JPS5854085B2 - Method for producing silicon dioxide - Google Patents
Method for producing silicon dioxideInfo
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- JPS5854085B2 JPS5854085B2 JP15930979A JP15930979A JPS5854085B2 JP S5854085 B2 JPS5854085 B2 JP S5854085B2 JP 15930979 A JP15930979 A JP 15930979A JP 15930979 A JP15930979 A JP 15930979A JP S5854085 B2 JPS5854085 B2 JP S5854085B2
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Description
【発明の詳細な説明】
ガス状または蒸発可能なケイ素化合物および場合によっ
ては、水を生成して燃焼する他のケイ素化合物としての
ガスと酸素との火炎の中での置換反応によって、微粒状
ケイ素化合物(高分散性ケイ酸、無定形ケイ素)を製造
することは公知である(例えば西ドイツ特許第9003
39号明細書、西ドイツ特許公開第2620737号公
報、米国特許第2399687号明細書参照)。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Particulate silicon is produced by a displacement reaction in a flame with gas and oxygen as gaseous or vaporizable silicon compounds and optionally other silicon compounds which burn producing water. It is known to produce compounds (highly dispersed silicic acid, amorphous silicon) (for example West German Patent No. 9003).
39, West German Patent Publication No. 2,620,737, and US Pat. No. 2,399,687).
この場合に四塩化ケイ素を用いると満足すべき結果が得
られるが、有機ケイ素化合物を原料として用いるとしば
しば有利である。Although satisfactory results are obtained using silicon tetrachloride in this case, it is often advantageous to use organosilicon compounds as raw materials.
今までは一般に、炭素によって汚染された、暗色の生成
物が得られるにすぎず、これを阻止するために今までは
、ケイ素と結合した有機基を含有する、特にハロゲンを
含有するケイ素化合物を用いる場合には、付加的に例え
ば水素および炭化水素のような可燃性物質が共に用いら
れていた。Until now, only dark-colored products contaminated with carbon were obtained, and in order to prevent this it has been necessary until now to use silicon compounds containing silicon-bonded organic groups, in particular halogen-containing compounds. When used, combustible substances such as hydrogen and hydrocarbons were additionally used together.
今回、高活性の微粒状二酸化ケイ素を高純度で製造する
方法が発見されたが、この方法は、ガス状または蒸発可
能な、場合によってはSiに結合した有機基を含有する
可燃性ケイ素化合物またはその混合物が、遊離の酸素を
含有するガス特に空気と、他の可燃性ガスを添加するこ
となく、火炎中で置換反応させるものである。A method has now been discovered for producing highly active, particulate silicon dioxide in high purity, which can be produced using gaseous or vaporizable, optionally combustible silicon compounds containing Si-bonded organic groups or The mixture is subjected to a displacement reaction in a flame with a gas containing free oxygen, especially air, without the addition of other combustible gases.
本発明の対象はガス状可燃性ケイ素化合物と、遊離の酸
素を含有するガスとの火炎中における置換反応によって
高分散性二酸化ケイ素を製造する方法である。The subject of the present invention is a process for producing highly dispersed silicon dioxide by a displacement reaction in a flame between a gaseous combustible silicon compound and a gas containing free oxygen.
この方法は一定に保たれた蒸気圧および一定温度(これ
は次の段階の反応成分の混合まで保持される)で一定の
液体ケイ素化合物含有状態でケイ素化合物を蒸発器内で
蒸発し、遊離酸素含有ガスと混合し、このガス混合物を
円錐状の供給口を通して燃焼室に配量し、この供給口の
まわりのリング状スプレーノズルから遊離の酸素を含有
するガスを送入しかつ燃焼室を間接的な強制冷却によっ
て冷却することから成る方法において、ケイ素化合物を
遊離酸素含有ガスおよび水蒸気と混合した後にケイ素化
合物の燃焼が遊離酸素含有ガスの少なくとも一部によっ
て行なわれるが、この場合に遊離酸素含有ガスを燃焼室
に入れる前に可燃性ガス状ケイ素化合物と混合すること
、このケイ素化合物との混合の前に100〜700℃に
加熱すること、および少くともこのガスの一部を遅くと
も水蒸気と同時にケイ素化合物に加えることを特徴とす
る方法である。This process involves evaporating the silicon compound in an evaporator with a constant vapor pressure and constant temperature (which is maintained until the next step of mixing the reactants) and a constant liquid silicon compound content, freeing up the free oxygen. This gas mixture is metered into the combustion chamber through a conical inlet, the gas containing free oxygen is introduced through a ring-shaped spray nozzle around this inlet, and the combustion chamber is indirectly cooling by forced cooling, in which after mixing the silicon compound with a free oxygen-containing gas and water vapor, the combustion of the silicon compound is carried out at least in part by the free oxygen-containing gas; mixing the gas with a combustible gaseous silicon compound before entering the combustion chamber, heating it to 100-700° C. before mixing with this silicon compound, and at least a portion of this gas being mixed with water vapor at the latest. This method is characterized by adding it to a silicon compound.
本発明による方法によって、燃焼して水を生成する可燃
性物質の量を多量に節約できることは有利である。It is advantageous that the method according to the invention makes it possible to save a large amount of combustible material which is burned to produce water.
可燃性ガス状ケイ素化合物および遊離酸素含有ガスに対
して、反応室に供給する前に水蒸気を添加することが生
成物にも、装置の運転期間にも不利な作用を及ぼさない
ことは画期的なことであり、特にバーナーロに沈降する
二酸化ケイ素によって円錐状供給口が阻害されないこと
も画期的なことである。It is a breakthrough that the addition of water vapor to flammable gaseous silicon compounds and free oxygen-containing gases before feeding them into the reaction chamber has no adverse effect on the products or on the operating life of the equipment. In particular, it is also revolutionary that the conical feed port is not obstructed by silicon dioxide that settles in the burner.
ガス状および/または気化し得る、可燃性ケイ素化合物
としては、今までに公知の方法でガス状ケイ素化合物お
よび場合によっては水を形成して燃焼する他のケイ素化
合物としこのガスと、酸素との火炎中での置換反応によ
る二酸化ケイ素の製造に、それ自体が可燃性であるなら
ば、ガス状または蒸発し得るケイ素化合物として用いら
れ得るようなものが適している。Gaseous and/or vaporizable combustible silicon compounds include other silicon compounds which burn in the hitherto known manner forming gaseous silicon compounds and possibly water, and the combination of this gas with oxygen. Suitable for the production of silicon dioxide by substitution reaction in a flame are those which can be used as gaseous or vaporizable silicon compounds, provided that they are themselves flammable.
本発明による方法は特に、約200°C(常圧で)まで
一般に分解しないで沸とうし得るような、可燃性ケイ素
化合物またはその混合物を高純度の高分散性二酸化ケイ
素に転化させる可能性を提供するものである。The process according to the invention particularly offers the possibility of converting flammable silicon compounds or mixtures thereof, which can generally boil up to about 200°C (at normal pressure) without decomposition, into highly pure, highly dispersed silicon dioxide. This is what we provide.
本発明による方法に適した、このようなガス状および/
または蒸発可能な可燃性ケイ素化合物は、例えばケイ素
またはケイ素の合金と有機ハロゲン化物、特に塩化メチ
ルまたは塩化水素との反応(Mi iller−Roc
how合成)によって生成するようなものである。Such gaseous and/or
or vaporizable combustible silicon compounds, for example the reaction of silicon or alloys of silicon with organic halides, in particular methyl chloride or hydrogen chloride (Miller-Roc
This is something that can be generated using (how synthesis).
一般には、有機基および/または水素原子以外には他の
置換基を有していないようなオルガノクロルシラン、水
素化クロルシラン、シラン、および/または置換基と結
合していないケイ素原子価が塩素、水素または有機基に
よって占められているようなシラノールまたはシロキサ
ンが用いられる。In general, organochlorosilanes, hydrogenated chlorosilanes, silanes that have no other substituents other than organic groups and/or hydrogen atoms, and/or silicon valences that are not bonded to substituents include chlorine, Silanols or siloxanes are used which are occupied by hydrogen or organic groups.
これらのガス状または蒸発可能なケイ素化合物の1部は
望ましいものでないかあるいは生成量において他では用
いられないものである。Some of these gaseous or vaporizable silicon compounds are undesirable or otherwise unavailable in production quantities.
今まではこれらは全くまたは過剰量が、環境に不利であ
り、経済的にも望ましくないとして除去されていた。Until now, these have been removed entirely or in excess as being environmentally unfavorable and economically undesirable.
これらのケイ素化合物は例えば、ケイ素またはケイ素合
金と有機ハロゲン化物または塩化水素との反応から生成
物を蒸留分離する場合にも、一部の望ましくない副生成
物として例えば初留物または留出物として発生する。These silicon compounds are also present as some undesirable by-products, e.g. as initial distillates or distillates, in the case of distillative separation of the products from the reaction of silicon or silicon alloys with organic halides or hydrogen chloride. Occur.
この初留物または留出物はもはや分離する必要のないも
のであるとしても、本発明による方法に用いるためには
、なるべく炭素のような固体物質を含まないものである
べきである。Even if this initial distillate or distillate no longer needs to be separated, it should preferably be free of solid substances such as carbon in order to be used in the process according to the invention.
本発明の方法に用いる適当なガス状または蒸発し得るケ
イ素化合物の例としては次のようなものであるニジラン
、ジシラン、トリシランおよびテトラシラン、トリクロ
ルシラン、ジクロルシラン、クロルシラン、メチルシラ
ン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチル
シラン、メチルトリクロルシラン、ジメチルジクロルシ
ラン、トリメチルクロルシラン、メチルクロルシラン、
メチルジクロルシラン、ジメチルクロルシラン、ヘキサ
メチルジシラン、テトラメチルジシラン、ペンタメチル
クロルシラン、トリメチルトリクロルシラン、ジメチル
テトラクロルジシラン、ならびに一般式C1(Si (
CH3)2)n 、n=2〜約6で表わされるシラン、
更にこれらと並んでジシロキサン、ヘキサメチルジシロ
キサン、トリメチルシラノールも用いられる。Examples of suitable gaseous or vaporizable silicon compounds for use in the process of the invention are: disilane, disilane, trisilane and tetrasilane, trichlorosilane, dichlorosilane, chlorosilane, methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, Tetramethylsilane, methyltrichlorosilane, dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, methylchlorosilane,
Methyldichlorosilane, dimethylchlorosilane, hexamethyldisilane, tetramethyldisilane, pentamethylchlorosilane, trimethyltrichlorosilane, dimethyltetrachlorodisilane, as well as compounds with the general formula C1 (Si (
CH3)2)n, a silane represented by n=2 to about 6;
Furthermore, disiloxane, hexamethyldisiloxane, and trimethylsilanol are also used in addition to these.
しかしながら、個々にまたは混合物としてメチルトリク
ロルシラン、トリクロルシランおよびテトラメチルシラ
ンを用いるのが望ましい。However, it is desirable to use methyltrichlorosilane, trichlorosilane and tetramethylsilane, either individually or as a mixture.
本発明による方法に適した蒸発可能なまたはガス状の可
燃性ケイ素化合物は、その蒸気圧が1.2〜2.2バー
ル、望ましくは1.4〜2.0バール(絶対圧)である
ようなときに、蒸発する。The vaporizable or gaseous combustible silicon compounds suitable for the process according to the invention are such that their vapor pressure is between 1.2 and 2.2 bar, preferably between 1.4 and 2.0 bar (absolute). At some point, it evaporates.
蒸気の温度は可燃性Si−化合物の混合物を用いた場合
は、混合物の沸とう温度領域よりまたは使用した可燃性
Si−化合物(複数の場合も)の沸点よりもせいぜい5
0℃高い、望ましくは20〜35℃高いものである。If a mixture of combustible Si-compounds is used, the temperature of the steam is at most 5 % below the boiling temperature range of the mixture or the boiling point of the combustible Si-compound(s) used.
The temperature is 0°C higher, preferably 20 to 35°C higher.
可燃性Si−化合物(複数の場合も)のこの沸点は、他
の酸素含有ガスとの混合が行なわれるまで保持される。This boiling point of the combustible Si-compound(s) is maintained until mixing with other oxygen-containing gases takes place.
この温度の保持を達成するためには、ケイ素化合物が蒸
発する蒸発器と、火炎を発生するバーナーとの間の導管
を少なくとも部分的には、熱の放出を防ぐための断熱材
によってまたはマントルによっであるいは導管内部の電
気的加熱によって所望の温度に保持することが合目的で
ある。To achieve this temperature maintenance, the conduit between the evaporator, where the silicon compounds are evaporated, and the burner, where the flame is generated, must be at least partially insulated or in the mantle to prevent the release of heat. It may therefore be expedient to maintain the desired temperature by means of electrical heating inside the conduit.
このマントル内の伝熱媒体としては例えば95〜100
℃の温度の熱湯または、過熱すると250℃にまでもな
り得る水蒸気が用いられる。As the heat transfer medium in this mantle, for example, 95 to 100
Boiling water at a temperature of 0.degree. C. or steam, which can reach temperatures of up to 250.degree. C. when superheated, is used.
液状の可燃性ケイ素化合物をガス状の状態に転化させる
蒸発器内の放熱面の加熱は、高熱液体、水蒸気によって
または電気的に行なわれる。The heating of the heat dissipating surfaces in the evaporator, which converts the liquid combustible silicon compound into the gaseous state, is carried out by hot liquid, water vapor or electrically.
遊離の酸素を含有するガスとしては、純粋物としての元
素状酸素および少なくとも15容量%の酸素を含有する
ガス混合物として、特に空気を用いることができる。Air can be used as the free oxygen-containing gas, especially as a pure elemental oxygen and a gas mixture containing at least 15% by volume of oxygen.
このような混合物に含まれる他のガスは、反応に対して
不活性でなければならず、不活性なガスであることが望
ましい。Other gases included in such mixtures must be inert to the reaction, and are preferably inert gases.
遊離の酸素を含有するガスは他の反応成分を混合する前
に、少なくとも100℃の温度に一般的には100〜7
00℃の温度に、特に望ましくは150〜400°Cの
温度に加熱する。The free oxygen-containing gas is heated to a temperature of at least 100°C, generally from 100°C to 7°C, before mixing with the other reaction components.
00C, particularly preferably to a temperature of 150 to 400C.
各場合に温度は、ガス状可燃性ケイ素化合物の液化を阻
止するような高さでなければならない。The temperature in each case must be high enough to prevent liquefaction of the gaseous combustible silicon compounds.
反応に用いる水蒸気の温度は遊離の酸素を含有するガス
と全く同じ高さであることが合目的であるが、この温度
の上下へ多少ずれることも可能である。It is expedient for the temperature of the water vapor used in the reaction to be exactly the same as the temperature of the gas containing free oxygen, but it is also possible to deviate somewhat above and below this temperature.
しかしながら、水蒸気またはガス状可燃性ケイ素化合物
の温度が下って液体とならないような高さでなければな
らない。However, the temperature must be such that the temperature of the water vapor or gaseous combustible silicon compound does not drop to liquid form.
ガス状可燃性ケイ素化合物、遊離の酸素を含有するガス
および水蒸気はしばしば、すでにバーナーに属している
ような装置部分で混合されるが、水蒸気は反応の初期に
、遊離の酸素含有ガスまたはその1部と共にケイ素化合
物に混合することができる。The gaseous combustible silicon compound, the free oxygen-containing gas and the water vapor are often mixed in a part of the apparatus such as that already belonging to the burner, but the water vapor is added at the beginning of the reaction to the free oxygen-containing gas or It can be mixed with the silicon compound along with parts.
特に、ガス状可燃性ケイ素化合物、遊離の酸素含有ガス
および水蒸気を同時に混合するのが望ましい;しかしな
がら後に挙げた2つを予め混合物としてから、ガス状可
燃性ケイ素化合物に混合することもできる。In particular, it is desirable to simultaneously mix the gaseous combustible silicon compound, the free oxygen-containing gas and the water vapor; however, it is also possible to mix the two listed below in advance as a mixture and then to mix it with the gaseous combustible silicon compound.
遊離の酸素を含有するガスは、全ての5i−Hおよび/
またはSi−有機結合を酸化して5i−0結合とし、ま
た場合によっては存在する有機残基を完全に燃焼して、
無色のガス状生成物にし得るような量で、用いられる。Gases containing free oxygen contain all 5i-H and/or
Alternatively, oxidize the Si-organic bond to form a 5i-0 bond, and in some cases, completely burn out the existing organic residue,
It is used in such amounts as to give a colorless gaseous product.
水蒸気は全ての他のSi−結合をS i −0−結合に
加水分解するような量で、用いられる。Steam is used in such an amount that it hydrolyzes all other Si-bonds to Si-O-bonds.
各ガス成分の量の比はあまり重要な意味を持っていない
が、この量比によって火炎温度を一般に望ましい範囲8
00〜約1,400℃に調整することが可能である。Although the ratio of the amounts of each gas component does not have a very important meaning, this amount ratio generally controls the flame temperature to a desirable range of 8.
It is possible to adjust the temperature from 0.00 to about 1,400°C.
本発、明による方法では、酸素は酸素の化学量論量に関
して少なくとも5重量%の過剰量で用いるのが望ましく
、一般には、10〜50重量%の過剰量で十分である。In the process according to the invention, oxygen is preferably used in an excess of at least 5% by weight with respect to the stoichiometric amount of oxygen, and generally an excess of 10 to 50% by weight is sufficient.
酸素および遊離の酸素を含有するガス混合物の化学量論
量に関して、5〜15重量%望ましくは10重量%の過
剰量が更に反応室の供給口の囲りを囲繞しているリング
状スプレーノズルから特別に供給される。With respect to the stoichiometric amount of the gas mixture containing oxygen and free oxygen, an excess of 5 to 15% by weight, preferably 10% by weight, is additionally applied from the ring-shaped spray nozzle surrounding the feed opening of the reaction chamber. Specially supplied.
本発明の一つの好ましい実施態様によると付加的にリン
グ状スプレーノズルから反応室に送風される遊離の酸素
含有ガスも、100〜700℃、特に150〜400℃
に加熱された後に水蒸気と混合される。According to one preferred embodiment of the invention, the free oxygen-containing gas which is additionally blown into the reaction chamber by the ring-shaped spray nozzle is
After being heated to , it is mixed with water vapor.
この水蒸気は一般には酸素含有ガスと同じ温度を有して
おり、ガス状可燃性ケイ素化合物と遊離の酸素含有ガス
と共に混合されて、反応室の円錐状の供給口を通して供
給される。This water vapor, which generally has the same temperature as the oxygen-containing gas, is mixed with the gaseous combustible silicon compound and the free oxygen-containing gas and is fed through the conical feed port of the reaction chamber.
この場合に水蒸気量は化学量論的に必要な量に関して約
5〜20重量%量で十分である。In this case, amounts of water vapor of about 5 to 20% by weight relative to the stoichiometrically required amount are sufficient.
本発明による方法に適したバーナーは、例えば西ドイツ
特許公開第2620737号公報に述べられているもの
である。Burners suitable for the method according to the invention are, for example, those described in DE 26 20 737 A1.
このバーナーは可燃性ケイ素化合物、遊離の酸素含有ガ
スおよび水蒸気の混合物用の円錐型の供給口を有してお
り、この供給口の内径は一般には20〜100闘、望ま
しくは約50〜70關である。The burner has a conical inlet for a mixture of combustible silicon compounds, free oxygen-containing gas, and water vapor, the inner diameter of which is generally between 20 and 100 mm, preferably between about 50 and 70 mm. It is.
この供給口を中心として付加的に遊離の酸素含有ガスお
よび特にこのガスと水蒸気の混合物を供給するためのリ
ング状スプレーノズルが囲繞しており、このノズルは約
0.2〜2.2皿の空隙を有するのが合目的である。Surrounding this inlet is a ring-shaped spray nozzle for supplying free oxygen-containing gas and in particular a mixture of this gas and water vapor; It is useful to have voids.
可燃性ケイ素化合物と高分散性ケイ酸との反応の際に発
生する多量の熱の放出は、間接的な強制冷却によって行
なわれる。The large amount of heat generated during the reaction of the combustible silicon compound with the highly dispersed silicic acid is released by indirect forced cooling.
これは例えば水等による冷却マントルによって、外部か
ら燃焼室を冷却することによって行なうことができる。This can be done by cooling the combustion chamber externally, for example by means of a cooling mantle with water or the like.
燃焼室は遊離の酸素含有ガス、特に空気によって冷却さ
れるのが望ましいが、この空気は全体的または部分的に
遊離の酸素含有ガスとして、必要に応じて更に加熱ある
いは冷却して反応に用いることができる。The combustion chamber is preferably cooled by a free oxygen-containing gas, in particular air, which can be used for the reaction wholly or partially as a free oxygen-containing gas, further heated or cooled if necessary. Can be done.
本発明によって製造した二酸化ケイ素は一般に1マイク
ロメータ以下の粒度と、大ていは50〜450m”/g
、望ましくは100〜400 ml gのBET−面積
を有している。The silicon dioxide produced according to the invention generally has a particle size of less than 1 micrometer and typically 50 to 450 m"/g.
, preferably with a BET area of 100 to 400 ml g.
これは一般に、今まで発熱的に得られていた微細な二酸
化ケイ素が適していたあらゆる用途に適しており、例え
ば極性および非極性液体の濃厚化にならびに強化充填剤
として、特にオルガノポリシロキサンエラストマーに用
いられる。It is generally suitable for all applications for which pyrogenically obtained finely divided silicon dioxide was suitable, for example in the thickening of polar and non-polar liquids and as a reinforcing filler, especially in organopolysiloxane elastomers. used.
このオルガノポリシロキサンエラストマーとしては、過
酸化物系化合物から成り熱によって架橋される。This organopolysiloxane elastomer is made of a peroxide compound and is crosslinked by heat.
云わゆる1成分系または2成分系物質であり、室温で架
橋するおよび脂肪族の多重結合へSi−に結合したHが
堆積することによって架橋するような物質が問題とされ
る。Problems arise from so-called one-component or two-component materials that are crosslinked at room temperature and that are crosslinked by the deposition of Si-bonded H on aliphatic multiple bonds.
次の実施例では、通常条件下で量を測定している:
実施例 1
メチルトリクロルシッフ25kg/時を2.5バール(
絶対)の圧力による膜ポンプによって蒸発器に送入する
。In the following examples, quantities are determined under normal conditions: Example 1 Methyltrichlorschiff 25 kg/h at 2.5 bar (
(absolute) pressure into the evaporator by a membrane pump.
この蒸発器は1.5バール(絶対)の水蒸気で加熱され
る、0.5mの広さの力l熱面とも呼ばれる、放熱面を
有している。The evaporator has a 0.5 m wide heat dissipation surface, also called power heat surface, which is heated with 1.5 bar (absolute) steam.
水蒸気流はメチルトリクロルシランの蒸発器内の蒸気圧
によって制御される調整器(Samson−調整器)に
よって、液状オルガノシランの一定に保持された液面の
高さとメチルトリクロルシランの1.5バール(絶対)
の定常な圧力が保持されるように調節される。The water vapor flow is controlled by a regulator (Samson-regulator) controlled by the vapor pressure in the evaporator of methyltrichlorosilane with a constant level height of the liquid organosilane and 1.5 bar of the methyltrichlorosilane ( absolute)
The pressure is adjusted so that a constant pressure is maintained.
温度は約78°Cである。The temperature is approximately 78°C.
蒸発器とバーナーとの間の導管は、1.5バール(絶対
)の圧力で水蒸気が流れるマントルによって加熱される
が、更に温度を一定に保つように調整器が装備されてい
る
バーナーの中で、メチルトリクロルシッフ25kg/時
と約200℃の空気100m3/時と水蒸気約10kg
/時とを混合し、この混合物を50ii空隙を有する円
錐状供給口を通して、燃焼室に供給する。The conduit between the evaporator and the burner is heated by a mantle through which water vapor flows at a pressure of 1.5 bar (absolute), but inside the burner is further equipped with a regulator to keep the temperature constant. , 25 kg/hour of methyl trichlorschiff, 100 m3/hour of air at about 200°C, and about 10 kg of water vapor.
/h and feed this mixture to the combustion chamber through a conical feed port with a 50 ii air gap.
バーナーロは鋭角をなしており、薄壁である。The barnaro has sharp edges and thin walls.
このバーナーロに対してH2O−蒸気に富んだ空気流8
N771”/時を送入すると、これはバーナーロを囲繞
する、0.5mvtの空隙を有するリング状スプレーノ
ズルから流出する。For this burnaro, H2O-vapor rich air flow 8
Injecting N771"/hour, it exits from a ring-shaped spray nozzle with a 0.5 mvt air gap surrounding the burner.
直径60CTL1長さ350cfrLを有する反応室は
、5C′rfL間隔で固定されているマントルによって
囲繞されている。A reaction chamber with a diameter of 60 CTL and a length of 350 cfrL is surrounded by a mantle fixed at intervals of 5C'rfL.
この間隙を通して約20℃の空気800m/時が吸収さ
れる。800 m/h of air at approximately 20° C. is absorbed through this gap.
マントルから排出後の空気(120℃、100m3/h
)は更に加熱した後、反応空気として用いられる。Air discharged from the mantle (120℃, 100m3/h
) is used as reaction air after further heating.
バーナーロを流過する均質なガス混合物は燃焼され、バ
ーナーロの下方の火炎の中で転化する。The homogeneous gas mixture flowing through the burnaro is combusted and converted in the flame below the burnaro.
1μm以下の粒度およびBET法で測定して、188
m”/ j!の面積を有し、高度に透明で、高分散性二
酸化ケイ素が得られる。Particle size less than 1 μm and measured by BET method, 188
A highly transparent, highly dispersed silicon dioxide with an area of m''/j! is obtained.
実施例 2
メチルトリクロルシッフ25kg/時の代りにトリクロ
ルシラン22kg/時、空気100m’/時の代りに空
気90rri’/時を用いた以外は、実施例1で述べた
作業方法をくり返した。Example 2 The working procedure described in Example 1 was repeated, except that 22 kg/h of trichlorosilane was used instead of 25 kg/h of methyltrichloroschiff and 90 rr'/h of air was used instead of 100 m'/h.
BET−面積395 m”/ gを有する透明度の高い
、高分散性二酸化ケイ素が得られた。A highly transparent, highly dispersed silicon dioxide with a BET area of 395 m''/g was obtained.
実施例 3
メチルトリクロルシッフ25kg/時の代りにメチルジ
クロルシッフ25kg/時および空気100、l/時の
代りに空気130771″/時を用いた点板外は、実施
例1に述べた作業方法をくり返した。Example 3 The working method described in Example 1 except that 25 kg/h of methyldichloroschiff was used instead of 25 kg/h of methyltrichlorschiff and 130,771"/h of air was used instead of 100 l/h of air. repeated.
BET−面積1877ri’/ gを有する高分散性ニ
酸化ケイ素が得られた。A highly dispersed silicon dioxide with a BET area of 1877 ri'/g was obtained.
実施例 4
メチルトリクロルシラン25 kg7時の代りにメチル
トリクロルシラン50容量%十トリクロルシラン50容
量%から成る混合物25kg/時、および空気100m
’/時の代りに空気64m37時を用いた点以外は、実
施例1で述べた作業方法をくり返した。Example 4 25 kg/h of methyltrichlorosilane 50% by volume of methyltrichlorosilane instead of 7 hours 25 kg/h of a mixture consisting of 50% by volume of 10-trichlorosilane and 100 m of air
The procedure described in Example 1 was repeated, except that 64 m37 hours of air was used instead of '/hour.
BET−面積278rri’/9を有する高分散性二酸
化ケイ素が得られた。A highly disperse silicon dioxide with a BET area of 278 rri'/9 was obtained.
実施例 5
メチルトリクロルシラン50容量時の代りに、塩化メチ
ルから出発するMi il ler−Rochow −
合成の粗生成物の蒸留の際に初留出物として得られた種
々のケイ素化合物の混合物25kg/時を用いた点、蒸
発器とそれに続く導管の温度が60’C以上であり、1
.8バール(絶対)の蒸気圧に調整し、蒸発器と導管の
加熱を電気的に行なった点、空気100m’/時の代り
に200℃の温度を有する空気110 m37時を用い
てかつ150℃の温度を有する水蒸気的10kg/時を
用いた点、および空気8rrp:7時と約140℃の温
度を有する水蒸気的5kg/時から成る混合物をリング
状スプレーノズルから送風した点以外は、実施例1で述
べた作業方法をくり返した。Example 5 Miller-Rochow starting from methyl chloride instead of 50 volumes of methyltrichlorosilane
25 kg/h of a mixture of various silicon compounds obtained as the first distillate during distillation of the crude product of the synthesis were used, the temperature of the evaporator and the conduit following it was above 60'C, and 1
.. The vapor pressure was adjusted to 8 bar (absolute), the heating of the evaporator and the conduits was carried out electrically, 110 m'/h of air with a temperature of 200 °C was used instead of 100 m'/h of air, and 150 °C Example 1, except that 10 kg/h of steam with a temperature of The working method described in 1 was repeated.
可燃性ケイ素化合物の混合物は次のものからなる(ガス
クロマトグラフィにより測定)ニトリクロルシラン、メ
チルジクロルシラン、ジメチルクロルシラン、テトラメ
チルシラン、その他のシランならびに炭化水素。The mixture of combustible silicon compounds consists of (as determined by gas chromatography) nitrichlorosilane, methyldichlorosilane, dimethylchlorosilane, tetramethylsilane, other silanes as well as hydrocarbons.
BET−面積154 tri”/ gを有する粒度1μ
mの二酸化ケイ素が得られた。BET - Particle size 1μ with area 154 tri”/g
m of silicon dioxide was obtained.
実施例 6
初留出混合物25kg/時の代りに留出混合物25kg
/時を用いた点、蒸発器およびそれに接続する導管の温
度を140℃以上にし、2.0バール(絶対)の蒸気圧
に調節した点、空気110m’/時の代りに200℃の
温度を有する空気110m’/時を用いてかつ150℃
の温度のH20蒸気約20kg/時を用いた点および空
気8m3/時と約120℃の温度を有するH20蒸気約
5ky/時との混合物をリング状スプレーノズルから送
風する点以外は、実施例5で述べた作業方法をくり返し
た。Example 6 25 kg distillate mixture/hour instead of 25 kg initial distillate mixture
/h, the temperature of the evaporator and the conduit connected to it was above 140°C, the vapor pressure was adjusted to 2.0 bar (absolute), and the temperature of 200°C was used instead of 110 m'/h of air. with air 110 m'/h and 150°C
Example 5, except that about 20 kg/hour of H20 steam at a temperature of I repeated the method described above.
可燃性ケイ素化合物から成る混合物は次のものから成っ
ている(ガスクロマトグラフィにより測定)ニジメチル
ジクロルシラン、エチルメチルジクロルシラン、テトラ
メチルジクロルシロキサン、ジメチルテトラクロルジシ
ラン、他の揮発性ケイ素化合物ならびに炭化水素。A mixture of combustible silicon compounds consists of (determined by gas chromatography) Nidimethyldichlorosilane, ethylmethyldichlorosilane, tetramethyldichlorosiloxane, dimethyltetrachlorodisilane, other volatile silicon compounds as well as hydrocarbons.
粒度1μm以下およびBET−面積196m/gを有す
る二酸化ケイ素が得られた。Silicon dioxide was obtained with a particle size of less than 1 μm and a BET area of 196 m/g.
比較例 1
実施例6において、燃焼に先き立ちケイ素化合物と混合
する空気およびリング状スプレーノズルに吹き込む空気
に水蒸気を添加しないで実施例6の操作を繰返した。Comparative Example 1 The procedure of Example 6 was repeated without adding water vapor to the air mixed with the silicon compound prior to combustion and the air blown into the ring-shaped spray nozzle.
80〜110m2/gのBET面積を有する灰白色ない
し灰色の石コウ状シリカが理論量の約5〜10%の収率
で得られたが、大部分のシリカはサイクロンを通過して
しまった。Off-white to gray gypsum-like silica with a BET area of 80-110 m2/g was obtained in a yield of about 5-10% of theory, but most of the silica had passed through the cyclone.
比較例 2
実施例6のリング状スプレーノズルに水蒸気を吹き込み
比較例1の操作を繰返した。Comparative Example 2 The operation of Comparative Example 1 was repeated by blowing water vapor into the ring-shaped spray nozzle of Example 6.
灰白色の石コウ状シリカが得られたが、比較例1と比較
してそのBFT表面は150 rn’7 gに、またそ
の収率は理論量の約20%に僅かに増加した。A gray-white gypsum-like silica was obtained, whose BFT surface compared to Comparative Example 1 was slightly increased to 150 rn'7 g and the yield to about 20% of the theoretical amount.
比較例 3
実施例6のリング状スプレーノズルに吹き込む空気に水
蒸気を添加しないで実施例6の操作を繰返した。Comparative Example 3 The operation of Example 6 was repeated without adding water vapor to the air blown into the ring-shaped spray nozzle of Example 6.
約180 rri:/ gの面積を有する無色のシリカ
が理論量の約85%の収率で得られた。Colorless silica having an area of about 180 rri:/g was obtained in a yield of about 85% of theory.
この製品は小麦粉状粒子の塊が存在していて充分満足な
ものではなかった。This product was not completely satisfactory due to the presence of agglomerates of flour-like particles.
以上の実施例および比較例から、本発明によりリング状
スプレーノズルから送入される遊離酸含有ガスに水蒸気
を添加したときの優れた効果がわかる。The above Examples and Comparative Examples demonstrate the excellent effect when water vapor is added to the free acid-containing gas delivered from the ring-shaped spray nozzle according to the present invention.
Claims (1)
段階の反応成分の混合まで保持される)で一定の液体ケ
イ素化合物含有状態でケイ素化合物を蒸発器内で蒸発し
、遊離酸素含有ガスと混合し、このガス混合物を円錐状
の供給口を通して燃焼室に配量し、この供給口のまわり
のリング状スプレーノズルから遊離酸素含有ガスを送入
し、かつ燃焼室を間接的強制冷却によって冷却すること
から成る、ガス状可燃性ケイ素化合物と遊離酸素含有ガ
スとの火炎中における反応によって高分散性二酸化ケイ
素を製造する方法において、ケイ素化合物を遊離酸素含
有ガスおよび水蒸気と混合した後にケイ素化合物の燃焼
を行なうこと、該遊離酸素含有ガスのうちの少くとも一
部(これは燃焼室に供給される前に可燃性ガス状ケイ素
化合物と混合される)をケイ素化合物との混合の前に1
00〜700℃に加熱すること、および少なくともその
一部を遅くとも水蒸気と同時に該ケイ素化合物に混合す
ることを特徴とする方法。 2 遊離酸素含有ガスを先ず最初に150〜400℃に
加熱し、その一部をガス状の可燃性ケイ素化合物および
水蒸気と混合し、他の一部を水蒸気と混合してリング状
スプレーノズルを介して付加的に送風することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の方も 3 可燃性ケイ素化合物として約200’Cまでの沸点
を有するものを用いることを特徴とする特許請求の範囲
第1項または第2項に記載の方法。[Claims] 1. Evaporation of a silicon compound in an evaporator with a constant vapor pressure and a constant temperature (which is maintained until the mixing of the reaction components in the next step) and a constant liquid silicon compound content. is mixed with a free oxygen-containing gas, this gas mixture is metered into the combustion chamber through a conical inlet, the free oxygen-containing gas is introduced through a ring-shaped spray nozzle around this inlet, and the free oxygen-containing gas is introduced into the combustion chamber through a conical inlet. A process for producing highly dispersed silicon dioxide by reaction of a gaseous combustible silicon compound with a free oxygen-containing gas in a flame, comprising cooling the silicon compound by indirect forced cooling of the silicon compound with the free oxygen-containing gas and water vapor. combusting the silicon compound after mixing with the silicon compound; 1 before mixing
A process characterized in that it is heated to 00-700[deg.] C. and that at least part of it is mixed into the silicon compound at the latest simultaneously with water vapor. 2 The free oxygen-containing gas is first heated to 150-400°C, part of it is mixed with gaseous combustible silicon compounds and water vapor, and the other part is mixed with water vapor and sprayed through a ring-shaped spray nozzle. Claim 1, characterized in that the air is additionally blown, is also claimed in claim 1.3. The method according to item 1 or 2.
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