JPS5910015B2 - 蓄積管用タ−ゲツト - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は蓄積管用ターゲット、特に直視二定電位型蓄積
管に好適なターゲット構造に関する。

米国特許第３，２ ９ ３，４ ７ ４号は、フェース
プレートを有し、その内面にメッシュ状のコレクタ電極
が塗布され、そのメッシュの網目（開口）内に互に独立
した島状の螢光蓄積誘電体が設けられた陰極線管用蓄積
ターゲットを開示している。

この誘電体の各島はメッシュ電極と接触しており、この
構造によると誘電体島の周辺にハロー即ち周縁発光を生
じ背景光をもたらす。

その為に特に暗い照明下ではコントラストが不充分とな
るという欠点を生じる。

この誘電体島の物質がメッシュ電極に接触していなくと
も、誘電体島はメッシュ電極と完全に絶縁されてはいな
いので各誘電体島のまわりに前述したハローがまた生じ
る。

従って、本発明の目的は、電荷像を優れたコントラスト
で蓄積できる改良した蓄積管用ターゲット構造を提供す
ることである。

本発明の他の目的は低いターゲット容量と速い最大書込
速度を有し、電荷像を蓄積することができる改良した蓄
積管用ターゲットを提供することである。

本発明の更に他の目的は、そこに形成された電荷像を蓄
積し且つこの電荷像に対応する可視光像を形成する蓄積
誘電体として螢光体を使用し、優れた輝度、高いコント
ラスト、高解像度及び実質的に無背景光の改良した直視
型蓄積ターゲットを提供することである。

本発明の付加的目的は、蓄積ターゲットの構成が簡単で
竪固であると共に信頼性が高く、よってターゲットに蓄
積された像の解像度を減少することなく大型蓄積管が製
造できる改良された蓄積管を提供することである。

本発明の更に他の目的は、導電膜状のメッシュ電極が絶
縁性支持板上に設けられ、絶縁層かこの支持部材に直接
触れるように網目の一部にまたがってメッシュ電極を覆
い、これにより開口の寸法を小さくし、多数の離間した
蓄積領域を含む蓄積誘電体がそのメッシュの絶縁された
開口内に設けられた改良蓄積管を提供することである。

本発明の他の目的及び作用効果は添付図に示す好適実施
例の詳細な説明から明瞭となろう。

本発明の要旨は電荷像蓄積装置、特にターゲット上に電
荷像を制御し得る所望時間蓄積し且つ可視光像を生じ、
或は斯る電荷像に対応する電気的信号を得る陰極線管用
の蓄積ターゲットに関する。

この蓄積ターゲットは絶縁体の支持板の一面に塗布した
メッシュ電極を含み、絶縁体層がメッシュ電極の開口の
周縁及び開口の一部を覆ってその開口を小さくし、然し
メッシュ電極の開口間の一部を露出させてコレクタ電極
領域とし、誘電体を夫夫の絶縁された網目内に設けてメ
ッシュ電極から絶縁された誘電体の多数の島を作り、背
景光を略零とし、表示情報のカラー・ライトスルー或は
カラーコントラストを生じる。

若し直視型としたい場合には、この誘電体領域は螢光体
で作ると共に相互に隔離し、そこに形成された電荷像を
二安定電荷像として所望時間蓄積し、その電荷像に対応
する光像を放射する。

この場合には支持板は透明部材で作る。

本発明はまた上述したようにメッシュ電極を有する蓄積
ターゲットの写真的製法をも含み、電荷像の解像度を増
加する為に細かいメッシュパターンを得る。

本発明により製造した蓄積ターゲットは、過渡的な電気
入力信号波形を蓄積して更に詳細に検討する陰極線管オ
シロスコープの一部をなす直視型二定電位蓄積管に用い
るとき特に有用である。

然しこのような蓄積管はまたレーダー、ソナー或はコン
ピュータの如き従来の蓄積管として使用することもでき
る。

本発明の蓄積ターゲットは従来の蓄積ターゲットに比し
て誘電性螢光体島を囲む導電性メッシュの一部を覆う絶
縁物の二次電子放射比が高いので最大書込速度が増加す
ることを含む多くの長所を有する。

このターゲットを書込ビームで走査すると、この絶縁物
は直ちに導電性メッシュに加えた電圧に等しい休止電位
になる。

絶縁物は誘電性螢光体島を囲み宜つその近傍であるので
、螢光体は容量性結合によって同じ休止電位になる。

また１つの理由としては蓄積ターゲットの容量が低くタ
ーゲットが高周波情報の電荷像を蓄積することができる
ので書込速度が速くなる。

蓄積ターゲットの蓄積誘電体の下に連続電極ではなくメ
ッシュ電極を使用したことが、この容量減少をもたらせ
る原因である。

更に、本発明による直視蓄積ターゲットは背景光が低く
コントラストの良好な光像を生じる。

本発明の蓄積ターゲットの写真的製造は簡単且つ安価で
あるにも拘らず１９５８年６月１７日付で発行された米
国特許第２，８ ３ ９，６ ７ ９号のＦ・Ｈ・ハリ
ス特許に開示するワイヤメッシュ電極を蓄積ターゲット
に使用する従来の蓄積管に匹適する解像度を有する。

本発明の蓄積ターゲット構造は、メッシュ電極、絶縁物
及び蓄積誘電体はいずれも絶縁物の共通支持板上に設け
られているので簡単、竪固且つ高信頼性である。

よって本発明の蓄積ターゲットのプレーナ構造により、
メッシュ電極の素子の厚さを増加するという問題なく大
口径の蓄積管ができるというのが、ワイヤメッシュを用
いる従来のターゲットとの違いである。

本発明の他の効果として、ターゲットの各蓄積誘電体領
域が略均一であって読出ビームでターゲットを走査する
とき電気的読出信号に電界の曲りによるノイズやシエー
デイングが少ないということである。

蓄積した情報の優れたハードコピーが高解像度蓄積情報
の結果得られる。

誘電体物質をメッシュ電極から絶縁する為のメッシュ電
極を覆う絶縁物を非蓄積特注の螢光体とし、この絶縁物
を非蓄積情報の表示に用い、蓄積情報を螢光誘電体の島
により表示して、いわゆるライトスルー動作モードとす
ることができる。

絶縁螢光体による発光色は螢光誘電体の島の発光色と異
なり、蓄積及び非蓄積情報を同時に優れたコントラスト
で観測できるようになす。

この絶縁物も蓄積特注を有し誘電体島の発光色とは異な
らしめることにより、書込まれ及び蓄積された情報は両
螢光体の合成色であり、背量は絶縁物の色となし情報の
観測にあたってコントラストを良好となす。

上述した効果に加えて、本発明の蓄積ターゲットは、そ
こに電荷像が蓄積されてもされなくともターゲットの背
面全体に実質的に均一な電界分布が生じる。

その理由は、メッシュ電極を形成する導電性素子が、こ
のターゲットの蓄積誘電体領域間において露出している
為である。

メッシュ電極の素子はすべて同一電位であるので、誘電
体領域の電位変化はターゲットの裏面の全電位分布には
ごく僅かの影響しか及ぼさない。

そこで電位分布は実質的に均一となる。

蓄積誘電体の連続層の下に電極を有する従来のターゲッ
トは誘電体層の近傍領域に蓄積された異なる電荷により
、ターゲット裏面に不均一な電界分布を生じる。

この不均一な電位分布は、書込ビームにより蓄積ターゲ
ット上に形成した電荷像を保持する為の低速照射ビーム
の蓄積ターゲットへの伝送に影響を及ぼし、「而グリッ
ド」と同様な作用をして電荷像に歪を生じる。

以下本発明の好適実施例に基づき更に詳細に説明する。

第１図に本発明による蓄積ターゲットを有する直視二定
電位型蓄積管１０を示す。

この蓄積管はカソ一ド１４、制御グリッド１６、フォー
力スアノード構体１８を含む単電子銃と１対の水平偏向
板２０及び垂直偏向板２２を有するものでもよい。

この単一電子銃は書込又は読出ビーム２３のいずれかを
生じるようにでき、その選択は連動した３個のスイッチ
２４，２６及び２８を夫夫制御グリッド１６、水平偏向
板２０及び垂直偏向板２２に接続し、後述する手法でＷ
ＲＩＴＥ（書込）及びＲＥＡＤ（読出）位置間で切換え
ることにより行なう。

然し、独立した２個の電子銃を使用して夫々書込ビーム
及び読出ビームの発生に使用できることが理解できよう
。

書込ビームは、それを垂直偏向板に印加した入力信号に
より蓄積ターゲット１２上に電荷像を形成する。

読出電子ビームは、蓄積ターゲット１２上に蓄積された
電荷像を例えば従来のテレビジョンラスク状に走査する
ことにより電気的読出信号を得る。

蓄積管１０の管球内には１個以上の照射電子銃３０を設
け、蓄積ターゲット１２の表面を低速照明電子ビームで
略均一に衝撃し、書込電子ビームで蓄積ターゲット上に
形成された電荷像を書込電子ビームが衝撃しなくなった
後も維持、即ち保持する。

蓄積ターゲット１２は、第２図及び第３図にも示してい
るが、負荷抵抗器３４を介して直流ターゲット電源に接
続されたメッシュ電極３２、このメッシュ電極の露出領
域３９を除きメッシュ電極と開口の一部を覆う絶縁体層
３７及びこの絶縁された開口内に設けられた矩形、円形
又はその他の所望形状の離間した島即ちドット配列の蓄
積誘電体３６を含み、蓄積誘電体の島はメッシュ電極３
２から隔離されている。

メッシュ電極３２の露出領域３９はコレクタ電極領域を
なす。

メッシュ電極３２に印加したターゲット電圧がターゲッ
ト電圧の「安定範囲」内、即ち、蓄積ターゲットの誘電
体３６の島が所望時間電荷像を蓄積できるとき、高速電
子の書込ビームは二次電子放射により誘電体３６上に電
荷像を形成する。

この電荷像は、メッシュ電極３２の露出領域３９により
捕集される低速照射電子の吸引により他の領域より正電
位である。

「書込まれた」電荷像の電位は誘電体の二次電子放射特
注曲線上の第１クロスオーバー電圧に対応する臨界電圧
以上であり、その誘電体の「書込まれなかった」背景領
域はこの臨界電圧以下である。

蓄積ターゲットを衝撃する照射電子は「書込まれた」領
域の誘電体３６の電位をメッシュ電極の電位に対応する
高電圧安定状態に、また「書込まなかった」背景領域の
電位を照射銃３０のカソードに印加した電圧に対応する
低電圧安定状態に駆動する。

この二定蓄積動作は既に米国特許第３２９３４７３号に
説明している。

負荷抵抗器３４は可変バイアス抵抗器３８を介して＋５
００ボルトの直流電源に接続され、この可変バイアス抵
抗器３８を調整しメッシュ電極３２に印加されるターゲ
ット電圧を制御する。

ターゲット１２に蓄積された電荷像を消去するには、可
変抵抗器３８の抵抗値を減少してメッシュ電極に印加さ
れる電圧が誘電体３６の「フェード・ポジティブ」電圧
を越して照射電子ビームが誘電体層の電位を一様に書込
まれた正電位になすようにする。

次に、可変抵抗器３８の抵抗値を増加して蓄積ターゲッ
トがもはや電荷像の蓄積を行ない得ない「保持しきい」
電圧以下になす。

その後メッシュ電極に供給する電圧をしきい電圧以上に
上げ「安定範囲」内のターゲット電圧として誘電体層が
電荷像を蓄積でき、ターゲットが他の電荷像を受けるこ
とができるようにする。

第１図の蓄積管の書込動作中、制御グリッド１６にはス
イッチ２４により、カソード１４に印加した−３，００
０ボルトに対して僅かに負電圧の−３，０２５ボルトを
印加する。

水平偏向板２０はスイッチ２６により水平掃引発生器４
０に接続され、垂直偏向板２２はスイッチ２８を介して
一般のオシロスコープに使用中の通常のものでよい垂直
増巾器４２に接続される。

蓄積ターゲット１２に蓄積したい波形の入力信号を垂直
増巾器４２の入力端に印加する。

蓄積ターゲット１２の誘電体３６はＰ１型、希土類で活
姓化された希土類酸化物又はオキシ硫化物の如き従来の
螢光体のみならずＰ１１，Ｐ２０Ｐ２２又はＰ３１の如
き光導電性螢光体を含む螢光体でよく、誘電体は蓄積管
が直視型の場合には蓄積ターゲット上に蓄積した電荷像
に対応する光像を生じる。

この場合、入力信号波形は蓄積管のフェースプレートか
ら直接観測できるので電気的読出回路は必要ではないが
、米国特許第 ３６７９８２４号に開示する技術によって蓄積情報の観
測及びハードコピーの作成が好ましい場合もあろう。

蓄積誘電体は複数の分離した島、即ち点状であり絶縁物
３７によりターゲット電極から絶縁されており、誘電体
に蓄積された電荷像がにじむのを防止しているので、蓄
積誘電体として光導電性螢光体を使用してもよい。

絶縁体３７は酸化アルミニウム、酸化トリウムシリカ等
の非螢光注絶縁物でもよいが、表面を誘電体３６の色と
異なる色の酸化物で処理した希土類で付活した希土酸化
物又はオキシ硫化物の如き非蓄積姓螢光体でもよく、蓄
積された情報と異なる色の非蓄積情報を表示して両情報
を容易に比較し得るようになすも可である。

この動作をライトスルーという。

絶縁物３７はまた誘電体３６と異なる発光色の希土類で
付活した希土類酸化物又はオキシ硫化物の如き蓄積螢光
体でもよく、誘電体３６上に蓄積した情報を誘電体３６
と絶縁体３７の合成色で表示し、絶縁体３７は蓄積情報
の両側にこの絶縁体３７の背景色を生じて蓄積情報と背
景とに色のコントラストを生じてもよい。

絶縁体３７は例えば赤の発光色を有するユーロピウム付
活のイツｌ− ＩＪウム酸化物又はオキシ硫化物であっ
てもよい。

蓄積誘電体は例えば緑の発光色を有するＰ１又はテルビ
ウム付活のイットリウム酸化物又はオキシ硫化物であっ
てもよい。

更にＰ３１，Ｐ２２ ，Ｐ１ １等の導電注螢光体を誘
電体３６（！：して使用して情報を蓄積するようにして
もよい。

蓄積ターゲット１２の近傍の管球の漏斗状部内面に設け
た導電体塗布層であるコリメート電極４５を設けてもよ
い。

このコリメート電極には＋５０ボルトの直流電圧を加え
て照射電子を蓄積ターゲットに集束させ正電位のターゲ
ット領域が近傍の負電位領域から照射電子の一部を吸引
するという前述の平面グリッド効果による蓄積情報の歪
を排除する。

然し、若し誘電体層３６が螢光体でなく酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウムの如き二次電子放射性物質の場合
には、蓄積管には読出回路を設けて蓄積ターゲットに蓄
積された電荷像に対応する電気的読出信号を得るように
しなければならない。

この為にはスイッチ２４により制御グリッド１６に直流
−３，０５０ボルト電圧を印加しカソード１４からター
ゲットへ流れる電子ビーム密度を減少して斯る読出ビー
ムがターゲット上に電荷像を蓄積するのを阻止する。

更に水平偏向板２０と垂直偏向板２２は夫々スイッチ２
６，２８を介して走査信号発生器４６に接続する。

この走査信号発生器は異なる周波数の鋸歯状波を両偏向
板に印加して読出ビームをテレビジョンの走査線状に偏
向する。

この走査線は蓄積ターゲット１２の全面又は一部を覆い
、そこに蓄積された像の一部を拡大するも可である。

この画像拡大は走査信号発生器を調整して垂直偏向板２
２に印加される垂直走査信号が拡大したい波形の両端に
対応する２つの電，圧限界内となるようにして自動的に
行なうことができる。

メッシュ電極３２に現われた電気的読出信号は結合コン
デンサ４８、低インピーダンス前置増幅器５０及び高利
得増幅器５２を介して遠隔地に配したテレビジョンモニ
タ管５４又は他の記録装置のＺ軸入力に供給される。

モニタ管５４の水平及び垂直偏向板は走査信号発生器４
６に接続して蓄積管の蓄積ターゲット１２上に蓄積され
た波形像全体又はその一部をモニタ管５４上に表示する
。

ターゲット１２の蓄積誘電体層３６が螢光体である場合
にもモニタ管及び電気的読出回路を使用することが好ま
しく、これにより蓄積情報又はその一部分の拡大像を遠
隔的に観測したり、表示された蓄積像のハードコピーを
得ることができる。

これらの技術については米国特許第３６７９８２４号に
開示している。

第２図及び第３図に示す如く、本発明の蓄積管用ターゲ
ット１２は、ＣＲＴ管球のガラス製フェースプレート部
であるを可とする絶縁物の透明支持板５６の一表面上に
設けた導電体の塗布層であるメッシュ電極３２を使用す
る。

この管球はガラスフリット６０によりフェースプレート
５６に封止されたセラミックの漏斗状部５８を含んでぃ
てもよ℃・。

メッシュ電極３２はアルミニウム、ニクロム、銀の如き
不透明導電体或は酸化錫の如き透明導電体で形成しても
よい。

メッシュ電極３２の一部は封止部６０を介して管球外に
引出され、管球内のメッシュ電極との導線部６１となす
。

蓄積ターゲットの誘電体３６は螢光体又は他の誘電体の
複数の離間した蓄積領域をなし、各蓄積領域はフェース
プレート５６の内面のメッシュｔ極３２の開口内に絶縁
体３７を介して塗布させる。

各蓄積領域はメッシュ電極の絶縁素子により相互に分離
され、コレクタ電極領域３９は絶縁物３７から露出して
いる。

蓄積誘電体領域は絶縁されたメッシュ電極素子と横方向
（ラテラル）関係でフェースプレート５６と直接接触し
て、従来のターゲットの一部の如くフェースプレート上
の連続した導電層と書込ビーム間に設けたものではない
。

その結果、斯る誘電体領域により形成され、蓄積ターゲ
ットを衝撃する書込ビームにより充電されるべき容量を
根本的に減少する。

誘電体領域は矩形、円形或はその他所望の形状でよく、
すべて略同一厚さとし蓄積ターゲットの全面に亘り略均
一な低い容量とする。

またこれら領域の裏面の外端は角ばらせず丸味を帯びさ
せて鋭角部にて生じる大きな電界の為にこの均一な容量
が得られる。

本発明の蓄積ターゲットは容易に大型平面又は曲面とな
し得る。

使用する材質によって、絶縁体３７はその動作モードを
決定する。

若し非螢光体であれば、背景光はほぼ零である。

若し非蓄積螢光体を絶縁体３Ｔとして使用すると、カラ
ーのライトスルーが行なえる。

若し絶縁体３７が蓄積螢光体であれば、優れたコントラ
ストが得られる。

第２図及び第３図に示す蓄積ターゲットは、螢光領域を
増加し高書込輝度及び低背景光を得る為に絶縁体３７と
して非螢光体を使用するとき好ましい構造である。

第２図及び第３図のターゲットはカラー・ライトスルー
動作しても使用できる。

誘電体島３６は全ターゲット面積の約７０％を占め、絶
縁体３７は約２０％、またコレクタ電極３９は約１０％
を占める。

第４図及び第５図の蓄積ターゲットの構造はカラー・コ
ントラスト動作モードを使用するとき好適であるが、こ
の構造でカラー・ライトスルー動作モードにも使用でき
る。

第４図及び第５図のターゲットは、メッシュ電極３２ａ
か酸化錫の如き透明導電体で作られ、このメッシュ電極
３２ａの導電領域にニッケル及びクロームの合金の如き
不透明導電体の点４１が多数固着され第５図に示す如き
露出したコレクタ電極領域４１をなす点を除き第２図及
び第３図と同じである。

絶縁体３７ａはフェースプレート５６ａの表面に接して
メッシュ電極３２ａの網目内へ伸び、網目を小さくする
と共に螢光体の蓄積誘電体３６ａの島を絶縁する。

絶縁物３７ａは露出したコレクク電極領域３９を除いて
メッシュ電極３２ａの導電部を完全に覆う。

この絶縁物３７ａは、カラー・コントラスト又はカラー
・ライト・スルー動作モード用には島３６ａの誘電体の
色と異なる色の蓄積又は非蓄積螢光誘電体である。

誘電体の島３６ａは全ターゲツ１・面積の約５０％、絶
縁物３７ａは約４０％、そしてコレクタ電極４１は約１
０％を夫夫占める。

透明導電体３２ａはまた全ターゲット面積の４０％を占
め、その透明度はその表面に固着した不透明のコレクク
電極点４１のパターンにより約１７４に減少する。

複数のけかき線を可とする目盛６４を蓄積ターゲット１
２の下部のフェースプレート５６の内面に設け、誘電体
層３６が螢光体であるとき内部目盛として用いて蓄積タ
ーゲット上に形成した光像の試験測定を行なう。

この内面目盛はフェースプレート５６の端面から光を入
射することにより照明してもよい。

更に、目盛６４はフェースプレートの内面に線状に印刷
したガラスフリットでもよい。

フェースプレート５６ａに目盛を設けてもよ℃゛。

第２図及び第３図の蓄積ターゲット構体の製作は次の工
程により行なう。

■クローム、ニッケル又はニッケルとクロームの合金の
如き不透明な導電体をフェースプレートの一面に塗布す
る。

■この導電体層上に感光物質（フォトレジスタ）の層を
設ける。

■このフォトレジストに導電メッシュ状にパターン形成
されたマスクを通して光をあてる。

■露光像を現像してその下部の導電体を蝕刻する。

（典型的な蝕効剤は硫酸セリウムアンモニウムと硝酸の
溶液である。

）（５）未露光領域のフォトレジストを除去する（一般
にはアセトン又は同様の溶液で洗浄する）。

以上■乃至■のＴ程により、ガラスフェースプレート上
に不透明な導電註メッシュができる。

■フォトレジストの第２の層ヲコの導電姓メッシュとガ
ラスフェースプレート上に設ける。

■フォトレジストの近くに他のマスクを配して光源から
フォトレズントを露光してコレクタ領域をなす重合した
フォトレジストの「点状」パターンを作る。

■導電姓メッシュを電解液（一般にイソプロビルアルコ
ールと硝酸アルミニウム）内のカン一ドとなす。

この電解液中には小さな正帯電粒子状の絶縁体（一般に
は酸化アルミニウム、二酸化トリウム又は二酸化珪素）
を浮遊させる。

メッシュに電圧を印加すると、これら絶縁物粒子は先に
設けたコレクタ領域をなすフォトレジストの点により保
護されていな℃・導電体メッシュ全面に向って進み、そ
こに付着する。

この絶縁物は１μ以上の厚さとなし、メッシュ開口の露
出端を覆う。

■螢光体を従来周知の写真定着技術法により固着させる
。

その一力法として、１００ｇの螢光体、１００ｇのポリ
ビニールアルコール、１０００ｌ７１ｌの水、１．０Ｔ
Ｌｌのインプロパノール及び２０ｇのニクロム酸アンモ
ニウムのスラリ一層を付着する。

このスラリーは感光姓であるので、露光により重合する
。

フォトマスクとして作用する導電姓メッシュを介して露
光することにより螢光体パターンを作る。

［相］未露光領域の螢光体は水洗により現像する。

■フェースプレートを焼イて螢光体から有機バインダー
を除くと共にコレクク領域からフォトレジストを除去す
る。

次に第４図及び第５図に示すカラー・コントラスト蓄積
ターゲットの製法を説明する。

■酸化錫の如き透明導電部材をガラス製フェースプレー
トの一面に設ける。

■この透明導電膜上にニッケル及びクローム合金の如き
不透明導電体を塗布する。

■このニッケル・クローム膜上にフォトレジスト層を設
ける。

■メッシュ形状のパターンを有するマスクヲ介してフォ
トレジストを露光する。

■フォトレジストの露光像を現像し、その下部の不透明
導電体及び透明導電層を蝕刻する（典型的な蝕刻剤は硝
酸中の硫化セリウム・アンモニウム、次（・で塩化水素
酸と亜鉛粉末である）。

■未露光部のフォトレジストを（アセトン又は類似溶剤
を用いて）除去する。

■導電姓メツソユ上にフォトレジスト層を設ける。

■このフォトレジストをその近傍に設けたマスクを介し
て露光し、現像してコレクタ領域となるフォトレジスト
の点のパターンを形成する。

■このターゲットの蓄積螢光体を標準の写真定着法によ
り、不透明導電性メッシュで囲まれた螢光体の島秋パタ
ーンとなす。

［相］フォトレジストで保護されていない不透明導電体
領域は、この物質のみを蝕刻し透明導電体は蝕刻しない
溶液中で蝕刻により除去する。

（典型的な蝕刻剤は硝酸中に加えた硫化セリウムアンモ
ニウムである。

この工程によりフォトレジストで保護され透明導電註メ
ッシュ上に固着した不透明導電注ドットパターンが得ら
れる。

＞ｏｆ１明導電性メッシュを（普通イソプロビルアルコ
ールと硝酸アンモニウムの）電解液中でカソードとなし
、その電解液中に誘電註螢光体の正に帯電した微細粒子
を浮遊させる。

典型的な螢光体はユーロピウム付活のイットリウム・オ
キシ硫化物である。

（若しターゲットをカラー・ライトスルーターゲットと
するには、この螢光体は通常の蓄積電圧では発光せず更
に高い電圧で発光するよう予め処理する。

）メッシュに電圧を印加すると、この螢光体粒子はメッ
シュ電極に向って移動してフォトレジストで保護されて
いない透明導電メッシュの全領域に付着する。

勿論この螢光体粒子は、既に設けた螢光体の島がメッシ
ュから電気的に絶縁されているので、そこには付着しな
い。

＠次にフェースプレートを焼いて螢光体及びコレクク領
域から有機バインダー及びフォトレジストを除去する。

前述した蓄積ターゲットの製法はいずれも感光層をメツ
ソユパターン状の光に露光させメッシュ電極３２ ．３
２ａを作る少なくとも１回の露光工程を含む。

これにより、メッシュ電極は複数の実質的に均一な小さ
な開口及び多数の小さなメッシュ素子が得られ、その結
果メッシュ電極の絶縁された開口内に多数の小さな螢光
体領域３６及び３６ａが得られる。

この微細な蓄積ターゲットにより、従来の複数のワイヤ
メッシュで形成した蓄積ターゲットでは決して得られな
かった極めて高解像度の電荷像蓄積及び可視光像の形成
が可能となる。

上述せる本発明蓄積管用ターゲットによれば、透明導電
体層の開口の周囲に蓄積螢光体と導電体層を絶縁する絶
縁注非蓄積螢光体を設けたので、蓄積像表示時に、導電
体層即ちコレクタ電極の周辺に電界が生じて照射電子が
非蓄積螢光体に衝突しても、非蓄積螢光体は低速電子に
対し、発光効率が低いので、従来のような蓄積螢光体周
縁のハローが生じない。

また、非蓄積像表示時には、書込みビームにより、蓄積
及び非蓄積螢光体が共に発光して輝度が向上し、更に蓄
積螢光体と異なる発光色の非蓄積螢光体を用いれば、非
蓄積像を両螢光体の合成色で表示でき、カラーのライト
スルーが行なえる。

尚、上述の説明は本発明の好適実施例についてのみ行っ
たものであるが、本発明の要旨を逸脱することなく種々
の変更変形ができることは尚業者には明白である。

それ故に、本発明の技術的範囲はこれら変更変形をも包
含するものであることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による蓄積管ターゲットを有する蓄積管
と関連回路の一実施例を示すブロック線図、第２図は第
１図の線２−２に沿う水平断面図であって本発明の一実
施例による蓄積管用ターゲットの部分拡大図、第３図は
第２図の線３−３に沿う蓄積ターゲットの拡大背面図、
第４図及び第５図は本発明の他の実施例による蓄積管用
ターゲットの第２図及び第３図に対応する図である。 図中５６，５６ａは絶縁姓支持板、３２，３２ａは導電
体層、３９は露出領域、３７，３７ａは絶縁体層、３６
，３６ａは絶縁体層、４１は不透明導電体である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 絶縁性透明支持板と、該支持板の一面に設けられ、
   複数の開口を有する透明導電体層と、該導電体層の上記
   開口内に設けた蓄積螢光体と、上記導電体層上及び上記
   開口内の周縁部に設けられ、上記蓄積螢光体層を上記導
   電体層から絶縁する絶縁性非蓄積螢光体と、上記導電体
   層を連続又は複数に分離して露出させて形成したコレク
   タ電極とを具えることを特徴とする蓄積管用ターゲット
   。