’以内に配
置されたサファイアから形成された切断器が開示してい
る。米国特許第６．５ｔ５，４０２号はセラミック切断
ブレードを提供するために１０’ないし４０°の夾角を
有するランダムに配向した多結晶サファイアを使用して
いる。米国特許第６．９１１，５７９号は１５°ないし
２５°の夾角を有する鋭利にとがれた焼入れされた工具
鋼レーザーブレードに付着せしめられた３００オングス
トロームの厚さのコランダムの層に関する。しかしなが
ら、刃の幾何学的境界に対するコランダムの結晶のパラ
メータの配向は規制されてぃな、い。

ソ連特許第８７６．９２０号は最大の硬度を得るために
単結晶サファイアの配向を述べているが、１５０ミクロ
ンのチップ半径および深さおよび２５°の夾角を開示し
ている。

現在、厚い切片を裁断するために刃の長い（長さか１９
＋ｏ＋（％インチ）より、も大きい）組織学用ナイフを
製造する場合に有用な充分に大きいコランダムの単結晶
を生長するための結晶生長技術がある。ダイヤモンドに
対しては相当する結晶生長技術はない。従って、組織学
用ナイフに有用な切断扱素を加工するためにコランダム
の１肩の硬度を使用することが有利であると考えられる
。

本発明は切断要素が単結晶コランダムのような六方晶形
の緻密に充填された構造を有する物質の二つの小平面に
より形成された刃を有する組織学用ナイフに有用な切断
要素に関するものである。切断要素の幾何学的境界はコ
ランダム結晶の三つの所定の結晶方向に沿って正確に配
向せしめられている。％釦、コランダム結晶の光軸また
はＣ軸は切断要素の切刃に平行に配向され且つ延在し、
そして切断要素の各々の小平面は結晶のｍ型またはａ型
の軸のいずれか一方に垂直である。換言すると、切断要
素の各々の小平面は結晶構造のｍＷ面またはａ型面のい
ずれか一方に平行であるかまたはほぼ平行である。

これらの小平面は刃を通るナイフの中心線に関し、て対
称である（すなわち、等しい半角を鳴している）。

本発明の一実施態様においては、コランダム結晶のｍ型
軸は切断要素の小平面に垂直に延びている。すなわち切
断要素の小平面は第一のメーダーの六方晶系プリズムの
結晶面（すなわち結晶のｍ型面）に整列せしめられてい
る。別の実施態様においては、コランダム結晶のａ型軸
が切断要素の小平面に垂直に延ひている。この実施態様
においては、切断要素の小平面は第二のオーダーの大方
晶系プリズムの結晶面（すなわち結晶の８型匍）に整列
せしめられている。

これらの実施態様の各々において、結晶配向は対称であ
り、好ましくは６０°±１５°の夾角を鳴している。本
発明の第三の実施態様においては、切断要素の一つの小
平面は（結晶のａ型面に平行な）コランダム結晶のａ型
軸に垂直であり、一方切断要素の他方の小平面は（結晶
のｍ型面に平行な）コランダム結晶の＋ｎｆｆ１軸に垂
直である。

本発明の第三の実施態様においては、夾角は５０’±１
５°であり、そして結晶配向は非対称である。

本発明による切断要素によれば、刃の直径は％（０，２
５）ミクロンよりも小さく、刃の長さは１９ｗｎ（％イ
ンチ）からほぼ７６．２震（６インチ）であり、そして
この切断要素はイミクロンないし２０ミクロンの厚さの
範囲の切片を切断するようになっている。このような切
断要素は再研摩を必要とせずに１０，０００個を超える
数の切片を製造することができる。

本発明は添付図面に関する以下の詳細な説明からさらに
充分に理解されよう。

以下の開示内容を通じて、同様な符号はすべての図にお
ける同様な要素を示している。

第１図において、全体を符号１０で示した組織学用ナイ
フはシャンクすなわちナイフサポート１６の上端部′の
スロット１４の中に装着された本発明の教官による切断
要素１２からなっている。ナイフ１０はミクロトーム台
２０上に支持されたクランプ１Ｂの中に装着されている
。

第１図に示した高度に様式化した例示図では、ナイフ１
Ｄは標本アーム２６がナイフ１０に対して符号２８で示
した方向に移動せしめられるときに標本アーム２６の端
部に担持された試料ブロック２４中に収納された組織の
試料から切片２２を薄切りするために使用される。切断
される切片はりポン３２を形成し、このリボン３２はビ
ンセットまたはその他の器具により別の温かい液体の浴
（図示せず）まで運ぶことができる。リボン３２の個々
の切片はすべて良く知られた組織学上の原理および慣行
により後程分離され、そして顕微鏡スライダまたはその
他の付着面上に配置される。

第２図に示した斜視図から理解されるように、切断要素
１２は主本体部分６８を備えている。

主本体部分６８はシャンク１６の上端部に形成された対
応したスロット１４（第１図）の中に収納されるような
形状になっている。切断要素１２は第１小平面４０Ａお
よび第２小平面４０Ｂを有しており、これらの小平面４
０Ａ、４０Ｂは交わって延在した切刃４２を形成してい
る。切刃４２は基準軸４４に漬って測定される所定距離
延びている。基準軸４４は六方晶座標系４６のＺ軸に平
行である。それ故に、主本体部分６日の側部小平面はＺ
軸に垂直である。大方晶座標系４６においては、Ｚ軸は
Ｘ軸、Ｙ軸およびＵ軸を含む平面に垂直に延びており、
Ｘ軸、Ｙ軸およびＵ軸の各々は互いに１２０°の角度に
配置されている。小平［４０’Ａおよび４０Ｂは協働し
て夾角４８の範囲を規制している。夾角４８は中心線５
０に関して対称である（すなわち中心線５０と各々の小
平面との間に等しい半角４８Ａおよび４８Ｂを形成して
いる）。第２図における中心線５０は夾角４８の二等分
線として切断要素を通して延びる平面の端縁である。二
等分線の平面は刃４２を含んでおり、従って中心線５０
は刃４２を通っている。

本発明の好ましい実施態様による切断要素１２は例工ば
シュミツド−ビークニラ＃　−（Ｓｃｈｍｉｄ−Ｖｉｅ
ｃｈｎ　１ｃｋｉ　）法または刃で規制したフィルム送
り生長（Ｆｉｌｍ−ｆｅｄ　Ｇｒｏｗｔｈ）　（ＥＦＧ
）法を使用して生長させたような単結晶からなるコラン
ダム結晶から加工される。切断要素１２を加工する場合
に好適に使用される結晶は米国マサチューセツツ州すレ
ム在のクリスタル・システムズ・インコーホレーデラド
（シュミット・ピークニラキー法）または米国ニューノ
・ンブシャー州ミルホード在のタイコ・ラボラトリーズ
・インコーホレーテッド（ＥＦＧ法）から得られる。こ
のような結晶は極めて僅かな不純物または転位による欠
陥を含んでいる非常に高品質の単結晶である。

しかしながら、六方晶形の緻密に充填された構造を有す
る手で適用するために充分な硬度を有する任意の物質を
使用することができるが、これは本発明の範囲内である
ことを留意すべきである。

コランダム（α−Ａｚ２ｏ５　）の結晶は六方晶系プリ
ズムに基づいた構造である。この構造は六方晶座標系を
使用して第３Ａ図について説明することができる。説明
用の鉱物学の用語では、結晶が六方晶座標系４６に対し
て配向されるときに、Ｚ＠；は結晶の元軸に和尚し、そ
して一般的にはｒｃＪ軸と呼ばれている。六方晶系の結
晶面はミラー・プラバイス方式（ｈ、に、ｉ、Ａ　）を
使用して説明される。指数（ＬＬｌ＋ｔ）は対応したＸ
軸、Ｙ軸、Ｕ軸または２軸との平面の相互の交差部位の
最も低い互いに調和した整数の倍数である。ミラー・ブ
ラパイス表示方式においては記号イがマイナス１に等し
いことを留意すべきである。コランダム（六方晶系の緻
密に充填された構造）の四つの基本平面を欠の表に示し
た。

一ノ！− ｍ　　　（１０１［ｊ）　　　　　６ 第３Ａ図においては、結晶軸および上表により同定され
る平面のいくつかを示しである。第６Ａ図では、Ａｔ＋
　３イオンの分布は黒く塗った点で示してあり、一方黒
く塗っていない円はアルミニウムが占崩していない部位
を示す。０　イオンは明瞭に例示するために図示してい
ない。

第３Ａ図に示した結晶の平面図である第６Ｂ図は六方晶
座標系４６のＸ−Ｙ−Ｕ平面における種々の結晶軸の配
向およびコランダム結晶の平面を例示している。六方晶
座標糸４６のＺ軸は第６図の平面外に延びている。

第６Ｂ図に示したように、第一のオーダの六方晶系プリ
ズムの面すなわちコランダム結晶のｍ型面はダッシュ線
で示してあり、そして符号ｍ１．”２・・・ｍ６で表示
しである。ｍ型面の各々はそれと組み合わされたｍ型軸
に垂直である。ｍ型軸は点・ダッシュ線を使用して例示
してあり且つ結晶の元軸すなわちＣ軸から半径方向に外
方に延びている。第３Ｂ図に示した結晶のＣ軸は大方晶
座標糸４６のＺ軸と合致している。

第二のオーターの六方晶系ブリスムの面すなわちコラン
ダム結晶のａ型面は第３Ｂ図において実線で示しである
。ａ型面は符号ａ　１＋　ａ２・・・ａ６で表示しであ
る。ａ型面の各々はそれらと組み合わされたａ型軸に垂
直である。第６Ｂ図において、ａ型軸は点線で例示しで
ある。ａ型軸は結晶のＣ軸から半径方向に外方に廼びて
いる。

本発明によれば、切断要素１２は単結晶コランダムで形
成され、切断要素１２の幾何学的境界は結晶のＣ軸（０
００１）が切断要素１２の切刃４２により規制された幾
何学基準軸４４（第２図）に平行に配置されるように構
成されている。そ十りに加えて、不発明（−よれば、切
断要素１２の各々の小平面４０Ａおよび４０Ｂは結晶の
ｍｆｉ軸またはａ型軸のいずれか一方に垂直である。

換言すると、各々の小平面４０Ａおよび４０Ｂは結晶の
低い指数のｍ型面またはａ型面の一方に平行であるかま
たはほぼ平行である。小平面４０Ａおよび４０Ｂの各々
はそれらにより範囲が定められた夾角４８が対称となる
（第２図において中心線５０に関する半角４８Ａおよび
４８Ｂが等しくなる）ように研削されることが好ましい
。

切断要素１２の幾何学的境界がコシンタム結晶の所定の
結晶軸および結晶面に対し、て前述したような態様で配
向せしめられたときに改良された切断要素が提供される
と考えられる。

ｉ３Ｂ図および第４図について述べると、本発明による
切断要素１２′の一実施態様を示しである。この実施態
様においては、切断要素１２′の小平面４０Ａ′および
４０Ｂ’の各々はそれらの間に規制された夾角Ｋが６０
°となるように結晶のｍ型軸に垂直である。本発明のこ
の実施態様の一例として、切断要素１２′はその小平面
４０Ａ’が軸ｍ１［：１０１０］に垂直であり、従って
ｍ１面（ｉｏｉｏ）に平行になるように形成することか
できる。切断要素１２′の小平面４０Ｂ’は軸ＩＪ［１
−，１００）に垂直であり且つｍ３面（１１００）に平
行である。このような場合には、夾角には６０°である
。本発明によれば、夾角には６０°の好ましい角度±１
５°とすることができる。すなわち夾角には４５°から
７５゜までの範囲内にある。この実施態様の場合にｔ−
Ｌ結晶配向は対称である。夾角には中心線５−Ｄ′に関
して対称である。すなわち夾角には俗々が２２５゜から
５７．５°までの範囲の等しい半角によって規制されて
いる。これらの半角は中心線５０′と小平面４０Ａ′お
よび４０Ｂ′との間に規制されている。

中心線５０′はナイフの刃４２′を通っている。勿論、
ｍｍ面の他方を夾角Ｋが好ましい範囲内となるように選
択できることに留意すべきである。

本発明による切断要素１２′′の別の実施態様を第６Ｂ
図および第５図に示した。この実施態様においては、切
断要素１２〃の小平面４０Ａ〃および４０Ｂ“の各々は
結晶のａ型４に垂直であり、それらの間の夾角りは６０
°である。例えば、切断要素１２”は該切断要素の小平
面４０Ａ＃が軸ａ１〔２１１０〕に垂直であり、従って
ａ１面（２１１０）に平行になるよう・、に１形“成す
ることができる。切断要素１２′の小平面４０Ｂ“は軸
ａ５［１２１０］・に垂直であり且つａ３面（１２１０
）に平行に形成することができる。本発明の実施態様の
この例においては、結晶は対称であり且つ夾角りば６０
°である。夾角りは６０°の好ましい角度±１５°とす
ることができる。従って夾角りは４５°から７５°の範
囲内の角度とすることができ、そして切断要素１２“を
形成することができる。この実施態様の場合には、結晶
配向は同時に対称である。伏角りは中心＆５０“に関し
て対称である。すなわち夾角りは中心ｆｆＭ５０′′と
小平面４０Ａ”および４０　Ｂ’との間の等しい半角に
より規制されている。これらの半角の各々は２２．５°
から３７．５°までの範囲内である。中心線５ｏ“は刃
４２“を通る。勿論、ａ型面の他方を夾角りが好ましい
範囲内となるように選択することができる。

本発明のさら忙別の実施態様を第３Ｂ図および第６図に
示しである。この例においては、切断要素１２″の一方
の小平面が結晶のａ軸に垂直であり、一方切断要素１２
″の第２小平面はｍ型軸に垂直である。この例では結晶
配向は非対称である。第３Ｂ図および第６図に示したよ
うへ切断要素１２″′の一方の小平面４０Ａ”は軸ｍ３
〔１１００〕に垂直であり、そして切断要素１２″の小
平面４０Ｂ”は軸ｅ４［ｊ２１０〕　に垂直である。こ
の例では夾角Ｐは６０°±１５°である。夾角Ｐは刃４
２″を通る中心線５０″’に関して対称である。すなわ
ち夾角Ｐは中心線５０″と小平面４０　Ａ”’　オよび
４０　Ｂ”との間に規制された等しい半角により規制さ
れている。これらの半角の各々は１５°から２２．５゜
までの範囲内にある。勿論ｍ型面およびａ型面の他力を
夾角Ｐが好ましい範囲内になるように選択することがで
きることに留意すべきである。

本発明による切断要素１２および該切断要素１２を備え
たナイフ１０は慣ｊ用の手法を用いて製造することがで
きる。コランダム結晶は銀ろうまたは粉末冶金技術を使
用してシャンク１６の中に開放される。小平面４０Ａお
よび４０Ｂは濃いグリースまたは油中に分散した粗いア
ルミナまたはダイヤモンドの砥粒（５〜１５ミクロンの
サイズ）を使用する毎分３，０００〜ｉｏ、ｏｏ。

回転で回転ビしめられる焼入れ７された工具鋼のラップ
上で粗く研削される。仕上げられた小平面の刃は宝石学
に一般に使用されるグリセロールまたはオリーブ油のよ
うな研削媒体中に分散した非常に細かいアルミナ粉末（
０，２５ミクロンのサイズ）を使用する類似のラップ上
で研削される。標準の慣行によれは、切断要素の刃は５
００×ないし１０００×の範囲の強力顕微鏡（例えば８
００×の範囲のライン顕微鏡）によりこの倍率の下で刃
の狡さ全体にわたって傷が検出されないか否かを観察す
るために視覚検査される。所望されれば、組織学用切片
（３Ａ　ミクロンないＬ　２０　ミクロンの厚さ）に対
シ１．て極めて薄い切片（”／１００ミクロンないし％
ミクロンのＪＷ、さ）を切断するようにソ【つた小平面
および刃をさらに仕上げるために、ヅシチするつぼの中
の３５０℃に保たれたオルト燐酸（８５〜９０％）のよ
うな標準エツチング剤を使用して小平面を２分〜５分の
ｌｉ、Ｂ、腐蝕させることか必要であるかもしれない。

勿論その他のエツチング剤を種々の温度で種々の回数使
用することができる。

当業者は前述し、た本発明の教官に基づいて種種の変更
を実施することができる。しかしながら、これらの変更
は特許請求の範囲に記載した本発明の範囲内におるもの
と解釈すべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図はミクロトームを使用して組織学用切片を切断す
る構造を高度に様式化して示した図、第２図は六方晶座
標系の軸に関して示した本発明による切断要素の斜視図
、第６Ａ図は六方晶座標糸の軸に関するコランダム結晶
の所定の結晶面の配向を例示した単結晶からなるコラン
ダム結晶を筒反に様式化して示した図、一方笛６Ｂ図は
第６Ａ図に示した結晶面の平面図、そして第４図、第５
図および第６図は本発明の好ましい実施態様の幾何学的
境界に対するコランダム結晶のＰ）［定の結晶面の配向
の図解図である。 １０・・・組織学用ナイフ、１２・・・切断要素、１４
・・・スロット、１６・・・ナイフサポート、２２・・
・切片、２４・・・試料ブロック、６２・・・リボン、
６８・・・主本体部分、４０Ａ・・・第１小平面、４０
Ｂ・・・第２小平面、４４・・・基準軸、４６・・・六
方晶座標糸、４８・・・夾角、５０・・・中心線、ｍ１
＋ｍ２・・・ｍ６・・・ｍ型面、ａｌ　、ａ２−ａ６　
・ａ　盤面、４ＤＡ、４０Ｂ　・・・小平面、４８Ａ、
４８Ｂ・・・半角、１２′・・・切断要素、４０Ａ’　
、　４０Ｂ’・・・小平面、Ｋ・・・夾角、４２′・・
・ナイフの刃、５０′・・・中心線、１２”・・・切断
要素、４０Ａ″、　４０Ｂ”・・・小平面、４２’・・
・ナイフの刃、Ｌ・・・夾角、５０’・・・中心線、１
２″′・−・切断要素、４０Ａ′″、　４０Ｂ″’・・
・小平面、Ｐ・・・夾角、５０″′・・・中心線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）所定基準軸に宿って所定距離延びる刃を形成するた
   めに相変わる第１小平面および第２小平面を有する切断
   要素であり、結晶のＣ軸が切断要素の基準軸に平行に配
   置され且つ前記切断要素の第１小平面および第２小平面
   の各々が結晶のｍ型軸またはａ型軸のいずれか一方に垂
   直になるように配向された六万晶糸の緻密に充填された
   構造を有する単結晶物質で形成されていることを特徴と
   する切断要素。 ２）前記第１小平面および第２小平面の各々が結晶のｍ
   型軸に垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項に記載の切断要素。 ６）第１小平面と第２小平面との間の夾角が４５゜から
   ７５°までの範囲内にあることを特徴とする特許請求の
   範囲第２項に記載の切断要素。 ４）前記夾角が６０°であることを特徴とする特許請求
   の範囲第３項に記載の切断要素。 ５）前記第１小平面および第２小平面の各々が結晶のａ
   型軸に垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項に記載の切断要素。 ６）第１小平面と第２小平面との間の夾角が４５゜から
   ７５°までの範囲内にあることを特徴とする特許請求の
   範囲第５．！Ｊｉに記載の切断要素。 ７）前記夾角が６０°であることを特徴とする特許請求
   の範囲第６項に記載の切断要素。 ８）前記切断要素の一方の小平面が結晶のｍ型軸に垂直
   であり、且つ切断要素の第２小平面が結晶のａ型軸に垂
   直であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   の切断要素。 ９）第１小平面と第２小平面との間の夾角が１５゜から
   ４５°までの範囲内にあることを特徴とする特許請求の
   範囲第８項に記載の切断要素。 １０）前記夾角が３０°であることを特徴とする特許請
   求の範囲第９項に記載の切断要素。 １１）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の切断要素。 １２）前記物質かコランタムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第２項に記載の切断要素。 １６）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第５項に記載の切断要素。 １４）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第８項に記載の切断要素。 １５）シャンクと、前記シャンク中に装着された切断要
   素とを備えたナイフであって、前記切断要素が所定の基
   準軸に沿って所定距離延びる刃を形成するために相変わ
   る第１小平面および第２小平面を有し、前記切断要素が
   結晶のＣ軸が前記切断要素の基準軸に平行に配置され、
   前記切断要素の第１小平面および第２小平面の各々が結
   晶のｍ型軸またはａ型軸のいずれか一方に垂直になるよ
   うに配向された六方晶系の緻密に充填された構造を有す
   る単結晶物質で形成されていることを特徴とするナイフ
   。 １６）前記切断要素の第１小平面および第２小平面の各
   々が結晶のｍｕ軸に垂直であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１５項に記載のナイフ。 １７）第１小平面と第２小平面との間の夾角が４５゜か
   ら７５°までの範囲内にあることを特徴とする特許請求
   の範囲第１６項に記載のナイフ。 １８）前記夾角が６０°であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１７項に記載のナイフ。 １９）前記切断要素の第１小平面および第２小平面の各
   々が結晶のａ型軸に垂直であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１５項に記載のナイフ。 ２０）ｈ１小平田１と第２小平面との間の夾角が４５゜
   から７５°までの範囲内にあることを特徴とする特許請
   求の範囲第１９項に記載のナイフ。 ２１）前記天狗か６０°であることを特徴とする特許請
   求の範囲第２０項に記載のナイフ。 ２２）前記切断要素の一方の小平面が結晶のｍ型軸に垂
   直であり且つ前記切断要素の第２小平面が結晶のａｍ軸
   に垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第１５項
   に記載のナイフ。 ２３）第１小平面と第２小平面との間の夾角が１５゜か
   ら４５°までの範囲内にあることを特徴とする特許請求
   の範囲第２２項に記載のナイフ。 ２４）前記夾角か６０°であることを特徴とする特許請
   求の範囲第２６項に記載のナイフ。 ２５）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１５項に記載のナイフ。 ２６）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１６項に記載のナイフ。 ２７）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１９項に記載のナイフ。 ２８）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第２２項に記載のナイフ。 ２９）　（ａ）六方晶系の緻密に充填された構造を有す
   る単結晶物質から結晶のＣ軸が基準軸に平行に配置され
   且つ第１小平面および第２小平面の各々が結晶のｍ型軸
   またはａ型軸のいずれか一方に垂直になるように配向さ
   れた基準軸に治って所定距離延びる刃を形成するために
   相変わる第１小平面および第２小平直を有する切断要素
   を形成し、且つ（ｂ）前記切断要素をシャンクの中に装
   着する諸工程を含むことを特徴とするナイフを製造する
   方法。 ３０）　＠ｉＪ記物質かコランダムであることを特徴と
   する特許請求の範囲第２９項に記載のナイフを製造する
   方法。 ５１）　Ｐ９Ｔ定基草軸に沿って所定距離延びる刃を形
   成するために和文わる第１小平面および第２小平面を有
   する切断要素であり、糺晶のＣ軸が切断要素の基準軸に
   平行に配置され且つ前記第１小平佃および第２小平面の
   各々が結晶のｍ型軸またはａ型軸のいずれか一方に垂直
   になるように配向された六万品系の緻密・に充填された
   構造を有する単結晶物質で形成された切断要素であって
   、前記第１小平面および第２小平面が刃を通る中心線に
   関して対称な夾角を規制することを特徴とする切断要素
   。 ３２）前記第１小平面および第２小平面の各々が結晶の
   ｍ型軸に垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第
   ３１項に記載の切断要素。 ６６）前記夾角が各々が中心線と一小平面との間に規制
   された等しい半角を含み、且つ各々の半角が２２．５°
   から３７．５°までの範囲内にあることを特徴とする特
   許請求の範囲第３２項に記載の切断要素。 ６４）前記各々の半角が３０°であることを特徴とする
   特許請求の範囲第６６項に記載の切断要素。 ６５）前記第１小平面および第２小平面の各々が結晶の
   ａ型軸に垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第
   ６１項に記載の切断要素。 ６６）前記夾角が各々が中心線と小平面との間に規制さ
   れた等しい半角を含み、且つ各々の半角が２２．５°か
   ら３７．５°までの範囲内にあることを特徴とする特許
   請求の範囲第６５項に記載の切断要素。 ろ７）前記各々の半角が６０°であることを特徴とする
   特許請求の範囲第３６項に記載の切断要素。 ６８）前記切断要素の一方の小平面が結晶のｍ型軸に垂
   直であり且つ前記切断要素の第２小平面が結晶のａ型軸
   に垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第６１項
   に記載の切断要素。 ６９）前記夾角か各々が中心線と一小平面との間に規制
   された等しい半角を含み、且つ各々の半角か７５°から
   ２２．５°までの範囲内にあることを特徴とする特許請
   求の範囲第６８項に記載の切断要素。 ４０）前記各々の半角が１５°であることを特徴とする
   特許請求の範囲第６９項に記載の切断要素。 ４１）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第６８項に記載の切断要素。 ４２）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第６１項に記載の切断要素。 ４６）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第３２項に記載の切断要素。 ４４）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第３５項に記載の切断要素。 ４５）シャンクと、所定の基準軸に潜って所定距離延び
   る刃を形成するために和文わる第１小平面および第２小
   平面を有する切断要素とを備えたナイフであり、前記切
   断要素が結晶のＣ軸が該切断要素の基準軸に平行に配置
   され且つ前記切断要素の第１小平助および第２小平Ｑ　
   （１）　各々か結晶のｍ型軸またはａ型１＋ｌ＋ｃｌ）
   いずれか一方に垂直になるように配向された六方晶系の
   緻密に充填された構造を有する単結晶物質で形成され、
   前記第１小平面および第２小平面が刃を通る中心線に関
   して対称であることを特徴とするナイフ。 ４６）前記第１小平拘および第２小平面の各々が結晶の
   ｍ型軸に垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第
   ４５項に記載のナイフ。 ４７）前記夾角が各々が中心線と一小平面とのｍＪに規
   制された等しい半角を含み、且つ各々の半角が２２５°
   から３７．５°までの範囲内にあることを特徴とする特
   許請求の範囲第４６項に記載のナイフ。 ′４８）前記各々の半角が３００であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第４７項に記載のナイフ。 ４９）前記第１小平面および第２小平面の各々が結晶の
   ａ型軸に垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第
   ４５項に記載のナイフ。 ５０）前記夾角が各々が中心線と一小平面との間に規制
   された等しい半角を含み、且つ各々の半角が２２，５°
   から３７．５°までの範囲内にあることを特徴とする特
   許請求の範囲第４９項に記載のナイフ。 ５１）前記各々の半角が６０°であることを特徴とする
   特許請求の範囲第５０項に記載のナイフ。 ５２）一方の小平面が結晶のｍ型軸に垂直であり且つ第
   ２の小平面が結晶のａ型軸に垂直であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第４５項に記載のナイフ。 ５３）前記夾角が各々が中心線と一小平面との間に規制
   された等しい半角を含み、且つ各々の半角が７５°と２
   ２．５°との範囲内にあることを特徴とする特許請求の
   範囲第５２項に記載のナイフ。 ５４）前記各々の半角が１５°であることを特徴とする
   特許請求の範囲第５６項に記載のナイフ。 ５５）前記物質がコラン、ダムであることを特徴とする
   特許請求の範囲第５２項に記載のナイフ。 ５６）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第４５項に記載のナイフ。 ５７）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第４６項に記載のナイフ。 ５８）前記物質がコランダムであることを特徴とする特
   許請求の範囲第４９項に記載のナイフ。