JPS5875724A - Electronic device with input stage having binary output coupled to relay circuit - Google Patents
Electronic device with input stage having binary output coupled to relay circuitInfo
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- JPS5875724A JPS5875724A JP17860482A JP17860482A JPS5875724A JP S5875724 A JPS5875724 A JP S5875724A JP 17860482 A JP17860482 A JP 17860482A JP 17860482 A JP17860482 A JP 17860482A JP S5875724 A JPS5875724 A JP S5875724A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、出力信号の一つの状態時にはリレーの付勢を
除去し、出力信号の他の状態時には該リレーを付勢する
リレー制御回路に結合される二値出力を有する入力段を
備える電子式装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a binary output coupled to a relay control circuit that deenergizes the relay during one state of the output signal and energizes the relay during the other state of the output signal. The present invention relates to an electronic device comprising an input stage having an input stage.
実効電源電圧で直接にリレーを操作することは、既に公
知である。しかし表から、最高電圧の許容度は、たかだ
か±20q6程度であって、この電圧許容範囲よりも小
さな電圧ではリレーは駆動しないし、許容範囲を越える
電圧では熱的に過負荷となる等の問題がある。It is already known to operate relays directly with the effective supply voltage. However, from the table, the maximum voltage tolerance is at most about ±20q6, and voltages smaller than this voltage tolerance will not drive the relay, and voltages that exceed the tolerance range will cause problems such as thermal overload. There is.
許容範囲の大きな電圧調整器を介してリレーを操作する
ことも行なわれていた。しかし、こうした公知回路は、
電源電圧の変動範囲が太き4−
いと、電圧調整器で生じる電力損失が極めて大きくなり
、全く不経済であった。例として、この電力損失は、約
5.5WtfCまで達することもあシ、これは、ここで
本発明が主として意図している小型装置には最早や許容
できないものである。Relays were also operated via voltage regulators with large tolerances. However, these known circuits
If the fluctuation range of the power supply voltage is wide, the power loss caused by the voltage regulator becomes extremely large, which is completely uneconomical. By way of example, this power loss can reach up to about 5.5 WtfC, which is no longer acceptable for the small device for which the invention is primarily intended here.
最捩に、切換え調節用電力供給装置を介し広い範囲の許
容度を有する電源電圧にリレーを結合することも既に公
知である。しかし、この型式の回路は、スペースファク
タが悪い上にコスト高に付き、非常に小型の装置には使
用不能である。It is also already known to connect a relay to a mains voltage having a wide range of tolerances via a switching and regulating power supply. However, this type of circuit has a poor space factor and is expensive, making it unusable for very small devices.
本発明が特に指向する電子式装置は、例として、小型光
バリヤ装置を備えるもので、光バリヤ装置自体は、光線
が遮断されるか、または遮断されないかに依存して、監
視用リレーをこれによって制御する如く出力信号りまた
は0t−発生する既存のもので良い。The electronic device to which the invention is particularly directed is, by way of example, a compact light barrier device, which itself can activate a monitoring relay depending on whether the light beam is interrupted or not. An existing one that generates an output signal or 0t as controlled by the output signal may be used.
本発明は、例えば55Vから370 Vの直流の広い電
源電圧範囲に対して低損失のリレー制御装置を提供する
。従って、この目的に必要な交流−7−
電圧は、整流に先立ち、交流の42V−20%から24
0V+1onまでの範囲内にある。The present invention provides a low-loss relay control device for a wide DC power supply voltage range, for example from 55V to 370V. Therefore, the AC voltage required for this purpose varies from 42V-20% of AC to 24V prior to rectification.
It is within the range up to 0V+1on.
従って、本発明の基本的な主目的は、リレーが過負荷に
なったり、ドロップアウトしたりするおそれもなく、最
小限の電力消費と、小さい空間占有率を満足しながら、
極めて広い範囲の電源電圧に対処できる電子式装置を提
供することである。Therefore, the basic main objective of the present invention is to provide a relay with minimal power consumption and small space occupancy, without the risk of overloading or dropping out of the relay.
It is an object of the present invention to provide an electronic device that can handle a very wide range of power supply voltages.
この目的を満足させるため、本発F!A#′i、入力段
の出力が、リレーを流れる電流を定める半導体スイッチ
ング素子、特に、トランジスタの制御電極に電子式閾値
スイッチを介して結合され、該閾値スイッチが、リレー
を流れる電流に依存して周期的に切換えられ、これによ
り、該半導体スイッチング素子が、交互に導電性と、非
導電性とになり、従って、該リレーが、零から連続的に
増大する電流で周期的に付勢され、所定、、・−
の電流に到達する毎に遮断され、ドロップアウトする少
し前に増大する電流で再度付勢されることを意図してい
る。In order to satisfy this purpose, the original F! A#'i, the output of the input stage is coupled via an electronic threshold switch to the control electrode of a semiconductor switching element, in particular a transistor, which determines the current flowing through the relay, the threshold switch being dependent on the current flowing through the relay; is periodically switched such that the semiconductor switching element is alternately conductive and non-conductive such that the relay is periodically energized with a continuously increasing current from zero. It is intended to be cut off every time a given current of , . . .
この構成は、好ましくは、リレーを流れる電流に対応す
る電圧が、リレーの付勢回路にある抵抗器で取出され、
閾値スイッチの入力に送られるようにすることから始ま
る。This arrangement preferably provides that a voltage corresponding to the current flowing through the relay is tapped off by a resistor in the energizing circuit of the relay;
Start by making sure that it is sent to the input of the threshold switch.
入力段の出力は、第2抵抗器を介し閾値スイッチの入力
に結合される。コンデンサとこの第2抵抗器とはRCN
路を形成する。閾値スイッチの入力電圧が、リレーを流
れる電流の平均値が保持電流値よりも低下する以前に、
スイッチング閾値よシも低下するように、コンデンサと
、抵抗器とによる時定数を選択する。The output of the input stage is coupled to the input of the threshold switch via a second resistor. The capacitor and this second resistor are RCN
form a road. The input voltage of the threshold switch is set before the average value of the current flowing through the relay falls below the holding current value.
The capacitor and resistor time constants are selected so that the switching threshold is also reduced.
ダイオードは、半導体スイッチング素子の順方向とは逆
方向にリレーに並列に結合される。The diode is coupled in parallel to the relay in a direction opposite to the forward direction of the semiconductor switching element.
リレーが電源電圧から遮断された後、リレーの磁場に貯
蔵されるエネルギは、該ダイオードを流通する。この様
にして、リレーを流通する電流平均値は、保持電流より
低下しない様に緩衝される。After the relay is disconnected from the power supply voltage, the energy stored in the relay's magnetic field flows through the diode. In this way, the average value of the current flowing through the relay is buffered so that it does not fall below the holding current.
本発明によって使用される閾値スイッチは、好ましくは
、シュミットトリガ回路である。The threshold switch used by the invention is preferably a Schmitt trigger circuit.
−ター
別のダイオードは、抵抗器から伸びてリレー電流を流す
線路に結合され、電流が蝕抵抗器から閾値スイッチの入
力および/′tたは充電用コンデンサへ流れ得る様な極
性を有している。- A separate diode is coupled to a line extending from the resistor to carry the relay current and has a polarity such that current can flow from the resistor to the input of the threshold switch and/or the charging capacitor. There is.
該トランジスタは、一般的に32% トランジスタであ
る。The transistor is typically a 32% transistor.
実際的な第一実施例は、半導体スイッチング素子が、リ
レーに直列に結合され、リレーが、半導体スイッチング
素子としてのトランジスタのコレクタと、高電圧との間
に配置される。この構成では、リレー電流の流れる抵抗
器は、半導体スイッチング素子のエミッタと、接地との
間に結合される。A first practical embodiment is such that the semiconductor switching element is coupled in series with a relay, the relay being arranged between the collector of the transistor as the semiconductor switching element and the high voltage. In this configuration, a resistor through which relay current flows is coupled between the emitter of the semiconductor switching element and ground.
別の実施例は、半導体スイッチング素子のエミッタが接
地され、コレクタが、分圧器を介して高電圧に結合され
、リレーが、逆の導電型、即ちp%pトランジスタを介
して高電圧に結合され、p?lpトランジスタのベース
が、分圧器の分割点にあることを%黴とする。Another embodiment is that the emitter of the semiconductor switching element is grounded, the collector is coupled to the high voltage via a voltage divider, and the relay is coupled to the high voltage via a transistor of the opposite conductivity type, i.e. p%p. , p? It is assumed that the base of the lp transistor is at the dividing point of the voltage divider.
本発明によると、リレーの付勢電流は、トラ10−
ンジスタを介し周期的にオンオフに切換えられ、リレー
は、常に稼動状態に維持されるが、決して過負荷となる
ことはない。According to the invention, the energizing current of the relay is switched on and off periodically via the transistor 10, so that the relay is always kept in operation but never overloaded.
以下、添付図面に即し、本発明の実施例に就き説明する
。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
公知の4ので良い入力段/lは、例えば、光バリヤ装置
乃至フォトカプラでよい。入力段l/は、MOB技術で
形成でき、周知のように低消費電力であるから、ドロッ
ピング抵抗器で高い電源電圧を逓降して使うことができ
る。The known four input stages /1 can be, for example, optical barrier devices or optocouplers. The input stage l/ can be formed using MOB technology and has low power consumption as is well known, so that it can be used by dropping a high supply voltage using a dropping resistor.
第1図に示す如く、信号りまたは信号0のいづれかは、
例えば、障碍が光バリヤ中の光線に対しであるか否かに
依存して入力段の出力IPに現われる。出力/fは、図
示の如く接地されるか、または電源電圧から得られ抵抗
器コ≠と、ツエーナダイオードコtとを介して安定化さ
れた電圧に結合されるかのいづれかに選択して結合可能
なスイッチ腕コ3の一つの極として等倹約に示すことが
できる。As shown in Figure 1, either signal 0 or signal 0 is
For example, it appears at the output IP of the input stage depending on whether the disturbance is to the rays in the light barrier or not. The output /f can be either grounded as shown or coupled to a voltage derived from the supply voltage and regulated through a resistor and a Zener diode. It can be equally parsimoniously shown as one pole of a combinable switch arm 3.
シュミットトリガ回路/コの入力/rは、抵抗器−/l
−
λOを介して出力/りに結合される。シュミットトリガ
回路の出力は、別の抵抗器26を介してnpnトランジ
スター≠のペースに与えられる。該トランジスタは、例
えば35vから570vまでの直流電源電圧に一端で結
合されるリレー/jの付勢回路に挿入される。リレー/
jの他の極は、トランジスタ/44のコレクタに結合さ
れる。トランジスター≠のエミッタは、抵抗器16を介
して接地される。トランジスターqのエミッタと抵抗器
16との間の結合点は、他の端子で接地されるコンデン
−!?−/717) 一方の端子と、シュミットトリガ
回路lコの入力/rとへ図示の態様の極性のダイオード
ーーを介して結合される。55Vから570■までの直
流電源電圧は、42V−201から240V+20−ま
での交流電圧を加え得る入力の整流器コアで与えられる
。整流器コアの一出力端子は、図示の態様で接地される
。直流電源電圧と、接地との間の、、・1・11□
コンデンサコtは、平滑用である。第1図示回路の作用
は、次の通シである。Input of Schmitt trigger circuit/co/r is resistor -/l
- coupled to the output via λO. The output of the Schmitt trigger circuit is applied through another resistor 26 to the npn transistor ≠ pace. The transistor is inserted into the energizing circuit of relay/j, which is coupled at one end to a DC power supply voltage, for example from 35v to 570v. relay/
The other pole of j is coupled to the collector of transistor /44. The emitter of transistor≠ is grounded via resistor 16. The connection point between the emitter of transistor q and resistor 16 is connected to a capacitor ! which is grounded at its other terminal. ? -/717) One terminal is coupled to the input/r of the Schmitt trigger circuit l via a diode with the polarity shown. A DC power supply voltage of 55V to 570V is provided by an input rectifier core to which AC voltages of 42V-201 to 240V+20- can be applied. One output terminal of the rectifier core is grounded in the manner shown. The capacitor t between the DC power supply voltage and the ground is for smoothing. The operation of the first illustrated circuit is as follows.
光バリヤ装置の光線が遮断されないとき、本発明の電子
式装置の入力段の出力でのスイッチ腕コ3は、図示の様
な上側切換え位置に在ると等価的に示される。この場合
には、正電圧が抵抗器20を介してシュミットトリガ回
路/コの入力/rに結合される。これにより、シュミッ
トトリガ回路は、下側スイッチ位置となり、トランジス
タ/<4t″ペース/3f介して非導電性とし、電流が
リレーisを流れない様な充分に低い電圧をその出力に
現わす。従って、リレー/jは、入力段/lのスイッチ
腕コ3が等価的に上側切換え位置にあルトキ、ドロップ
アウト状態に4,6゜伺醇かの障碍が光バリヤ装置の光
線中に入ると、スイッチ腕コ3は、図示の下側位置へ切
換えられたのと等価となり、入力段/lの出力15’は
、接地電位となる。シュミットトリガ回路/1の入力/
rにこの様にして生じる電圧の急変の結果、回路/コは
、低電圧段階から高電圧段階へ切換わり、増大された出
力電圧が抵抗器ユ6を介してトランジスタ/≠のベース
/3に送られ、トランジスタ/Vを導電状態に切換える
。これに伴い、トラ13−
ンジスタ主電流も連続的に増大し、リレー/jと、抵抗
器/6を流れる。When the light beam of the light barrier device is not interrupted, the switch arm 3 at the output of the input stage of the electronic device of the invention is equivalently shown to be in the upper switching position as shown. In this case, a positive voltage is coupled through resistor 20 to the input /r of the Schmitt trigger circuit /co. This causes the Schmitt trigger circuit to be in the lower switch position, non-conducting through the transistor /<4t'' pace/3f, and presenting a sufficiently low voltage at its output that no current flows through the relay is. , when the switch arm 3 of the input stage /l is equivalently in the upper switching position, relay /j enters the dropout state when an obstacle of 4.6 degrees enters the light beam of the optical barrier device. The switch arm 3 is equivalent to being switched to the lower position shown in the figure, and the output 15' of the input stage /1 becomes the ground potential.The input /1 of the Schmitt trigger circuit /1
As a result of the sudden change in voltage thus occurring at is sent, switching transistor /V into a conductive state. Along with this, the transistor main current also increases continuously and flows through relay /j and resistor /6.
抵抗器16を流れる電流により、この抵抗両端には増大
する電圧が生じ、ダイオードーーを介してコンデンサ/
7t−充電する。この結果、シュミットトリガ回路/コ
の入力/lの電圧は、シュミット回路lコのスイッチン
グ閾値を越えるまで、連続的に増加する。やがて、シュ
ミツ))リガ回路lコの出力は、高い状態から低い状態
に切換わるが、スイッチ腕23は、この時はまだ等価的
に接地状態に維持されている。回路lコの出力反転でト
ランジスタ/弘は、遮断され、リレー/jと、抵抗器1
6とを流通する電流は、中断される。しかし、このとき
、逆起電力が、リレー/jに生じ、リレーl!を稼動状
態に維持する如く特定の時間にわたりダイオ−トコlを
介して磁場を維持する。The current flowing through resistor 16 creates an increasing voltage across this resistor, which is then applied to the capacitor via the diode.
7t-Charge. As a result, the voltage at the input /l of the Schmitt trigger circuit /l increases continuously until it exceeds the switching threshold of the Schmitt trigger circuit /l. Eventually, the output of the Schmidt trigger circuit switches from a high state to a low state, but the switch arm 23 is still maintained equivalently at ground. Transistor/Hiro is cut off due to the output reversal of circuit l, and relay/j and resistor 1
6 is interrupted. However, at this time, a back electromotive force is generated in relay /j, and relay l! A magnetic field is maintained through the diode for a specified period of time so as to maintain the device in operation.
このとき、抵抗器コOと、コンデンサ17との時定数は
、抵抗器16を流れる電流が中断された彼、リレー/!
を流れる電流が所定の平均値以下に低下する以前に、シ
ュミットトリガ回路lコの入力−/≠−
/lの電圧が該回路のスイッチング閾値以下に低下する
ように選択する。この様にして、トランジスタ/4Cに
は、再び電流が流れて、結局、リレー/j#’J稼動状
態に維持される。At this time, the time constant of the resistor 16 and the capacitor 17 is the same as that of the relay/! when the current flowing through the resistor 16 is interrupted.
The voltage at the input −/≠−/l of the Schmitt trigger circuit 1 falls below the switching threshold of the Schmitt trigger circuit 1 before the current flowing through the circuit falls below a predetermined average value. In this way, current flows through transistor /4C again, and relay /j#'J is eventually maintained in the operating state.
換言すれば、コンデンサ/7は、電流中断の際に抵抗器
λ01 スイッチ腕=3を介して放電するが、その放電
は、リレー/jの実際のドロップアウトを防止するのに
充分急速に行われる。In other words, the capacitor /7 discharges through the resistor λ01 switch arm = 3 in the event of a current interruption, but the discharge occurs quickly enough to prevent an actual dropout of the relay /j. .
この様にして本発明によるリレー/jを流れる電流の自
動調節の結果、該リレーは、スイッチ腕コ3が接地され
るとき、過負荷またはドロップアウトとのいづれをも生
ぜず、例えば10段階にも及ぶ55Vから570■の範
囲内の電圧で操作可能である。電源電圧が大きくても、
この回路装置は、電流の流れが所定の大きさに達すると
、リレーを電源電圧から自動的に遮断する。その後の中
断は、非常に短いので、リレーは、磁場に貯蔵されるエ
ネルギの結果と、磁気システムの慣性の結果とにより、
この時間中、稼動されたま\である。上述の操作シーケ
ンスは、連続−/j−
的に反復される。In this way, as a result of the automatic regulation of the current flowing through the relay /j according to the invention, the relay does not cause either overload or dropout when the switch arm 3 is grounded, and the relay can be adjusted in eg 10 steps. It can be operated at voltages ranging from 55V to 570V. Even if the power supply voltage is large,
This circuit arrangement automatically disconnects the relay from the supply voltage when the current flow reaches a predetermined magnitude. The subsequent interruption is so short that the relay is forced to
It remained operational during this time. The above-described sequence of operations is repeated continuously.
スイッチング間隔中、リレーljは、電流により貯蔵さ
れた磁気エネルギで稼動状態に保持される。During the switching interval, relay lj is kept active with the magnetic energy stored by the current.
従って、トランジスタl≠が作用する期間は、就中リレ
ー/rの誘導性と、瞬間的に伝播する操作用電圧とに依
存する。電流の流れの持続時間は、蓄電器/7と、抵抗
器−〇との一定の予め選択される時定数で定められる。The period during which the transistor l≠ is active therefore depends, inter alia, on the inductivity of the relay /r and on the instantaneously propagating operating voltage. The duration of current flow is determined by a constant preselected time constant of capacitor /7 and resistor -0.
スイッチング間隔は、リレーの誘導性におけると同様に
、リレーのピーク電流が任意の駆動電圧に対して一定に
維持されるために一定にし得る。The switching interval may be constant because, similar to the inductive nature of the relay, the peak current of the relay remains constant for any drive voltage.
異なる駆動電圧に対して効果的なリレー駆動電流を一定
に保持する別の態様は、第2図に示され、これでは、同
様な符号は、第1図の対応する部分に相当する部分を示
す。Another aspect of holding the effective relay drive current constant for different drive voltages is shown in FIG. 2, in which like numerals indicate parts corresponding to corresponding parts of FIG. .
第2図では、回路は、そのエミッタが高駆動電圧に結合
゛される’I)%TJ )ランジスタコタを有している
。並列結合のダイオ−トコtf有するリレーljハ、ト
ランジスター?のコレクタに結合され、抵抗器/6を介
して接地される。スイッチングトランジスタ/4Iのコ
レクタは、抵抗器30,3/から成る分圧器を介して高
電圧に結合され、スイッチングトランジスタのエミッタ
は、接地される。In FIG. 2, the circuit has a transistor stator whose emitter is coupled to a high drive voltage. Relay lj with parallel-coupled diode tf, transistor? is coupled to the collector of , and grounded via resistor /6. The collector of the switching transistor /4I is coupled to a high voltage via a voltage divider consisting of a resistor 30,3/, and the emitter of the switching transistor is grounded.
抵抗器3θ、3/の間の結合点は、’I)nT) )ラ
ンジスタコ?のペースに結合される。The connection point between resistors 3θ, 3/ is 'I)nT) ) Langistacho? Combined with the pace of.
この様にして、連続的に上昇したり低下する電圧がスイ
ッチングトランジスタ/lのデユーティサイクルに応じ
てセンサ抵抗器16に現れる。In this way, a continuously rising and falling voltage appears across the sensor resistor 16 depending on the duty cycle of the switching transistor /l.
上昇する電圧は、導電状態のトランジスタl≠による電
流の流れの位相に対応し、低下する電圧は、トランジス
タ/4<の遮断状態に対応する。自走ダイオ−トコ/を
介して流れる電流は、この場合も重要な要素である。The rising voltage corresponds to the phase of current flow due to the conducting state of the transistor l≠, and the falling voltage corresponds to the blocking state of the transistor /4<. The current flowing through the free-running diode is again an important factor.
回路/コをアンド論理回路に2つの反転入力を有するト
リガ回路で置換えることもでき、その場合は、フィード
バック電圧を該トリガ回路の二人力に、スイッチング電
圧をダイオードココを介して該トリガ回路の他の入力に
与え、抵抗器16両端の最奥電圧でトランジスタ列を遮
断し、17−
抵抗器76両端の最低電圧でトランジスタ列を再度オン
にするように、このトリガ回路のヒステリシスを選定す
れば、同様に、リレーを流れる平均電流を駆動電圧に関
係なく一定に保持できる。スイッチング周波数は、リレ
ー/jの誘導度と、瞬間的に伝播する操作用電圧とによ
り、定められる。It is also possible to replace the circuit/co with a trigger circuit having two inverting inputs in the AND logic circuit, in which case the feedback voltage is applied to the two inputs of the trigger circuit, and the switching voltage is transferred via the diode coco of the trigger circuit. If the hysteresis of this trigger circuit is selected so that the lowest voltage across resistor 16 turns off the transistor string and the lowest voltage across resistor 76 turns on the transistor string again. , Similarly, the average current flowing through the relay can be held constant regardless of the driving voltage. The switching frequency is determined by the inductance of the relay/j and the instantaneously propagating operating voltage.
第1図は本発明の電子式装置の第一実施例の回路図、第
2図は別の実施例の回路図で、図中、ttFi入力段、
lコはシュミットトリガ回路、lvは外P?l )ラン
ジスタ、ijはリレー、/6.−〇は抵抗器、/7はコ
ンデンサ、lrはシュミットトリガ回路の入力、/Pは
入力段の出力、コl、ココはダイオード、コブはput
)ランジスタ、30.J/は分圧器の抵抗器、を示す
。
第1頁の続き
優先権主張 @1982年2月8日■西ドイツ(DE)
■P 3204234.5
@発 明 者 ハートムット・クナッペドイッ連邦共和
国デーー7830エ
メンデインゲン・ビーセンシュ
トラツセ124
109−FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the electronic device of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of another embodiment.
l is the Schmitt trigger circuit, lv is the outer P? l) transistor, ij is a relay, /6. -〇 is the resistor, /7 is the capacitor, lr is the input of the Schmitt trigger circuit, /P is the output of the input stage, col, here is the diode, and bump is the put
) transistor, 30. J/ indicates the resistor of the voltage divider. Continued from page 1 Priority claim @February 8, 1982 ■West Germany (DE)
■P 3204234.5 @Inventor Hartmut Knappeduis Federal Republic of Germany 7830 Emmendingen Biesenstrasse 124 109-
Claims (1)
ーの付勢を除去し、他の出力信号状態では該リレーを付
勢する、リレー制御回路に結合される二値出力を有する
入力段を備える電子式装置において。 紡配入力段の出力が、前記リレーを通る電□ 流を定
める半導体スイッチング素子の制御電極に電子式閾値ス
イッチを介して結合され。 該閾値スイッチが、該リレーを流れる電流に依存して周
期的に切換えられ、これによシ、該半導体スイッチング
素子が、交互に導電性と非導電性とになり、従って、前
記リレーが。 零から連続的に増大する電流で周期的に付勢され、所定
の電流に到達する毎に遮断され、−コー ドロップアウトの少し前に、増大する電流で再度付勢さ
れることを特徴と・する電子式装置。 (2、特許請求の範囲第1項記載の電子式装置において
、 リレーを通る電流に対応する電圧が、該リレーの付勢回
路にある抵抗器で取出され、前記閾値スイッチの入力に
送られること全特徴とする電子式装置。 (3)特許請求の範囲第1項または第2項のいづれかに
記載の電子式装置において、 入力段の出力が、第二抵抗器を介して前記閾値スイッチ
の入力に結合されることを特徴とする電子式装置。 (4) 41許請求の範囲第5項記載の電子式装置に
おいて、 コンデンサが、RC回路を形成する如く前記第二抵抗器
に結合されることt特徴とする電子式装置。 (5)特許請求の範囲第4項記載の電子式装置において
、 閾値スイッチの入力の電圧が前記リレーのドロップアウ
トの以前にスイッチング閾値より下に低下する如く、コ
ンデンサと、抵抗器との時定数が、選定されることを特
徴とする電子式装置。 (6)特許請求の範囲第1項乃至第5項のいづれか一つ
の項記載の電子式装置において、ダイオードが、半導体
そイツチング素子の順方向とは逆方向にリレーに並列に
結合されることを特徴とする電子式装置。 (7) %許請求の範囲第1項乃至第6項のいづれか
一つの項記載の電子式装置において、閾値スイッチが、
シュミットトリガ回路であることを特徴とする電子式装
置。 (8)特許請求の範囲第2項乃至第7項のいづれか一つ
の項記載の電子式装置において、第一抵抗器から閾値ス
イッチの入力および/またはコンデンサベ″層流が流れ
得る様な極性を有し、第二ダイオードが、リレー電流を
保持する該第−抵抗器からの線路に配されることを特徴
とする電子式装置。 (9)特許請求の範囲第1項乃至第8項のいづれか一つ
の項記載の電子式装置において、トランジスタが、%p
% )ランジスタであることを特徴とする電子式装置。 (ト)特許請求の範囲第1項乃至第9項のいづれか一つ
の項記載の電子式装置において、半導体スイッチング素
子が、リレーに直列に結合され、該リレーが、該半導体
スイッチング素子のコレクタと高電圧との間に配置され
ることt−特徴とする電子式装置。 al 特許請求の範囲第2項乃至第10項のいづれか
一つの項記載の電子式装置において、リレー電流を保持
する第一抵抗器が、半導体スイッチング素子のエミッタ
と接地との間に配されることを特徴とする電子式装置。 (6)特許請求の範囲第1項乃至第8項のいづれか一つ
の項記載の電子式装置において、半導体スイッチング素
子のエミッタが接地され、コレクタが、分圧器を介して
高電圧にj − 結合され、リレーが、逆の導電型の半導体スイッチング
素子を介して高電圧に結合され。 骸別の半導体スイッチング素子のペースが、前記分圧器
の分割点にあることを特徴とする電子式装置。Claims: (1) A binary input stage output coupled to a relay control circuit that deenergizes the relay in one output signal state and energizes the relay in another output signal state. In an electronic device comprising an input stage with an output. The output of the spinning input stage is coupled via an electronic threshold switch to a control electrode of a semiconductor switching element that determines the current flow through the relay. The threshold switch is periodically switched depending on the current flowing through the relay, whereby the semiconductor switching element becomes alternately conductive and non-conductive, thus causing the relay to become conductive and non-conductive. It is characterized in that it is energized periodically with a continuously increasing current from zero, is cut off every time a predetermined current is reached, and is energized again with an increasing current shortly before cord dropout. electronic device. (2. The electronic device according to claim 1, wherein a voltage corresponding to the current passing through the relay is tapped off by a resistor in the energizing circuit of the relay and sent to the input of the threshold switch. (3) The electronic device according to claim 1 or 2, wherein the output of the input stage is connected to the input of the threshold switch via a second resistor. (4) The electronic device according to claim 5, wherein a capacitor is coupled to the second resistor to form an RC circuit. (5) An electronic device according to claim 4, characterized in that the capacitor is connected such that the voltage at the input of the threshold switch falls below the switching threshold before dropout of the relay. and a resistor. (6) In the electronic device according to any one of claims 1 to 5, the diode is , an electronic device characterized in that it is coupled in parallel to a relay in a direction opposite to the forward direction of a semiconductor switching element. In an electronic device, the threshold switch is
An electronic device characterized in that it is a Schmitt trigger circuit. (8) In the electronic device according to any one of claims 2 to 7, the polarity is such that a laminar flow can flow from the first resistor to the input of the threshold switch and/or the capacitor. and a second diode is disposed in a line from the first resistor that holds a relay current. (9) Any one of claims 1 to 8. An electronic device according to one item, in which the transistor has %p
%) An electronic device characterized by being a transistor. (g) In the electronic device according to any one of claims 1 to 9, the semiconductor switching element is coupled in series with a relay, and the relay is connected to the collector of the semiconductor switching element in series. An electronic device characterized in that it is disposed between a voltage. al. In the electronic device according to any one of claims 2 to 10, the first resistor for holding the relay current is disposed between the emitter of the semiconductor switching element and ground. An electronic device featuring: (6) In the electronic device according to any one of claims 1 to 8, the emitter of the semiconductor switching element is grounded, and the collector is j − coupled to a high voltage via a voltage divider. , the relay is coupled to a high voltage through a semiconductor switching element of opposite conductivity type. An electronic device characterized in that a separate semiconductor switching element is located at a dividing point of the voltage divider.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3140682 | 1981-10-13 | ||
DE31406823 | 1981-10-13 | ||
DE32042345 | 1982-02-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5875724A true JPS5875724A (en) | 1983-05-07 |
Family
ID=6144020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17860482A Pending JPS5875724A (en) | 1981-10-13 | 1982-10-13 | Electronic device with input stage having binary output coupled to relay circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5875724A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5272175A (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-21 | G. D. Searle & Co. | Substituted tyrosyl diamide compounds |
JP2019504461A (en) * | 2015-12-04 | 2019-02-14 | クノール−ブレムゼ パワーテック ゲーエムベーハー | Circuit device for operating an electromagnetic drive system |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP17860482A patent/JPS5875724A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5272175A (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-21 | G. D. Searle & Co. | Substituted tyrosyl diamide compounds |
JP2019504461A (en) * | 2015-12-04 | 2019-02-14 | クノール−ブレムゼ パワーテック ゲーエムベーハー | Circuit device for operating an electromagnetic drive system |
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