JPS5880245A - Magnetron - Google Patents

Magnetron

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JPS5880245A
JPS5880245A JP17771281A JP17771281A JPS5880245A JP S5880245 A JPS5880245 A JP S5880245A JP 17771281 A JP17771281 A JP 17771281A JP 17771281 A JP17771281 A JP 17771281A JP S5880245 A JPS5880245 A JP S5880245A
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cathode
magnetron
anode
noise
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JP17771281A
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Toshio Kawaguchi
川口 敏夫
Noritoshi Hinuma
肥沼 徳寿
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B9/00Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/01Generation of oscillations using transit-time effects using discharge tubes
    • H03B9/10Generation of oscillations using transit-time effects using discharge tubes using a magnetron

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  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the noise and to improve the stability of oscillation without requiring an external power source for a third electrode, by setting the bias voltage of the third electrode for a magnetron to the negative high level for the low anode current while to the negative low level or zero for the high anode current. CONSTITUTION:A cathode heating winding L2 and a high voltage winding L3 are provided at the secondary side of a leakage transformer 61 but the third electrode winding is not provided. The winding L2 is connected to the cathode K of a magnetron 62 having the third electrode while one end of said winding L3 is grounded and the other end is connected together with the cathode electrode of a forward rectifier SR1 to said cathode K through a capacitor C1 and the anode electrode of the rectifier SR1 is grounded. The third electrode D is connected to the cathode K through a reverse rectifire SR2 while grounded through a capacitor C2. Consequently the noise is reduced and the oscillation stability is improved.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はマグネトロン装gK係り、特にその電算(g
l路に関するe −、IC,電界に対して直角&C磁界を与えるマグネト
ロンは−、これを取付けた電子機器、例えば電子レンジ
として今日広く普及しているが、これに伴なって雑音漏
洩の規制が強化される方向にある。ζO雑音規制に関し
て、国際的には一際無線障書特別委員会(Cl8PRと
称す)の勧告に基すき、各国において実施もしくは検討
中である。従って、マグネトロン自体から発生する雑音
の低減対策が一層i!Iまれるようになりて自た。
[Detailed Description of the Invention] This invention relates to magnetron equipment gK, especially its computer (gK).
The magnetron, which provides a magnetic field perpendicular to the IC and the electric field, is now widely used in electronic equipment such as microwave ovens, but along with this, noise leakage regulations have become stricter. It is on track to be strengthened. Internationally, ζO noise regulations are being implemented or under consideration in each country based on the recommendations of the International Special Committee on Radio Interference (referred to as Cl8PR). Therefore, measures to reduce the noise generated from the magnetron itself are even more effective. I started to get caught up in it, so I stopped myself.

とζろで、マグネトロンから発生する低い周波数(例え
ば1001ain以下)の雑音の原因として、次のよう
な考えがある。即ち、第1wAはマグネトロンの同軸配
置され九アノードを構成する7ノードペイン2−とカッ
−225とを模式的に示し大ものであるが、同図におi
てカソードIJを負、アノードペイン2#を正としてカ
ソード、アノード聞に数1000Vの高電圧、 ′\、 を加え、カソード1jから熱電子が放出される\、よう
にすると、電子作用空間19におしては、カソード近傍
の空間電荷によp1図に点線曲線aで示すようにカソー
ド電位よりも負となる下に凹んだ部分をもつ電位分布と
′なる。一方、矢印Bで示すように、この電子作用空間
1911C1−11000〜2000ガウスの直流磁界
がカソード軸方向に加わっているため、カソード25を
出た電子は、電界と磁界との作用によりカソード25の
まわりt−l11回する0%KN[交電磁界のため、電
子の走行距離が長いので電子は残留ガスに衡突する確率
が大きく、他の直進形管等に比べて着しく多くのグラス
イオンeを発生する。
The following are the causes of low frequency noise (for example, below 1001 ain) generated by the magnetron. That is, the first wA schematically shows the seven node panes 2- and cup 225 that are coaxially arranged and constitute nine anodes of the magnetron.
With cathode IJ set to negative and anode pane 2# set to positive, a high voltage of several thousand volts, '\, is applied between the cathode and the anode, and thermionic electrons are emitted from cathode 1j. As a result, space charges near the cathode result in a potential distribution with a downward concave portion that is more negative than the cathode potential, as shown by the dotted curve a in Figure P1. On the other hand, as shown by arrow B, a direct current magnetic field of 11000 to 2000 Gauss is applied to this electron action space 1911C1-11000 to 2000 Gauss in the cathode axial direction, so the electrons leaving the cathode 25 are moved to the cathode 25 by the action of the electric field and the magnetic field. Around t-l 11 times 0% KN generate e.

発生したプラスイオンは曲線aで示した電位分布の谷つ
まりIテンシャル・イニマム(図に符号mで示す)&l
fれ込み、次第に空間電荷中の電子とプラスイオンとの
中和が進行し、その結果、この谷附近の電位が上昇し、
符号難で示すようにカソード25と同等もしくはそれよ
り僅かに高い電位まで高められる。その状態で作用空間
中の電位分布は集線曲線すの如くになる・プラスイオン
はカソードKfiれ込む。次の段階として、再び空間電
荷により電位の容重が形成される。このような一連の過
程が周期的に繰り返される。その結果、カソード、アノ
ード関の電流即ちアノード電Ill?IIc複雑な脈動
現象が生じ、これが雑音として外部回路に漏洩するもの
と推定できる。このような雑音は、主として入力線路に
のって漏洩するいわゆるラインノイズとして現われ、種
々の電披障書を引亀起してしまう・そζで、このような
雑音の低減対策の1つとして、カソード近傍に第3電極
を設け、カソードに対し第3電極に負4D@10〜数1
00Vの電位を加えることによ)、電位分布の谷つまり
4テンシヤル・ミニマム鳳へ集まるプラスイオンをこの
第3電極で捕獲し、グラスイオンの原因による雑音を低
減することが考えられている。
The generated positive ions reach the valley of the potential distribution shown by curve a, i.e., the I-tension inimum (indicated by symbol m in the figure) &l.
f inflow, the electrons and positive ions in the space charge gradually become neutralized, and as a result, the potential near this valley rises,
As indicated by the negative sign, the potential is raised to a potential equal to or slightly higher than that of the cathode 25. In this state, the potential distribution in the working space becomes like a concentrated curve.Positive ions enter the cathode Kfi. As a next step, a potential mass is again formed by space charges. This series of processes is repeated periodically. As a result, the current between the cathode and the anode, that is, the anode current Ill? IIc It can be assumed that a complex pulsation phenomenon occurs and this leaks to the external circuit as noise. This kind of noise mainly appears as so-called line noise that leaks through the input line, causing various types of electrical disturbances.Therefore, as one of the measures to reduce such noise, , a third electrode is provided near the cathode, and the third electrode is negative 4D@10 to several 1 with respect to the cathode.
It is thought that by applying a potential of 00 V), positive ions that gather at the valleys of the potential distribution, that is, the 4-tensional minimum, are captured by this third electrode, thereby reducing noise caused by glass ions.

この例を示すと82図及び第3図に示すようにな)、第
3vAは第2図の蚤部拡大園である。
In this example, as shown in FIG. 82 and FIG. 3), 3vA is the fleas enlarged garden in FIG.

即ち、管軸上に配置された棒状カソード支持体11の一
端には、カソード用エンドチップ51、Ii3電極用エ
ントチ、y”is、エンドハyト11*が固層され、他
端はカソード端子16に絖〈端子板5shK固着されて
いる。この棒状カッ−P支持体32のカッ′−ドステム
側外側には、筒状カッ−P支持体3Jと筒状第3電極支
持体67が同軸的に所定間隔をおいて配設され、前記筒
状カソード支持体3Jの一端にはもう一方・のカソード
用エンドチップ56が固着され、他熾はカソード端子3
4に固着されている。又、前記筒状第3電極支持体51
の一端にはもう一方の第3電極用工ンドチツグ59が固
着され、このエンドチップ5#にはもう一方のエントノ
1、ト1slbが固着され、第3電極支持体j1の他端
はカソード端子61KvA着されている。そして棒状カ
ソード支持体XZO出力部111Ka、コイル状に巻か
れたトリウ!タングステン厘熱戯カソードZSが配設さ
れ、その両端はそれぞれカソード用エンドチップsx、
stzKwi着されている。更にカソード15の近傍に
は、;イル状の第3電極60が前記カソード25の一条
間に位置するように配設され、その両端はそれぞれ第′
3電極用エンドチップis、1eyc固着されている。
That is, the cathode end tip 51, the Ii3 electrode tip, y"is, and the end height 11* are solidly layered on one end of the rod-shaped cathode support 11 arranged on the tube axis, and the cathode terminal 16 is placed on the other end. A terminal plate 5shK is fixed to the terminal plate 5shK.A cylindrical cup-P support 3J and a cylindrical third electrode support 67 are coaxially attached to the outside of the rod-shaped cup-P support 32 on the cup-stem side. The other cathode end chip 56 is disposed at a predetermined interval, and is fixed to one end of the cylindrical cathode support 3J;
It is fixed to 4. Further, the cylindrical third electrode support 51
The other third electrode mounting tip 59 is fixed to one end, the other end tip 1, 1slb is fixed to this end tip 5#, and the other end of the third electrode support j1 is fixed to a cathode terminal 61KvA. has been done. Then, the rod-shaped cathode support XZO output part 111Ka is wound into a coil! A tungsten thermal cathode ZS is disposed, and both ends thereof are respectively cathode end tips sx,
stzKwi is being worn. Further, near the cathode 15, a third electrode 60 in the shape of a dome is arranged between the stripes of the cathode 25, and both ends of the third electrode 60 are connected to the third electrode 60.
The end tips for 3 electrodes IS and 1EYC are fixed.

この第3電figaは例えばW、Me。This third electric figure is, for example, W, Me.

丁a、TlOような難溶性金属のうちから選ばれた単体
又社合金からte、―示のようにカソード2jO近傍で
且つカソード2jから7ノードヘ向かう電子の流れを妨
げないような位置に置かれる。そして既述のように、カ
ソード15のコイル状−条と謔3電極tiooコイル状
線条と拡各外崗面が同一4L<ははぼ同−内上にして交
互に配列されてiる。尚、菌中1−はアノードペイン、
2rはアノードシリンダ一、xsはスト′”う、!リン
グで6D、これらで複数個の空胴共振器を構成しており
、全体としてアノードを形成して−る。又、L」は出力
部、19mはアンテナ導体、1#はf−ルビース、J 
i * s J a・aJb紘絶縁筒体、1#は電子作
用空間、s4/Ii排気管、ss、gill絶鍬りンダ
である6次に動作をiI!明すると、カソード1jは加
熱されて熱電子を放出する。このカソード25とγノー
ドペイン1−との関には数1000Vの高電圧が印加さ
れ、又、電子作用空間19には1500ガウスii度の
管軸に平行な磁束の直流磁界が与えられておp、発振動
作する。空胴共振器に発生するマイクU波エネルギーは
、アンテナ導体29aを通じて出力部xpから外部負荷
に伝送される。さて、カソード25を加熱すると放出電
子により第i#Aに示した如くカソード25の前面約数
105m〜数100μm附近に電位の谷mが形成される
(菖3電極がない場合)が、M3電極60をカソード2
511C対して例えば−数10〜−数1oov@度の負
の電位にすると、電位の谷mK向って集まるグラスイオ
ンは第3電極60がこれよりも更に負の電位になってい
るため、この第3電極601fC@ちに捕えられる。即
ち、グラスイオンはカソード近傍にwまることなく第3
電極iOK流入し、カソード近傍の不安定な電子−イオ
ン中和現象が起らない、その結果、100MHz以下の
雑音が大巾に低減される。この雑音低減結果の1例を籐
4図に示す・ ところで、第3電極の電位を負の高電位にすればそれた
け雑音低減には非常に効果的であるが、負の高電位にす
るはどマグネトロンの発振の安定性にはむしろ不都合を
生じる傾向のあることが判明した。籐5図にその1例を
示す、即ち、この第5地から明らかなように、第3電極
のバイアス電圧の絶対値の増加にりれて発振の安定な最
大アノード電流の減少をもたらす、一方、アノード電流
と雑音との関係を調べると、第6E及び第7図に示すよ
うに、一般に連続波マグネトロンはアノード電流の小さ
い例えば約0.15ム以下においては大きな雑音が発生
し・約0.2ム以上にお−ては急速に雑音が減少してい
ることが判る。従りて、もしアノード電流を常に約0.
2ム以上において使用すれば、雑音の発生は非常に少な
く、問題社費ないのであるが、sumo電子レンジにお
いて嬬コストの関係で7ノード電源は半波倍電圧電源を
使用するのが一般で61瞬時アノード電流紘零からIA
位までの変動を繰9返している。このように雑音を減ら
す目的で第3電liK負の高電位を与えようとすると動
作安定度がやや低下し、逆に第3電極電位を低めると雑
音が出やすいという相反する傾向がある。
A simple substance selected from refractory metals such as TlO or an alloy is placed in the vicinity of the cathode 2jO and in a position that does not impede the flow of electrons from the cathode 2j to the node 7, as shown. . As described above, the coiled wires of the cathode 15, the coiled wires of the three electrodes, and the expanded outer surfaces are alternately arranged on the same inner surface. In addition, 1- in the bacterium is anode pain,
2r is the anode cylinder, xs is the strike ring 6D, these constitute a plurality of cavity resonators, and the anode is formed as a whole. Also, L is the output part. , 19m is the antenna conductor, 1# is f-Rubys, J
i*s J a・aJb Hiro insulating cylinder, 1# is electron working space, s4/Ii exhaust pipe, ss, gill 6th order operation iI! At dawn, the cathode 1j is heated and emits thermoelectrons. A high voltage of several thousand volts is applied between the cathode 25 and the γ node pane 1-, and a DC magnetic field of 1500 gauss II degrees parallel to the tube axis is applied to the electron action space 19. p, oscillates. Microphone U wave energy generated in the cavity resonator is transmitted from the output section xp to an external load through the antenna conductor 29a. Now, when the cathode 25 is heated, a potential valley m is formed in the vicinity of about several 105 m to several 100 μm in front of the cathode 25 as shown in i#A due to the emitted electrons (if there is no iris 3 electrode), but the M3 electrode 60 to cathode 2
511C, for example, when a negative potential of -several 10 to -several oov @ degree is applied, the glass ions that gather toward the valley mK of the potential will be absorbed by this third electrode 60 because the potential is even more negative than this. 3-electrode 601fC@catched. In other words, the glass ions do not get close to the cathode and are
The unstable electron-ion neutralization phenomenon near the cathode does not occur due to the inflow into the electrode iOK, and as a result, noise below 100 MHz is significantly reduced. An example of this noise reduction result is shown in Fig. 4. By the way, if the potential of the third electrode is set to a negative high potential, it is very effective for noise reduction, but if the potential of the third electrode is set to a negative high potential, It has been found that the stability of the magnetron's oscillation tends to be rather inconvenient. An example of this is shown in Fig. 5. That is, as is clear from this fifth point, an increase in the absolute value of the bias voltage of the third electrode results in a decrease in the maximum anode current for stable oscillation. When examining the relationship between anode current and noise, we find that, as shown in Figures 6E and 7, in general, continuous wave magnetrons generate large noise when the anode current is small, for example, about 0.15 μm or less. It can be seen that the noise decreases rapidly at 2 m or more. Therefore, if the anode current is always about 0.
If used at 200 m or more, the noise will be very low and there will be no problem with the company's expenses, but due to the cost, the 7 node power supply for SUMO microwave ovens generally uses a half-wave voltage doubler power supply. Instantaneous anode current from Hirorei to IA
It has repeatedly fluctuated up to 9 times. As described above, if a negative high potential of the third electrode liK is applied for the purpose of reducing noise, the operation stability will be slightly lowered, and conversely, if the third electrode potential is lowered, noise will tend to occur, which is a contradictory tendency.

この発明は上記事情に鑑みなされ良もので、雑音の低減
を図ると共に、発振の安定性が向上し、且つ第3電極用
の外部電源が不要なマグネトロン装置を提供することt
−目的とする。
This invention has been made in view of the above circumstances, and provides a magnetron device that reduces noise, improves oscillation stability, and does not require an external power source for the third electrode.
- aim.

以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に訳明
する。一般にsgam極のノ4イアス電圧によって雑音
の低減が必要なのは、7ノード電流が例えは約0.15
ム以下だけの範囲でよく、7ノード電流が0,2ム以上
においては菖3亀−のバイアス電圧をかけない方が、第
5−のマグネトロン安定度との関係に見る如く望ましい
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be explained in detail with reference to the drawings. In general, it is necessary to reduce noise by the 4 Ias voltage of the sgam pole because the 7 node current is approximately 0.15
It is preferable not to apply the bias voltage of the iris 3 when the 7th node current is 0.2 µm or more, as seen from the relationship with the 5th magnetron stability.

即ち、第8−にマグネトロンのアノード電流と7ノード
電圧の特性の1例を示すが・この纂81から明らかなよ
うに、アノード電R例えば1ム(通常、電子レンジで使
用されている半波倍 ゛電圧電源にて発生するほぼ最大
瞬時アノード電a)に′おけるアノード電圧と、アノー
ド電流0.15ムにおけるアノード電圧との差は約50
0′V生ずることが判る。この電位差が第3電極のバイ
アス電圧として加われに、雑音の低減に充分役立つこと
が第45より判る。従りて、第3電極とアノード関O電
圧が常にアノード電圧の最大値に#tぼ保たれるように
すれば、7ノード電流の少ない時嬬第3電極のバイアス
電圧(カソードに対すゐ負電位)が大きく、雑音を充分
低減することができ、又、アノードIEfItが増加す
ると第3電極のバイアス電圧は零に近すき、発liの安
定性低下への影替を少なくできる。
In other words, an example of the characteristics of the magnetron's anode current and node voltage is shown in Section 8. As is clear from this summary, the anode voltage R is, for example, 1 μm (usually half-wave, which is used in microwave ovens). The difference between the anode voltage at the almost maximum instantaneous anode voltage a) generated in the voltage power supply and the anode voltage at an anode current of 0.15 μm is approximately 50
It can be seen that 0'V is generated. It can be seen from No. 45 that this potential difference, added as a bias voltage to the third electrode, is sufficiently useful for reducing noise. Therefore, if the voltage between the third electrode and the anode is always maintained at the maximum value of the anode voltage, the bias voltage of the third electrode (very negative with respect to the cathode) can be maintained when the node current is low. As the anode IEfIt increases, the bias voltage of the third electrode approaches zero, thereby reducing the influence of a decrease in the stability of the li emission.

そζで、この発明ではマグネトロンの第3電極のノ童イ
アス電圧(電位)は、低アノード電流のと自負の高電位
とな9、高アノード電流のとは、籐9齢に示すような電
源励路を用いている。
Therefore, in this invention, the voltage (potential) of the third electrode of the magnetron is a low anode current and a high potential. An excitation path is used.

−中、gxFiリーケージトランスでToシ、1次側の
壱−Li紘商用電源#C接続され、2次側にはカソード
加熱用巻@Lss高圧巻ail L sを有しており、
独立し良路3電極用巻線は存在しない、前記カソード加
熱用巻線り、は、上記第2図及び第3図と同様な第3電
極を有するマグネトロン6jのカソードKIIC@続さ
れている。又、前記高圧巻!i L sの一端は接地さ
れ、他端は直コンデンサC1を介し順方向の整流器8R
1のカソード極とともにマグネトロン62のカソードK
K接続されている。整流器8R1のアノード極は接地さ
れている。更にマグネトロン62の菖3電極りは、逆方
向の整流器SR,を介してカソードに&C接続されると
共に、コンデンサC3を介して接地されている。又;マ
グネトロン62の7ノードムも接地されている。尚、上
記のコンデンサCIは0.5μF%;ンデンサC黛は9
.05μFである。
- In the middle, the gxFi leakage transformer is connected to the primary side 1-Lihiro commercial power supply #C, and the secondary side has a cathode heating winding @Lss high voltage winding ail Ls,
The cathode heating winding, which does not have an independent three-electrode winding, is connected to the cathode KIIC of the magnetron 6j having the same third electrode as in FIGS. 2 and 3 above. Also, the above-mentioned masterpiece! One end of i L s is grounded, and the other end is connected to forward rectifier 8R via direct capacitor C1.
1 and the cathode K of the magnetron 62.
K is connected. The anode of the rectifier 8R1 is grounded. Further, the third electrode of the magnetron 62 is connected to the cathode via a reverse rectifier SR, and is also grounded via a capacitor C3. Furthermore, the 7 node of the magnetron 62 is also grounded. The above capacitor CI is 0.5 μF%; capacitor C is 9
.. 05μF.

さて、動作時には、時間の経過につれて各部つまり1−
2間、ム−に間、アノ−トム、ムーD間の電圧又は電流
波形はそれぞれ第30囚(a)〜(d)に示すようにな
9、ah −4k 11形(リサージ−波m>は第1傷
図に示すようになる。そして、11間、ム−D[には、
TsgT、 において最大値−1em (例えば−4k
V )’となり、次にT門’r、lIcなると、ムーX
間の電圧はアノード電流tbtfiflれ九九めにディ
スチャージし、T=Tlと同じOvとなる。しかるKA
−0間の電圧は、整流98B、が逆方向であることと、
第31iE極りから紘電子放出がなiこと(電子放出が
ある場合にはコンデンサC3のチャージはなにがしかデ
ィスチャージされる)Kより一定不変のため、D−に間
の電位差(電圧)社カソードKK対して第3電lIDが
負の電位となり約4 kVとなる。
Now, during operation, each part, 1-
The voltage or current waveforms between 2, Mu-ni, Anotom, and Mu-D are 9, ah-4k 11 (Lisurge wave m> becomes as shown in the first wound diagram.Then, for 11 minutes, Mu-D [
TsgT, the maximum value -1em (e.g. -4k
V)', then T gate'r, lIc, then MuX
The voltage between them is discharged by the anode current tbtfifl and becomes Ov, which is the same as T=Tl. scold KA
The voltage between -0 is that the rectifier 98B is in the opposite direction,
From the 31st iE pole, there is no electron emission (if there is electron emission, the charge of capacitor C3 is somehow discharged). On the other hand, the third voltage IID has a negative potential of approximately 4 kV.

実際には謳11図において、矢印を付した部分即ち各1
bの値に対して、矢印の付いている縦軸の値(4b冨Q
Oと@ticは約4 kV、 ib=ibmのときには
QV)がD−に関に加わることになる。
In fact, in Figure 11, the parts marked with arrows, each 1
For the value of b, the value on the vertical axis with an arrow (4b
O and @tic are about 4 kV, and when ib=ibm, QV) will be applied to D-.

この尭−の1グネトE!y装置は上記説明及び図示のよ
うに構成され、嬉9図に示すような電#IA回路を使用
しているため、雑音の低減を図ると共に、発振の安定性
が向上し、且つ第3電極用の外部電源が不要となった。
This is 1 Gnet E! The y device is constructed as described above and shown in the drawings, and uses the power line IA circuit as shown in Figure 9, which reduces noise, improves oscillation stability, and connects the third electrode to No external power supply is required.

即ち、雑音の多く発生するーb=o〜0.1ムの範囲で
は第3電極のバイアス電圧が負の高電位で雑音低減効果
大であり、=bの大きい範囲では第3電極のバイアス電
圧が低くなり、マグネトロンの発振の安定性が低下する
ことがない、又、整流器SR,とコンデンサC1は数k
Vの耐電圧特性のものでよく比較的安価に構成すること
ができる。
That is, in the range of −b=o to 0.1 μm where a lot of noise occurs, the bias voltage of the third electrode has a negative high potential and has a large noise reduction effect, and in the range of large =b, the bias voltage of the third electrode is low, and the stability of the magnetron's oscillation does not deteriorate.Also, the rectifier SR and capacitor C1 are several k
It can be constructed relatively inexpensively by using a material having a withstand voltage characteristic of V.

尚、第12図、第14図及び第15図はこの発明の変形
例を示したtので、上記実施例と同様効果が得られる。
Incidentally, since FIGS. 12, 14, and 15 show modified examples of the present invention, the same effects as in the above embodiment can be obtained.

即ち、第12図の場合は、上記実施例(籐9図)Kおけ
るコンデンサC,K、並列に抵抗8を追加接続したもの
で、時定数τ=C,R=100m−・0位に選んでいる
・この抵抗Rを付加した場合には、コンデンサCsKチ
ャージされた電荷は抵抗Rを通じてディスチャージする
ために、第13図の−bmOように変化する・そのため
D−に間に加わる最大電圧は、gbmでな(sbm”と
なる( sbm(abm ) *例えij abm =
 4 kV K対してsbmは約3 kVとなる。こう
してD−に関に加わる最大電圧を下げることにより、D
−に間の絶縁破壊の回避に役立つ。 − 又、一般にマグネトロン紘雑音及び高調波の漏洩防止の
丸め、チョークコイルと貫通型コンデンサを内蔵し九シ
ールド&、クスを装着して電子−ンジのメーカーに供給
されている。従って、このシールドがツクス内に、ga
t&へ電圧を印加すゐ整流−883とコンデンサCm 
 (あるいは抵抗R)とからなる(2)路を設けれは、
電子レンジの電源装置を何ら変えることなく雑音の低減
を図ったレンジを完成することができる。
That is, in the case of Fig. 12, a resistor 8 is additionally connected in parallel to the capacitors C and K in the above embodiment (Fig. 9), and the time constants τ = C, R = 100 m-. - When this resistor R is added, the charge charged in the capacitor CsK is discharged through the resistor R, so it changes as shown in -bmO in Fig. 13. Therefore, the maximum voltage applied between D- is gbm (sbm) (sbm (abm) *For example, ij abm =
sbm is approximately 3 kV compared to 4 kV K. In this way, by lowering the maximum voltage applied to D-,
- Helps avoid dielectric breakdown between - In addition, it is generally supplied to electronic manufacturers with a built-in rounded choke coil and through-type capacitor to prevent leakage of magnetron noise and harmonics, and is equipped with nine shields and a box. Therefore, this shield is inside the tux, ga
Rectifier-883 and capacitor Cm to apply voltage to t&
(or resistance R).
A microwave oven with reduced noise can be completed without changing the power supply device of the microwave oven.

この例が第14図と第15図であり、図中63がシール
ド〆ツクスである。そして、このシールドが、ジス6J
内に、上記整流盤8B!とコンデンサC3は勿論のこと
、チョークコイル64や貫通型コンデンサ65が設けら
れている。
Examples of this are shown in FIGS. 14 and 15, where 63 is a shield shield. And this shield is Jis 6J
Inside, the above rectifier board 8B! In addition to the capacitor C3, a choke coil 64 and a feedthrough capacitor 65 are provided.

以上a明し九ようにこの発明によれば、工業的価値大な
るマグネトロン装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, a magnetron device of great industrial value can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はマグネトロンにおける雑音の発生機構を示す模
式図、第2図は雑音を低減させるために第3電極を設け
たマグネトロンの1例を示すWr肉図、第3図は第2図
の要部を拡大して示す断面図、第4図は第3電極のバイ
アス電圧による雑音低減を示す特性曲線図、21g5図
は第3電極のバイアス電圧のマグネトロン発振の安定性
に対する影響を示す特性曲線図、纂6図及び#g7図は
7ノード亀流による雑音の変化を示す%性曲線図、第8
図は7ノード電流対アノード電圧特性を示す特性曲線図
、第9図はこの発明のマグネトロン装置に用いる電源回
路を示す回路構成図、第1θ図(&)〜(d)は第9図
の電源回路における%部の電圧又は亀tIILYlc示
す波形図、第11図は同じくリサージ、波形−1第12
図。 第14図、第15図はこの発明の変形例を示す(ロ)路
構成図、第13図は篤12囚の電源(ロ)路におけるリ
サージ、波形図である。 25”、 K・・・カソード、26・・・7ノードベイ
ン、27・・・アノードシリンダ一、11B−・・スト
ラップリング、19・・・電子作用空間、60.D・・
・第3電極、61・・・リーケージトランス、62・・
・マグネトロン% Ll・・・巻線、L3・・・カソー
ド加熱用巻−1Ls−・・高圧巻線、c、I c、++
・コンデンサ、8J *8J・・・整流器、ム・・・ア
ノード。 出願人代理人 弁思士 鈴 江 武 彦第1図 9 第2図 339、イb伝47)/+17uv> 第6図 第7図 アノード’t3JL(A)− 第8図 第9図 第10図 第11図 0−!t)    ibm 第12図 手続補正書 574・−9 昭和 年 °月 日 特許庁長官  島 1)春 樹  殿 1、事件の表示 特願昭56−1’17712号 2、発明の名称 マグネトロン装置 3、補正をする者 事件との関係  特許出軸人 (307)東京芝浦電気株式会社 4、代理人 5 自発補正 7、補正の内容 (1)願書添付明細暑中、第11頁第2行目にrLs 
Jとあるのを「Ll」と訂正する。 (2)  同じく第11頁第6〜7行目に「カソード」
とあるのを「アノード」と訂正する。 (3)同区<第l1頁第8行目に「アノード」とあるの
を「カソード」と訂正する。 (4)同じく第11頁第1O行目に「逆方向」とあるの
を「順方向」と訂正する。 (5)同じく第11頁第6〜7行目区=[アノード・・
・・・・ディスチャージし、」とあるのを「整流器8R
,の順方向電圧となるため、」と訂正する。 (6)同じく第12頁第6行目にrsRzJとあるのを
「8R1及び8R3」と訂正する。 (7)同じく第13頁第13行目に「100」とあるの
を「1000」と訂正する。 (8)同じく第13頁第17行目〜第14頁第2行目に
「そのため・・・・・・に役立つ。」とあるのを[シ′
かじ、D−に量感=加わる電圧は、im流を切った後、
抵抗Rによシ自然放電が行なわれ、検査時における感電
防止等に役立つ。」と訂正する。 (9)願書添付図面中、第8図、第9図、第11図、第
12図、第13図、第14図、第15図を別紙のように
訂正する。 第8図 第9図 第11図 第13図 ib     ibm
Figure 1 is a schematic diagram showing the noise generation mechanism in a magnetron, Figure 2 is a Wr drawing showing an example of a magnetron equipped with a third electrode to reduce noise, and Figure 3 is a summary of Figure 2. Fig. 4 is a characteristic curve diagram showing the noise reduction by the bias voltage of the third electrode, and Fig. 21g5 is a characteristic curve diagram showing the influence of the bias voltage of the third electrode on the stability of magnetron oscillation. , Figure 6 and Figure #g7 are percent characteristic curve diagrams showing changes in noise due to 7-node turtle flow, No. 8
The figure is a characteristic curve diagram showing the 7-node current vs. anode voltage characteristic, Figure 9 is a circuit configuration diagram showing the power supply circuit used in the magnetron device of the present invention, and Figures 1θ (&) to (d) are the power supply of Figure 9. A waveform diagram showing the voltage of the % part in the circuit or tIILYlc, Fig. 11 is also litharge, waveform-1 12th
figure. FIGS. 14 and 15 are block diagrams of the (b) circuit showing a modification of the present invention, and FIG. 13 is a waveform diagram of the resurge in the power supply (b) circuit of the 12th prisoner. 25'', K...Cathode, 26...7 node vane, 27...Anode cylinder 1, 11B-...Strap ring, 19...Electron action space, 60.D...
・Third electrode, 61... Leakage transformer, 62...
・Magnetron% Ll... Winding, L3... Cathode heating winding -1Ls-... High voltage winding, c, I c, ++
・Capacitor, 8J *8J... Rectifier, Mu... Anode. Applicant's agent Takehiko Suzue Figure 1 9 Figure 2 339, Ibden 47)/+17uv > Figure 6 Figure 7 Anode 't3JL (A) - Figure 8 Figure 9 Figure 10 Figure 11 0-! t) IBM Figure 12 Procedural Amendment 574-9 Showa year ° month Date Director General of the Japan Patent Office Shima 1) Haruki Tono1, Indication of the case Patent Application No. 1988-1'177122, Name of invention magnetron device 3, Relationship with the case of the person making the amendment Patent originator (307) Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. 4, Agent 5 Voluntary amendment 7, Contents of the amendment (1) Details attached to the application Summer, page 11, line 2 rLs
Correct the "J" to "Ll". (2) “Cathode” also on page 11, lines 6-7
Correct the text to read "anode." (3) Correct the word ``anode'' in the 8th line of page l1 to ``cathode.'' (4) Similarly, on page 11, line 1 O, the words "reverse direction" are corrected to "forward direction." (5) Similarly, page 11, lines 6-7 = [Anode...
...discharge," replaces "rectifier 8R.
, so the forward voltage is . (6) Similarly, on page 12, line 6, rsRzJ is corrected to "8R1 and 8R3." (7) Similarly, in the 13th line of page 13, "100" should be corrected to "1000". (8) Similarly, from page 13, line 17 to page 14, line 2, the text ``This is useful for...''
The voltage applied to the steering wheel D- is, after cutting off the im flow,
A natural discharge occurs through the resistor R, which is useful for preventing electric shock during inspection. ” he corrected. (9) In the drawings attached to the application, Figures 8, 9, 11, 12, 13, 14, and 15 are corrected as shown in the attached sheet. Figure 8 Figure 9 Figure 11 Figure 13 ib ibm

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 互いに同軸状に配置された電子放射力ノードと空胴共振
器を内蔵するアノードとを有し、これらカソード及びア
ノード関の電子作用空間にカソード軸に平行な磁界が与
えられ、史に前記カソード近傍に第3電極を設けたマグ
ネトロンと、このマグネトロンOSS電他にバイアス電
位を与えるようKした!ダネトロン袈Ikにおいて、前
記マグネトロンの第31iE極のバイアス電位は、低ア
ノード電流のとき負の高電位となり、高アノードIE流
のと龜零もしくは負の低電位になるように設定してなる
ことt%黴とするマグネトロン装置。
It has an electron radiation force node arranged coaxially with each other and an anode containing a cavity resonator, and a magnetic field parallel to the cathode axis is applied to the electron action space between the cathode and the anode, and the magnetic field near the cathode is The magnetron is equipped with a third electrode, and the bias potential is applied to the magnetron OSS electrode. In the Danetron Ik, the bias potential of the 31st iE electrode of the magnetron is set to be a negative high potential when the anode current is low, and to be a zero or negative low potential when the anode current is high. % mold magnetron device.
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