JPS5877597A - 太陽放射エネルギ−選択吸収体およびその選造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、太陽放射］−ネルギー選択吸収体に関するも
ので、特に選択吸収特性の優れたアルミニウムもしくは
アルミニウム合金からなる太陽放射］−イ・ルキー選択
吸収体を碍ようと−３−イ１．す）の−Ｃある。

近年化石エネルギーの枯渇に及んで他の」−ネルギー源
の有効利用が急務となって４ｊ−リ、太陽放射エネルギ
ーはその中でも有望なコ−不ルキーの一つとして注目さ
れ、各細の集熱器か考え「）れ”Ｃいる。

しかしなから、太陽放り・ｊエネルギーｉｔ低密度二１
ネルギーであることから、必要とするゴー不ルギーを得
る１こめには、いかに効率良く収集が付なわ才するかが
問題となり、集熱器の表向に選択吸収皮ｊ［ζ１ｒイ」
与１４）ことか必要となってくる。Ｃの選択吸収皮膜と
に、太陽のスペクトル帯である短波長領域で高い吸収１
／ＬｒＭくＬ、逆に高温化り、た集熱器からの長波長領
域での熱放り・］全低く抑える性質タイ」する皮膜であ
る。

選択吸１■特性Ｖ′ｉ物理的原理から、０）半導体のバ
ンドギャップの遷移による基礎吸１１３／に利用したも
の。■薄膜の干渉による反射防止効果全利用したもの。

■金属微粒子のプラズマ共ＩＩは吸収を利用したもの。

■金属表向に微細な凹凸ケ作り、太陽光に対してのみ多
重反射を起こさせるようにしたものなどに分類すること
ができ、実際の集熱器にこれらの原理をより効果的に介
挿させるために他々の補助的手段を付加しｌζす、ある
いは工具」−の原理全併用して相乗的効果′に得て効率
全一ヒｉ−ｒて用いられる。具体的には多くの柚類かあ
るが、その中で比較的選択吸収特性か良く実用化されて
いるものとしては、ブラッククロムめっき、ブラックニ
ッケルめっき、酸化銅化成皮膜、電解着色アルミニウム
などが知られているか、選択吸収特性の優れた皮膜全多
量に安定して得ることは困餘で、Ｌカ・も特性の優れた
皮膜は極めて高価になるなどの欠点がある。

本発明の目的は、効率が尚く、特性が安定した選択吸収
体を工業的に多量に、かつ廉価に得ることにある。本発
明の選択吸収体はアノ［ミニラムもしくはアルミニウム
合金を吸収体のハロとして用い、仁の表１０ＩｖＣ交流
による電解エツチングによる微細な凹凸向を形成し、選
択吸収性ｉａ：’ｂ　ｒＵるもので、更に必λ′に応じ
て交流山１町エツチング後σ）表向全化成処４３１！　
−ｒ　；／：ｒ工程ｒ１（１加したこと令特徴とするも
のである。

以下本発明の詳細な説明する。従来からＭ　＋ａの表面
にミクロンスクールで特定の形状の凹凸を設はイ）こと
で選択吸収特性か？＜！られることが予測さ７１、てい
る。例えば、基材の表面に断面か略カウス分布関数形を
連続させた如き規則的な配列の凹１１１１面全形成１し
、この四部の個々の平均径か太陽光の波長程度で、かつ
適度な深さと急峻な凸部形状が得られれＶま、太陽光ス
ペクトルに対しては門部内での多重反射と凸部での散乱
効果で効率の良い太１ｍ　放ＩＪ４エネルギーの吸収か
付なわれ４）と吾われている。壕７？％Ｃのような倣細
な凹凸は放射領域の長波長に対しては平滑向として作用
し、基材にアルミニウムの如き長波長領域で高反射率を
示す材料ケ用いれば、放射か抑制され優れた選択吸収特
性か得られるとされている。

ところで、アルミニウムの表出１にこのような凹凸面を
形成する手段としては、ブラスト法など機械的？／ｊ％
の、化学エツチング′なと化学的なもの、電解エツチン
グなと毒気化学的なもの、イオンエツチング、スパッタ
リンク゛などによるものなど各柚の方法か提案されてい
る。しかしなから、前述した如き形状の均一な凹凸向７
容易にかつ安定して、しかも工業的に多Ｍｖｃ廉価Ｑζ
得ることは極めて難しい。

本発明者は、電気化学的エツチング、特に交流による電
解エツチングが本発明の目的の達成に好適な責、のであ
ること全見出した。即ち電解エツチングは、食塩、塩酸
などの水溶液中に被処理物全浸漬し通電してエツチング
全行なうもので、１ａ流エツチングと交流エツチングに
分けられンンか、交流エツチングではエツチング条件と
して、Ｉｌｌ成１、湿度、電流密度、１Ｍ波数、波形、
電気１ｄなどパラメータか極めて多く、これらの条件を
選択ずイ、ことで、太陽放射エイ・ルギ−の吸１１Ｍに
好−１し−い形状を各軸ｖｒれＩることかできること？
見出Ｌブ（ものである。

即ち、直ヒ（、屯Ｍｖ１によるエツチングでけ被処理物
であるアルミニウムか常にプラス■狂位に保’／（Ｊ’
ｌて工′ンチンクか杓゛なわ」するσ）で、基拐のアル
ζ−１ンムの結晶構造でｍ　ＩＩＦ：方位か決４す、エ
ツザンクトットケトン不ル状に進？］１／、、）と共に
１表面に１１未工ツナンク部か依然として残る性質かあ
り、アルミニウム基４２０表面に深い穴か散在−Ｊる如
き」−ツチング形状とがり、本質的に本発明−（゛贋゛
求さ才する形状の均一な凹曲面Ｃ（成り翳［い。ところ
か交’ｔＡｔ、　’ｄＬ流にＪ゛るエツチングでは、被
処理物であるアルミニウムの１ト位かプラスとマイナス
７Ｃｆ　化−４−６のて、最初のプラスｍ位の時［１ず
エツチングか行なわれ、次のマイナスｍ位の時には高電
流密度による局部的ｐＨの上昇により表面に酸化物、ま
たは水和物皮膜が形成され、次のサイクルのフラス屯位
の時にこの皮膜の弱部から次のエツチングが進行すると
いう操り返しにより、第１図に示す如くアルミニウム基
拐１［１サイクルのエツチングで形成された略キューブ
状のエツチング孔２が連なった凹曲面か表１１４１全体
に一様に一形成され、本質的に本発明の目的に適合した
形状が借られる。しカ）も交流エツチングでは、１サイ
クルのエツチングで形成される略キューブ状のエツチン
グ孔２の大キさ全周波数により制御できるという直流エ
ツチングでは得られない特徴を有している。

また工業的［も、直流電流によるエツチングでぶ は常に被処理物プラス■位として連化せねばならず、処
理物と給電部との接触抵抗や、被処理物自体の抵抗値に
より電流が制限されるか、交流ｍ流によるエツチングで
は、第２図に示す如く、エツチング液１０の満さねプで
エツチング槽１１内に被処理物であるアルミニウム暴利
１２に浸漬し、このアルミニウム基！Ａｌ２Ｏ両（１１
！ｌにカーボン等からｌ’ｆるＴＩＣ極１３Ａ、１３Ｂ
Ｔｃ−自己繭′し、これら屯＆１３Ａ、１３Ｂに直接交
流電源１４からｍ流全流す、いわゆる非接触間接給ｍか
でき、犬ａ４ｗ流による多セ１゛処］」１１が可能とな
る。

また、本発明においては交流化ＩＶｒ　ｆｆ−ツチンク
された凹曲面」−へ酸化皮膜を杉成し、バンドギャップ
の遷移による基礎吸収効果や干渉効果、化学着色や電解
着色にＪる金属微粒子のプラズマ１ｈ（動による共鳴吸
収効果などが得られる化成皮１１Ｑ　ｋ（勺与し、選択
吸収効″＄をさらｖｃｆｉ！Ｊめることも−Ｃき４）。

なお、これら各種の化１）Ｖ、処理皮膜全形成″Ｊる際
、その工程において既に形成、されている凹凸１１１１
を溶解させ、交流エツチングによって既に得らｔｌでい
る選択吸収特性全劣化させる如き処理に好１しくなく、
適用にあたっては注意する必要かある。

次に本発明による実施例について述べる。表に交流によ
る屯即ｊエツヂンクにより得られたもので、被処理材は
純度９９．５％、厚さ１謳の板状高紳度アルミニウムの
Ｈｌｊ）Ａ硬質材）ヲ用い、エツチング液ＶＣけ２．Ｏ
ｍｏｌ／ｌの塩酸水溶液を使用し、これ以外の条件に変
えて交流エツチング′ｆ！−ｈ′なったものが不発＋！
ＩＪ例１〜５である。また比較例として同一の被処理材
、かりひにエツチング液金用いて直流（＋ｊよる車隋エ
ツリング全行なったものを示した。

そして処理後の特性についてに、分光光度計により求め
７？、　ＩＩＪ視領域における吸収率αと、長波長領域
における放射率Ｃの測定結果とと示しｌζ。１だ第６図
には可視領域から長波長領域に至る吸収率を７トすグラ
フを示した。

この表の結果４ｊよび第６図ｑ）グラフがら明［ンカ・
なＪ、うに、本発明の方法により表面（／（交流ＨＬ解
エッチンクにより凹凸部全形（Ｊν、したアルミニ１シ
ム基拐は、１吸収率αが晶く、放９」率ε、が低い、即
ち選択吸収特性の優れた太陽放射エネルギー選択吸収体
となることがわ〃・る。

次に凹凸部全形成した暴利の表面ｖｒ　Ｌ１！に化ＩＩ
ν４処理皮膜を形成した実施例を不す、。

本発明例４ 暴利ｖｃは＋＋ｉｊ記の実施例と同じ板状の高純度アル
ミニウムの１１相に本発明例１で行なっ／ζ処理条件に
よる交流ｍ屏エツチンクを施しｋもσノを用い、この表
面に１５℃のニツウル塩浴中で、１５Ｖ、１０分の交流
陽極酸化にょる化成処理で黒色皮膜全形成した。。

この結果、吸収率αｌ’ｊｏ、９５、放射率ＦＬＶｉ０
．２０と優れた値全ボし、第４図の吸収率グラフでも明
らかなように、太賜放則エネルギー選択吸収体として十
分゛な実用時１１滓＊するものが碍られた〇 ／ｌ：おこれらの実施例においては、被処理拐Ｑζ高純
度のＨ材全月１い、塩酸水浴液中でｍｍエツチング７行
なったか本発明は何もこれらの条件に限定されるもので
１ない。交流ｆ（よるＭＥ解エツチングはエツチング条
件として前述の如く、多くのパラメータ全有すイ〕ので
これら全適切に組み合せることで所望の形状が得られる
特徴がある。従って、（へめて尚純度のアルミニウム材
からアルミニウムの含有の少ない合金相に至るまで、ｆ
、たＨ利、０拐（軟質相）等の硬ＩＷのいかんに拘わｒ
、す広範Ｕｔ＋の刀、利を用いることかてきる。

ま／ζエツチングを１回のみと、Ｖず、異ｆｆるエツチ
ング条件で２回以上の交流Ｐｌｉ　ＩＷエツゴングを行
ないより好ましい形状の凹凸部をイリイ’：ｒ　Ｃ＋’
−も可能である。

また化成処理皮膜の形成についＣも、杢実施例に限定さ
ノ１．ることなく、各柚捨属塩浴による交流陽極酸化、
酸化皮膜Ｊし成、化学着色、その他スパッタリンク等Ｋ
　Ｊｉ、る金属層ノ１？戒ｌと各セ１（の手段が適用で
きる。

このＪ二うに不発ｊ！ＩＩにＪ、れｔよ、アルミニウム
タ）シ〈はアルミニウム合金７ｉ１．相」−に遺択吸収
′ドｉ’　１４４の優Ｊ’ｌたＴ’９’？望の凹凸１／
ｆｌを屯気仕学的に：１ンｌ］−ルして形成することか
できる。また■二業的ＣＣも交流用、流全用いるので商
用電源が利用でき高価な直流車源装置か必要′なく、し
かも間接給電が可能なため、大電流による昌速処理で多
量生産か容易である。

特に被処理物が箔状あるいｔ１薄板状の長尺物であれは
ローラー等？介して電解エツチング（＊に連続投入し、
極めて効率良く生産全行なうことができる。また、選択
吸収面（・１被処理相の片面にのみ形成すれば良いから
２枚を重ね合せて電解エツチング槽に投入すれば、同時
に２枚り処理か可能である。

以−に述へｌζように、本発明に」、れば特性の優れた
太賜放芽１エネルギー選択吸収体奮工業的にも廉価に多
情に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法により形成された凹凸面の状態？
あられす断面図である。第２図は本発明のエツチング方
法（非接触間接給貢ＬＫよるもの）？示す概念図である
。第６図、第４図は本発明の方法により形成された太陽
放射エネルギー選択吸収体の実施例と比較例との吸収率
と波長どの関係？示すグラフである。 １．１２・・・アルミニウム暴利、２・・・エツチング
孔、１０・・・エツチング液、■・・・エツチング槽、
１３Ａ。 ＋５Ｂ・・・正極、１４・・・交流電源、　１５・・・
隔壁。 特許出願人 ［１本ゲミカルコンデン′り株式会社 （１５） 第１面 ！１ 第２図 ＩＪＡ　　ｌｚＩ！：＋　　　１３１：３ｑネ← ？錘メ井 −・Ｔ′−糸先負ｂｊＥ書　（自発） 昭和　５７年１０　月１４　　Ｌｌ 特許庁長官　若杉　和夫　殿 昭和５６年特許願７５８４４号 ２　発明の名称 太陽放射エネルキー選択吸収体およびその製造方法３、
補止をする者 事ヂＩ＝との関係　　特許出願入 住所　東京都青梅市東青梅市−丁１」１６７番地の１１
願書の発り１の名称欄 ２明細書の発明の詳細な説明欄、図面の簡単な説明欄３
図面 ５、補１１の内容 １願書は別紙の訂正願書のとおり。 ２明細書は別紙のとおり。 ３図面は別紙の第５図を追加する。 明　　　　　細　　　　　書 １、発明の名称 太賜放帽」−イ・ルギー選択１吸収体お上ひその製造方
法 ２、特許請求の範囲 （１）交流による屯所エツチンクで形成さＡ１／とオ且
面化面を表向に有すること全特徴と１−るアルミニウム
ｑ）シくにアルミニウム合金ノイ１４′、Ａからな２、
人１ｉｌｙ　Ｉ＆口・１工ネルギー選択吸１■体。 （２）交？Ａ１　（Ｋ　ｕ：　ル？ＩＮ　Ｍ　ｘ　ツｆ
　ンクーＣ形ｊＩｚさＡｔ　ｔ、：　Ｎ′ｌｌ　＋ｆｉ
ｔ化曲と、この表１川に形成さ）′また化成ケノ！４理
皮ｌ１１−；、　、ｌ−をイコすることを特徴と１６ア
ルミニウムイ）Ｉ−＜已アルミニウム合匍基４Ａ’　ｖ
・らなる太陽放ｑ・に「イ、ルギー選択吸収体。 （５）アルミニウムイ）シくに了ルミニウノ＼合Ｑ　Ｍ
　Ａ４の表面紮交浦、による電解エツチンつて′）１１
［面化することを特徴とする太陽放射コーネルキー選択
吸Ｉ１１／体の製造方法 （１） （４）アルミニ・ンム’ｌ）Ｌ　＜　Ｖｉアルミニウム
ｆマ金県拐の表向を交流による電解エツチングて゛和ｍ
ｌ化し、次いでその表面ｒ化成処坤皮膜全形成すること
を特徴とする太陽放り・１工ネルキー選択吸１１Ｍ俸ｑ
）製造方法。 （５）アルミニウムもしくはアルミニウム合舎基拐か’
４１’ｊ状の箔状物であり、長手方向に連続して移送さ
れなからその途中て交流電１柄エツチンクによる相面化
力信ｆなわれるところの特許請求の範囲第６項もしくに
第４川に記載の太陽放射エイ・ルキー選択吸収体の製造
方法。 （６）交流による屯幣エツチンクが異なっｙこ電解エツ
チンク条件″Ｔ：２同級」−行なわねて粗１川化が形成
されるところり特許請求の範囲第５項ないし第５項の記
載の太賜放帽エイ・ムギ−選択１吸収体の製造方法。 ６　発明の詳細な説明 本発明は、太陽放射工子ルギー選択１吸収体に関するも
のて、特に選Ｊノ（吸収特性の（ＱＪした一１′ルミニ
ウムもしくにアルミニウム合金からなる人１１Ｋ　ｈ’
Ｙ　Ｏ−１工ネルギーＪ巽択吸１■体を得ようと１−る
イ）のである。 近年化石エネルギーの枯渇に及んで仙、の二Ｆネルギー
源のイＪ効利用か急務となっており、太陽ｊ（（Ｑ・１
エネルギーはその中でも有望な〕−イ、ルキ−の・つと
してｉ’１ｇ　ｌ＝１され、各紳の集熱器か考えらｌｌ
ｌている。 Ｌカ・しなから、太陽放射エネルギー已低５−ｆ）度−
ｒ　：ｉ。 ルギ−であることから、必要とｆン）−」イ・ルー１−
　　全イＩＩるためＫは、いカ・ｒ効率良く収仕か１ｊ
ゾｌ′わねるかか間順となり、集熱器の表１’ｌｌ＋に
選択眼１１Ｖ皮ｊ１１□、・ケイ・１りすることか必要
となって〈イ）。このＪ、’：ｌ’ｉ択吸１１Ｖ皮膜と
け、太陽のスヘクトル帯である知波艮領域て高い１吸収
１４．全示し、逆に高温化した３４５熱は；；からの長
波長領域での熱放射金低く抑える性Ｉｃｑ全イ１づ゛る
皮膜である。 選択吸収特性は物理的原理から、（１）゛１′導体のハ
ンドキャツフの遷移による基礎吸収を利用した０の。■
薄ｊ１分の１渉による反射１υＪ止効果を利用し／ζも
の。（−シ金属倣゛及「のプラズマ共鳴１吸収を利用し
たもの。■金属表面′Ｉｃ微細な凹凸全作り、太陽光に
対してのみ多重反射を起こさせるようにしたものなとに
分角することかでき、実際の集熱器はこれらの原理をよ
り効果的に発揮さ・ｖ６ために柚々の補助的り段？１・
１加したり、あるいは二工具Ｉ−の原理全併用して相乗
的効果７得て効率を」けて用いられる。具体的（では多
くの種類かあるか、その中で比較的選択吸収特性か良く
実用化されているものとしては、フランククロムめっき
、ブラックニッケルめっき、酸化銅化成皮膜、電解着色
アルミニウムなとか知られているか、選択吸収特性の優
れた皮膜全多滑に安定して得るこｔは内難で、し力・も
特性の１愛７’ｌた皮膜は極めて高価になるなどの欠点
かある。 不発１す」のｆ＝Ｉ的は、効率か高く、特性か安定した
選択吸収体を工業的Ｑて多量に、かつ廉価に得ることに
ある。本発明の選択吸収体はアルミニラｌ＼もしくにア
ルミニウム合金ケ吸収体の暴利２ニして用い、この表向
に交流によるＦＩＬ　Ｉ！Ｉ’（エラリンクでＬ７／微
細な凹凸面全形成し、選１ツク１吸収！ｌ：！ｒ性とで
（Ｊるもので、史に必要に応じて交流宙８ＩＴイエツー
ｆ−ング後の表面を化成処理する上程全１）１加したこ
と全！Ｉ’！ｊ徴とするものである。 以下本発１！１１全詳細に説明する。ｆ１１来から基Ｈ
の表面にミクロンスケールで特定のノ１／；状の凹凸を
設けることで選択１汲１１ｙ、特性かイ（すられること
か予１則されている。例えＱＪ゛、基相の表向Ｖ回面か
略カウス分布関数形を連続さゼたη１１き規則的な配列
の凹凸面全形成し、この四■１の個々の１１７−均径か
太陽ンＣの波長程度で、かつ適度な深さと急峻な凸Ｆ９
１ζ形状か得られれば、太陽光スペクトルＶＣ対してに
門ｉ＠Ｓ内での多重反射と凸部での散１ｆあ効果で効率
の良い人１劾放射エネルギーの吸収が行なわれると古わ
ｔｌている。唸た、このような微細な凹凸１Ｊ放ｑ−＋
領域の長波長に対しては平滑面として作用し、基材にア
ルミニウムの如き長波長領域で高反射率を示す相料全用
いれば、放射か抑制され優れた選択吸収特性か得られる
とされている。 ところで、アルミニウムの表向にこのような凹凸面全形
成する手段としては、ブラスト法゛なと機械的なもの、
化学エツチングなと化学的なもの、重層エツチングなど
電気化学的なもの、イオンエツチング、スパッタリング
なとによるものなと各種の方法か提案されている。しか
しなから、ｎ１ｊ述した如き形状の均一な凹凸面全容易
に力・つ安定して、し〃・も丁業的に多数に廉価に得る
ことは極めて難しい。 杢発明者に、電気化学的エツチング、特に交流によるＦ
ＪＮ、　ＩＷエツチンクか不発１９」の１］的の達成に
好適なものであること全見出した。即ち電解エツチング
は、食塩、塩酸なとの水溶液中に被処理物全浸漬し通電
してエツチング全行なうもので、直流エツチングと交流
エツチングに分けら才するか、交流エツチングではエツ
チング条件として、ｌ仮組１＋Ｖ＋、高度、７１〒、流
密度、周波数、波形、ｒＩＣ気１，１ろ・とパラメータ
か極めて多く、これらの条件を選１１クー・１−ること
で、太陽放射エネルギーの１汲１１ｊ／に好ましい形状
を容易に得ることができること全見出したイ、のである
。 即ち、直流電流によるエラチンつて゛軒１級処理物であ
るアルミニウムが常にプラス宙２位に保ｌこノしてエツ
チングか行なわれるので、基口のアルミニウムの結晶構
造で溶解方位が決唸り、エツヂンゲビットはトンイ・ル
状に進行１−ると共に、表１１１１　Ｉｆｃ　＆−１未
エツチング部か依然として残る性質があり、アルミニウ
ム基材の表向に深い穴か散在ザる１（ＩＩき−Ｊ−ツチ
ング形状となり、本質的に不発Ｉｌｌて゛牙求さ、１）
る形状の均一な凹凸１ｆ１１に成１り輔い。ところか交
ｉＡｉ、ｉｆｆ流によるエツチングでに、被接ｉ４１＋
物であ〆、アルミニウムの電位かシラスＬマイナスにＩ
Ａケ化するので、最初のフラス１−ＩＬ位の１１、ｊに
１すエツチングか行なわれ、Ｖ（のマイナス正位の時に
は１％電流花′ｊ■はる局部的１１　Ｈの１−昇により
表面に酸化物、−またけ／＋（和物皮膜か形成され、次
のザイクルの７ラス市（）７の時にこの皮膜の５Ｊυ部
から次のエソナ／りか進行するという繰り返しにより、
第１図［示すη１１＜アルミニウム基月ＩＫ１サイクル
のエツナンつて杉成さ、！また略キューブ状のエツチン
グ液２か連なった凹凸面０・表面全体に−・様に形成さ
れ、本質的に本発明の目的Ｑで適合し／ζ形状か得られ
る。しかも交１ｆ＋ｔ、エツチングでハ、］ヤイクルの
エツチングで形成される略キューブ状のエツチング孔２
の大きさ全同波数により制御てきるという泊流エソナン
クでｒＪ山られない特徴を有している。 従って、エツチング固波数全変化させればエンチング孔
２の大きさを自由ＶＣ変化させることかできるので、エ
ツチング１■波数を過度に選バ、ことにより、太陽放射
エイ・ルキー選択吸収に最適な形状（８） か碍られる。 唸／ζ−１，業的Ｖ：も、直流市ｂ１１．にＪこる一Ｌ
ソーｆンつて１常に被処理物をプラス７１７位としで通
計−１むね＆Ｊならず、処理物と組型ＦｉｌｓとのＩど
触ｌ’！１．４ノ’＋’、や、敲処理物自体の抵抗値に
よりＦｌ’ｆ流１か制限さＡするｂ・、交流市。 流［よるエツチングてｖＪ、第２図に小１−η１１く、
−１ツチンクを夜１０の１１）１１１Ｊされたエソナン
タ槽＋　１　内吐二破処理物であるアルミニウム基Ａ′
Ａ１２　ｋ　’ＩＪ　？Ｌ］、ｒ　ｌ−、このアルミニ
ウム基拐１２の両側にカーホ／′！′ｉから４１：ろ１
１５極１ろＡ、　１５Ｂ　ｋ　１！ｌ己置し、これらの
ｒｌｉ　（ｉＱｖ　Ｉ　’ｌ　／ｌ　、　Ｉうｎ　Ｋ　
ｌ白接交流屯踪１４から電流を流Ｊ−１いわゆる井接餉
間図給電かでき、人￥ＩＬ流による多１１′Ｌ処理か川
面となる０ 唸り、不発１ｕｌｌ　においては交ｒｔ　ｒｌｔ　Ｉ！
Ｍ１−　ソーｆ−７りされた凹凸面１へ酸化皮ｊ（Ｑを
形成し、ハント・１′ヤノフの遷移による基礎１吸１１
Ｍ効果や１渉効果、化学着色や屯餠矯色による金属微粒
子−の７ラズマ１１．＋Ｑ動による共１（１６１吸収効
果なとかイｕられる化成皮＋＋ｒ、ｐ企・（−１”ｊ（
９） し、選択吸収効率をさらに高めるこｋもできる。。 なお、これら各種の化成処理皮膜全彫成する際、その上
程ＶＣおいて既に形成されている凹凸面全溶解させ、交
流エツチングによって既［（１，３しれている選択吸収
特性全劣化させる如き処理Ｖｉ々−ｆましくなく、適月
１にあたってはＬＬ意する必要かある。 次に本発明による実施例（Ｃついて述べる。表に交ｔｔ
による電１イｒエツチングにより？（Ｊられたもので、
被処理利は純度９９５％、厚さ１ｍｍの仮状高純度アル
ミニウムのＨＡ＝１　（硬質材）を用い、エツチング液
［け２．０　ｍｏｌ／ｌの塩酸水溶液全便月１し、これ
以外の条件を変えて交流エツチングを行なつ／こものか
不発１す］例１〜もである。！ｉた比較例として同一の
被処理拐、ならびにエツチング液を用いて直流によるｍ
解エツチング全行なったものを示した。 そして処理後の特性については、分光ソロ度泪により求
めｌζｉＩｆ視領域における吸収率ＣＸよ、長波長領域
における放射率との測定結果と全示し／ξ。１／こ第５
図＋ｃＵ可視領截から長波長領域に牟イ、１吸収十に示
すグラフを示した。 表 この表の結果および第６図のグラフから明らかなように
、本発明の方法により表１川に交ｌ＋ｉｉ′、１１こＩ
ｌｌ’ｌ’　−１’−ツチンクに、［る凹凸部を形成し
た一１′ルミュ１″ツム基杓け、吸収率αか高く、放射
率とか低い、即ち選択眼Ｉｆｙ特件の優れた太陽放射エ
ネルギー選］１り吸＋１Ｖ体となることかわかる。 なお、各種のエツチング条件の中て１１％ｉ　７１’ｊ
数か一１ツチング孔２の大きさ？決定する４１要な星回
であることを述べたか、ここでエツチンク周波数と選択
眼Ｉｔ’／特’Ｉｆｌとの関係しでついてりｉ　（ｆ（
Ｎ’ｒ　ｌ−＜調へた。 実験は、本発明例１〜ろと同し＋＆φル坤材とエツザン
クｌｆ女を月１い、液ｔｊ□ｊ５ｏ℃、？ｌｉ　？Ａ礼
許；１誌〕５０ｍ　Ａ／　（：＋＋＋’で、市イｌｊ■
量か５　ｃ／ａｗｌ　、　　’ｌ　Ｄ　Ｃ／ｃ＋イの２
つの条件でそ旧そｉ、　ＩＮ波数を変１１−させて交’
ｌＡｔ、　」−ツチンクを７−Ｊなった。っ第５図はこ
の実ｉ１．ｉカ結宋な・ル）られ［７たクラ−）て、エ
ツチンクＩｒ’ｉｌ波数ｖｃ；Ｘ＋　１−る被処理物の
吸！［叉率σと１攻躬率εとの関係を示している。なお
・、このグラフの本発明例５ニ？ｂ、　ｈ　ｈｋか５（
：／Ｃｍ’、本ｊｔ＝明例６０市荷遺かＩ　Ｄ　Ｑ／（
浦の場合である。 このグラフによｔｒ　＆Ｊ、吸１ｆ′ｙ、半ｃｙ　ｎ　
Ｔ　ｏ　Ｈ７以１・−でに１ザイクルでの市流の同一方
向時間か艮く′なり直ｍ〔、エッヂ／りとの差異か少な
くなり低］・−する。 ま／ζ２Ｕ［ＪＨｚｉ越えるあたり力・らも急激な低１
・−かみられるか、これ−丁ツチンクＩ［、か４ｉｋめ
で微細になることと、プラスとマイナスの変化か急なた
めエツチングか十分に行なわれなくなるので、彼処（１
２） 理物表面か次第に＼［ｌ滑面に近づいてゆ＜／（めであ
る。又、放射率εに関１パー　ｉｄ　Ｉｉ’、Ｊ波数か
商い稈低くナリ好１、Ｌ　Ｉｌｓ状１ｆ４９　、！−’
Ａ　ルカ、’ｔＭ　’Ｉｆ＜　ＩＩ）１１１Ｋ　’ｌ、
冒ｌ’１１．ｉｄ：　＋％　＋１ｙ率へか高く、かつ放
則率εか低いにいう双方α）条件全満足」ｔねばならな
いことから、不発明の目的に合致したエツナンクｌ：’
ｉｆ波数範囲１ｄｌＩＪ〜５　ｔ、Ｉ　［ＪＨンとなる
。なお交流エツチンクでは他の：１ツヂンク条件の違１
／）によっても特性ＩＣｉ７Ｌいか出るか発明名の行な
った実験によれば、他の」−ツチンクを件を変えても９
１寸しいｌ：’ｉｆ汲数組数範囲ｖ：ｊ１ｉｉｉ記の・
庫内（に９７寸れることか認められ１ζ。 次ｔＣ凹凸部孕彫成１した基Ａ」の表面ＣＣすＪｒｌｌ
−酸処理皮膜を形成ＬＪζ実施例を示す。 （１６） 本発明例４ 基イ′、Ａには前記の実施例と回し板状の高純度アルミ
ニウムのＨ４Ａに不発明例１で行なった処理条件による
交流市解エソチンクを施Ｌ１ζものを用い、この表面に
１５℃のニッケル塩溶中で、Ｔ５Ｖ、１０分の交流陽極
ｒ１り化に」二る化成処理で黒色皮膜を形成１−だ。 コ（７ｒ　結果、ＩＪｇ＜ｌ１ＩＶ、ｎｓｃ＜　ｔｒｉ
　Ｏ，９５、Ｍ　！Ｊ−を率εけ０２０と俊才また値を
ｌｊ＜シ、第４図の吸１１ｙ率クラフでイ）明らかなよ
うに、太＋＋ｈ　ｔｓ　ｑ−＋エイ、ルギー選択吸収体
として１鋒゛な実用特性をイ１するマ）のが？（ｔられ
た。 なおこれらの実施例においてに、被処す１！利に尚純度
のＨ４オを用い、塩酸水溶液中て゛電ｊψｒエツチング
全行なったか不発１す」にｌ’ｕ＋もこれらの条件に限
定されるもので（づない。交流による屯ＰＰＩエソチン
クにエツチンク条件としてＩＪ［１述のη１１く、多く
１／）パラメータケイＪづ゛るのて゛これらを適切に組
み合せることで所望の形状か得られる特徴がある。υｒ
：って、ＪＩｍ＜めで高純ＩＷのアルミニウム４Ｚから
アルミニウムの虐；イｊの少ない合金（Δに金る斗−Ｃ
゛、Ｊ、た１１イ（、ｃ〕４Ｋ　（献質拐）等の硬度の
いかんに拘わりｊ−広範囲の基４′ＡをｊｌｌいＺ）こ
とか−（きる。 にだコーンナンク全１回のみと−Ｖず、異／Ｉ−る：］
゛ンチンク条件で２同級１−の交ＩＭ　ｒｉ孔ｊ１イー
】ツチ７りを−１１ない、より好丹りい形状の凹凸１川
ｊゴ！）　ｉ）（（’−’ｌ）可能である。 また化成処理皮１１うこの形成についてり１、不実ｈ′
１）例に限定されることなく、各１′弓！萄属躇１浴に
上る交流賜極限化、酸化皮膜形成、化学着色、その他ス
パッタリンク盾による金属層形成なと各神の「１つがＪ
同月１できる。 この」二うに本発明によれし］、アルミニ１”ノムイ、
しくけアルミニウム合金基杓Ｉ−の選択吸収信性の優Ｊ
ｉだ所望の凹凸面を電気化学的に：ＪンＩ川用−ルして
形成することかできる。１・た１、業的にイ）交ｂ１う
市原音用いるので商用電源か利用てき高価な直流電源装
置が必要なく、しかも間接給電か可能なため、大ｍ流に
よる高速処理で多量４産か容易である。 特に被処理物か箔状あるいＶｉ薄板状の長尺物であれに
ｆ　ｒコーラ−等全弁して電１’Ｊ’ｌ’　］−ソチン
ク槽に連続投入し、極めて効率良く生産を行なうことか
できる。４ｋ、選択眼＋１’！而に破処即４Ａの片面Ｑ
（のみ形成すれに良いから２枚に爪ね合−Ｖ°て正路エ
ツチング槽に投入すれば、同時に２枚の処理か可能であ
る０ 以１．述べたように、本発明によれば特１／ｌ：の（愛
れた太陽放り・１工ネルキー選択１吸１１又体を１：業
的にも廉価に多量に１１Ｊることかできる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明の方法により形成され７（凹凸向の状態
全あられ″ｆ断面図て゛ある。第２図は本発明のエツチ
ンク方法（非接触間接給電によるもの）を示すＩｌａ念
図である。第６図、第４図は本発明の方法により形成さ
れた太陽放任１］−イル・１・−選１ｊ＜１吸収体の実
施例と比較例との吸収砕くと波１４　、：＋二の関係全
示すクラ７である。第５図は本発明の力θ：：　（Ｆ　
−１３いて１剤？Ｉ’を数を変化させてエツチンクｋ　
？Ｊ”なっ／ζ時のエツチング固波数と１汲収率、牧引
率との関係を示ｆクラフである。 １．１２−−−γルミニウム基４Ａ１　？・・・Ｌ゛ン
ｆンク子９．１０・・・ＸＩ−ツチンク液、１１・・・
エツチンク槽、１０Ａ。 １’＋Ｂ・・・正極、１４・・・交流市諒、１５・・・
ｌ（Ｍ壁１１特旧出願人 １−１本ケミ：Ｊン株式会７１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）交流による屯哨１ツチンクで形成された粗面仕向
   全表面に自することを特徴と−ｆるアルミニウムもしく
   Ｆ′ｉアルミニウム合金基４Ａからなる太陽放射エネル
   ギー選択眼１１Ｘ体。 （２）交流による■解エツチングで形成さ才また粗商化
   面と、この表面に形成された化成処理皮膜とを翁するこ
   と全特侍とり゛るアルミニウムもしくはアルミニウム合
   金基拐かしなる太陽放射エネルギー選択吸収体。 （５）アルミニウムもしくはアルミニウム合金基材の表
   面を交流によるｍｍエツチングで粗面化１゛ることを特
   徴とする太陽放射エネルギー瓜択吸収体の製造方法。 （４）アルミニウムもしくはアルミニウム合金基拐の表
   面全交流による屯所ユッチングで粗面化し、次いでその
   表面ｆ化成処理皮膜を形成−ツるＣとを特徴とする太陽
   放射」−ネルギー選択吸収体の製造方法。 （５）アルミニウム’ｔ）Ｌ　＜　ｎアルミニウム合金
   基４′Ａカー・吊状■箭状物であり、長手方向に連続し
   て移送されながらそのａ、中子受′ｔＡ；　？Ｍ階エツ
   チングによる粗間Ｉしか行なわれ／、ところの特「１−
   請求σノ範囲第６項もしくは第４項に記載の太賜放９・
   １エイ・ルギー選択吸収体の製造方法。 （６）交流による電解」−ツチンクが異なった電解エツ
   チング条件で２同級」１行なわれて粗面化が形成される
   ところの特許請求の範囲第６項＃考ノ綻第５項に記載の
   太陽放射エネルギー選択吸収体の製造方法。