JPS5863201A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
- Publication number
- JPS5863201A JPS5863201A JP56162471A JP16247181A JPS5863201A JP S5863201 A JPS5863201 A JP S5863201A JP 56162471 A JP56162471 A JP 56162471A JP 16247181 A JP16247181 A JP 16247181A JP S5863201 A JPS5863201 A JP S5863201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- metallic
- high frequency
- frequency circuit
- undesired
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/16—Auxiliary devices for mode selection, e.g. mode suppression or mode promotion; for mode conversion
- H01P1/162—Auxiliary devices for mode selection, e.g. mode suppression or mode promotion; for mode conversion absorbing spurious or unwanted modes of propagation
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属製筐体の内部に高周波回路を設けた高周
波回路装置に関し、簡単な構造によって筐体内に生じた
不要モードの電磁界を吸収し、回路動作を安定化すると
ともに回路の調整を容易にすることを目的としたもので
ある。
波回路装置に関し、簡単な構造によって筐体内に生じた
不要モードの電磁界を吸収し、回路動作を安定化すると
ともに回路の調整を容易にすることを目的としたもので
ある。
一般にマイクロ波帯の高周波回路では、その周囲を金属
筐体でおおい、外部との電磁的結合をなくし、筐体外部
の影響を除去するとともに内部からの電磁波の不秦輻射
を除去している。しかじな° がら、伝送線路を伝送す
仝信号の周波数と金属筐体の形状５寸法とによっては、
不要な周波数で金属筐体が共振を起こすことがあるため
、高周波回路の設計、調整が容易でなかった。
筐体でおおい、外部との電磁的結合をなくし、筐体外部
の影響を除去するとともに内部からの電磁波の不秦輻射
を除去している。しかじな° がら、伝送線路を伝送す
仝信号の周波数と金属筐体の形状５寸法とによっては、
不要な周波数で金属筐体が共振を起こすことがあるため
、高周波回路の設計、調整が容易でなかった。
本発明は上記の欠点を除去するものであり、以下に本発
明の実、流側につし・て図面を用いて説明する。第１図
は本発明の一実施例の断面図である。
明の実、流側につし・て図面を用いて説明する。第１図
は本発明の一実施例の断面図である。
同図において、接地導体１に接合した誘電体２上にマイ
クロストリップ線路３が形成され、高周波回路を構成し
ている。これは金属製の周囲筐体４と、筐体中に生ずる
電磁波を吸収するための厚みｔなる電波吸収体６が内面
部に接着された金属製の上蓋６から成る筐体７に接合せ
られている。
クロストリップ線路３が形成され、高周波回路を構成し
ている。これは金属製の周囲筐体４と、筐体中に生ずる
電磁波を吸収するための厚みｔなる電波吸収体６が内面
部に接着された金属製の上蓋６から成る筐体７に接合せ
られている。
第２図は、マイクロストリップ線路３′でバンドパスフ
ィルタを構成した例であり、： （、）はその平面図、
（ｂ）はその断面図である。
ィルタを構成した例であり、： （、）はその平面図、
（ｂ）はその断面図である。
３ 。
第３図は、第２図に示す高周波回路を第１図に示す筐体
７に組み込んだ場合の伝送特性であり、第４図は同様に
し、かつ電波吸収体６を取り除いた場合の伝送特性であ
り、同図に矢印ムで示す部分は金属筐体で起こった不要
な共振箇所である。
７に組み込んだ場合の伝送特性であり、第４図は同様に
し、かつ電波吸収体６を取り除いた場合の伝送特性であ
り、同図に矢印ムで示す部分は金属筐体で起こった不要
な共振箇所である。
一般に方形金属筐体の一辺の寸法が伝送する信号帯（ま
たは、取り扱う周波数帯）の管内波長にして半波長より
小さければ、金属筐体の不要な共振は起こらないが、実
際の高周波回路ではその筐体の形状が大きくなるのが普
通である。それ故に、従来は第４図に示すような不要な
共振が金属筐体内で発生することがあったが、本発明の
実施例である第１図のように電波吸収体６を金属製筐体
７の上蓋６の内面部に装着することによって、その筐体
７内に発生する不要な電磁界を吸収し、筐体７の不要な
共振を容易になくすことができる。
たは、取り扱う周波数帯）の管内波長にして半波長より
小さければ、金属筐体の不要な共振は起こらないが、実
際の高周波回路ではその筐体の形状が大きくなるのが普
通である。それ故に、従来は第４図に示すような不要な
共振が金属筐体内で発生することがあったが、本発明の
実施例である第１図のように電波吸収体６を金属製筐体
７の上蓋６の内面部に装着することによって、その筐体
７内に発生する不要な電磁界を吸収し、筐体７の不要な
共振を容易になくすことができる。
なお、金属製筐体７内には、さまざまなモード１゜
で共振が起こり得るが、これは装着する電波吸収体６の
厚みｔを変化させることによって容易に不要電磁波を吸
収することができる。また、実際に使用する電波吸収体
は、一般に磁性材料あるいは誘電体材料を素材としたも
のが多いが、カーボン粉末を発泡ポリスチロールに混合
したものを使用すると、その厚みを容易に厚くすること
が可能であるので効果的となる、 また、高周波回路の調整をする場合には、一般的に金属
製筐体子の上蓋６を取り除いて調整するが、従来のよう
に上蓋を装着した時に不要な共振が起こる場合には、そ
の調整時と上蓋の装着時とでは回路動作が異なることが
あった。ところが本発明においては、上蓋を装着しても
不要な共振が起こらないため容易に回路調整ができる。
厚みｔを変化させることによって容易に不要電磁波を吸
収することができる。また、実際に使用する電波吸収体
は、一般に磁性材料あるいは誘電体材料を素材としたも
のが多いが、カーボン粉末を発泡ポリスチロールに混合
したものを使用すると、その厚みを容易に厚くすること
が可能であるので効果的となる、 また、高周波回路の調整をする場合には、一般的に金属
製筐体子の上蓋６を取り除いて調整するが、従来のよう
に上蓋を装着した時に不要な共振が起こる場合には、そ
の調整時と上蓋の装着時とでは回路動作が異なることが
あった。ところが本発明においては、上蓋を装着しても
不要な共振が起こらないため容易に回路調整ができる。
第１図は本発明の一実施例であるが、他の実施例として
第６図のように筐体７の上蓋６の内面の一部分に電波吸
収体６を装着した場合でも同様な効果を得ることができ
る。
第６図のように筐体７の上蓋６の内面の一部分に電波吸
収体６を装着した場合でも同様な効果を得ることができ
る。
以上のように、本発明は簡単な構造によって金属製筐体
に起因する不要な共振を除去し、回路動作を安定化する
とともに回路の調整を容易にし得るものであり、その効
果は非常・に大きいものかある。
に起因する不要な共振を除去し、回路動作を安定化する
とともに回路の調整を容易にし得るものであり、その効
果は非常・に大きいものかある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図（ａ）。
（ｂ）はマイクロストリップ線路でバンドパスフィルタ
を構成した高周波回路の例を示す平面図と断面図、第３
図および第４図は本発明ｉよって得られる伝送特性およ
び従来例の伝送特性の例を示す特性図、第６図は本発明
の他の実施例の断面図である。 １・・・−・・接地導体、２・・・・・・誘電体、３・
・・・・・マイクロストリップ線路、４・・・・・・金
属製側聞筐体、６・・・・・・金属製上蓋、６・・・・
・・電波吸収体、７・・・・・・金属製筐体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２ 第１図 第 第２図 第５図
を構成した高周波回路の例を示す平面図と断面図、第３
図および第４図は本発明ｉよって得られる伝送特性およ
び従来例の伝送特性の例を示す特性図、第６図は本発明
の他の実施例の断面図である。 １・・・−・・接地導体、２・・・・・・誘電体、３・
・・・・・マイクロストリップ線路、４・・・・・・金
属製側聞筐体、６・・・・・・金属製上蓋、６・・・・
・・電波吸収体、７・・・・・・金属製筐体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２ 第１図 第 第２図 第５図
Claims (1)
- （１）マイクロストリップ線路を用いた高周波回路を内
蔵した金属製の周囲筐体と上蓋からなる筐体を有し、前
記金属製上蓋の内面部に電波吸収体を装着し、前記筐体
内に生ずる不要モードの電磁界を吸収するように構成し
たことを特徴とする高周波回路装置。 （２、特許請求の範囲第（１）項の記載において、前記
−電波吸収体として、カーボン粉末を発泡ポリスチロー
ルに混合した材料を使用したことを特徴とする高周波回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162471A JPS5863201A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162471A JPS5863201A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863201A true JPS5863201A (ja) | 1983-04-15 |
Family
ID=15755249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56162471A Pending JPS5863201A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863201A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2627328A1 (fr) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Alcatel Thomson Faisceaux | Circuit microelectronique |
| US5164358A (en) * | 1990-10-22 | 1992-11-17 | Westinghouse Electric Corp. | Superconducting filter with reduced electromagnetic leakage |
| EP0890988A3 (de) * | 1997-07-11 | 1999-12-08 | Alcatel | In einem Gehäuse angeordnete elektrische Schaltungsanordnung |
| US6307449B1 (en) | 1997-06-24 | 2001-10-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Filter with spurious characteristic controlled |
| EP2256800A4 (en) * | 2008-03-17 | 2012-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | MULTILAYER DIELECTRIC SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR HOUSING |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4734824U (ja) * | 1971-05-08 | 1972-12-18 |
-
1981
- 1981-10-12 JP JP56162471A patent/JPS5863201A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4734824U (ja) * | 1971-05-08 | 1972-12-18 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2627328A1 (fr) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Alcatel Thomson Faisceaux | Circuit microelectronique |
| US5164358A (en) * | 1990-10-22 | 1992-11-17 | Westinghouse Electric Corp. | Superconducting filter with reduced electromagnetic leakage |
| US6307449B1 (en) | 1997-06-24 | 2001-10-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Filter with spurious characteristic controlled |
| EP0890988A3 (de) * | 1997-07-11 | 1999-12-08 | Alcatel | In einem Gehäuse angeordnete elektrische Schaltungsanordnung |
| US6157544A (en) * | 1997-07-11 | 2000-12-05 | Alcatel | Electrical circuit configuration arranged in a casing |
| EP2256800A4 (en) * | 2008-03-17 | 2012-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | MULTILAYER DIELECTRIC SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR HOUSING |
| US8222976B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-07-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Multilayer dielectric substrate and semiconductor package |
| EP3324430A1 (en) * | 2008-03-17 | 2018-05-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Multilayer dielectric substrate and semiconductor package |
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