JPS5855614B2 - Chikusekisatsuzokanno Kodeninkiyokuno Seizouhouhou - Google Patents

Chikusekisatsuzokanno Kodeninkiyokuno Seizouhouhou

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JPS5855614B2
JPS5855614B2 JP14596074A JP14596074A JPS5855614B2 JP S5855614 B2 JPS5855614 B2 JP S5855614B2 JP 14596074 A JP14596074 A JP 14596074A JP 14596074 A JP14596074 A JP 14596074A JP S5855614 B2 JPS5855614 B2 JP S5855614B2
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JP
Japan
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base metal
photocathode
mesh
target mesh
evaporation source
Prior art date
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JP14596074A
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JPS5171615A (en
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喜博 宇野
郁夫 松田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5855614B2 publication Critical patent/JPS5855614B2/en
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光電陰極、蓄積ターゲットメツシュおよび電子
銃を有する蓄積撮像管の製造方法、特に光電陰極の製造
方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a storage image tube having a photocathode, a storage target mesh and an electron gun, and more particularly to a method for manufacturing a photocathode.

蓄積ターゲットメツシュを有する蓄積撮像管は従来第1
図aに示す構造のものが作られている。
A storage image pickup tube with a storage target mesh is the first in the past.
The structure shown in Figure a has been made.

これは光電陰極3と蓄積ターゲットメツシュ4との間隔
が20〜50開離れた構造となっており、光電子像は静
電レンズ又は磁界レンズにより蓄積ターゲットメツシュ
4上に結像されるいわゆるイメージオルシコン型をして
いる。
This has a structure in which the distance between the photocathode 3 and the storage target mesh 4 is 20 to 50 mm apart, and the photoelectron image is formed on the storage target mesh 4 by an electrostatic lens or a magnetic field lens. It has an orthicon type.

第1図にふ・いて。1はガラスエンベロープ、2(Li
、フェースフレート、3(d光電陰極、4は蓄積ターゲ
ットメツシュ、5は電子銃、6は光電陰極の基体金属蒸
発源、7はアルカリ金属蒸気発生源を示す。
Look at Figure 1. 1 is a glass envelope, 2 (Li
, face plate, 3(d) photocathode, 4 indicates a storage target mesh, 5 indicates an electron gun, 6 indicates a base metal evaporation source of the photocathode, and 7 indicates an alkali metal vapor generation source.

本発明は第1図すに示すように、光電陰極3と蓄積ター
ゲット4との間隔を0.5〜5飾に近づけて設置する構
造のいわゆる近接集束(プロキシ□ティフォーカス)型
撮像管形の蓄積撮像管における光電陰極3の形成方法に
関するものである。
As shown in FIG. 1, the present invention utilizes a so-called proxy focus type image pickup tube structure in which the distance between the photocathode 3 and the storage target 4 is set close to 0.5 to 5 cm. The present invention relates to a method of forming a photocathode 3 in a storage image pickup tube.

近接集束型撮像管保管は光電陰極3より放出される光電
子体がち唸り拡散(ぼけ)しないうちに蓄積ターゲット
メツシュ4に衝突させて蓄積ターゲットメツシュ4上に
光像に応じた電荷パターンを蓄積させるものである。
In close focusing type image pickup tube storage, the photoelectrons emitted from the photocathode 3 collide with the accumulation target mesh 4 before they become diffused (blurred), thereby accumulating a charge pattern corresponding to the optical image on the accumulation target mesh 4. It is something that makes you

このような近接集束型撮像管は第1図aのようなイメー
ジオルシコン型に比べて管長が短くなる他イメージ部の
集束コイル又は静電レンズ系を省略できる。
Such a close focusing type image pickup tube has a shorter tube length than the image orthicon type shown in FIG. 1A, and can omit a focusing coil or an electrostatic lens system in the image section.

したがって蓄積撮像管内の電極数を減少させることがで
きて、撮像装置が簡単になり重量が軽減される等の利点
を有するものである。
Therefore, the number of electrodes in the storage image pickup tube can be reduced, and the image pickup apparatus has advantages such as being simpler and lighter in weight.

通常用いられている光電陰極3は基体金属となるアンチ
モンsb、銀Ag等を真空中で蒸着した後アルカリ金属
例えばセシウムCs、ナトリウムNa、カリウムKa等
の蒸気を基体金属に作用させて作成する。
A commonly used photocathode 3 is prepared by vapor-depositing a base metal such as antimony SB, silver Ag, etc. in a vacuum, and then applying a vapor of an alkali metal such as cesium Cs, sodium Na, potassium Ka, etc. to the base metal.

高感度を有する光電陰極3を作るにはこれらの一連の処
理をすべて高真空中で行なわねばならないので、ガラス
エンベロープ1内に蒸着用ヒータに付けられた基体金属
材料6及びアルカリ金属蒸気発生源7とをあらかじめ設
置している。
In order to produce a photocathode 3 with high sensitivity, all of these processes must be performed in a high vacuum. are installed in advance.

このためその上に光電陰極3を形成するフェースプレー
ト2と基体金、属蒸発源6との間には蒸着の障害となる
ものがあるのは好ましくないので、通常は第11aのよ
うに蓄積ターゲットメツシュ4のフェースプレート2側
に基体金属蒸発源6を設置している。
For this reason, it is undesirable for there to be anything that impedes evaporation between the face plate 2 on which the photocathode 3 is formed and the base metal and the metal evaporation source 6, so usually an accumulation target is used as shown in No. 11a. A base metal evaporation source 6 is installed on the face plate 2 side of the mesh 4.

但しアルカリ金属は通常の蒸気発生条件であるところの
100〜250℃の温度では蒸気圧が高くガス状にガラ
スエンベロープ1内に充満して基体金属に作用するので
、アルカリ金属蒸気発生源7を設置する場所は、基体金
属発生源6はどは制約されない。
However, alkali metals have high vapor pressure at temperatures of 100 to 250°C, which is the normal steam generation condition, and fill the glass envelope 1 in a gaseous state and act on the base metal, so an alkali metal vapor generation source 7 is installed. The location where the base metal generation source 6 is used is not limited.

しかし、このような方法は近接集束型蓄積撮像管には使
用できない。
However, such a method cannot be used for close-focus storage image pickup tubes.

すなわち、近接集束型蓄積撮像管では、蓄積ターゲット
とフェースプレートの間隔が小さく、この間に基体金属
蒸発源やアルカリ金属蒸気発生源を配することができな
い。
That is, in the close-focus storage image pickup tube, the distance between the storage target and the face plate is small, and it is not possible to arrange a base metal evaporation source or an alkali metal vapor generation source therebetween.

このため従来特公昭42−19009号のように真空ベ
ルジャ内にフェースプレート部分と電子銃及び蓄積ター
ゲットメツシュ部分とを分離して設置し、フェースプレ
ート部分に光電陰極を形成して後、電子銃及び蓄積ター
ゲットメツシュ部分とを同一真空ベルジャ内でインジウ
ムシールする方法が考えられていた。
For this reason, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 42-19009, the face plate part, the electron gun, and the storage target mesh part were installed separately in a vacuum belljar, and after forming a photocathode on the face plate part, the electron gun was installed. A method of indium-sealing the storage target mesh portion and the storage target mesh portion in the same vacuum bell jar has been considered.

しかしこの方法では犬がかりな設備を要する。However, this method requires extensive equipment.

更に別の方法として、フェースプレート上にあらかじめ
基体金属を蒸着しておき、それをガラスエンベロープに
組込んだ後、真空排気しアルカリ金属蒸気を作用させる
方法もある。
Still another method is to deposit a base metal on the face plate in advance, incorporate it into a glass envelope, and then evacuate and apply alkali metal vapor.

しかしこの方法では基体金属面が空気その他のガスに少
なくとも一度はさらされるために、表面が酸化その他の
変化をして、十分な光電感度を得ることができない。
However, in this method, since the base metal surface is exposed to air or other gas at least once, the surface undergoes oxidation or other changes, making it impossible to obtain sufficient photoelectric sensitivity.

本発明による光電陰極の作成方法は基体金属蒸発源6を
従来と異なり蓄積ターゲットメツシュ4に対してフェー
スプレート2とは反対側に第1図すのように設置し、蓄
積ターゲットメツシュ4を隔てて基体金属をフェースプ
レート2上に蒸着し、その後アルカリ金属蒸気をこの蒸
着された基体金属に作用させて光電陰極3を形成するこ
とを特徴とするものである。
In the method for producing a photocathode according to the present invention, unlike the conventional method, a base metal evaporation source 6 is installed on the opposite side of the accumulation target mesh 4 from the face plate 2 as shown in FIG. The method is characterized in that a base metal is vapor-deposited on the face plate 2 at a distance, and then alkali metal vapor is applied to the deposited base metal to form the photocathode 3.

この場合蓄積ターゲットメツシュ4は基体金属蒸着の障
害物となるが、以後に述べる条件の位置に基体金属を設
置することにより、十分高感度で均一な感度分布を有す
る光電陰極を形成することができるものである。
In this case, the accumulation target mesh 4 becomes an obstacle to the base metal deposition, but by placing the base metal at a position that meets the conditions described below, it is possible to form a photocathode with sufficiently high sensitivity and a uniform sensitivity distribution. It is possible.

蓄積撮像管のターゲットとしては種々あるが、本発明に
用いるものは、例えば導電体と絶縁体とから形成される
メツシュ構造を有するものである。
Although there are various targets for storage image pickup tubes, those used in the present invention have, for example, a mesh structure formed from a conductor and an insulator.

それは第1図すに示すように電子銃5に面して導電体4
1を、またフェースプレート2に面して絶縁体42をそ
れぞれ配置する。
As shown in Figure 1, the conductor 4 faces the electron gun 5.
1 and an insulator 42 facing the face plate 2, respectively.

導電体41としては通常1000〜2000メツシユ(
1000〜2000本/インチ)程度の銅メツシユが用
いられ、また絶縁体42としてはフッ化カルシウム(C
aFt)やフッ化マグネシウム(MgF2)が用いられ
るが、いずれもこれらに限定されず異なる材料、例えば
、導電体41としてニッケル、ステンレスを、また絶縁
体42として酸化シリコン(StOz)、酸化アルミニ
ウム(A1203)、耐熱性絶縁性高分子材料(例えば
ポリイミド、ポリアミド等)等を用いることもできる。
The conductor 41 usually has 1000 to 2000 mesh (
A copper mesh of approximately 1,000 to 2,000 pieces/inch) is used, and the insulator 42 is made of calcium fluoride (C).
aFt) or magnesium fluoride (MgF2), but they are not limited to these. Different materials, for example, nickel or stainless steel can be used as the conductor 41, and silicon oxide (StOz) or aluminum oxide (A1203) can be used as the insulator 42. ), heat-resistant insulating polymeric materials (for example, polyimide, polyamide, etc.), etc. can also be used.

また、メツシュ自体が導電体である必要は必らずしもな
く、絶縁体42がメツシュ状になっており、その上に導
電体41を真空蒸着などによって形成してもよい。
Furthermore, the mesh itself does not necessarily have to be a conductor; the insulator 42 may be mesh-shaped, and the conductor 41 may be formed thereon by vacuum deposition or the like.

特にこの場合は当初導電体41を付けておかず、光電陰
極形成時に絶縁体メツシュ42上にも同時に蒸着される
基体金属層を導電体41として用いることもできる。
Particularly in this case, the conductor 41 may not be attached at the beginning, and a base metal layer, which is simultaneously deposited on the insulator mesh 42 during the formation of the photocathode, may be used as the conductor 41.

また、蓄積ターゲットメツシュは必らずしもメツシュで
ある必要はなく、すだれ状などであってもよいことは言
うまでもない。
Furthermore, it goes without saying that the accumulation target mesh does not necessarily have to be a mesh, and may be in the form of a sash or the like.

このように、蓄積ターゲットメツシュ4を隔ててフェー
スプレート2上に光電陰極3を形成する方法を次に述べ
る。
A method for forming the photocathode 3 on the face plate 2 across the storage target mesh 4 in this way will be described below.

真空中で蒸発された基体金属のうちターゲットメツシュ
4の開口部を通過してフェーズプレート2に付着した部
分のみが光電陰極3となり得る。
Of the base metal evaporated in vacuum, only the portion that passes through the opening of the target mesh 4 and adheres to the phase plate 2 can become the photocathode 3.

基体金属蒸発源6は通常ターゲツト面を走査する電子ビ
ームの障害とならないようにガラスエンベロープ1の長
手方向の軸から離れて内壁に近い位置に設置される。
The base metal evaporation source 6 is usually located away from the longitudinal axis of the glass envelope 1 and close to the inner wall so as not to interfere with the electron beam scanning the target surface.

この基体金属蒸発源6より見た蓄積ターゲットメツシュ
4の見かけ上の開口率は基体金属蒸発源6より蓄積ター
ゲットメツシュ4に下した垂線と蓄積ターゲットメツシ
ュ4との交点で最大であり、これより離れるほど小さく
なり、蓄積ターゲットメツシュ4の中心軸の反対側の端
に耘いて最小になる。
The apparent aperture ratio of the storage target mesh 4 seen from the base metal evaporation source 6 is maximum at the intersection of the perpendicular line drawn from the base metal evaporation source 6 to the storage target mesh 4 and the storage target mesh 4, The further away from this point, the smaller it becomes, and reaches the minimum at the end opposite to the central axis of the accumulation target mesh 4.

換言すれば第2図に示すように蓄積ターゲットメツシュ
4を基体金属蒸発源6より見込む角度θが小さくなるほ
ど見かけ上の開口率は減少する。
In other words, as shown in FIG. 2, the smaller the angle θ at which the accumulation target mesh 4 is viewed from the base metal evaporation source 6, the smaller the apparent aperture ratio.

このことはθが小さくなるほどフェースプレート2上に
蒸着される基体金属の量が減少し最終的に形成される光
電陰極3の感度むらを生ずることになる。
This means that as θ becomes smaller, the amount of base metal deposited on the face plate 2 decreases, resulting in uneven sensitivity of the photocathode 3 that is finally formed.

通常、蒸発源6はガラスエンベロープ1の軸に垂直な平
面上の対照位置に2個又は4個設置される。
Usually, two or four evaporation sources 6 are installed at symmetrical positions on a plane perpendicular to the axis of the glass envelope 1.

通常用いられている1000〜2000メツシユで光の
透過率が40〜60%のメツシュの場合にはこれらの蒸
発源601個より中心軸に対して反対側の蓄積ターゲッ
トメツシュ4の有効端を見込む角度θは45°より太き
ければ2個以上の蒸発源の組合せによりほぼ均一な感度
分布を有する光電陰極3がフェースプレート2上に形成
されることが実験より判明した。
In the case of a normally used mesh with 1000 to 2000 meshes and a light transmittance of 40 to 60%, the effective end of the storage target mesh 4 on the opposite side to the central axis from these 601 evaporation sources is expected. Experiments have revealed that if the angle θ is greater than 45°, a photocathode 3 having a substantially uniform sensitivity distribution can be formed on the face plate 2 by combining two or more evaporation sources.

つまり、基体金属蒸発源6はそれがガラスエンベロープ
1の中心軸より離れている距離r、の2倍(2rz)か
又はそれ以上蓄積ターゲットメツシュ4より電子銃5側
に離れた位置に設置すればよい。
In other words, the base metal evaporation source 6 should be installed at a position that is twice (2rz) the distance r that it is away from the central axis of the glass envelope 1 or more away from the storage target mesh 4 on the electron gun 5 side. Bye.

蒸着源6をこれより蓄積ターゲットメツシュ4に近い位
置に設置しても、もちろん光電陰極3の形成は可能であ
るが均一な感度分布は得難くなる。
Even if the deposition source 6 is placed closer to the storage target mesh 4 than this, it is of course possible to form the photocathode 3, but it becomes difficult to obtain a uniform sensitivity distribution.

一方この基体金属蒸発源6とターゲットメツシュとの距
離(t3)はあまり太きすぎない方がよい。
On the other hand, the distance (t3) between the base metal evaporation source 6 and the target mesh should not be too large.

その理由は、対照位置にある2個の基体金属蒸発源6か
らフェースプレート2を望んだときにターゲットメツシ
ュ4の任意の1本の影となる部分が互いに重なってしま
うと蒸着された基体金属がフェースプレート上で島状に
互いに分離して電気的導電がとれなくなってしまうから
である。
The reason for this is that when the face plate 2 is viewed from two base metal evaporation sources 6 located at symmetrical positions, if any one shaded part of the target mesh 4 overlaps with the other, the evaporated base metal This is because they become separated from each other like islands on the face plate, making it impossible to conduct electrically.

この状態を第3図aに蓄積ターゲットメツシュ4の1本
につき模式的に示す。
This state is schematically shown in FIG. 3a for each storage target mesh 4.

第3図aではSで示した部分がいずれの基体金属蒸発源
6,6′に対しても影となり基体金属は蒸着されない。
In FIG. 3a, the portion indicated by S is in the shadow of any of the base metal evaporation sources 6, 6', and no base metal is deposited.

これに対して、第3図すに示すように第3図aのSが丁
度無くなる位置か又はそれより蓄積ターゲットメツシュ
4に近い位置に基体金属蒸発源6゜6′を設置すれば、
蒸着された基体金属は互いに接続されて電気的導通が得
られる。
On the other hand, if the base metal evaporation source 6°6' is installed at the position where S in FIG. 3a just disappears or at a position closer to the accumulation target mesh 4, as shown in FIG.
The deposited base metals are connected to each other to provide electrical continuity.

第3図すの場合の基体金属蒸発源6,6′と蓄積ターゲ
ットメツシュ4との距離tsはターゲットメツシュ4の
1本の半径ヲr t 、ターゲットメツシュ4とフェー
スプレート2間の距離をt、とすると、 と得られ、とのt3より近い位置に基体金属蒸発源6,
6′を設置すればよい。
In the case of FIG. 3, the distance ts between the base metal evaporation sources 6, 6' and the accumulation target mesh 4 is the radius of one target mesh 4, and the distance between the target mesh 4 and the face plate 2. If t is t, then the following is obtained, and the base metal evaporation source 6 is located at a position closer to t3,
6' may be installed.

通常用いられている1000〜2000メツシユのター
ゲットメツシュ4をフェースプレート2より0.5〜5
m離して設置した場合には上記t3は500mm以上と
なり、一方通常の撮像管でt3としてとり得る値は大体
100mm以下であるので、この条件はほとんど常に満
足される。
Target mesh 4 of 1000 to 2000 mesh, which is usually used, is 0.5 to 5
When installed at a distance of m, the above-mentioned t3 will be 500 mm or more. On the other hand, since the possible value of t3 with a normal image pickup tube is approximately 100 mm or less, this condition is almost always satisfied.

通常の方法で製作される光電陰極面はほぼ平坦である。Photocathode surfaces produced by conventional methods are approximately flat.

一方、本発明の方法で製作される光電陰極面3は第4図
に示す如く蓄積ターゲットメツシュ4のピッチに応じた
凹凸を有する。
On the other hand, the photocathode surface 3 manufactured by the method of the present invention has irregularities corresponding to the pitch of the storage target mesh 4, as shown in FIG.

光電陰極面3の厚さはその感度にかなり影響を与えるが
、本発明の方法による光電陰極3の感度は通常の方法に
よるものとほぼ同程度の感度を有するものが得られた。
Although the thickness of the photocathode surface 3 has a considerable effect on its sensitivity, the sensitivity of the photocathode 3 obtained by the method of the present invention was approximately the same as that obtained by the conventional method.

その理由は明らかでは いが、凹凸による実効的な光電
陰極面30面積の増加が厚さの不均一による感度減少分
を補っていると考えられる。
Although the reason for this is not clear, it is thought that the increase in the effective area of the photocathode surface 30 due to the unevenness compensates for the decrease in sensitivity due to the non-uniformity of the thickness.

本発明の方法により光電陰極3を作成する場合、蓄積タ
ーゲットメツシュ4の電子銃側表面にも光電陰極が形成
される。
When the photocathode 3 is produced by the method of the present invention, the photocathode is also formed on the electron gun side surface of the storage target mesh 4.

しかし、撮像するための光はフェーズプレート側より大
割し、蓄積ターゲットメツシュにさえぎられてこの光は
このメツシュ上に形成された光電陰極には直接入射しな
いので光電子放出は極めてわずかであり、蓄積撮像管の
動作に不都合を与えることはない。
However, the light for imaging is mostly divided from the phase plate side and is blocked by the storage target mesh, so this light does not directly enter the photocathode formed on this mesh, so the photoelectron emission is extremely small. This does not cause any inconvenience to the operation of the storage image pickup tube.

以上では基体金属を、ガラスエンベロープ1の中心軸よ
り離れた2点以上から蒸発する場合について述べたが、
軸上か又はそれに近い1点から蒸着する場合にも本発明
を適用することができる。
The case where the base metal is evaporated from two or more points distant from the central axis of the glass envelope 1 has been described above.
The present invention can also be applied to the case of vapor deposition from one point on or near the axis.

この場合、基体金属蒸発源6は、蒸着作業終了後電子ビ
ーム走査のじゃまにならない場所に移動できる構造にな
っている必要がある。
In this case, the base metal evaporation source 6 needs to have a structure that allows it to be moved to a location where it does not interfere with electron beam scanning after the evaporation operation is completed.

その一例として枝管を有するものについて第5図により
説明する。
As an example, one having a branch pipe will be explained with reference to FIG.

基体金属蒸発源6は枝管8内に入れられたループ9の先
端に付けられていて、外部より高周波加熱できるように
なっている。
The base metal evaporation source 6 is attached to the tip of a loop 9 placed in a branch pipe 8, and is capable of high-frequency heating from the outside.

更にループ9は、その一部に付けられた磁性体91によ
り外部の磁石10により枝管8の中心軸に泊って上下に
移動できる。
Further, the loop 9 can be moved up and down on the central axis of the branch pipe 8 by an external magnet 10 due to a magnetic body 91 attached to a part thereof.

基体金属を蒸発させる場合には外部の磁石10により基
体金属蒸発源6及びループ9は第5図すの如く基体金属
蒸発源6がガラスエンベロープ1の中心軸上に来るよう
に移動され、高周波加熱により蒸着する。
When evaporating the base metal, the base metal evaporation source 6 and the loop 9 are moved by an external magnet 10 so that the base metal evaporation source 6 is on the central axis of the glass envelope 1 as shown in FIG. Deposited by evaporation.

蒸着後基体金属蒸発源6とループ9とは再び第5図aの
位置に磁石10により移され、必要により枝管8は第6
図aのA−N部分で切離される。
After vapor deposition, the base metal evaporation source 6 and the loop 9 are moved again to the position shown in FIG.
It is separated at part A-N in Figure a.

第5図すのように基体金属蒸発源6が1個のみの場合に
はフェースプレート2上に蒸着された基体金属3は島状
になって互いに電気的導通を有しないので、このような
場合にはフェースプレート2上にあらかじめ透明導電膜
11を形成しておかねばならない。
When there is only one base metal evaporation source 6 as shown in FIG. For this purpose, the transparent conductive film 11 must be formed on the face plate 2 in advance.

このような透明導電膜11としては酸化スズ(SnOz
)や酸化インジウム(Inz03)等を用いることがで
きる。
Such a transparent conductive film 11 is made of tin oxide (SnOz
), indium oxide (Inz03), etc. can be used.

なお、この透明導電膜11を使用することは前述した基
体金属蒸発源6を2個以上設置したときに第3図aのよ
うに島状に形成される場合にも適用することができる。
Note that the use of this transparent conductive film 11 can also be applied when two or more of the base metal evaporation sources 6 described above are installed and formed in an island shape as shown in FIG. 3a.

以上の説明では基体金属3を1個の蒸発源を用いて1ケ
所から蒸発させる場合について説明したが、この場合も
蒸発源を2ケ所以上に設けたが、1個の蒸発源の位置を
変えて複数回蒸発させて実質的に複数個設けるようにし
てもよい。
In the above explanation, we have explained the case where the base metal 3 is evaporated from one place using one evaporation source, but in this case too, the evaporation sources are provided at two or more places, but it is possible to change the position of one evaporation source. It is also possible to evaporate a plurality of times to substantially provide a plurality of evaporators.

なお一般に撮像管においてより有効な動作をさせるため
にターゲットに隣接して電子銃側にフィールドメツシュ
が設置されることがある。
Generally, a field mesh is sometimes installed on the electron gun side adjacent to the target in order to make the image pickup tube operate more effectively.

フィールドメツシュとしては、通常750メツシュ程度
の細かさの銅メツシユが用いられ、それはターゲット4
より約3rrrdl&シて設置される。
Copper mesh with a fineness of about 750 mesh is usually used as the field mesh, and it is suitable for target 4.
It is installed approximately 3rrrdl&shi.

このようなフィールドメツシュを有し、かつ本発明の如
き構造を有する蓄積撮像管を作ることも可能である。
It is also possible to make a storage image pickup tube having such a field mesh and having the structure of the present invention.

その場合は第1図すに示した本発明の一実施例にkいて
蓄積ターゲットメツシュ4に隣接して電子銃側に約3r
rrIn離れた位置にフィールドメツシュ12が配置さ
れる。
In that case, in one embodiment of the present invention shown in FIG.
A field mesh 12 is placed at a position rrIn away.

その結果、基体金属6は蓄積ターゲットメツシュ4とフ
ィールドメツシュ12との2枚のメツシュを隔ててフェ
ースプレート2に蒸着されるため前述したようなメツシ
ュが1枚だけの場合よりもメツシュを透過してフェース
プレート2に到達する基体金属の量は減少する。
As a result, since the base metal 6 is deposited on the face plate 2 across the two meshes, the storage target mesh 4 and the field mesh 12, it passes through the mesh more than in the case where there is only one mesh as described above. As a result, the amount of base metal reaching the faceplate 2 is reduced.

しかし、蒸着時間を長くする等の方法により基体金属の
蒸着量を増せば結果的に7エースプレート2上に蒸着さ
れる基体金属の量を所望の厚さにすることができるので
However, if the amount of base metal to be deposited is increased by increasing the deposition time, etc., the amount of base metal to be deposited on the 7-Ace plate 2 can be made to the desired thickness.

既に説明した方法と同様にしてフェースプレート2上に
光電陰極3を形成し、フィールドメツシュ12を有する
本発明の構造の蓄積撮像管を作ることができる。
A photocathode 3 can be formed on the face plate 2 in a similar manner to the method already described, and a storage image pickup tube having the structure of the invention having a field mesh 12 can be produced.

本発明による一実施例をアンチモンセシウム光電陰極の
場合について次に示す。
An embodiment according to the present invention will be described below for the case of an antimony cesium photocathode.

蓄積ターゲットメツシュ4として1インチビデイコン用
1500メツシュの銅メツシユを用い、その上に約1□
クロンの厚さにフッ化カルシウム(S a F2 )
全蒸着L−て絶縁体層とした。
A 1500-mesh copper mesh for 1-inch videocon is used as the storage target mesh 4, and approximately 1□
Calcium fluoride (S a F2) to the thickness of Cron
The entire evaporation layer was used as an insulator layer.

この蓄積ターゲットメツシュ4をフェースプレート2よ
り4M離して設置し、これより更に30mm離れ、中心
軸より10mの位置に基体金属蒸発源6として0.25
φの白金クラッドモリブデン線に付けられたアンチモン
sbを軸対照位置に2個設置した。
This accumulation target mesh 4 is installed 4M apart from the face plate 2, and a base metal evaporation source 6 of 0.25 mm is located further 30 mm away from this and 10 m from the central axis.
Two antimony sb attached to a platinum-clad molybdenum wire of φ were installed at axially symmetrical positions.

これらを含むガラスエンベロープ1を1O−7torr
より高真空に排気した後、400℃で3時間ガス出しを
した。
The glass envelope 1 containing these was heated to 1O-7torr.
After evacuation to a higher vacuum, gas was vented at 400° C. for 3 hours.

その後基体金属蒸発源6を加熱してアンチモンを蒸発さ
せ、フェースプレート2の光透過率が70%になるまで
アンチモンを蒸着した。
Thereafter, the base metal evaporation source 6 was heated to evaporate antimony, and antimony was evaporated until the light transmittance of the face plate 2 reached 70%.

次にガラスエンベロープ1全体を160℃に加熱してい
る状態でアルカリ金属蒸気発生源7であるセシウムクロ
メート(C82Cr04)トシリコンとの粉末を含むニ
ッケルスリーブを加熱してセシウム蒸気を発生させ前記
アンチモンに作用させた。
Next, while the entire glass envelope 1 is heated to 160°C, a nickel sleeve containing powder of cesium chromate (C82Cr04) and silicon, which is an alkali metal vapor generation source 7, is heated to generate cesium vapor, which acts on the antimony. I let it happen.

その結果的30μA/Amの均一な感度を有する光電陰
極3が形成された。
As a result, a photocathode 3 having a uniform sensitivity of 30 μA/Am was formed.

この過程はすべて通常のアンチモンセシウム光電陰極を
作成する条件の範囲内であって、特に変っているところ
はない。
All of this process is within the range of conditions for producing a normal antimony cesium photocathode, and there is nothing particularly different about it.

このように本発明は、蓄積ターゲットメツシュ4を隔て
て基体金属およびアルカリ金属蒸気をフェースプレート
2上に蒸着することを除いては従来の光電陰極形成過程
ど同一過程でありながら、容易に近接集束型蓄積撮像管
を作成できる有用な手段を提供するものである。
As described above, the present invention is the same process as the conventional photocathode formation process except that the base metal and alkali metal vapor are deposited on the face plate 2 across the storage target mesh 4, but can be easily approached. It provides a useful means by which a focusing storage image tube can be created.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図a、bは蓄積撮像管および近接集束型蓄積撮像管
の一部断面側面図、第2図a、b、第3図a、bおよび
第4図は本発明の詳細な説明するための要部側面図、第
5図a、bは本発明の他の実施例を示す一部断面側面図
である。 1・・・ガラスエンベロープ、2・・・フェースフレー
ト、3・・・光電陰極、4・・・蓄積ターゲットメツシ
ュ5・・・電子銃、6・・・基体金属蒸着源、7・・・
アルカリ金属蒸気発生源、8・・・枝管、9・・・ルー
プ、10・・・磁石、°11・・・透明電極、12・・
・フィールドメツシュ 91・・・磁性体。
1a and 1b are partial cross-sectional side views of a storage image pickup tube and a close focusing type storage image pickup tube, and FIGS. 2a and 2b, 3a and 3b, and 4 are for detailed explanation of the present invention. FIGS. 5A and 5B are side views of the main parts of FIGS. 5A and 5B are partially sectional side views showing other embodiments of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Glass envelope, 2...Face plate, 3...Photocathode, 4...Storage target mesh 5...Electron gun, 6...Substrate metal vapor deposition source, 7...
Alkali metal vapor source, 8... Branch pipe, 9... Loop, 10... Magnet, °11... Transparent electrode, 12...
・Field mesh 91...Magnetic material.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 一方の側が導体、他方の側が絶縁体である蓄積ター
ゲットメツシュの絶縁体側をフェースプレート側に近接
させてガラスエンベロプ内に配し。 上記ガラスエンベロープ内の上記蓄積ターゲットメツシ
ュの導体側に光電陰極の基体金属蒸発源およびアルカリ
金属蒸気源を配し、上記基体金属蒸発源ヲガラスエンベ
ローブの中心軸からの距離の2倍以上の距離だけ蓄積タ
ーゲットメツシュより離れた複数の位置より蓄積ターゲ
ットメツシュを介してフェースプレート内面に蒸着し、
その後アルカリ金属蒸気を作用させることを特徴とする
蓄積撮像管の光電陰極の製造方法。
Claims: 1. A storage target mesh having a conductor on one side and an insulator on the other side is placed within a glass envelope with the insulator side proximate to the faceplate side. A base metal evaporation source of a photocathode and an alkali metal evaporation source are arranged on the conductor side of the accumulation target mesh within the glass envelope, and the base metal evaporation source is located at a distance of at least twice the distance from the central axis of the glass envelope. Only the accumulated target mesh is deposited on the inner surface of the face plate via the accumulated target mesh from multiple positions distant from the accumulated target mesh,
1. A method for manufacturing a photocathode for a storage image pickup tube, the method comprising subsequently applying an alkali metal vapor to the photocathode.
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