JPS5844748B2 - How to split water - Google Patents

How to split water

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JPS5844748B2
JPS5844748B2 JP56102264A JP10226481A JPS5844748B2 JP S5844748 B2 JPS5844748 B2 JP S5844748B2 JP 56102264 A JP56102264 A JP 56102264A JP 10226481 A JP10226481 A JP 10226481A JP S5844748 B2 JPS5844748 B2 JP S5844748B2
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    • Y02E60/36Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis

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  • Hybrid Cells (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、水の分解方法に関し、更に詳しくは、膜に固
定した触媒を用いて光照射を施し、水を分解する方法に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for decomposing water, and more particularly to a method for decomposing water by applying light irradiation using a catalyst fixed to a membrane.

石油、石炭などいわゆる化石燃料の枯渇により、近年新
しいエネルギーの開発が求められている。
Due to the depletion of so-called fossil fuels such as oil and coal, the development of new energy has been required in recent years.

今日、考えられている新エネルギーのうち、水素は、■
水を原料とする場合、資源上の制約がなくしかも地域に
よる偏在がない、■燃焼生成物が水であるため、クリー
ンで公害を発生するおそれがない、■地球の物質循環サ
イクルを乱さない、■貯蔵が比較的容易であるなどの種
々の利点を備えているので、水を原料として水素を容易
に製造する方法は、エネルギー問題を解決する有力な手
段として期待されている。
Among the new energies being considered today, hydrogen is ■
When water is used as a raw material, there are no resource constraints and it is not unevenly distributed depending on the region; ■ Since the combustion product is water, it is clean and does not cause pollution; ■ It does not disturb the earth's material circulation cycle. (2) Since it has various advantages such as being relatively easy to store, a method of easily producing hydrogen using water as a raw material is expected to be a powerful means of solving energy problems.

水から水素を製造する方法として、半導体表面の光励起
作用を利用した方法が知られている。
A known method for producing hydrogen from water is one that utilizes the photoexcitation effect on the surface of a semiconductor.

この方法は、第1図に概念的に示した装置で行なわれる
This method is carried out in the apparatus shown conceptually in FIG.

すなわち、例えば隔膜5を介して2つの部屋に分割され
た容器内に水溶液3を満たし、これに例えばT 102
から成る半導体電極1及び白金電極2を浸漬して両電極
を電気的に接続し、該半導体電極1の表面に光4を照射
するものである。
That is, for example, a container divided into two chambers via a diaphragm 5 is filled with an aqueous solution 3, and is filled with, for example, T 102.
A semiconductor electrode 1 and a platinum electrode 2 are immersed to electrically connect the two electrodes, and the surface of the semiconductor electrode 1 is irradiated with light 4.

このとき白金電極2から水素が、半導体電極1から酸素
がそれぞれ発生する。
At this time, hydrogen is generated from the platinum electrode 2 and oxygen is generated from the semiconductor electrode 1.

この場合、エネルギー源としては太陽光を用いることも
できる。
In this case, sunlight can also be used as the energy source.

また、最近、半導体微粉末を水溶液に懸濁し、この懸濁
液に光を照射して、該半導体微粉末の表面で水分解反応
を生起せしめ、酸素及び水素を生成させる技術が開発さ
れた(特開昭51−83895号)。
Recently, a technology has been developed in which fine semiconductor powder is suspended in an aqueous solution and the suspension is irradiated with light to cause a water splitting reaction on the surface of the fine semiconductor powder to generate oxygen and hydrogen ( JP-A No. 51-83895).

この水分解機構は第2図に示したような半導体微粉末6
の表面における光局部電池機構に基づくものと考えられ
る。
This water splitting mechanism is based on semiconductor fine powder 6 as shown in Figure 2.
This is thought to be based on a photolocal cell mechanism on the surface of the .

すなわち、照射された光4によって半導体微粉末6の表
面では電子(e−)−正孔(h+)対が生威し、該正孔
により水が酸化されて酸素が発生する。
That is, the irradiated light 4 generates electron (e-)-hole (h+) pairs on the surface of the semiconductor fine powder 6, and the holes oxidize water to generate oxygen.

他方、分離した電子は、半導体微粉末6の他の表面にお
いて水素イオンを還元して水素を発生せしめるのである
On the other hand, the separated electrons reduce hydrogen ions on the other surface of the semiconductor fine powder 6 to generate hydrogen.

太陽光エネルギーから、第2図に例示した方法で効率よ
く水素を製造することができるならば、それは第1図の
如き電気的装置は不用となり、極めて簡単な装置でしか
も広大な海上面での水素製造が可能となることが考えら
れる。
If hydrogen could be efficiently produced from solar energy using the method illustrated in Figure 2, the electrical equipment shown in Figure 1 would be unnecessary, and it would be possible to produce hydrogen using extremely simple equipment, even on vast oceans. It is conceivable that hydrogen production will become possible.

しかしながら、半導体微粉末(通常、粒径100μ以下
)をそのままの形で、工業的な規模の水の分解に使用す
る方法には、微粉末の均一な分散、或いはその回収等に
際して大きな困難を伴うという問題点がある。
However, the method of using semiconductor fine powder (usually particle size 100 μm or less) in its original form for water decomposition on an industrial scale involves great difficulties in uniformly dispersing the fine powder or recovering it. There is a problem.

本発明者は、かかる半導体微粉末を用いた水の分解方法
において、何らその分解効率を損なうことなく反応を行
なわしめ、且つ、その均−分散或いは回収を極めて容易
に行なう方法を得ることを目的として、鋭意検討を重ね
た結果、半導体微粉末を高分子膜に担持せしめることに
より、本発明を完成させるに至った。
The present inventor aims to provide a water decomposition method using such a semiconductor fine powder, which allows the reaction to occur without any loss in decomposition efficiency, and which allows homogeneous dispersion or recovery of the water to be carried out extremely easily. As a result of extensive research, the present invention was completed by supporting fine semiconductor powder on a polymer membrane.

即ち、本発明における水の分解方法は、水中に、可視及
び/又は紫外領域の光により励起される半導体、又は該
半導体と金属の複合体わら成る触媒粒子を、フッ素樹脂
から成る多孔質膜に担持したものを浸漬し、該半導体の
励起エネルギー以上の光を照射することを特徴とするも
のである。
That is, the water decomposition method of the present invention involves adding catalyst particles made of a semiconductor excited by light in the visible and/or ultraviolet region or a composite straw of the semiconductor and metal to a porous membrane made of fluororesin in water. This method is characterized by immersing the supported semiconductor and irradiating it with light having an excitation energy higher than the excitation energy of the semiconductor.

本発明を、以下において更に詳しく説明する。The invention will be explained in more detail below.

本発明において述べる「励起」とは、半導体が光照射に
よりエネルギーを受け、その両電子帯の電子が伝導帯に
遷移することを言う。
In the present invention, "excitation" refers to the fact that a semiconductor receives energy due to light irradiation, and electrons in both electronic bands of the semiconductor undergo a transition to a conduction band.

本発明において使用される半導体としては、可視及び/
又は紫外領域の光により励起されるものなら何でも使用
可能であり、通常、金属酸化物、金属硫化物、金属リン
化物、金属砒化物、金属セレン化物、又は金属テルル化
物から選ばれた1種もしくは2種以上のものから成るも
のであり、例えば、Tt02 j 5rTx032 Z
n01 Fe2032CdS、CdSe、CdTe、G
aP、GaAs、InP、ZnS。
The semiconductors used in the present invention include visible and/or
Alternatively, any substance that can be excited by light in the ultraviolet region can be used, and usually one selected from metal oxides, metal sulfides, metal phosphides, metal arsenides, metal selenides, or metal tellurides. It is composed of two or more types, for example, Tt02 j 5rTx032 Z
n01 Fe2032CdS, CdSe, CdTe, G
aP, GaAs, InP, ZnS.

Zn5e等が挙げられる。Examples include Zn5e and the like.

又、前記半導体と複合体を形成する金属としては、特に
貴金属が好ましいが、他のものでも使用可能である。
Further, as the metal forming the composite with the semiconductor, noble metals are particularly preferred, but other metals can also be used.

これらの例としては、白金(Pt)。パラジウム(Pd
)、ロジウム(Rh)jルテニウム(Ru)、ニッケル
(Ni)等が挙げられる。
Examples of these are platinum (Pt). Palladium (Pd)
), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), nickel (Ni), and the like.

上記半導体と金属の複合体である触媒は、金属を半導体
に担持させたり、金属と半導体の錯体を形成させるなど
種々の形態で使用される。
The catalyst, which is a composite of a semiconductor and a metal, is used in various forms, such as supporting a metal on a semiconductor or forming a complex of a metal and a semiconductor.

又、半導体と金属の組成比率は、通常、半導体に対し、
金属を0.01〜10咎使用するものであり、好ましく
は0.01〜1係である。
In addition, the composition ratio of semiconductor and metal is usually as follows:
It uses 0.01 to 10 parts of metal, preferably 0.01 to 1 part.

第3図は、上記半導体に金属を固定した複合半導体の模
式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram of a composite semiconductor in which metal is fixed to the semiconductor described above.

半導体微粉末6に金属7を複合せしめたものを用いるこ
とが好ましく、例えば、T i02単独で使用した場合
よりも、TiO2粒子にPtを数台複合させたものを使
用した場合には、水の分解効率が100倍以上も増大す
る。
It is preferable to use a composite of semiconductor fine powder 6 and metal 7. For example, when using TiO2 particles and several Pt composites, it is better to use water. Decomposition efficiency increases by more than 100 times.

又、半導体と金属の複合系の他に、異なる半導体を複合
させたものも、使用することが出来、この場合にも同様
に分解効率が上昇する。
Moreover, in addition to the composite system of a semiconductor and a metal, a composite of different semiconductors can also be used, and in this case, the decomposition efficiency is similarly increased.

触媒粒子は、フッ素樹脂皮膜に担持させて使用する。The catalyst particles are used by being supported on a fluororesin film.

本発明において使用されるフッ素樹脂は、水素原子がす
べてフッ素原子に置換されたビニルモノマーの重合体か
ら成るものであり、例えば、四フッ化エチレン、六フッ
化プロピレン、又は、六フッ化ブタジェン等が挙げられ
、これらから選ばれた1種もしくは2種以上のものから
成る単独重合体、又は共重合体が使用される。
The fluororesin used in the present invention is made of a polymer of vinyl monomers in which all hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms, such as tetrafluoroethylene, hexafluoropropylene, hexafluorobutadiene, etc. Homopolymers or copolymers made of one or more selected from these are used.

かかるフッ素樹脂から成る多孔質膜は、触媒粒子と同程
度の孔径(通常0.1〜100μ)を有する多孔質構造
のものであり、これに触媒粒子を担持させる。
The porous membrane made of such a fluororesin has a porous structure having a pore size comparable to that of the catalyst particles (usually 0.1 to 100 μm), and supports the catalyst particles.

担持方法としては、例えばローラー等により均一に圧力
を加えることにより多孔質膜に均一に封入して固定した
り、或いは、含浸法、沈着法等により膜上に固定する方
法が用いられる。
As a supporting method, for example, a method of uniformly enclosing and fixing it in a porous membrane by applying pressure uniformly with a roller or the like, or a method of fixing it on the membrane by an impregnation method, a deposition method, etc. is used.

触媒粒子は、通常、フッ素樹脂皮膜に対し、0.001
〜0.1gメポ使用するものであり、好ましくは0.0
1〜0.1g〆ポである。
The catalyst particles are usually 0.001% of the fluororesin film.
~0.1g mepo is used, preferably 0.0
It is 1 to 0.1 g.

触媒固定用皮膜としてフッ素樹脂を使用する理由は、こ
れが触媒の光励起による強力な酸化作用に対し、極めて
安定であるためであり、他の高分子皮膜、例えばポリエ
チレン、ポリ塩化ビニル、セルロース等は、触媒の酸化
還元作用により、膜自体が分解されてしまうため好まし
くない。
The reason why fluororesin is used as a catalyst fixing film is that it is extremely stable against the strong oxidation effect caused by photoexcitation of the catalyst; other polymer films such as polyethylene, polyvinyl chloride, cellulose, etc. This is not preferable because the membrane itself is decomposed due to the oxidation-reduction action of the catalyst.

触媒粒子を封入して固定した触媒膜を、水中に浸漬し、
次いで、触媒粒子を励起するに必要なエネルギー以上の
光を照射する。
A catalyst membrane with catalyst particles encapsulated and fixed is immersed in water,
Next, light with more energy than is necessary to excite the catalyst particles is irradiated.

本発明において使用する光源は、可視及び/又は紫外領
域の波長の光を発し、触媒粒子を励起するに足るもので
あれば何でも使用可能であるが、例えば、超高圧水銀ラ
ンプ、ショートアークキセノンランプ等が挙げられ、又
、太陽光も使用可能であり、省エネルギーという観点か
らすれば、その使用が好ましい。
The light source used in the present invention can be any light source that emits light with a wavelength in the visible and/or ultraviolet region and is sufficient to excite the catalyst particles. For example, an ultra-high pressure mercury lamp, a short arc xenon lamp, etc. can be used. In addition, sunlight can also be used, and from the viewpoint of energy saving, its use is preferable.

本発明の方法を実施するに当っては、種々の態様が考え
られるが、その具体例を第4図に示す。
Various embodiments can be considered for carrying out the method of the present invention, and a specific example thereof is shown in FIG.

以下、この具体例に即して本発明を説明する。The present invention will be explained below based on this specific example.

第4図において、光反応槽8は、装置の上部がガラス等
の光透過性材料9で覆われており、水又は水を主成分と
する水溶液の導入口10及び反応生成ガスである水素と
酸素の導入口11を備えている。
In FIG. 4, a photoreaction tank 8 has an upper part covered with a light-transmissive material 9 such as glass, an inlet 10 for water or an aqueous solution containing water as a main component, and an inlet 10 for introducing water or an aqueous solution containing water as a main component and hydrogen as a reaction product gas. An oxygen inlet 11 is provided.

反応槽は、その底面に触媒固定膜12を備えており、槽
内に導入された水3は、該触媒固定膜に接触する。
The reaction tank is equipped with a catalyst fixed membrane 12 on its bottom surface, and the water 3 introduced into the tank comes into contact with the catalyst fixed membrane.

かかる触媒固定膜は、その断面の拡大図を第5図に示し
たが、ポリ四フッ化エチレン皮膜15の孔、又は溝13
中に、これと同程度の大きさの粒子径を有する半導体を
主成分とする触媒14を固定したものである。
An enlarged cross-sectional view of such a catalyst fixed membrane is shown in FIG.
A catalyst 14 whose main component is a semiconductor having a particle size of about the same size as this is fixed therein.

反応槽の上部から光4が照射窓9を通して照射されるこ
とにより、固定膜中の触媒粒子が励起され、その作用に
より、水が分解されて水素及び酸素が生成する。
When light 4 is irradiated from the top of the reaction tank through the irradiation window 9, the catalyst particles in the fixed film are excited, and due to this action, water is decomposed to generate hydrogen and oxygen.

生成したこれらの分解ガスは、導出口11を通して系外
に取り出される。
These generated decomposed gases are taken out of the system through the outlet 11.

以下において、上記装置を用いて行なった実施例につい
て述べる。
Examples performed using the above apparatus will be described below.

実施例 白金を1. w tφ担持した二酸化チタン粒子(粒径
的11Mn)を固定したポリ四フッ化エチレンフィルム
(担持量0.01 g/crit )を、純水を入れた
反応槽中に浸漬し、超高圧水銀ランプを用いて、室温、
出力500Wで光照射(2,2eV以上の光エネルギー
)を施したところ、10時間の照射で1祠当たり、0.
04 IJTlo 1の水素ガスの発生が確認された。
Example platinum 1. A polytetrafluoroethylene film (supporting amount 0.01 g/crit) on which titanium dioxide particles (particle size 11Mn) supported wtφ were fixed was immersed in a reaction tank containing pure water, and then heated with an ultra-high pressure mercury lamp. using room temperature,
When light irradiation was performed at an output of 500 W (light energy of 2.2 eV or more), 0.0.
04 IJTlo 1 generation of hydrogen gas was confirmed.

この結果は、触媒粒子を膜固定せずに分散した状態で、
同一条件で光照射を施したものと比較して、担持触媒重
量当たりの水素発生量は、はぼ同程度であった。
This result shows that when the catalyst particles are dispersed without being fixed to the membrane,
The amount of hydrogen generated per weight of supported catalyst was approximately the same as that of the sample subjected to light irradiation under the same conditions.

以上のことから明らかなように、本発明方法による水の
分解は、従来の触媒を分散して行なった分解方法に比べ
、遜色なく行なうことが出来、且つ触媒を膜に固定しで
あるために、工業的規模で使用するに際して、触媒の回
収・交換が簡便である。
As is clear from the above, water decomposition by the method of the present invention is comparable to conventional decomposition methods in which a catalyst is dispersed, and since the catalyst is fixed to a membrane, When used on an industrial scale, recovery and replacement of the catalyst is easy.

又、膜上に触媒が均一に分散出来るために撹拌等の操作
が不要となり、極めて容易に水の分解を行なうことが可
能である。
Furthermore, since the catalyst can be uniformly dispersed on the membrane, operations such as stirring are not required, and water can be decomposed extremely easily.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は光電極反応による従来の水分解装置の概念模式
図、第2図、第3図は、それぞれ半導体微粉末及び複合
半導体微粉末による水分解を説明するための原理図、第
4図は、本発明の一実施例の水分解装置の概念図、第5
図は、第4図中の触媒固定膜の拡大断面図である。 1・・・・・・半導体電極、2・・・・・・白金電極、
3・・・・・・水溶液、4・・・・・・光、5・・・・
・・隔膜、6・・・・・・半導体微粉末、7・・・・・
・担持金属、8・・・・・光反応容器、9・・・・・・
光透過窓、10・・・・・・水溶液導入口、11・・・
・・・ガス供給口、12・・・・・・触媒固定膜、13
・・・・・・孔もしくは溝、14・・・・・・半導体微
粉末、15・・・・・・ポリ四フッ化エチレン薄膜。
Figure 1 is a conceptual diagram of a conventional water splitting device using photoelectrode reaction, Figures 2 and 3 are principle diagrams for explaining water splitting using semiconductor fine powder and composite semiconductor fine powder, respectively, and Figure 4 is a conceptual diagram of a water splitting apparatus according to an embodiment of the present invention, No. 5
The figure is an enlarged sectional view of the catalyst fixed membrane in FIG. 4. 1... Semiconductor electrode, 2... Platinum electrode,
3...Aqueous solution, 4...Light, 5...
...Diaphragm, 6...Semiconductor fine powder, 7...
・Supported metal, 8...Photoreaction vessel, 9...
Light transmission window, 10...Aqueous solution inlet, 11...
...Gas supply port, 12...Catalyst fixed membrane, 13
... Hole or groove, 14 ... Semiconductor fine powder, 15 ... Polytetrafluoroethylene thin film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 水中に、可視及び/又は紫外領域の光により励起さ
れる半導体、又は該半導体と金属の複合体から成る触媒
粒子を、フッ素樹脂から成る多孔質膜に担持したものを
浸漬し、該半導体の励起エネルギー以上の光を照射する
ことを特徴とする、水の分解方法。 2 半導体が、金属酸化物、金属硫化物、金属リン化物
、金属砒化物、金属セレン化物、又は金属テtUV(ヒ
物力6B 許力1種もしくは2種以上のものから成る特
許請求の範囲第1項記載の水の分解方法。 3 金属が、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム
、又はニッケルから選ばれた1種もしくは2種以上のも
のである特許請求の範囲第1項記載の水の分解方法。 4 フッ素樹脂が、四フッ化エチレン、六フフ化プロピ
レン、又は六フッ化ブクジエンから選ばれた1種もしく
は2種以上のものから成る重合体である特許請求の範囲
第1項記載の水の分解方法。
[Claims] 1. Catalyst particles made of a semiconductor excited by light in the visible and/or ultraviolet region, or a composite of the semiconductor and a metal, supported in water on a porous membrane made of a fluororesin. A method for decomposing water, the method comprising immersing the semiconductor in the water and irradiating the semiconductor with light having an excitation energy higher than that of the semiconductor. 2. Claim 1 in which the semiconductor is a metal oxide, a metal sulfide, a metal phosphide, a metal arsenide, a metal selenide, or one or more metal 3. The method for decomposing water according to claim 1, wherein the metal is one or more selected from platinum, palladium, rhodium, ruthenium, or nickel. 4. Water decomposition according to claim 1, wherein the fluororesin is a polymer consisting of one or more selected from tetrafluoroethylene, hexafluoropropylene, or hexafluorobutylene. Method.
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