JPS58435U - 半導体素子冷却器 - Google Patents

半導体素子冷却器

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Publication number
JPS58435U
JPS58435U JP9304781U JP9304781U JPS58435U JP S58435 U JPS58435 U JP S58435U JP 9304781 U JP9304781 U JP 9304781U JP 9304781 U JP9304781 U JP 9304781U JP S58435 U JPS58435 U JP S58435U
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JP
Japan
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semiconductor device
center
device cooler
hole
threaded hole
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Pending
Application number
JP9304781U
Other languages
English (en)
Inventor
吉岡 「けん」治
Original Assignee
東洋電機製造株式会社
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Publication of JPS58435U publication Critical patent/JPS58435U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は半導体素子冷却装置の一例の一部欠裁した側面
図、第2図は従来の半導体素子冷却器と半導体素子との
圧接部分を示す拡大断面図、第3図は本考案にかかる半
導体素子冷却器と半導体素子冷却器と半導体素子との圧
接部分を示す拡大断面図であり、第4図は本考案の半導
体素子冷却器に用いられるセンターピンの詳細図で、A
は側面図、Bは正面図を示す。 1・・・・・・半導体素子、2. 2A、  2B・・
・・・・半導体素子冷却器、2a・・・・・・キリ穴、
2b・・・・・・雌ねじ加工穴、3・・・・・・絶縁体
、4・・・・・・加圧機構、5・・・・・・熱輸送管、
6・・・・・・冷媒タンク部、7・・・・・・凝縮器、
8゜8A・・・・・・センターピン、8a・・・・・・
雄ねじ部、5b−・・・・・円柱部、8C・・・・・・
ドライバー溝。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 内部に沸騰可能な冷媒を密接する中空状冷却器にお
    いて、少なくとも半導体素子と圧接接触する一方の外側
    面の中心に、内部とは連通しない雌ねじ加工穴を有する
    ことを特徴とする半導体素子冷却器。 2 雌ねじ加工穴に、該ねじ穴深さと同じかまたは短か
    めの長さで適合する雄ねじ部と、半導体素子の圧接面の
    中心に設けられたセンター穴の太さより太くない径で該
    穴の深さより長くない円柱部を有するセンターピンを取
    り付けた実用新案登録請求の範囲第1項記載の半導体素
    子冷却器。  − 3センターピンの円柱部頭部にドライバー溝を設けた実
    用新案登録請求の範囲第2項記載の半導体素子冷却器。
JP9304781U 1981-06-25 1981-06-25 半導体素子冷却器 Pending JPS58435U (ja)

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JP9304781U JPS58435U (ja) 1981-06-25 1981-06-25 半導体素子冷却器

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JPS58435U true JPS58435U (ja) 1983-01-05

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ID=29888034

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