JPS5842766A - Adjustment of boron content in non-electrolytic nickel-boron deposit - Google Patents

Adjustment of boron content in non-electrolytic nickel-boron deposit

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JPS5842766A
JPS5842766A JP14675182A JP14675182A JPS5842766A JP S5842766 A JPS5842766 A JP S5842766A JP 14675182 A JP14675182 A JP 14675182A JP 14675182 A JP14675182 A JP 14675182A JP S5842766 A JPS5842766 A JP S5842766A
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/32Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般に、ホウ素含量が高い無電解ニッケルホ
ウ素析出物に関する。さらに詳しくは、使用する浴は、
p′Hが比較的低くかつ温度が比較的低いボラン還元浴
であり、前記浴はジルコニルイオンおよび/またはバナ
ジルイオンの源を含めることにより、高い百分率のホウ
素を析出する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention generally relates to electroless nickel boron deposits with high boron content. More specifically, the bath to be used is
A borane reducing bath with relatively low p'H and relatively low temperature, said bath containing a source of zirconyl and/or vanadyl ions to precipitate a high percentage of boron.

ニッケルおよびホウ素の無電解同時析出は、ニッケルイ
オン源とボラン還元剤を含む無電解ニッケル浴中に支持
体を含めることによって達成される。999%のニッケ
ルまでの実質的に純粋なニッケル析出物と比べたとき、
析出物の硬度を増大するだめには、ホウ素含量が比較的
高い析出物を形成することが、しばしば望ましい。しか
しながら、伝統的に、ボラン還元浴は、同時析出物中に
形成できるホウ素の百分率を調節する能力に関してきび
しく制限され、そしてホウ素含量が2重量%以上程度に
比較的高い同時析出物の形成にことに不適当である。こ
れらのボラン還元析出物は、一般に、浴のpHおよび浴
のボラン還元剤の安定性によって制限される。
Electroless co-deposition of nickel and boron is accomplished by including the support in an electroless nickel bath containing a source of nickel ions and a borane reducing agent. When compared to substantially pure nickel deposits of up to 999% nickel,
In order to increase the hardness of the precipitate, it is often desirable to form a precipitate with a relatively high boron content. However, traditionally, borane reducing baths have been severely limited in their ability to control the percentage of boron that can be formed in the co-precipitate, and have been susceptible to the formation of co-precipitates with relatively high boron contents, on the order of 2% by weight or more. It is inappropriate for These borane reduction deposits are generally limited by the bath pH and the stability of the bath borane reducing agent.

さらに詳しくは、ボラン還元浴のpHが減少するにつれ
て、ニッケルと同時析出するホウ素の百分率は増加する
。しかしながら、ボランは低いpH値において加水分解
するので、ボラン還元剤は安定性を失い始め、こうして
pHが4以下に減少するにつれて、急速に消費される。
More specifically, as the pH of the borane reduction bath decreases, the percentage of boron co-deposited with nickel increases. However, since borane hydrolyzes at low pH values, the borane reducing agent begins to lose stability and is thus rapidly consumed as the pH decreases below 4.

ホウ素含量が高い析出物を形成するボラン還元無電解ニ
ッケル浴は低いpHでなくてはならないが、低いpHの
浴はホウ素還元剤を商業的に許容され得ない過度の速度
で消費する。したがって、ホウ素還元同時析出物のホウ
素含量はpH7低下することによって増加することがで
きるが、この能力は、pHが高いホウ素の析出物を生成
するレベルに低下するとき、商業的に許容しうる速度で
消費されるという事実によって制限される。一般に、ボ
ラン消費の許容しうるレベルの観点から商業的に生き残
れるボラン還元浴は、5をかなり超えるpH1−もつべ
きである。
Borane-reducing electroless nickel baths that form precipitates with high boron content must have low pH, but low pH baths consume boron reducing agent at excessive rates that are commercially unacceptable. Therefore, although the boron content of the boron-reduced co-precipitate can be increased by lowering the pH by 7, this ability is limited to a commercially acceptable rate when the pH is lowered to a level that produces precipitates of high boron. limited by the fact that it is consumed in Generally, a commercially viable borane reduction bath in terms of acceptable levels of borane consumption should have a pH well above 5.

ニッケルーホウ素無電解析出物のホウ素含量は、ホウ素
還元剤よりはむしろホウ水素化物のイオンを浴中に還元
剤として使用することによって増加できるが、ホウ水素
化物還元浴、このような浴が16を超えるpHおよび9
0℃を超える温度において操作されるときにのみ、ホウ
素含量の高い析出物を形成する。これらは比較的きびし
い条件であり、商業的無電解めっき作業を維持するため
には望ましくない。しかし、ホウ水素化物還元浴を約1
2以下のpHに低下させると、この浴は自発的に溶液分
解を起こす。
The boron content of the nickel-boron electroless deposit can be increased by using borohydride ions as the reducing agent in the bath, rather than a boron reducing agent; pH greater than 9
Precipitates with high boron content are formed only when operated at temperatures above 0°C. These are relatively harsh conditions and are undesirable for maintaining commercial electroless plating operations. However, the borohydride reduction bath
When lowered to a pH below 2, the bath undergoes spontaneous solution decomposition.

本発明によれば、ホウ素還元無電解析出浴から無電解ニ
ッケルーホウ素析出物の約2%のホウ素を超える高いホ
ウ素百分率として認識されているものを達成し、そして
ホウ水素化物イオンの使用を回避しかつそれに関連する
高いpHおよび高い温度の条件を回避する、方法が発見
された。本発明による浴は、ボラン還元であり、そして
比較的適度の温度および適度のpHを含む。このような
本発明による浴は、ボラン還元浴内にジルコニルイオン
および/またはバナジルイオンの源を含む。
According to the present invention, we achieve what is recognized as a high boron percentage in excess of about 2% boron in electroless nickel-boron deposits from boron-reducing electroless deposition baths, and avoid the use of borohydride ions. A method has been discovered that avoids the high pH and high temperature conditions associated therewith. Baths according to the invention are borane reducing and contain relatively moderate temperatures and moderate pH. Such a bath according to the invention comprises a source of zirconyl ions and/or vanadyl ions within a borane reduction bath.

したがって、本発明によれば、ニッケルーホウ素析出物
が比較的高いホウ素含量を有することによって特徴づけ
られる、改良された無電解ニッケル浴、製品および方法
を提供することである。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide improved electroless nickel baths, products and methods in which the nickel-boron deposit is characterized by a relatively high boron content.

本発明の他の目的は1、ホウ素還元剤を含有し、そして
比較的高い重量百分率のホウ素を有する析出物を形成す
る、改良された無電解ニッケル析出浴である。
Another object of the present invention is 1. an improved electroless nickel deposition bath that contains a boron reducing agent and forms a deposit having a relatively high weight percentage of boron.

本発明の他の目的は1、適度のpHと比較的適度な温度
を有する浴が2重量%程度を超えるホウ素含量を有する
ニッケルーホウ素同時析出物を形成する、改良された無
電解析出系である。
Another object of the present invention is to provide an improved electroless deposition system in which a bath having a moderate pH and a relatively moderate temperature forms a nickel-boron co-precipitate having a boron content on the order of 2% by weight. be.

本発明の他の目的は、実質的に純粋な無電解ニッケル析
出物のそれより増大した硬度を有するニッケル析出物を
析出するための、改良された無電解浴である。
Another object of the invention is an improved electroless bath for depositing nickel deposits having increased hardness than that of substantially pure electroless nickel deposits.

本発明のこれらの目的および他の目的は、以後の詳細な
説明から明らかとなるであろう。
These and other objects of the invention will become apparent from the detailed description that follows.

本発明によれば、ニッケルーホウ素析出物を支持体上に
形成し、そしてホウ素析出増進剤例えばジルコニルイオ
ン、バナジルイオンまたはそれらの組み合わせ、ならび
にホウ素還元剤およびニッケル源を含む、無電解ニッケ
ル浴が提供される。
According to the present invention, an electroless nickel bath is provided in which a nickel-boron deposit is formed on a support and includes a boron deposition enhancer such as zirconyl ions, vanadyl ions or a combination thereof, and a boron reducing agent and a nickel source. provided.

他の典型的な無電解ニッケル浴成分、たと支ば、錯化剤
、安定剤、緩衝剤などを含むことができる。
Other typical electroless nickel bath components may be included, such as complexing agents, stabilizers, buffers, and the like.

ホウ素析出増進剤は、浴中のホウ素還元剤へ追加の安定
性を付与すると同時に、また適度なpH値においてホウ
素析出能力を増大すると、信じられる。ジルコニルイオ
ンホウ素析出増進剤は、浴へ、ジルコニルイオン(Zr
O+)を遊離する化合物、たとえば、塩化ジルコニルイ
オン物(ZrOCA!2・8)(20)<よって加えら
れる。バナジルイオン(■0++)ホウ素析出増進剤は
、硫酸バナジルまたはオキノ硫酸バナジウム(VOSO
4・2H20)または他のバナジル塩のような化合物に
より、ならびにナトリウムメタバナデートのようなバナ
デートにより、供給することができ、前記バナテートは
浴内の有機化合物を酸化し、それは還元されてバナジル
イオンを浴内に供給する。
It is believed that the boron precipitation enhancer provides additional stability to the boron reducing agent in the bath while also increasing boron precipitation ability at moderate pH values. The zirconyl ion boron precipitation enhancer adds zirconyl ion (Zr
Compounds that liberate O+), such as zirconyl chloride ions (ZrOCA!2.8) (20), are therefore added. The vanadyl ion (■0++) boron precipitation enhancer is vanadyl sulfate or vanadium ochinosulfate (VOSO
4.2H20) or other vanadyl salts, as well as by vanadates such as sodium metavanadate, which oxidizes organic compounds in the bath, which are reduced to vanadyl ions. is supplied into the bath.

ホウ素析出増進剤は、特定の増進剤がホウ素の析出百分
率を増加する下限と、経済性および浴の安定性を考慮し
て決定される上限とを有する濃度において、浴内へ含め
られる。増進剤は、本発明に従い、少なくとも約0.0
005モル/lの濃度で含められる。浴内のホウ素析出
増進剤の典型的な濃度は、少なくとも0.0005モル
/l、好ましくは少なくとも約0.0007モル/l、
最も好ましくは少なくともよ<0.001モル/lであ
る。通常、これらのホウ素析出増進剤を0.5モル/1
3 ’x超える浴濃度で會める必要はなく、好ましくは
その濃度は0.1モ/L−/ 1以下である。
The boron precipitation enhancer is included in the bath at a concentration that has a lower limit at which the particular enhancer will increase the percent boron precipitation and an upper limit determined by economics and bath stability considerations. In accordance with the present invention, the enhancer is at least about 0.0
0.005 mol/l. Typical concentrations of boron precipitation enhancer in the bath are at least 0.0005 mol/l, preferably at least about 0.0007 mol/l,
Most preferably at least <0.001 mol/l. Usually, these boron precipitation enhancers are added at 0.5 mol/1
It is not necessary to combine with a bath concentration of more than 3'x, preferably the concentration is less than 0.1 mo/L-/1.

本発明による浴中に利用するホウ素還元剤は、浴可溶性
ホウ素源、たとえば、アミンボラン、低級アルキル置換
アミンボラン、および窒素含有複素環式ボランたとえば
ピリジンおよびモルホリンボランヲ包含する。一般に、
アルキルアミンボラン、ことにジメチルアミンボランは
好ましい。これらの浴内の還元剤の濃度は、適切な還元
を実施するために十分でありかつまた浴内のニッケル陽
イオンの還元にコスト的に効率よい濃度である。
Boron reducing agents utilized in baths according to the present invention include bath soluble boron sources such as amine borane, lower alkyl substituted amine borane, and nitrogen-containing heterocyclic borane such as pyridine and morpholine borane. in general,
Alkylamine borane, especially dimethylamine borane, is preferred. The concentration of reducing agent in these baths is sufficient to effect adequate reduction and is also cost effective for reducing the nickel cations within the bath.

典型的な最小濃度は、少なくとも約0.001モル/l
、より通常少なくとも0.005モル/lであるが、1
モル/l程度に多くを含めることができるが、通常約0
.1モル/l以下を含めることが必要である。
Typical minimum concentrations are at least about 0.001 mol/l
, more usually at least 0.005 mol/l, but 1
It can contain as much as mol/l, but usually about 0
.. It is necessary to contain 1 mol/l or less.

これらの浴のためのニッケル源は、浴可溶性ニッケル源
、たとえば、硫酸塩、塩化物、スルファミノ酸塩、また
は無電解ニッケル系と適合性の他の陰イオンである。利
用する濃度は、無電解ニッケルめっき浴に典型的であり
、約0.001モル/l〜約0.5モルAの間程度であ
る。
The nickel source for these baths is a bath-soluble nickel source, such as sulfate, chloride, sulfamate, or other anion compatible with the electroless nickel system. The concentrations utilized are typical of electroless nickel plating baths and are on the order of between about 0.001 mole/l and about 0.5 mole A.

たいていの無電解゛ニッケルめっき浴の場合のように、
これらの浴は錯化剤をしばしば含み、そしてほとんどい
かなる型の錯化剤も適当であり、そして錯化剤は入手容
易性、経済性、および浴により形成される析出物の増大
したホウ素介量のそれに加えて特定の浴に望む性質に依
存して、選択することができる。錯化剤は、一般に、浴
可溶性のカルボン酸および浴可溶性のその誘導体、たと
えば、ヒドロキシ置換カルボン酸、アミノ置換カルボン
酸、およびそれらの浴可溶性誘導体、たとえば、浴可溶
性の無水物、塩またはエステルである。
As in most electroless nickel plating baths,
These baths often contain a complexing agent, and almost any type of complexing agent is suitable, and the complexing agent is advantageous in terms of availability, economy, and increased boron content of the precipitate formed by the bath. In addition to that, the choice can be made depending on the desired properties of the particular bath. Complexing agents are generally bath-soluble carboxylic acids and bath-soluble derivatives thereof, such as hydroxy-substituted carboxylic acids, amino-substituted carboxylic acids, and bath-soluble derivatives thereof, such as bath-soluble anhydrides, salts or esters. be.

他の錯化剤の例は、米国特許第4,019.910号(
Mallory)K記載されているような、オキン酸と
多価の酸またはアルコールとの反応により形成された多
価化合物のエステル錯体である。他の錯体の例は、ピロ
リン酸およびその誘導体ならびに有機リン錯化剤たとえ
ばホスホネートである。
Examples of other complexing agents are U.S. Pat. No. 4,019.910 (
It is an ester complex of a polyhydric compound formed by the reaction of ochic acid with a polyhydric acid or alcohol, as described by K. Mallory. Examples of other complexes are pyrophosphoric acid and its derivatives and organophosphorus complexing agents such as phosphonates.

特定のヒドロキン置換カルボン酸の錯化剤の例は、クエ
ン酸、グリコール酸、乳酸およびリンゴ酸であるが、ア
ミン置換カルボン酸の酸化剤の例はβ−アラニン、アミ
ノ鉛酸、アミノジ酢酸、およびアミノ酸、たとえば、α
−アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリ7ン
、ロイシン、セリン、トリオ7ノ、およびバリンである
。オキシ酸と多価の酸またはアルコールとのエステル錯
体のカテゴリー内に入る錯化剤は、オキ7酸を、1分子
当り少なくとも2価のヒドロキシル基と約4〜約15個
の炭素原子を含有するカルボ/酸またはアルコール化合
物と反応させることによって製造されたエステル錯体を
包含する。典型的な適当な多価化合物の例は、カルボン
酸、たとえば、酒石酸、グルコン酸またはグルコヘプト
ン酸、およびアルコール、たトエハ、マンニトール、2
.3−ブタンジオールおよび1,2.3−プロパントリ
オールである。エステルを形成するとき使用するオキシ
酸は、一般に無機酸、たとえば、ホウ酸、タングステン
酸、モリブデン酸またはクロム酸である。
Examples of complexing agents for specific hydroquine-substituted carboxylic acids are citric acid, glycolic acid, lactic acid and malic acid, while examples of oxidizing agents for amine-substituted carboxylic acids are β-alanine, aminolead acid, aminodiacetic acid, and Amino acids, e.g. α
- alanine, aspartic acid, glutamic acid, gly7ine, leucine, serine, trio7no, and valine. Complexing agents that fall within the category of ester complexes of oxyacids and polyhydric acids or alcohols include oxyheptadic acids containing at least divalent hydroxyl groups and about 4 to about 15 carbon atoms per molecule. Includes ester complexes prepared by reaction with carbo/acid or alcohol compounds. Examples of typical suitable polyhydric compounds are carboxylic acids such as tartaric acid, gluconic acid or glucoheptonic acid, and alcohols such as tartaric acid, mannitol, 2
.. 3-butanediol and 1,2.3-propanetriol. The oxyacid used when forming the ester is generally an inorganic acid, such as boric acid, tungstic acid, molybdic acid or chromic acid.

通常、このようなエステル形成錯体は、2モル以上のオ
キシ酸と1モルの多価化合物との反応により形成された
エステル錯体である、ポリエステルの形である。
Typically, such ester-forming complexes are in the form of polyesters, which are ester complexes formed by the reaction of two or more moles of an oxyacid with one mole of a polyhydric compound.

ホスホネート錯化剤の例は、アミノトリ(メチレンホス
ホン酸)およびその塩、たとえば、アミノトリ(メチレ
ンホスホネート)のペンタナトリウム塩、1−ヒドロキ
/エチリデン−1,1−ジホスホン酸およびその塩、た
とえば、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホ
ン酸のトリナトリウム塩、。
Examples of phosphonate complexing agents are aminotri(methylenephosphonic acid) and its salts, such as the pentasodium salt of aminotri(methylenephosphonate), 1-hydroxy/ethylidene-1,1-diphosphonic acid and its salts, such as 1- Trisodium salt of hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid.

エチレンジアミンテトラ(メチルホスホン酸)およびそ
の塩、および1,6−ジアミツヘキサンテトラ(メチル
ホスホン酸)およびそのアルカリ金属およびアルカリ土
類金属の塩である。
Ethylenediaminetetra (methylphosphonic acid) and its salts, and 1,6-diamithexanetetra (methylphosphonic acid) and its alkali metal and alkaline earth metal salts.

錯化剤の濃度は、もちろん、浴に含める特定の錯化剤に
多少依存する。一般に、浴内の錯化剤は、少なくとも約
0.0005モル/lであり1.そして浴の溶解度の制
限および経済性を考慮して高くあることができるが、通
常約1.5モル/l以下である。典型的な範囲は、約0
.005〜約1モル/l、ことに錯化剤がカルボン酸で
あると゛き、好ましくは約0.1〜0.7モル/lであ
る〇 これらの浴は、任意に安定剤、たとえば、カルボン酸型
のもの、イオウイオンの含量を調節するためのアンチモ
ン源または鉛源、またはイオウ含有化合物、たとえば、
チオ尿素またはそれとの組み合わせ、たとえば、チオジ
グリコール酸を含むことができる。イオウ含有化合物を
加えるときはいつでも、過度のイオウは析出物のホウ素
含量を減少するので、イオウ含量を注意して調節しなく
てはならない。いずれのこのようなイオウの添加も、最
大のイオウ#に度が2価のイオウとして約20ppmで
あるように、監視すべきである。それ以外、安定剤を浴
へ加えるとき、安定剤は特定の化合物について典型的な
濃度である。
The concentration of complexing agent will, of course, depend somewhat on the particular complexing agent included in the bath. Generally, the complexing agent in the bath is at least about 0.0005 mol/l and 1. Although it can be higher due to bath solubility limitations and economic considerations, it is usually less than about 1.5 mol/l. A typical range is around 0
.. 0.05 to about 1 mol/l, especially when the complexing agent is a carboxylic acid, preferably about 0.1 to 0.7 mol/l. These baths optionally contain stabilizers, e.g. type, antimony or lead sources to adjust the content of sulfur ions, or sulfur-containing compounds, e.g.
Thiourea or a combination thereof, such as thiodiglycolic acid, can be included. Whenever a sulfur-containing compound is added, the sulfur content must be carefully controlled as excessive sulfur will reduce the boron content of the precipitate. Any such sulfur addition should be monitored so that the maximum sulfur concentration is about 20 ppm as divalent sulfur. Otherwise, when adding the stabilizer to the bath, the stabilizer will be at a concentration typical for the particular compound.

この系中に典型的な浴濃度において含めることができる
他の組成物の例は、緩衝剤、緩衝系、同時析出増剤、お
よびpH調整剤、たとえば、強塩基である。ボリアロイ
析出物は、浴可溶性化合物、たとえば、多価の酸または
アルコールを、ニッケルおよび他の金属とのポリアロイ
の一部分として析出すべき金属のオキシ酸と反応させる
ことによって製造されたエステル錯体である錯化剤、を
含めることによって達成できる。
Examples of other compositions that can be included in this system at typical bath concentrations are buffers, buffer systems, co-deposition enhancers, and pH adjusting agents, such as strong bases. Borealoy deposits are complexes that are ester complexes produced by reacting a bath-soluble compound, such as a polyhydric acid or alcohol, with the oxyacid of the metal to be deposited as part of a polyalloy with nickel and other metals. This can be achieved by including a curing agent.

本発明による方法を実施するとき、高いホウ素含量を有
するニッケルーホウ素同時析出物は、ジルコニルイオン
および/またはバナジルイオンの源を含む、適度のpF
(および適度の温度を有するホウ素還元無電解ニッケル
浴から析出することによって、形成される。操作pHは
13より小、典型的には4〜10であり、そして適度の
条件下で進行させ、同時になお高いホウ素の析出物を形
成するという、この方法の能力の最大の利点を得るため
には、好ましくは浴のpHは約5〜7に維持し、その間
温度は90℃以下、典型的には約60〜約70℃に維持
される。この方法により、浴中のニッケル源からのニッ
ケルは還元剤からのホウ素と同時に析出し、この同時析
出物は、析出物の合計重量に基づいて、2N量%を超え
るホウ素を含む。
When carrying out the process according to the invention, a nickel-boron co-precipitate with a high boron content is produced with a moderate pF containing a source of zirconyl ions and/or vanadyl ions.
(and is formed by precipitation from a boron-reducing electroless nickel bath with a moderate temperature. The operating pH is less than 13, typically 4-10, and proceeds under moderate conditions, while at the same time To take full advantage of the ability of this process to form still high boron precipitates, the pH of the bath is preferably maintained at about 5-7, while the temperature is below 90°C, typically maintained at about 60 to about 70° C. By this method, nickel from the nickel source in the bath is co-precipitated with boron from the reducing agent, and this co-precipitate is equal to or less than 2N, based on the total weight of the precipitate. Contains more than % boron.

この方法は、浴可溶性ニッケル源、浴可溶性ボラン還元
剤、浴へ加えたときバナジルイオンおよヒ/マたはジル
コニルイオンを遊離するホウ素析出増進剤を、好ましく
は無電解浴錯化剤と組み合わせて、含む無電解析出浴を
調製することからなる。浴の調製は、任意に、1種もし
くは2以上の安定剤、イオウイオン含量調節剤、緩衝剤
、緩衝剤系、ボリアロイ析出源、同時析出増進剤などを
添加することを含むことができる。典型的には、浴のp
)(を所望の適度なpH範囲内に調整することが必要で
あり、これは通常強塩基、たとえば、水酸化物を加え、
あるいはpHが高過ぎるとき、強酸、たとえば、硫酸ま
たは他の鉱酸を加えることによって、行う 浸漬すべき支持体は、このように調製した浴へ浸漬する
。この浴によって形成されるニッケルーホウ素同時析出
物の重さまたは厚さは、もちろん、めっき速度および支
持体の浴内の浸漬時間とともに変化する。この方法によ
るめっき速度は約0.2〜約0.5ミA(約0.005
1〜約0.0127mm’)/Vj テア’)、そして
典型的な槽の負荷は約0.25〜1.0平方フイート/
浴ガロン(約0.006〜0.025 m /浴l)で
ある。
The method combines a bath-soluble nickel source, a bath-soluble borane reducing agent, a boron precipitation enhancer that liberates vanadyl ions and H/M or zirconyl ions when added to the bath, preferably with an electroless bath complexing agent. and preparing an electroless deposition bath containing the following: Preparation of the bath can optionally include adding one or more stabilizers, sulfur ion content regulators, buffers, buffer systems, polyalloy precipitation sources, co-precipitation enhancers, and the like. Typically, the bath p
) (to within the desired moderate pH range, this is usually done by adding a strong base, e.g. hydroxide,
Alternatively, when the pH is too high, by adding a strong acid, for example sulfuric acid or other mineral acids, the support to be immersed is immersed in a bath thus prepared. The weight or thickness of the nickel-boron co-deposit formed by this bath will, of course, vary with the plating rate and the immersion time of the support in the bath. The plating speed by this method is about 0.2 to about 0.5 microA (about 0.005
1 to about 0.0127 mm')/Vj tar'), and a typical bath load is about 0.25 to 1.0 square feet/Vj tar').
bath gallon (approximately 0.006-0.025 m/bath l).

本発明に従って製造される製品は、金属お↓び非金属の
両者の支持体を含み、前記支持体は少なくとも約2重量
%のホウ素含量を有する無電解ニッケルーホウ素同時析
出物の保護被膜でめっきされており、前記析出物は本発
明に従う浴によって形成されている。これらの製品は、
析出物の重1に基づいて、5重量%程度に高くあるいは
それより高いホウ素含量を有することができる。通常、
析出物の残部はニッケルであろう。このような同時析出
物は、800〜1oooVHN5o程度の増大した硬度
を示す。
Articles made in accordance with the present invention include both metallic and non-metallic supports, said supports being plated with a protective coating of an electroless nickel-boron co-deposit having a boron content of at least about 2% by weight. and said precipitate is formed by the bath according to the invention. These products are
It can have a boron content as high as 5% by weight or higher, based on the weight of the precipitate. usually,
The remainder of the precipitate will be nickel. Such co-precipitates exhibit increased hardness of the order of 800-1 ooo VHN5o.

次の実施例により、本発明をさらに説明する。The following examples further illustrate the invention.

実施例l 096モル/lの乳酸、0.08モル/lのクエン酸、
0.04モル/l!のジメチルアミンボラン、0.01
モル/lノ塩化シルコニルハ水和物、0.01モル/l
ノニッケル、およびII)HO,6’に維持するために
十分な水酸化アンモニウムを含む無電解浴を調製した。
Example l 096 mol/l lactic acid, 0.08 mol/l citric acid,
0.04 mol/l! of dimethylamine borane, 0.01
Mol/l silconyl chloride hydrate, 0.01 mol/l
An electroless bath was prepared containing sufficient ammonium hydroxide to maintain nickel and II) HO,6'.

この浴を65℃に加熱し、その中に支持体を浸漬し、そ
の時4.1重量%のホウ素と95.5重量%のニッケル
との析出物が形成した。
The bath was heated to 65° C. and the support was immersed therein, when a precipitate of 4.1% by weight boron and 95.5% by weight nickel formed.

実施例■ 次の成分を水性浴へ加えることによって、他の無電解ニ
ッケル浴を調製した:o、3モル/lの乳酸、0.08
モル/lの乳酸、0.08モル/lのクエン酸、0.0
4モル/lのジメチルアミンボラン、o、oo1モル/
lの4a (Vi、バナジル、0.01モル/l のニ
ッケル、および浴のpHを70℃において6.0とする
ための濃度−の水酸化アンモニウム。6.6重量%のホ
ウ素と96.41、量%のニッケルを含有する析出組成
物が、形成した。
Example ■ Another electroless nickel bath was prepared by adding the following ingredients to an aqueous bath: o, 3 mol/l lactic acid, 0.08
mol/l lactic acid, 0.08 mol/l citric acid, 0.0
4 mol/l dimethylamine borane, o, oo 1 mol/l
l of 4a (Vi, vanadyl, 0.01 mol/l nickel and - ammonium hydroxide at a concentration to bring the pH of the bath to 6.0 at 70°C. 6.6% by weight boron and 96.41 % of nickel was formed.

手続補正書 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭和57年特許願第146751  号2、発明の名称 無電解ニッケルーホウ素析出物のホウ素含量の調節6、
補正をする者 事件との関係  特許出願人 住所 名称   リチャードソン・ケミカル・カンパニー4、
代理人 5、補正の対象 明細書の〔特許請求の範囲〕と〔発明の詳細な説明〕の
欄(別紙) (1)〔特許請求の範囲〕の記載を次のように訂正しま
す。
Written amendment to the proceedings Kazuo Wakasugi, Commissioner of the Patent Office1, Indication of the case, Patent Application No. 146751 of 1982, Title of the invention: Adjustment of boron content in electroless nickel-boron precipitate6,
Relationship with the case of the person making the amendment Address and name of the patent applicant Richardson Chemical Company 4,
Agent 5, [Claims] and [Detailed Description of the Invention] columns of the specification subject to amendment (attachment) (1) The statement in [Claims] will be corrected as follows.

Fl、無電解ニッケル浴が、 浴可溶性ニッケル源、 浴可溶性ボラン還元剤、および 浴可溶性ホウ素析出増進化合物、 からなり、前記ホウ素析出増進化合物は、ジルコニルイ
オン、バナジルイオン、およびそれらの組み合わせから
成る群より選ばれたイオン源である、ことを特徴とする
、ホウ素の百分率が比較的高いニッケルホウ素析出物を
形成するための無電解ニッケル浴。
Fl, an electroless nickel bath comprising: a bath-soluble nickel source, a bath-soluble borane reducing agent, and a bath-soluble boron precipitation-enhancing compound, the boron precipitation-enhancing compound being a group consisting of zirconyl ions, vanadyl ions, and combinations thereof. An electroless nickel bath for forming a nickel-boron deposit with a relatively high percentage of boron, characterized in that the ion source is a selected ion source.

2、前記ホウ素析出増進化合物はジルコニル塩またはバ
ナジル塩である特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。
2. The electroless bath according to claim 1, wherein the boron precipitation enhancing compound is a zirconyl salt or a vanadyl salt.

3、前記ホウ素析出増進化合物は、塩化ジルコニル、硫
酸バナジル、メタバナジン酸ナトリウム、およびそれら
の組み合わせがら成る群より選ばれる特許請求の範囲第
1項記載の無電解浴。
3. The electroless bath of claim 1, wherein the boron precipitation enhancing compound is selected from the group consisting of zirconyl chloride, vanadyl sulfate, sodium metavanadate, and combinations thereof.

4、前記ホウ素析出増進化合物は、合計の浴体積に基づ
いて、少なくとも約0.0005モル/pの濃度で浴内
に含まれる特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。
4. The electroless bath of claim 1, wherein said boron precipitation enhancing compound is included in the bath at a concentration of at least about 0.0005 moles/p based on total bath volume.

5、前記還元剤はアミンボランまたは環式アミンボラン
である特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。
5. The electroless bath according to claim 1, wherein the reducing agent is an amine borane or a cyclic amine borane.

6、前記ボラン還元剤は、合計の浴体積に基づいて、少
なくとも約o、ooiモル/看の濃度で浴内に含まれる
特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。
6. The electroless bath of claim 1, wherein the borane reducing agent is included in the bath at a concentration of at least about 0,000 moles/min based on the total bath volume.

7、前記浴は、合計の浴体積に基づいて、少なくとも約
0.0005モル/看の濃度で錯化剤をさらに含む特許
請求の範囲第1項記載の無電解浴。
7. The electroless bath of claim 1, wherein said bath further comprises a complexing agent at a concentration of at least about 0.0005 mole/min based on total bath volume.

8、錯化剤をさらに含み、前記錯化剤はカルボンン酸ま
たはその浴可溶性誘導体である特許請求の範囲第1項記
載の無電解浴。
8. The electroless bath according to claim 1, further comprising a complexing agent, wherein the complexing agent is a carboxylic acid or a bath-soluble derivative thereof.

9、錯化剤をさらに含み、前記錯化剤はヒドロキシ置換
カルボン酸である特許請求の範囲第1項記載の無電解浴
9. The electroless bath according to claim 1, further comprising a complexing agent, the complexing agent being a hydroxy-substituted carboxylic acid.

1o、錯化剤をさらに含み、前記錯化剤は、オキシff
l ト多fff1の醜もしくはアルコールとのエステル
錯体である特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。
1o, further comprising a complexing agent, the complexing agent being oxyff
The electroless bath according to claim 1, which is an ester complex of fff1 with alcohol.

11、錯化剤をさらに含み、前記錯化剤は有機リン酸の
錯化剤である特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。
11. The electroless bath according to claim 1, further comprising a complexing agent, the complexing agent being an organic phosphoric acid complexing agent.

12、前記浴は安定剤をさらに含む特許請求の範囲第1
項記載の無電解浴。
12. Claim 1, wherein the bath further comprises a stabilizer.
Electroless bath as described in section.

13、前記浴は緩衝剤をさらに含む特許請求の範囲第1
項記載の無電解浴。
13. Claim 1, wherein the bath further comprises a buffering agent.
Electroless bath as described in section.

14、前記浴は同時析出増進剤をさらに含む特許請求の
範囲第1項記載の無電解浴。
14. The electroless bath according to claim 1, wherein the bath further comprises a co-deposition enhancer.

」5.前記浴は90r以下の温度である特許請求の範囲
第1項記載の無電解浴。
”5. 2. The electroless bath according to claim 1, wherein said bath has a temperature of 90 r or less.

]6.前記浴は1゛6より小さいpHである特許請求の
範囲第1項記載の無電解浴。
]6. An electroless bath according to claim 1, wherein said bath has a pH of less than 1.6.

]7゜前記浴は約5〜約7のp)(である特許請求の範
囲第1項記載の無電解浴。
7. The electroless bath of claim 1, wherein said bath has a p) of from about 5 to about 7.

18、支持体を無電解ニッケル浴中へ浸漬し、そしてそ
の上にニッケルーホウ素析出物を析出することからなり
、前記浴は、 浴可溶性ニッケル源、 浴可溶性ボラン還元剤、および 浴可溶性ホウ素析出増進化合物、 からなり、前記ホウ素析出増進化合物は、ジルコニルイ
オン、バナジルイオン、オヨヒソれらの組み合わせから
成る群より選ばれたイオン源であることを特徴とする、
ニラナル−ホウ素無電解析出のホウ素含量を増加する方
法。
18. immersing the support in an electroless nickel bath and depositing a nickel-boron deposit thereon, the bath comprising: a bath-soluble nickel source, a bath-soluble borane reducing agent, and a bath-soluble boron deposit. an enhancing compound, characterized in that the boron precipitation enhancing compound is an ion source selected from the group consisting of a combination of zirconyl ions, vanadyl ions, and Oyohiso ions;
A method for increasing the boron content of niranal-boron electroless deposition.

19、前記浴を90tZ’以下の湿度に維持する特許請
求の範囲第18項記載の方法。
19. The method according to claim 18, wherein the bath is maintained at a humidity of 90 tZ' or less.

20、前記浴を13より小さいpHに維持する特許請求
の範囲第18項記載の方法。
20. The method of claim 18, wherein the bath is maintained at a pH of less than 13.

21、前記浴は約4〜約10のpHに維持する特許請求
の範囲第18項記載の方法。
21. The method of claim 18, wherein said bath is maintained at a pH of about 4 to about 10.

22、前記浴は約5〜約7のpHに維持する特許請求の
範囲第18項記載の方法。
22. The method of claim 18, wherein said bath is maintained at a pH of about 5 to about 7.

23.前記浴は浴可溶性錯化剤をさらに含む特許請求の
範囲第18項記載の方法。
23. 19. The method of claim 18, wherein the bath further comprises a bath-soluble complexing agent.

24、前記析出工程は、析出物の合計重量に基づいて、
少なくとも約2重量%のホウ素を含む析出物を形成する
特許請求の範囲第18項記載の方法。
24. The precipitation step is based on the total weight of precipitates,
19. The method of claim 18, forming a precipitate containing at least about 2% by weight boron.

25j支持体と前記支持体上の無電解析出物とを含み、
前記析出物は比較的高い百分率のホウ素を有し、前記析
出物は無電解浴によって形成され、前記浴は、 浴可溶性ニッケル源 浴可溶性ボラン還元剤、および 浴可溶性ホウ素析出増進化合物、 からなり、前記ホウ素析出増進化合物は、ジルコニルイ
オン、バナジルイオン、およびそれらの組み合わせから
成る群より選ばれたイオン源である、ことを特徴とする
、無電解めっき製品。
25j support and an electroless deposit on the support,
the precipitate has a relatively high percentage of boron, the precipitate is formed by an electroless bath, the bath consisting of: a bath-soluble nickel source, a bath-soluble borane reducing agent, and a bath-soluble boron precipitation enhancement compound; An electroless plating product, wherein the boron precipitation enhancing compound is an ion source selected from the group consisting of zirconyl ions, vanadyl ions, and combinations thereof.

26、前記ホウ素の百分率は、析出物の合計重量に基づ
、いて、少なくとも約2重量%である特許請求の範囲第
25項記載の製品。
26. The article of claim 25, wherein the percentage of boron is at least about 2% by weight, based on the total weight of the deposit.

27゜前記ホウ素の百分率は、析出物の合計重量に基づ
いて、約5重量%程度に高い特許請求の範囲第25項記
載の製品。
27. The article of claim 25, wherein the percentage of boron is as high as about 5% by weight, based on the total weight of the deposit.

28、前記浴は浴可溶性錯化剤をさらに含む特許請求の
範囲第25項記載の製品。
28. The article of claim 25, wherein the bath further comprises a bath-soluble complexing agent.

29、前記浴は900以下の温度および16より小さい
pHに維持する特許請求の範囲第25項記載の製品。
29. The product of claim 25, wherein the bath is maintained at a temperature of less than 900 and a pH of less than 16.

3o。支持体上に存在し、支持体を無電解浴中へ浸漬す
ることによって形成され、前記浴は、浴可溶性ニッケル
源、 浴可溶性ボラン還元剤、および 浴可溶性ホウ素析出増進化合物、 からなり、前記ホウ素析出増進化合物は、ジルコニルイ
オン、バナジルイオン、およびそれらの組み合わせから
成る群より選ばれたイオン源である、ことを特徴とする
、無電解ニッケルーホウ素析出物。
3o. present on a support and formed by immersing the support into an electroless bath, said bath comprising: a bath-soluble nickel source, a bath-soluble borane reducing agent, and a bath-soluble boron precipitation enhancement compound; An electroless nickel-boron deposit, wherein the precipitation enhancing compound is an ion source selected from the group consisting of zirconyl ions, vanadyl ions, and combinations thereof.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、無電解ニッケル浴が、 浴可溶性ニッケル源、 浴可溶性ホウ素還元剤、および 浴可溶性ホウ素析出増進化合物、 かもなり、前記ホウ素析出増進化合物は、ジルコニルイ
オン、バナジルイオン、およびそれらの組み合わせから
成る群より選ばれたイオン源である、ことを特徴とする
、ホウ素の百分率が比較的高いニッケルホウ素析出物を
形成するための無電解ニッケル浴。 2、前記ホウ素析出増進化合物はジルコニル塩またはバ
ナジル塩である特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。 3、前記ホウ素析出増進化合物は、塩化ジルコニル、硫
酸バナジル、メタバナジン酸ナトリウム。 およびそれらの組み合わせから成る群より選ばれる特許
請求の範囲第1項記載の無電解浴。 4、前記ホウ素析出増進化合物は、合計の浴体積 、−
に基づいて、少なくとも約[1,(J 005モル/l
の濃度 。 で浴内に含まれる特許請求の範囲第1項記載の無電解浴
。 5、前記還元剤はアミンボランまたは環式アミンボラン
である特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。 6、前記ボラン還元剤は、合計の浴体積に基づいて、少
なくとも約o、ooiモル/lの濃度で浴内に含まれる
特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。 7、前記浴は、合計の浴体積に基づいて、少なくとも約
0.0005モル/lの濃度で錯化剤をさらに含む特許
請求の範囲第1項記載の無電解浴。 8、錯化剤をさらに含み、前記錯化剤はカルボン酸また
はその浴可溶性誘導体である特許請求の範囲第1項記載
の無電解浴。 9、錯化剤をさらに含み、前記錯化剤はヒドロキ7置換
カルボン酸である特許請求の範囲第1項記載の無電解浴
。 10.錯化剤をさらに含み、前記錯化剤は、オキシ酸と
多価の酸もしくはアルコールとのエステル錯体である特
許請求の範囲第1項記載の無電解浴。 11、錯化剤をさらに含み、前記錯化剤は有機リン酸の
錯化剤である特許請求の範囲第1項記載の無電解浴。 12、前記浴は安定剤をさらに含む特許請求の範囲第1
項記載の無電解浴。 13、前記浴は緩衝剤をさらに含む特許請求の範囲第1
項記載の無電解浴。 14、前記浴は同時析出増進剤をさらに含む特許請求の
範囲第1項記載の無電解浴。 15、前記浴は90°C以下の温度である特許請求の範
囲第1項記載の無電解浴。 16、前記浴は16より小さいpHである特許請求の範
囲第1項記載の無電解浴。 17、前記浴は約5〜約7のpl(である特許請求の範
囲第1項記載の無電解浴。 18 支持体を無電解ニッケル浴中へ浸漬し、そしてそ
の上にニッケルーホウ素析出物を析出することからなり
、前記浴は、 浴可溶性ニッケル源、 浴可溶性ホウ素還元剤、および 浴可溶性ホウ素析出増進化合物、 かもなり、前記ホウ素析出増進化合物は、ジルコニルイ
オン、バナジルイオン、およびそれらの組み合わせから
成る群より選ばれたイオン源であることを特徴とする、
ニッケルーホウ素無電解析出のホウ素含量を増加する方
法。 19、前記浴を90°C以下の温度に維持する特許請求
の範囲第18項記載の方法。 20  前記浴を13より小さいpHVCja持する特
許請求の範囲第18項記載の方法。 21、前記浴は約4〜約10のpHに維持する特許請求
の範囲第18項記載の方法。 22、前記浴は約5〜約7のpHに維持する特許請求の
範囲第18項記載の方法。 23、前記浴は浴可溶性錯化剤をさらに含む特許請求の
範囲第18項記載の方法。 24、 AiJ記析出工程は、析出物の合計重量に基づ
いて、少なくとも約2重量%のホウ素を含む析出物を形
成する特許請求の範囲第18項記載の方法。 25  支持体と前記支持体上の無電解析出物とを含み
、前記析出物は比較的高い百分率のホウ素を有し、前記
析出物は無電解浴によって形成され、前記浴は、 浴可溶性ニッケル源、 浴可溶性ホウ素還元剤、および 浴可溶性ホウ素析出増進化合物、 からなり、前記ホウ素析出増進化合物は、ジルコニルイ
オン、バナジルイオン、およびそれらの組み合わせから
成る群より選ばれたイオン源である、ことを特徴とする
、無電解めっき製品。 26、前記ホウ素の百分率は、析出物の合計重量に基づ
いて、少なくとも約2重量%である特許請求の範囲第2
5項記載の製品。 27、前記ホウ素の百分率は、析出物の合計重量に基づ
いて、約5重量%程度に高い特許請求の範囲第25項記
載の製品。 28 前記浴は浴可溶性錯化剤をさらに含む特許請求の
範囲第25項記載の製品。 29、前記浴は90℃以下の温度および16より小さい
pHに維持する特許請求の範囲第25項記載の製品。 30、支持体上に存在し、支持体を無電解浴中へ浸漬す
ることによって形成され、前記浴は、浴可溶性ニッケル
源、 浴可溶性ホウ素還元剤、および 浴可溶性ホウ素析出増進化合物、 かうなり、前記ホウ素析出増進化合物は、ジルコニルイ
オン、バナジルイオン、およびそれらの組み合わせから
成る群より選ばれたイオン源である、ことを特徴とする
、無電解ニッケルーホウ素析出物。 31、前記析出物は、析出物の合計重量に基づいて、少
なくとも約2重量%であるホウ素の百分率を有する特許
請求の範囲第30項記載の無電解ニッケルーホウ素析出
物。 32、前記ホウ素の百分率は、析出物の合計N量に基づ
いて、5重量%程度に高い特許請求の範囲第61項記載
の無電解ニッケルーホウ素析出物・33、前記浴は浴可
溶性錯化剤をさらに含む特許請求の範囲第60項記載の
無電解ニッケルーホウ素析出物。 34、前記浴は90℃以下の温度および約4〜約10の
pHに維持する特許請求の範囲第30項記載の無電解ニ
ッケル析出物。
[Scope of Claims] 1. The electroless nickel bath comprises: a bath-soluble nickel source, a bath-soluble boron reducing agent, and a bath-soluble boron precipitation enhancement compound, and the boron precipitation enhancement compound includes zirconyl ions, vanadyl ions, and An electroless nickel bath for forming a nickel-boron deposit with a relatively high percentage of boron, characterized in that the ion source is selected from the group consisting of combinations thereof. 2. The electroless bath according to claim 1, wherein the boron precipitation enhancing compound is a zirconyl salt or a vanadyl salt. 3. The boron precipitation enhancing compound is zirconyl chloride, vanadyl sulfate, and sodium metavanadate. and a combination thereof. 4. The boron precipitation enhancing compound has a total bath volume of -
based on at least about [1,(J 005 mol/l
concentration of . An electroless bath according to claim 1, which is contained in the bath. 5. The electroless bath according to claim 1, wherein the reducing agent is an amine borane or a cyclic amine borane. 6. The electroless bath of claim 1, wherein the borane reducing agent is included in the bath at a concentration of at least about o, ooi moles/l, based on the total bath volume. 7. The electroless bath of claim 1, wherein said bath further comprises a complexing agent at a concentration of at least about 0.0005 mol/l, based on the total bath volume. 8. The electroless bath according to claim 1, further comprising a complexing agent, wherein the complexing agent is a carboxylic acid or a bath-soluble derivative thereof. 9. The electroless bath according to claim 1, further comprising a complexing agent, the complexing agent being a hydroxy-7-substituted carboxylic acid. 10. 2. The electroless bath according to claim 1, further comprising a complexing agent, wherein the complexing agent is an ester complex of an oxyacid and a polyhydric acid or alcohol. 11. The electroless bath according to claim 1, further comprising a complexing agent, the complexing agent being an organic phosphoric acid complexing agent. 12. Claim 1, wherein the bath further comprises a stabilizer.
Electroless bath as described in section. 13. Claim 1, wherein the bath further comprises a buffering agent.
Electroless bath as described in section. 14. The electroless bath according to claim 1, wherein the bath further comprises a co-deposition enhancer. 15. The electroless bath according to claim 1, wherein the bath has a temperature of 90°C or less. 16. The electroless bath of claim 1, wherein said bath has a pH of less than 16. 17. The electroless bath of claim 1, wherein the bath has a pl of about 5 to about 7 pl. a bath-soluble nickel source, a bath-soluble boron reducing agent, and a bath-soluble boron precipitation enhancement compound, wherein the boron precipitation enhancement compound includes zirconyl ions, vanadyl ions, and combinations thereof. an ion source selected from the group consisting of;
A method for increasing the boron content of nickel-boron electroless deposition. 19. The method of claim 18, wherein the bath is maintained at a temperature of 90°C or less. 20. The method of claim 18, wherein said bath has a pHVCja of less than 13. 21. The method of claim 18, wherein said bath is maintained at a pH of about 4 to about 10. 22. The method of claim 18, wherein said bath is maintained at a pH of about 5 to about 7. 23. The method of claim 18, wherein the bath further comprises a bath-soluble complexing agent. 24. The method of claim 18, wherein the AiJ precipitation step forms a precipitate containing at least about 2% by weight boron, based on the total weight of the precipitate. 25 comprising a support and an electroless deposit on said support, said deposit having a relatively high percentage of boron, said deposit being formed by an electroless bath, said bath comprising: a bath-soluble nickel source; , a bath-soluble boron reducing agent, and a bath-soluble boron precipitation enhancing compound, wherein the boron precipitation enhancing compound is an ion source selected from the group consisting of zirconyl ions, vanadyl ions, and combinations thereof. Electroless plating products. 26. Claim 2, wherein the percentage of boron is at least about 2% by weight, based on the total weight of the precipitate.
Products listed in Section 5. 27. The article of claim 25, wherein the percentage of boron is as high as about 5% by weight, based on the total weight of the deposit. 28. The article of claim 25, wherein the bath further comprises a bath-soluble complexing agent. 29. The product of claim 25, wherein the bath is maintained at a temperature of less than 90°C and a pH of less than 16. 30, present on the support and formed by immersing the support into an electroless bath, the bath comprising: a bath-soluble nickel source, a bath-soluble boron reducing agent, and a bath-soluble boron precipitation enhancement compound; An electroless nickel-boron deposit, wherein the boron precipitation enhancing compound is an ion source selected from the group consisting of zirconyl ions, vanadyl ions, and combinations thereof. 31. The electroless nickel-boron deposit of claim 30, wherein said deposit has a percentage of boron that is at least about 2% by weight, based on the total weight of the deposit. 32. The electroless nickel-boron precipitate according to claim 61, wherein the percentage of boron is as high as 5% by weight, based on the total amount of N in the precipitate. 61. The electroless nickel-boron deposit of claim 60, further comprising an agent. 34. The electroless nickel deposit of claim 30, wherein said bath is maintained at a temperature of less than 90<0>C and a pH of from about 4 to about 10.
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