JPS5887147A - Conductive acetylene high polymer - Google Patents

Conductive acetylene high polymer

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JPS5887147A
JPS5887147A JP18544781A JP18544781A JPS5887147A JP S5887147 A JPS5887147 A JP S5887147A JP 18544781 A JP18544781 A JP 18544781A JP 18544781 A JP18544781 A JP 18544781A JP S5887147 A JPS5887147 A JP S5887147A
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JP
Japan
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acetylene
polymer
doping
high polymer
electrical conductivity
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Application number
JP18544781A
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Japanese (ja)
Inventor
Masao Kobayashi
小林 征男
Soichiro Kawakami
総一郎 川上
Masaaki Kira
吉良 正明
Hidenori Nakamura
英則 中村
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Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide an n type semiconducting acetylene high polymer with a high electrical conductivity, by doping thereto a specific cation electrochemically. CONSTITUTION:One or more cations of (i) nitrosouium ion (NO<+>), (ii) nitronium ion (NO<+>) and, (iii) hydrazonium ion (N2H<+>5) are used. A salt of the above cations (e.g., NO<+>.BF<->4), as a supporting electrolyte, is dissolved in an aprotic org. solvent with a high dielectric constant (e.g., propylene carbonate) to form an electrolytic soln. Then, in the electrolytic soln., the cation is doped to an acetylene high polymer (pref. having a fibrous microcrystalline structure) as the cathode by applying the voltage above about 0.4V DC. The amt. of doping is pref. about 1-40mol% per mol of a CH repeating unit in the acetylene high polymer.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高い電導性を有するアセチレン高重合体に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to acetylene polymers with high electrical conductivity.

遷移金属化合物と有機金属化合物とからなるいわゆるチ
ーグラー・ナツタ触媒を用いてアセチレンを重合して得
られる粉末状アセチレン高重合体は、その電気伝導度が
半導体領域にあることにより、電気・電子素子材料とし
て有用であることはすでに知られている。また、この粉
末状アセチレン高重合体をBF8.BCj?3.HC/
、Cf2.SO2゜No2.HCN、02.No等の電
子受容性化合物(アクセプター)で処理すると電気伝導
度が最高3桁上昇し、逆にアンモニアやメチルアミンの
ような電子供与性化合物(ドナー)で処理すると電気伝
導度が最高4桁低下することもすでに知られている( 
D、J、Beretset al、、TransOFa
rady Soc、。
Powdered acetylene polymers obtained by polymerizing acetylene using a so-called Ziegler-Natsuta catalyst consisting of a transition metal compound and an organometallic compound have electrical conductivity in the semiconductor region, making them useful materials for electrical and electronic devices. It is already known that it is useful as Further, this powdered acetylene high polymer was added to BF8. BCj? 3. HC/
, Cf2. SO2゜No2. HCN, 02. When treated with an electron-accepting compound (acceptor) such as No, the electrical conductivity increases by up to 3 orders of magnitude, and conversely, when treated with an electron-donating compound (donor) such as ammonia or methylamine, the electrical conductivity decreases by up to 4 orders of magnitude. It is also already known to do (
D., J., Beretset al., TransOFa.
rady Soc.

旦、823 (1968))。Dan, 823 (1968)).

さらに、特定の重合条件下では、繊維状微結晶(フィブ
リル)構造を有するアセチレン高重合体の薄膜が得られ
ることもすでに知られている(特公昭48−32581
号)。近年、この方法で得られた薄膜のアセチレン高重
合体に、I2.C72゜Br2. IC1!、 IBr
、AsF515bli”、 、 PF6.等の如き電子
受容性化合物またはNa、に、Li  の如き電子供与
性化合物を化学的にドープすることによってアセチレン
高重合体の電気伝導度を10〜10Ω ・m の広い範
囲にわたって自由にコントロールできることもすでに知
られている。(J、C1S。
Furthermore, it is already known that under certain polymerization conditions, thin films of acetylene polymers having a fibrous microcrystalline (fibril) structure can be obtained (Japanese Patent Publication No. 48-32581
issue). In recent years, I2. C72°Br2. IC1! , IBr
, AsF515bli'', , PF6., etc., or by chemically doping Na with an electron-donating compound such as Li, the electrical conductivity of the acetylene polymer can be increased to a wide range of 10 to 10 Ω m. It is also already known that it can be freely controlled over a range (J, C1S).

Chem、Commu、、578 (] 977 )、
Phys、Rev、Le−tt、、39.1098(1
977)、J、Am、Chem、Sac、。
Chem, Commu,, 578 (] 977),
Phys, Rev. Le-tt., 39.1098 (1
977), J, Am, Chem, Sac.

±00.1013(1978)、J、Chem、Phy
a、、695098(1978)]。
±00.1013 (1978), J, Chem, Phy
a, 695098 (1978)].

本発明者等の一部は、前記方法と異なった方法で繊維状
微結晶(フィブリル)構造を有するアセチレン高重合体
を製造する方法とその成形加工法法(特開昭55−12
8419号、同55−129404号、同55−142
030号、同55−145710号、同55−1457
11号、 同56−10428号、特願昭55−346
87号)およびアセチレン高重合体を新しいドーパント
で処理して高い電気伝導度を有するアセチレン高重合体
を製造する方法(特開昭55−129424号、同55
−129425号、同55−129426号、同55−
129427号、同55−143702号、同55−1
43703号)についてすでに提案した。
Some of the present inventors have proposed a method for producing an acetylene polymer having a fibrous microcrystalline (fibril) structure by a method different from the above-mentioned method, and a method for molding the same (Japanese Unexamined Patent Publication No. 55-12
No. 8419, No. 55-129404, No. 55-142
No. 030, No. 55-145710, No. 55-1457
No. 11, No. 56-10428, patent application No. 55-346
No. 87) and a method for producing an acetylene polymer with high electrical conductivity by treating an acetylene polymer with a new dopant (JP-A-55-129424, No. 55)
-129425, 55-129426, 55-
No. 129427, No. 55-143702, No. 55-1
43703) has already been proposed.

また、前記の化学的にドーピングする手法以外に電気化
学的にCIO: 、 PF6−+ As F6 、 A
s F4″’、CF3503− 、 BF;等の如きア
ニオンおよびR体”(R1’ :アルキル基)の如きカ
チオンをアセチレン高重合体にドープしてp型およびn
型の電導性アセチレン高重合体を製造する方法もすでに
開発されている[ J、C,S、Chem、Cornm
u、、] 979 、594 、 C&ENJan。2
6.39 (1981) 、 J、C,S、Chem、
Commu、。
In addition to the above-mentioned chemical doping method, electrochemical doping of CIO: , PF6-+ As F6, A
Anions such as sF4'', CF3503-, BF; and cations such as R-type (R1': alkyl group) are doped into acetylene polymers to form p-type and n-type polymers.
Methods have also been developed to produce conductive acetylene polymers of the type [J, C, S, Chem, Cornm.
u,] 979, 594, C&ENJan. 2
6.39 (1981), J.C.S.Chem.
Commu,.

1981.317]。1981.317].

しかしながら、電気化学的にN4Hをトープしてn型の
電導性アセチレン高重合体を製造する場合、アセチレン
高重合体にドープできるドーパントの量は、アセチレン
高重合体の繰り返し単位CH]モル当り高々6モル係で
あった。ドーパントの量が6モル係を越えるとアセチレ
ン高重合体の一部が劣化を受は電気伝導度が急激に低下
する欠点があった。アセチレン高重合体にトープできる
ドーパントの量を増大させることは、アセチレン高重合
体を電極に用いたバッチ’J −CC& EN Jan
However, when electrochemically doping N4H to produce an n-type conductive acetylene polymer, the amount of dopant that can be doped into the acetylene polymer is at most 6 moles per repeating unit CH of the acetylene polymer. He was in charge of the mall. When the amount of the dopant exceeds 6 molar ratios, a portion of the acetylene polymer deteriorates, resulting in a sharp drop in electrical conductivity. Increasing the amount of dopant that can be toped into the acetylene polymer is a significant improvement in the number of batches using the acetylene polymer as an electrode.
.

26.39(1981)、J、C,S、Chem、Co
mmu、、 ]98ユ、317]のエネルギー密度を高
めたり、より高い電気伝導度のアセチレン高重合体を製
造するために必須要件であり、当該業者の間ではアセチ
レン高重合体を劣化させることなく、より多くの量がド
ープできると共にn型の電導性アセチレン高重合体を与
える新しいドーパントの開発が切望されていた。
26.39 (1981), J.C.S.Chem.Co.
It is an essential requirement for increasing the energy density of mmu, ]98U, 317] and for producing acetylene high polymers with higher electrical conductivity, and among those in the industry, it is essential to increase the energy density of acetylene high polymers without degrading them. There has been a strong desire to develop a new dopant that can be doped in a larger amount and provides an n-type conductive acetylene polymer.

本発明者等は、上記の点に鑑みてアセチレン高重合体を
劣化することなく、より多くのドープが可能なドーパン
トについて種々検討した結果、本発明を見出したもので
ある。
In view of the above points, the present inventors have discovered the present invention as a result of various studies on dopants that can be doped in larger amounts without deteriorating the acetylene polymer.

即ち、本発明は、アセチレン高重合体に、(i)  ニ
トロソニウムイオン(No  )(11)ニトロニウム
イオン(NO2)(曲 ヒドラゾニウムイオン(N2H
,)から選ばれた少なくとも一種のカチオンをトープし
てなる電導性アセチレン高重合体に関する。
That is, the present invention provides an acetylene polymer with (i) nitrosonium ion (No) (11) nitronium ion (NO2) (hydrazonium ion (N2H)
This invention relates to an electrically conductive acetylene polymer comprising at least one cation selected from , ).

本発明の電導性アセチレン高重合体は、カチオンをドー
パントとして用いることによってアセチレン高重合体を
劣化させることなく、多くの量のドーピングが可能であ
るから、アセチレン高重合体を電極に用いたバッテリー
や高い電気伝導性を有するn型アセチレン高重合体とし
て最適である。
The conductive acetylene polymer of the present invention can be doped in a large amount without deteriorating the acetylene polymer by using cations as a dopant. It is most suitable as an n-type acetylene polymer with high electrical conductivity.

本発明において使用されるアセチレン高重合体は、特に
制限はなく、粉末状、フィルム状、繊維状のいずれの形
状のものでも使用することができるが、繊維状微結晶(
フィブリル)構造を有するアセチレン高重合体が好まし
い。アセチレン高重合体の具体的な製造例としては、例
えば特公昭48−32581号、J、Chem、Phy
s、、69(]、)、  106〜l1l(1978)
  の方法、および本発明者等の一部がすでに提案した
特開昭55−1.28419号、同55−129404
号、同55−142030号、同55−145710号
、同55−145711号、同56−1042’8号、
特願昭55−34687号等の方法があげられるが、必
ずしもこれらの方法によって得られるアセチレン高重合
体に限定されるものではない。
The acetylene polymer used in the present invention is not particularly limited, and can be used in any form such as powder, film, or fiber, but fibrous microcrystals (
An acetylene polymer having a fibril structure is preferred. Specific production examples of acetylene polymers include, for example, Japanese Patent Publication No. 48-32581, J. Chem, Phy.
s,, 69(],), 106-l1l (1978)
method, and JP-A-55-1.28419 and JP-A-55-129404, which some of the present inventors have already proposed.
No. 55-142030, No. 55-145710, No. 55-145711, No. 56-1042'8,
Examples include methods such as those disclosed in Japanese Patent Application No. 55-34687, but the method is not necessarily limited to acetylene polymers obtained by these methods.

本発明において使用されるカチオンは、これらHF2等
のアニオンとの塩を支持電解質として用いることによっ
て公知の電気化学的手法(J、C0S。
The cation used in the present invention can be prepared using a known electrochemical method (J, COS) by using a salt with an anion such as HF2 as a supporting electrolyte.

Chem、Commu、、  1979 、594 、
 J、C,S、Chem。
Chem, Commu, 1979, 594,
J, C, S, Chem.

Commu、、j981,317)  によりドープす
ることができるが、必ずしもこれらの化合物に限定され
るものではなく、本発明の主旨はあくまでも(:)ニト
ロソニウムイオン(No) (11)ニトロニウムイオン(NO2)(曲  ヒドラ
ゾニウムイオン(N2 H,)から選ばれた少なくとも
一種のカチオンをアセチレン高重合体にドープすること
にある。
(Commu, J981, 317), but it is not necessarily limited to these compounds, and the gist of the present invention is to dope with (:) nitrosonium ion (No) (11) nitronium ion (NO2 ) (song) The method consists in doping an acetylene polymer with at least one cation selected from hydrazonium ions (N2H, ).

アセチレン高重合体にトープされるカチオンのドープ量
は、アセチレン高重合体のくり返し単位CH]モル当り
1〜40モル係であり、好ましくは2〜30モル係であ
る。カチオンのドープ量が1モル係未満では電気伝導度
の充分高いアセチレン高重合体を製造することはできず
、また、ドープ量が40モル係を越えると、アセチレン
高重合体が酸化劣化を受けるので好ましくない。
The amount of cation doped into the acetylene polymer is 1 to 40 mol, preferably 2 to 30 mol, per mol of repeating unit CH of the acetylene polymer. If the cation doping amount is less than 1 mol, it is not possible to produce an acetylene polymer with sufficiently high electrical conductivity, and if the doping amount exceeds 40 mol, the acetylene polymer will undergo oxidative deterioration. Undesirable.

本発明のカチオンを電気化学的にアセチレン高重合体に
ドープする方法は、すでに公知の方法[J、C0S、C
hem、Commu、、−1979,594,1bid
、。
The method of electrochemically doping the acetylene polymer with the cation of the present invention is a method already known [J, COS, C
hem, Commu, -1979,594,1 bid
,.

] 981.31.7 、JJlectroanal、
Chem、、上ユニ。
] 981.31.7, JJelectroanal,
Chem,, upper uni.

11 s (1,9s o ) ]に準じて行なうこと
ができるが、通常、非プロトン性でかつ高誘電率の有機
溶媒に本発明のカチオンの塩を溶解して電解液とし、ア
セチレン高重合体がカソード極になるように08■以上
の直流電圧を印加することによって行なうことができる
。カチオンのドープ量は電解の際に流ねた電気量を測定
することによって自由に制御することができる。一定電
流下でも一定電圧下でもまた電流及び電圧の変化する条
件下のいずれの方法でドーピングを行なっても良い。ド
ーピングの際の電流値、電圧値及びドーピング時間等は
、用いるアセチレン高重合体の嵩さ密度、面積、ドーパ
ント(カチオン)の種類、電解液の種類、要求される電
導性アセチレン高重合体の電気伝導度によって異なるの
で一概に規定することは出来ない。
11 s (1,9s o )], but usually, the cation salt of the present invention is dissolved in an aprotic and high dielectric constant organic solvent to prepare an electrolytic solution, and the acetylene high polymer This can be done by applying a DC voltage of 0.8 mm or more so that the electrode becomes the cathode electrode. The amount of cation doped can be freely controlled by measuring the amount of electricity flowing during electrolysis. Doping may be carried out either under constant current, constant voltage, or varying current and voltage conditions. The current value, voltage value, doping time, etc. during doping depend on the bulk density and area of the acetylene polymer used, the type of dopant (cation), the type of electrolyte, and the required electrical conductivity of the acetylene polymer. Since it varies depending on the conductivity, it cannot be defined unconditionally.

本発明において用いられる電解液は、通常は非水の有機
溶媒に本発明のカチオンの塩を溶かしたものである。こ
こでいう有機溶媒としては、非プロトン性でかつ高誘電
率のものが好ましい。具体例としては、グロピレンカー
ボネート、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルフオキシ
ド、ジメチルフォルムアマイド、アセトニトリル、エチ
レンカーボネート、テトラヒドロフラン、ジメトキシエ
タン、メチルフォルメイト、ジクロロエタン等を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。こ
れらの有機溶媒は一種類又は二種類以上の混合溶媒とし
て用いても良い。電解質の濃度は用いる正極又は負極の
種類、ドーピング条件、作動温度、電解質の種類及び有
機溶媒の種類等によって異なるので一概に規定すること
は出来ないが、通常は0.001〜10モル/lの範囲
である。
The electrolytic solution used in the present invention is usually one in which the cation salt of the present invention is dissolved in a non-aqueous organic solvent. The organic solvent mentioned here is preferably one that is aprotic and has a high dielectric constant. Specific examples include, but are not limited to, glopyrene carbonate, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, dimethyl formamide, acetonitrile, ethylene carbonate, tetrahydrofuran, dimethoxyethane, methylformate, dichloroethane, etc. It's not a thing. These organic solvents may be used alone or as a mixed solvent of two or more. The concentration of the electrolyte cannot be unconditionally defined because it varies depending on the type of positive or negative electrode used, doping conditions, operating temperature, type of electrolyte, type of organic solvent, etc., but it is usually 0.001 to 10 mol/l. range.

本発明のカチオンを用いることによってアセチレン高重
合体を劣化させることなく、従来公知のカチオンに比較
して多くの量のカチオンをアセチレン高重合体にドープ
することができるから、本発明の電導性アセチレン高重
合体はアセチレン高重合体を電極に用いたバッテリーや
高い電気伝導性を要求されるアセチレン高重合体として
最適である。本発明の電導性アセチレン高重合体はn型
半導体であり、種々の電気・電子素子として有用である
ばかりでなく、p型半導体と組み合せて容易にp−n接
合を作ることも可能である。
By using the cation of the present invention, the acetylene polymer can be doped with a larger amount of cation than conventionally known cations without degrading the acetylene polymer. High polymers are most suitable for batteries using acetylene high polymers as electrodes and acetylene high polymers that require high electrical conductivity. The conductive acetylene polymer of the present invention is an n-type semiconductor, and is not only useful as various electric/electronic devices, but also can be combined with a p-type semiconductor to easily form a pn junction.

以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.

実施例 1 〔アセチレン高重合体の製造〕 窒素雰囲気下で内容積500m/!のガラス製反応容器
に、5.tmBls、oミリモル)のチタニウムテトラ
ブトキサイドを加え、20.0mlのトルエンに溶かし
、541n7!(40ミリモル)のトリエチルアルミニ
ウムを攪拌しながら加えて反応させ触媒溶液を調製した
Example 1 [Manufacture of acetylene high polymer] Internal volume 500 m/! under nitrogen atmosphere! 5. into a glass reaction vessel. tmBls, o mmol) of titanium tetrabutoxide was added, dissolved in 20.0 ml of toluene, and 541n7! (40 mmol) of triethylaluminum was added with stirring to react, and a catalyst solution was prepared.

この反応容器を液体窒素で冷却して、系中の窒素ガスを
真空ポンプで排気し、次いでこの反応容器を一78℃に
冷却した。
The reaction vessel was cooled with liquid nitrogen, the nitrogen gas in the system was evacuated using a vacuum pump, and then the reaction vessel was cooled to -78°C.

反応容器を回転させて触媒溶液を反応容器の内壁に均一
に付着させた後、反応容器を静置させた状態で直ちに1
気圧の圧力の精製アセチレンガスを導入して重合を開始
した。重合開始と同時に反応容器の内壁に金属光沢を有
するアセチレン高重合体が析出した。−78℃の温度で
、アセチレン圧を1気圧の状態に保って1時間重合反応
を行なった後、未反応のアセチレンを真空ポンプで排気
して重合を停止した。窒素雰囲気下で残存触媒溶液を注
射器で除去した後、−78°Cに保ったi!ま精製トル
エン100m1で6回洗浄を繰り返し、次いで室温で真
空乾燥した。
After rotating the reaction container to uniformly adhere the catalyst solution to the inner wall of the reaction container, immediately add 1
Polymerization was initiated by introducing purified acetylene gas at a pressure of atmospheric pressure. Simultaneously with the initiation of polymerization, an acetylene high polymer with metallic luster was deposited on the inner wall of the reaction vessel. The polymerization reaction was carried out at a temperature of -78° C. for 1 hour while maintaining the acetylene pressure at 1 atm, and then unreacted acetylene was evacuated with a vacuum pump to stop the polymerization. After removing the residual catalyst solution with a syringe under a nitrogen atmosphere, the i! was kept at −78 °C. Washing with 100 ml of purified toluene was repeated six times, followed by vacuum drying at room temperature.

触媒溶液が反応器内壁に付着した部分に、その部分と面
積が等しく、厚さが90μmでシス含量が98係の膜状
アセチレン高重合体が得られた。
A film-like acetylene high polymer having an area equal to that of the portion where the catalyst solution adhered to the inner wall of the reactor, a thickness of 90 μm, and a cis content of 98 was obtained.

この膜状アセチレン高重合体の電気伝導度(直流二端子
法)は20°Cで2.5 X 1. O−8Ω−”−c
m−’ テあった。
The electrical conductivity (DC two terminal method) of this film-like acetylene polymer is 2.5 x 1. O-8Ω-”-c
m-' There was.

〔ドーピング実験〕[Doping experiment]

上記方法で製造したアセチレン高重合体より、幅がQ、
 5 Cmで長さが20c′rnの小片を切り出して、
白金線に機械的に圧着固定してカソード極とし、もう一
方の電極として白金板を用い、No −B F4の濃度
が03モル/eのプロピレンカーボネート溶液を電解液
として用い、一定電流下(1,omA)で5時間ドーピ
ングを行なった。ドーピング終了後、トープされたアセ
チレン高重合体フィルムをプロピレンカーボネートで繰
り返し洗浄し、金色の金属光沢を有するドープアセチレ
ン高重合体を得た。このドープアセチレン高重合体フィ
ルムの組成は元素分析より[CH(No)。−19]x
  であり、その電気伝導度(直流四端子法)は660
Ω−1・ctF ’のn型半導体であった。
From the acetylene polymer produced by the above method, the width is Q,
Cut out a small piece with a length of 5 cm and 20 c′rn,
A cathode electrode was mechanically crimped and fixed to a platinum wire, a platinum plate was used as the other electrode, and a propylene carbonate solution with a concentration of No-B F4 of 0.3 mol/e was used as an electrolyte. , omA) for 5 hours. After the doping was completed, the doped acetylene polymer film was washed repeatedly with propylene carbonate to obtain a doped acetylene polymer having a golden metallic luster. The composition of this doped acetylene polymer film was determined by elemental analysis [CH (No). −19]x
and its electrical conductivity (DC four terminal method) is 660
It was an n-type semiconductor of Ω-1·ctF'.

比較例 1 実施例1で得られたアセチレン高重合体を用い、実施例
1の〔ドーピング実験〕で支持電解質として用いたニト
ロソニウム塩の代りにBu’ nN−cj’0、を用い
た以外は実施例】と同じドーピング条件でドーピングを
行なった。ドープされたアセチレン高重合体は一部酸化
劣化を受けて濃紺色であった。とのドープアセチレン高
重合体の組成は元素分析よりCCH(Bu’ nN)o
s71〕xであり、その電気伝導度は12Ω−1・ff
1−1のn型半導体であった。
Comparative Example 1 The acetylene polymer obtained in Example 1 was used, except that Bu'nN-cj'0 was used instead of the nitrosonium salt used as the supporting electrolyte in the [doping experiment] of Example 1. Doping was carried out under the same doping conditions as in Example. The doped acetylene polymer was dark blue due to some oxidative deterioration. The composition of the doped acetylene polymer was determined by elemental analysis to be CCH(Bu' nN)o
s71]x, and its electrical conductivity is 12Ω-1・ff
1-1 n-type semiconductor.

実施例 2 〔アセチレン高重合体の製造〕 窒素ガスで完全に置換した11のガラス製反応器に、重
合溶媒として常法にしたがって精製したトルエン200
 mA、触媒としてテトラブトキシチタニウム294ミ
リモルおよびトリエチルアルミニウム7.34ミリモル
を順次に室温で仕込んで触媒溶液を調製した。触媒溶液
は均一溶液であった。
Example 2 [Production of acetylene polymer] To 11 glass reactors completely purged with nitrogen gas, 200 ml of toluene purified according to a conventional method was added as a polymerization solvent.
A catalyst solution was prepared by sequentially charging mA, 294 mmol of tetrabutoxytitanium and 7.34 mmol of triethylaluminum as a catalyst at room temperature. The catalyst solution was a homogeneous solution.

反応器を液体窒素で冷却して系中の窒素ガスを真空ポン
プで排気した。
The reactor was cooled with liquid nitrogen, and the nitrogen gas in the system was exhausted using a vacuum pump.

一78℃に反応器を冷却してマグネチック・スターラー
で触媒溶液を攪拌しながら、1気圧の圧力の精製アセチ
レンガスを吹き込んだ。重合反応の初期に系全体は寒天
状になり、攪拌が困難になった。アセチレンガス圧を1
気圧に保ったままで24時間重合反応をその壕ま継続し
た。系は赤紫色を呈した寒天状であった。重合終了後、
未反応のアセチレンガスを除去し、系の温度を一78℃
に保ったまま200m1の精製トルエンで4回繰り返し
洗浄した。洗浄後も溶液はやや褐色をおび、触媒は完全
に除去されなかった。トルエン中で膨潤したゲル状アセ
チレン重合体は、繊維状微結晶が絡み合った均一チップ
状であり、粉末状や塊状のポリマーは生成していなかっ
た。
The reactor was cooled to -78° C., and purified acetylene gas at a pressure of 1 atmosphere was blown into the reactor while stirring the catalyst solution with a magnetic stirrer. At the beginning of the polymerization reaction, the entire system became agar-like, making stirring difficult. Acetylene gas pressure 1
The polymerization reaction was continued for 24 hours while maintaining the atmospheric pressure. The system was agar-like with a reddish-purple color. After polymerization,
Remove unreacted acetylene gas and lower the system temperature to -78°C.
Washing was repeated four times with 200 ml of purified toluene while maintaining the temperature. The solution remained slightly brown even after washing, and the catalyst was not completely removed. The gel-like acetylene polymer swollen in toluene was in the form of uniform chips with intertwined fibrous microcrystals, and no powder or lump-like polymer was produced.

均一ゲル状物の一部を取り出して乾燥し、ゲル状物中の
アセチレン高重合体の量を測定したところ、ゲル状物中
にアセチレン高重合体は10重量係含有されていた。
A portion of the homogeneous gel was taken out and dried, and the amount of acetylene high polymer in the gel was measured, and it was found that the gel contained 10% of the acetylene high polymer by weight.

上記のゲル状物を厚さ10酵、縦1. Q Ortrm
、横50酬の型枠に入れ、クロムメッキしたフェロ板で
はさんで、室温で100 kp / cm2の圧力でト
ルエンを除きながらプレス成形して膜厚が5aの可撓性
のある強靭なフィルム状成形品を得た。このフィルム状
成形品は電気伝導度(直流二端子法で測定)が5×10
 Ω・m のp型半導体であった。
The above gel-like material is 10 mm thick and 1 mm long. Q Ortrm
, placed in a 50 mm width mold, sandwiched between chrome-plated ferro plates, and press-formed at room temperature under a pressure of 100 kp/cm2 while removing toluene to form a flexible and strong film with a thickness of 5 mm. A molded product was obtained. This film-like molded product has an electrical conductivity (measured by the DC two terminal method) of 5×10
It was a p-type semiconductor of Ω·m.

〔ドーピング実験〕[Doping experiment]

実施例1で用いたアセチレン高重合体の代りに上記方法
で得られたフィルム状成形品を用い、支持電解質として
実施例1で用いたニトロソニウム塩の代りにNO2・c
7?o4−を用い 7時間ドーピングを行なった以外は
実施例1と全く同様の方法でドーピング実験を行ない組
成がCCH(NO2)b2o)xノ金色フィルムを得た
。このフィルムは電気伝導度が4F;0Ω・訓 のn型
半導体であった実施例 3 実施例1で得たアセチレン高重合体を用い、実施例1で
支持電解質として用いたニトロソニウム塩の代りにN2
H,・AsF;  を用いた以外は実施例1と全く同様
の方法によってドーピングを行ない、組成が [CH(
N、、 H5)o、+ao″lX  の金色フィルムを
得た。このフィルムは電気伝導度は790Ω・cln−
1のn型半導体であった。
In place of the acetylene polymer used in Example 1, the film-shaped molded product obtained by the above method was used, and as the supporting electrolyte, NO2.c was used in place of the nitrosonium salt used in Example 1.
7? A doping experiment was carried out in exactly the same manner as in Example 1, except that doping was carried out for 7 hours using O4-, to obtain a golden film having a composition of CCH(NO2)b2o)x. This film was an n-type semiconductor with an electrical conductivity of 4F; 0Ω.Example 3 The acetylene polymer obtained in Example 1 was used instead of the nitrosonium salt used as the supporting electrolyte in Example 1. N2
Doping was carried out in the same manner as in Example 1 except that H, AsF; was used, and the composition was [CH(
A golden film of N,,H5)o,+ao″lX was obtained.The electrical conductivity of this film was 790Ω・cln−
It was a No. 1 n-type semiconductor.

実施例 4 実施例1で用いたアセチレン高重合体の代りに実施例2
で得たアセチレン高重合体のフィルム状成形品を用い、
支持電解質として実施例1で用いたニトロソニウム塩の
代りにN2H5・PF6を用いた以外は実施例1と全く
同様の方法で〔ドーピングの実験〕を行ない組成がCC
H(N2H5)0.+7[+ ]xの金色フィルムを得
た。このフィルムは電気伝導度が530Ω・節 のn型
半導体であった。
Example 4 Example 2 was used instead of the acetylene polymer used in Example 1.
Using a film-shaped molded product of acetylene high polymer obtained in
[Doping experiment] was carried out in exactly the same manner as in Example 1 except that N2H5.PF6 was used instead of the nitrosonium salt used in Example 1 as the supporting electrolyte, and the composition was CC.
H(N2H5)0. A golden film of +7[+]x was obtained. This film was an n-type semiconductor with an electrical conductivity of 530Ω·node.

特許出願人 昭和電工株式会社 代理人 弁理士菊地精−Patent applicant: Showa Denko Co., Ltd. Agent: Patent Attorney Sei Kikuchi

Claims (1)

【特許請求の範囲】 アセチレン高重合体に (1)ニトロソニウムイオン(No  )(II)  
ニトロニウムイオン(N02)(II)ヒドラゾニウム
イオン(N2 H5)から選ばれた少なくとも一種のカ
チオンを電気化学的にドープしてなる電導性アセチレン
高重合体。
[Claims] In the acetylene polymer (1) nitrosonium ion (No. 2) (II)
An electrically conductive acetylene polymer electrochemically doped with at least one cation selected from nitronium ions (N02) (II) and hydrazonium ions (N2 H5).
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