JPS5839404B2 - transistor amplifier circuit - Google Patents

transistor amplifier circuit

Info

Publication number
JPS5839404B2
JPS5839404B2 JP51019002A JP1900276A JPS5839404B2 JP S5839404 B2 JPS5839404 B2 JP S5839404B2 JP 51019002 A JP51019002 A JP 51019002A JP 1900276 A JP1900276 A JP 1900276A JP S5839404 B2 JPS5839404 B2 JP S5839404B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
transistor
circuit
bias
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP51019002A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS52102657A (en
Inventor
正憲 家中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP51019002A priority Critical patent/JPS5839404B2/en
Priority to NL7702008A priority patent/NL7702008A/en
Priority to DE19772708056 priority patent/DE2708056A1/en
Publication of JPS52102657A publication Critical patent/JPS52102657A/en
Publication of JPS5839404B2 publication Critical patent/JPS5839404B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04HBROADCAST COMMUNICATION
    • H04H20/00Arrangements for broadcast or for distribution combined with broadcast
    • H04H20/86Arrangements characterised by the broadcast information itself
    • H04H20/88Stereophonic broadcast systems
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04HBROADCAST COMMUNICATION
    • H04H40/00Arrangements specially adapted for receiving broadcast information
    • H04H40/18Arrangements characterised by circuits or components specially adapted for receiving
    • H04H40/27Arrangements characterised by circuits or components specially adapted for receiving specially adapted for broadcast systems covered by groups H04H20/53 - H04H20/95
    • H04H40/36Arrangements characterised by circuits or components specially adapted for receiving specially adapted for broadcast systems covered by groups H04H20/53 - H04H20/95 specially adapted for stereophonic broadcast receiving
    • H04H40/45Arrangements characterised by circuits or components specially adapted for receiving specially adapted for broadcast systems covered by groups H04H20/53 - H04H20/95 specially adapted for stereophonic broadcast receiving for FM stereophonic broadcast systems receiving
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はトランジスタ増幅回路、特に減電圧特性の改善
を図ったトランジスタ増幅回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transistor amplifier circuit, and particularly to a transistor amplifier circuit with improved voltage reduction characteristics.

PLL(フェーズ・ロックド・ループ)を利用したFM
マルチプレックス復調回路等において、この回路を構成
する各回路ブロックにはそれぞれ電源電圧に対して異な
った要求がある。
FM using PLL (phase locked loop)
In a multiplex demodulation circuit or the like, each circuit block making up the circuit has different requirements for the power supply voltage.

例えば、増幅回路、復調回路にあっては出力ダイナミッ
クを大きく採るため、減電圧時は電源電圧に応じたバイ
アス電圧を形成することが好ましい。
For example, in the case of amplifier circuits and demodulation circuits, in order to have a large output dynamic, it is preferable to form a bias voltage according to the power supply voltage when the voltage is reduced.

一方、増電圧時において電源電圧に応じてバイアス電圧
を変化させることは、直流消費電流が増大するので、特
に半導体集積回路に構成されるものにおいては避けるべ
きである。
On the other hand, changing the bias voltage in accordance with the power supply voltage when increasing the voltage increases DC current consumption and should be avoided, especially in semiconductor integrated circuits.

また、発振回路は安定した発振周波数を得るために定電
圧電源で動作させる必要があり、分周回路等の論理回路
も特にダイナミックレンジを大きくするという要求はな
いから定電圧電源で動作させることが好ましい。
In addition, oscillation circuits need to be operated with a constant voltage power supply in order to obtain a stable oscillation frequency, and logic circuits such as frequency divider circuits cannot be operated with a constant voltage power supply since there is no particular requirement to increase the dynamic range. preferable.

ところが、従来のPLLを利用したFMマルチプレック
ス復調回路においては、上述のような考慮がなされてい
なかったため、増幅回路の減電圧特性が悪かった。
However, in the conventional FM multiplex demodulation circuit using PLL, the above-mentioned considerations were not taken, and therefore the voltage reduction characteristics of the amplifier circuit were poor.

この回路にあっては、増幅回路のバイアス電圧を増電圧
時における直流電流の増加を防止するため定電圧化し、
負荷はダイナミックレンジを大きく採るため非安定化電
源電圧に接続する。
In this circuit, the bias voltage of the amplifier circuit is made constant to prevent an increase in DC current when increasing the voltage.
The load is connected to an unregulated power supply voltage to ensure a wide dynamic range.

そして、例えば発振回路等は、一定範囲の電源電圧の増
減に対して定電圧化した電源を用いる。
For example, an oscillation circuit or the like uses a power supply that is regulated to have a constant voltage with respect to increases and decreases in the power supply voltage within a certain range.

上記増幅回路のバイアス電圧は、この定電圧化した電源
を分圧手段により形成する。
The bias voltage of the amplifier circuit is formed by voltage dividing means from this constant voltage power source.

したがつて、一定範囲の電源電圧の増減に対して、バイ
アス電圧は一定となる。
Therefore, the bias voltage remains constant even if the power supply voltage increases or decreases within a certain range.

この場合、バイアス電圧は標準的な電源電圧に基づき決
定される。
In this case, the bias voltage is determined based on the standard power supply voltage.

したがって、安価な電源、電源変動が大きな自動車用ラ
ジオ等のように電源変動が大きなものに用いる場合、特
に電源電圧が標準電圧より低下するものについては、上
記バイアス電圧が一定範囲の電源電圧に対して定電圧化
されているため、バイアス電圧に対して電源電圧側のダ
イナミックレンジが小さくなって出力信号がクリップさ
れ歪率が悪化する。
Therefore, when using an inexpensive power supply or a device with large power fluctuations such as a car radio, etc., where the power supply voltage is lower than the standard voltage, the above bias voltage should be set for a certain range of power supply voltage. Since the voltage is set to a constant voltage, the dynamic range on the power supply voltage side becomes smaller with respect to the bias voltage, the output signal is clipped, and the distortion rate worsens.

このことは、上述したようなFMマルチプレックス復調
回路に用いる増幅回路の他、バイアス電圧を定電圧化し
たトランジスタ増幅回路についても同様な問題が生ずる
This problem also occurs not only in amplifier circuits used in the FM multiplex demodulation circuit as described above but also in transistor amplifier circuits in which the bias voltage is made constant.

本発明は上記問題を解決するためなされたもので、その
目的とするところは、減電圧特性の改善を図ったトラン
ジスタ増幅回路を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to provide a transistor amplifier circuit with improved voltage reduction characteristics.

上記目的を達成するための本発明の基本的構成は、少な
くとも、一定範囲の電源電圧の増減に対して一定のバイ
アス電圧を形成するバイアス回路を具備してなるトラン
ジスタ増幅回路において、電源電圧が増幅トランジスタ
のバイアス電圧を決定するにあたり基準となった標準電
圧以下lこなったことを検出する手段、及びこの検出結
果に基づき制御され、上記バイアス電圧を電源電圧の減
電圧に応じて変化させるバイアス電圧補正手段を具備し
てなることを特徴とするものである。
The basic structure of the present invention for achieving the above object is that in a transistor amplifier circuit that includes at least a bias circuit that forms a constant bias voltage with respect to increases and decreases in the power supply voltage within a certain range, the power supply voltage is amplified. Means for detecting that the voltage has fallen below a standard voltage that is a reference for determining the bias voltage of a transistor, and a bias voltage that is controlled based on the detection result and changes the bias voltage in accordance with a voltage reduction in the power supply voltage. It is characterized by comprising a correction means.

以下、実施例にそって図面を参照し、本発明を具体的に
説明する。
Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to the drawings along with examples.

第1図は本発明の基本的一実施例を示す増幅回路の回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of an amplifier circuit showing a basic embodiment of the present invention.

本実施例回路は、同図に示すように、下記の構成よりな
る。
As shown in the figure, the circuit of this embodiment has the following configuration.

1は増幅素子であり、トランジスタQにより構成され、
2は負荷手段を示し、例えば抵抗R3により構成する。
1 is an amplification element, which is composed of a transistor Q,
Reference numeral 2 indicates a load means, which is constituted by, for example, a resistor R3.

3はバイアス回路を示し、定電圧バイアス電圧を形成す
る例えばツェナーダイオードDZおよび抵抗Rにより構
成される。
Reference numeral 3 denotes a bias circuit, which is composed of, for example, a Zener diode DZ and a resistor R that forms a constant bias voltage.

このように、増幅トランジスタQのバイアスを定電圧化
したトランジスタ増幅回路において、電源電圧VOOが
上記バイアス電圧を決定するにあたり基準となった標準
電圧より低下したときにおける減電圧特性の改善を図る
ため、上記電源電圧Vccが上記標準電圧以下となった
ことを検出するための電圧比較回路4、及び上記減電圧
時におけるバイアス電圧をその減電圧に応じて変化させ
るための可変電流吸込回路5を設ける。
In this way, in a transistor amplifier circuit in which the bias of the amplifier transistor Q is made constant voltage, in order to improve the voltage reduction characteristics when the power supply voltage VOO falls below the standard voltage that is the reference for determining the bias voltage, A voltage comparison circuit 4 for detecting that the power supply voltage Vcc has become lower than the standard voltage, and a variable current sink circuit 5 for changing the bias voltage at the time of the voltage reduction according to the voltage reduction are provided.

上記電圧比較回路4は、一方の入力には電源電圧■cc
又はこの電圧Vccと比例して変化する電圧を印加し、
他方の入力には上記標準電圧又はこれに相当する基準電
圧”REFを印加して両者の電圧比較を行なうとともに
、上記電源電圧VOOが標準電圧以下となったとき、上
記可変電流吸込回路5を起動し、両者の差電圧(減電正
分)に応じた電流を抵抗R2に流すことによりノくイア
スミ圧を変化させる。
The voltage comparator circuit 4 has a power supply voltage ■cc at one input.
Or applying a voltage that changes in proportion to this voltage Vcc,
The standard voltage or the reference voltage "REF" equivalent to this is applied to the other input to compare the two voltages, and when the power supply voltage VOO becomes below the standard voltage, the variable current sink circuit 5 is activated. Then, by passing a current in accordance with the voltage difference between the two (the positive voltage reduction component) through the resistor R2, the pressure at the bottom of the resistor is changed.

一般に増幅回路のバイアス電圧は出力ダイナミックを最
大に採るため、出力中点電圧が電源電圧VOOの1/2
とするような電圧値に設定するものである。
Generally, the bias voltage of an amplifier circuit maximizes the output dynamic, so the output midpoint voltage is 1/2 of the power supply voltage VOO.
The voltage value is set so that

したがって、上記抵抗R2又は電流吸込回路の電流■に
よるバイアス電圧の変化量は、出力中点電位がそのとき
における電源電圧VCCの1/2になるようにする必要
がある。
Therefore, the amount of change in the bias voltage due to the current (2) of the resistor R2 or the current sinking circuit must be such that the output midpoint potential becomes 1/2 of the power supply voltage VCC at that time.

なお、電源電圧VaCが上記標準電圧より高くなった場
合、言い換えれば増電圧時においては、上記電流吸込回
路5は動作せず、したがってバイアス電圧は変化させな
い。
Note that when the power supply voltage VaC becomes higher than the standard voltage, in other words, when the voltage is increased, the current sink circuit 5 does not operate, and therefore the bias voltage is not changed.

これは増電圧時にこれに応じてバイアス電圧を増大させ
ることが直流消費電流の増加となるため、これを防止す
るものである。
This is to prevent the DC current consumption from increasing when the bias voltage is increased.

以上は本発明を原理的に示したものであるが、このこと
は以下に説明する具体的な一実施例回路によって、さら
に具体的に理解できよう。
The above has shown the principle of the present invention, but this can be understood more concretely by referring to a specific example circuit described below.

第2図はPLLを利用したFMマルチプレックス復調回
路の一般的なブロック線図を示すものである。
FIG. 2 shows a general block diagram of an FM multiplex demodulation circuit using PLL.

12は電圧制御型発振回路を示し、76KHzの発振周
波数を形成する。
Reference numeral 12 indicates a voltage-controlled oscillation circuit, which generates an oscillation frequency of 76 KHz.

13〜15は分周回路で上記発振周波数に基づき、38
KH2,19KHzのスイッチング信号を形成する。
13 to 15 are frequency dividing circuits based on the above oscillation frequency, and 38
A switching signal of KH2, 19KHz is formed.

この38KHzは復調用副搬送波として復調回路16に
供給される。
This 38 KHz is supplied to the demodulation circuit 16 as a subcarrier for demodulation.

また、19KHzは位相比較器7,8に印加され、コン
ポジット信号中のパイロット信号(19KHz)と位相
比較し、位相比較器7の出力はローパスフィルタ9で直
流化し、直流増幅回路11で直流増幅し、発振回路に印
加され正確な76KHzの発振周波数を形成するととも
に、両チャンネル間の分離度をよくするため、復調用副
搬送波(38KHz )とステレオ信号中の38KHz
成分との位相差θをπ/2に保つ。
In addition, 19 KHz is applied to phase comparators 7 and 8, and the phase is compared with the pilot signal (19 KHz) in the composite signal. , is applied to the oscillation circuit to form an accurate 76KHz oscillation frequency, and to improve the separation between both channels, the demodulation subcarrier (38KHz) and the 38KHz in the stereo signal are applied to the demodulation subcarrier (38KHz).
The phase difference θ with the component is maintained at π/2.

また、位相比較器8の出力すなわち、パイロット信号の
検出出力はローパスフィルタ1oに印加され、ランプド
ライバ17を介してステレオ信号受信時のランフ表示を
行なう。
Further, the output of the phase comparator 8, that is, the detection output of the pilot signal, is applied to a low-pass filter 1o, and is passed through a lamp driver 17 to perform ramp display when receiving a stereo signal.

6はプリアンプ部を示すものであり、コンポジット信号
を増幅して上記位相比較器7,8に供給する。
A preamplifier section 6 amplifies the composite signal and supplies it to the phase comparators 7 and 8.

また、このコンポジット信号は復調回路16に印加され
、ここでステレオ復調され、左右両チャンネルの復調出
力り、Rを得る。
Further, this composite signal is applied to a demodulation circuit 16, where it is stereo demodulated to obtain demodulated outputs R for both left and right channels.

以上のように構成されるFMマルチプレックス復調回路
のうち、大きな出力ダイナミックレンジが要求されるプ
リアンプ部6及び復調回路16を半導体集積回路に構成
した具体的な一実施例回路を第3図に示す。
Among the FM multiplex demodulation circuits configured as described above, a specific example circuit is shown in FIG. 3 in which the preamplifier section 6 and the demodulation circuit 16, which require a large output dynamic range, are configured as semiconductor integrated circuits. .

同図において、一点鎖線で囲まれた部分26は半導体集
積回路内に構成する部分を示すものである。
In the figure, a portion 26 surrounded by a dashed-dotted line indicates a portion configured within the semiconductor integrated circuit.

また、破線で囲まれた部分18〜26は、この回路の主
な回路ブロックを示すものである。
Furthermore, portions 18 to 26 surrounded by broken lines indicate the main circuit blocks of this circuit.

電源電圧端子P6と接地端子29間に直列接続された抵
抗R1、ダイオード(又はダイオード接続したトランジ
スタを含む、以下同じ) Qa 、Q4及びツェナダイ
オードDZは定電圧回路18を構成し、その出力定電圧
vRはダーリントン接続したトランジスタQl 、Q2
を介して出力され、後述する増幅回路22、復調回路2
4のバイアス回路21の電源、あるいは発振回路等(図
示せず)の電源として用いる。
A resistor R1, a diode (or a diode-connected transistor, the same applies hereinafter) Qa, Q4, and a Zener diode DZ connected in series between the power supply voltage terminal P6 and the ground terminal 29 constitute a constant voltage circuit 18, and the output constant voltage vR is Darlington connected transistor Ql, Q2
is outputted via an amplifier circuit 22 and a demodulator circuit 2, which will be described later.
It is used as a power source for the bias circuit 21 of No. 4 or as a power source for an oscillation circuit or the like (not shown).

上記バイアス回路21は、上記定電圧vRを抵抗R30
とR31により分圧して定電圧化したバイアス電圧を形
成する。
The bias circuit 21 connects the constant voltage vR to a resistor R30.
and R31 to form a constant voltage bias voltage.

なお、上記抵抗R30t R3□に直列接続されたダイ
オードQ、0は、後述する増幅回路の定電流トランジス
タQ1□を駆動する定電圧を形成するためのものである
Note that the diode Q,0 connected in series with the resistor R30t R3□ is for forming a constant voltage for driving a constant current transistor Q1□ of an amplifier circuit, which will be described later.

また、上記分圧電圧はpnp トランジスタQ、と抵抗
R32によるエミッタフォロワ回路を通し、バイアス電
圧として出力される。
Further, the above-mentioned divided voltage is outputted as a bias voltage through an emitter follower circuit including a pnp transistor Q and a resistor R32.

22はプリアンプ部を示すものであり、この回路は入力
部にトランジスタQ1□、抵抗R34による初段エミッ
タフォロワ回路、トランジスタQ12、そのエミッタに
接続されたレベルシフトダイオードQ13及び抵抗R3
5によるエミッタフォロワ回路を介して増幅トランジス
タQ14のベースに入力端子PIOを通したコンポジッ
ト信号virpt印加され、上記増幅トランジスタQ1
4のコレクタ負荷はpnp トランジスタQ15による
能動負荷が接続され、出力回路を構成するトランジスタ
Q16゜Q17で構成される。
Reference numeral 22 indicates a preamplifier section, and this circuit has an input section including a transistor Q1□, a first-stage emitter follower circuit consisting of a resistor R34, a transistor Q12, a level shift diode Q13 connected to its emitter, and a resistor R3.
A composite signal virpt through the input terminal PIO is applied to the base of the amplification transistor Q14 through the emitter follower circuit according to the amplification transistor Q1.
The collector load of No. 4 is connected to an active load formed by a pnp transistor Q15, and is composed of transistors Q16 and Q17 forming an output circuit.

上記負荷トランジスタQ15はマルチコレクタトランジ
スタであって、一方のコレクタはそのベースと接続され
るとともに、増幅トランジスタQ14のコレクタに接続
する。
The load transistor Q15 is a multi-collector transistor, and one collector is connected to its base and also to the collector of the amplification transistor Q14.

また、他方のコレクタは出力トランジスタQ+aのベー
スに印加される。
Further, the other collector is applied to the base of the output transistor Q+a.

この出力回路はトランジスタQ1□には定電流が流れる
ものであるため、出力トランジスタQ16に流れる差の
電流が増幅出力信号として得られる。
Since this output circuit has a constant current flowing through the transistor Q1□, the difference in current flowing through the output transistor Q16 is obtained as an amplified output signal.

この出力信号は抵抗R39を介して外付端子P1□に導
かれ、カップリングコンデンサC5を介して再び半導体
集積回路に導入され、位相比較器に印加される(図示せ
ず)。
This output signal is guided to the external terminal P1□ via the resistor R39, introduced again to the semiconductor integrated circuit via the coupling capacitor C5, and applied to the phase comparator (not shown).

24は復調回路であり、トランジスタQ24はエミッタ
接地型増幅トランジスタで、上記プリアンプ部22の初
段エミッタフォロワ回路Q1□、Q34を介したコンポ
ジット信号が印加される。
24 is a demodulation circuit, and transistor Q24 is a common emitter type amplification transistor, to which a composite signal is applied via first-stage emitter follower circuits Q1□ and Q34 of the preamplifier section 22.

このトラ・ンジスタQ24のコレクタに接続された差動
対スイッチングトランジスタQ2□、Q28はステレオ
復調用の主スイツチング回路を構成する。
Differential pair switching transistors Q2□ and Q28 connected to the collector of transistor Q24 constitute a main switching circuit for stereo demodulation.

トランジスタQ23、及びそのコレクタに設けられた差
動対スイッチングトランジスタQ25 、Q26はクロ
ストークキャンセル回路であって、上記トランジスタQ
23はベース接地型増幅トランジスタを構成し、上記増
幅トランジスタQ24と逆相の信号を形成し、副スイツ
チング回路を構成するトランジスタQ2.。
The transistor Q23 and the differential pair switching transistors Q25 and Q26 provided at its collector constitute a crosstalk canceling circuit, and the transistor Q
Reference numeral 23 constitutes a common base type amplification transistor, which forms a signal with a phase opposite to that of the amplification transistor Q24, and constitutes a sub-switching circuit. .

Q26を通して上記復調出力におけるクロストーク成分
をキャンセルする。
The crosstalk component in the demodulated output is canceled through Q26.

このベース接地型増幅トランジスタQ23のベースには
、上記バイアス回路21で形成されたバイアス電圧が、
トランジスタQ6及び抵抗R7で構成されるエミッタフ
ォロワ回路を介して印加される。
A bias voltage formed by the bias circuit 21 is applied to the base of the common base type amplification transistor Q23.
It is applied via an emitter follower circuit composed of transistor Q6 and resistor R7.

この復調回路24の負荷は外部抵抗R5□、R52、コ
ンデンサC1,C2により構成される。
The load of this demodulation circuit 24 is composed of external resistors R5□, R52, and capacitors C1, C2.

なお、増幅トランジスタQ23 j Q24のエミッタ
側に設けられた抵抗回路R46〜R+jのうち、抵抗R
48はセパレーションコントロールを行なうために、外
部調整抵抗とすることが好ましい。
Note that among the resistor circuits R46 to R+j provided on the emitter side of the amplification transistor Q23 j Q24, the resistor R
48 is preferably an externally adjusted resistor to perform separation control.

また、23は上記復調回路の負荷抵抗R5、。Further, 23 is a load resistor R5 of the demodulation circuit.

R52に流れる直流電流を小さくして、出力ダイナミン
クレンジを大きくするための電流供給回路であり、バイ
アス電圧が印加されるトランジスタQ2□と、電流ミラ
ー回路を構成するpnp トランジスタQ18〜Q20
とによって構成される。
This is a current supply circuit for reducing the DC current flowing through R52 and increasing the output dynamic range, and the transistor Q2□ to which a bias voltage is applied and the pnp transistors Q18 to Q20 forming a current mirror circuit.
It is composed of

トランジスタQ22のコレクタ電流に対応した電流がト
ランジスタQ19 s Q20のコレクタに得られ、こ
の電流を上記復調回路の増幅トランジスタQ23 t’
Q24のコレクタに流し込むものとする。
A current corresponding to the collector current of the transistor Q22 is obtained at the collector of the transistor Q19 s Q20, and this current is passed to the amplification transistor Q23 t' of the demodulation circuit.
It shall be poured into the collector of Q24.

この増幅トランジスタQ23 s Q24のコレクタに
は入力ベース電流に対応した電流した電流しか流れ込ま
ないため、上記電流ミラー回路から供給された電流は上
記増幅トランジスタのコレクタ電流と逆方向に流れるも
のとなる。
Since only a current corresponding to the input base current flows into the collector of the amplification transistor Q23s Q24, the current supplied from the current mirror circuit flows in the opposite direction to the collector current of the amplification transistor.

このため、この両者の電流を一致させれば理論的には増
幅トランジスタQ23 s Q24のコレクタ側の直流
電流、言い換えれば負荷抵抗R51t R52の直流電
流を零とすることができ、この直流電流によるレベル損
失がないのでダイナミックレンジを大きくすることがで
きる。
Therefore, if these two currents are matched, the DC current on the collector side of the amplification transistors Q23s Q24, in other words, the DC current of the load resistors R51t and R52, can be reduced to zero, and the level due to this DC current can be reduced to zero. Since there is no loss, the dynamic range can be increased.

25は上記復調回路24のスイッチングトランジスタQ
25〜Q28の駆動回路であり、38KHz副搬送波で
制御される差動トランジスタQ29゜Qaoとエミッタ
定電流回路であるトランジスタ・Qa1、抵抗R51と
、コレクタ負荷抵抗R4g * R50で構成される。
25 is a switching transistor Q of the demodulation circuit 24
25 to Q28, and is composed of a differential transistor Q29°Qao controlled by a 38 KHz subcarrier, a transistor Qa1 serving as an emitter constant current circuit, a resistor R51, and a collector load resistor R4g*R50.

この回路の電源は前記定電圧回路18で形成された定電
圧をトランジスタQ5− Qaで構成されたエミッタフ
ォロワ回路を介した定電圧が用いられる。
As a power source for this circuit, a constant voltage generated by the constant voltage circuit 18 is passed through an emitter follower circuit composed of transistors Q5-Qa.

以上構成のFMマルチプレックス復調回路において、減
電圧時のバイアス電圧を変化させる回路はトランジスタ
Q7 、Qsによって構成される回路20である。
In the FM multiplex demodulation circuit configured as described above, the circuit that changes the bias voltage during voltage reduction is the circuit 20 configured by transistors Q7 and Qs.

電源端子P6と接地端子20間に直列接続された抵抗R
41R5による分圧回路19は、電源電圧vccをレベ
ルシフトするためのもので、上記トランジスタQ7 、
Qsのエミッタに印加する。
A resistor R connected in series between the power terminal P6 and the ground terminal 20
The voltage dividing circuit 19 formed by 41R5 is for level shifting the power supply voltage vcc, and includes the transistors Q7,
applied to the emitter of Qs.

また、これらのトランジスタQ7− Qsのベースには
前記復調回路24における増幅トランジスタQ23のベ
ース・バイアス電圧を印加して基準電圧として用いる。
Further, the base bias voltage of the amplification transistor Q23 in the demodulation circuit 24 is applied to the bases of these transistors Q7-Qs and used as a reference voltage.

このトランジスタQ7.Q8は、そのベース・エミッタ
間を用いて前記説明した電圧比較手段4を構成するもの
で、それぞれのコレクタをバイアス回路の分圧抵抗R3
o J R3□の接続点。
This transistor Q7. Q8 constitutes the voltage comparison means 4 described above using its base-emitter, and its collector is connected to the voltage dividing resistor R3 of the bias circuit.
o J R3□ connection point.

及び駆動回路25の電源ラインに接続することによって
、前記説明した電流吸込回路5としても作用する。
By connecting it to the power supply line of the drive circuit 25, it also functions as the current sink circuit 5 described above.

上記トランジスタQ7.Q8は次式(1)の条件で動作
する。
Said transistor Q7. Q8 operates under the condition of the following equation (1).

ここでvlはバイアス回路で形成されたトランジスタQ
、のエミッタ電圧(言い換えればプリアンプのバイアス
電圧)であり、VfはトランジスタQ6〜Q8のそれぞ
れのベース・エミッタ間順方向電圧であり、これらは等
しいものとする。
Here, vl is the transistor Q formed in the bias circuit.
, and Vf is the base-emitter forward voltage of each of the transistors Q6 to Q8, and these are assumed to be equal.

上記(1)式は次式(2)のように変形できる。The above equation (1) can be transformed as shown in the following equation (2).

(2)式を満足するように電源電圧VOOが低下したと
き、トランジスタQ’y −QsはONL、電流を流し
始める。
When the power supply voltage VOO decreases so as to satisfy equation (2), the transistors Q'y-Qs start flowing ONL and current.

このトランジスタQ8のONにより、トランジスタQ9
の導通度が増しバイアス回路の抵抗R32を通って流れ
る電流が増加するため、上記バイアス電圧v1を低下さ
せる。
By turning on this transistor Q8, the transistor Q9
The degree of conductivity increases and the current flowing through the resistor R32 of the bias circuit increases, causing the bias voltage v1 to decrease.

また、駆動回路の電源ラインの電圧も上記トランジスタ
Q7による電流が抵抗R8を通って流れるため同様に低
下する。
Further, the voltage of the power supply line of the drive circuit similarly decreases because the current from the transistor Q7 flows through the resistor R8.

(2)式において、トランジスタQ7− Qsのベース
に印加された基準となる電圧(Vl−2Vf)は、上記
バイアス電圧v1が変化するため変化する。
In equation (2), the reference voltage (Vl-2Vf) applied to the bases of the transistors Q7-Qs changes because the bias voltage v1 changes.

したがって、電源電圧vccが標準電圧以下のときは常
に(i) ) (2)式を満足する状態で安定するもの
となる。
Therefore, when the power supply voltage vcc is below the standard voltage, it is always stable in a state that satisfies equation (i)) (2).

この電源電圧VOOO減電圧時におけるバイアス電圧V
1は、例えばプリアンプについてみれば出力中点電位、
言い換えれば無信号時における出力端子P1□の電圧が
、そのときの電源電圧VOOの172となるように設定
することが望ましい また、上記バイアス電圧V1は、復調回路の増幅トラン
ジスタQ23のバイアス電圧、あるいはスイッチングト
ランジスタQ25〜Q28のベース直流電圧を決定する
駆動回路25の電源としても用いられ、これらについて
も電源電圧vccO減電圧に対応して変化させる。
Bias voltage V when the power supply voltage VOOO is reduced
1 is the output midpoint potential for a preamplifier, for example.
In other words, it is desirable to set the voltage of the output terminal P1□ when there is no signal to be 172 of the power supply voltage VOO at that time. It is also used as a power source for the drive circuit 25 that determines the base DC voltages of the switching transistors Q25 to Q28, and these are also changed in accordance with the reduction in the power supply voltage vccO.

これによりプリアンプ、復調回路における減電圧時の出
力ダイナミックレンジは、その電圧における最適条件を
満足するものが得られるため、従来の回路に比例して減
電圧特性の大幅な改善が図られる。
As a result, the output dynamic range of the preamplifier and demodulator circuit at reduced voltage can satisfy the optimum conditions at that voltage, and therefore the reduced voltage characteristics can be significantly improved in proportion to conventional circuits.

また、本実施例回路にあっては、トランジスタQ7 、
Qsによって、電圧比較手段及び電流吸込手段を構成す
ることにより回路を極めて単純化することができる。
Further, in the circuit of this embodiment, the transistor Q7,
By configuring the voltage comparing means and the current sinking means using Qs, the circuit can be extremely simplified.

なお、電源電圧VOOが標準電圧より高くなる増電圧時
には、電圧比較トランジスタQ7− Qsのベース・エ
ミッタ間が逆バイアスされ、OFFとなっているため、
バイアス電圧V1は定電圧VRによって形成される定電
圧となり、増電圧時における直流電流の増加を防止する
よう動作する。
Note that when the power supply voltage VOO is increased to be higher than the standard voltage, the voltage comparison transistors Q7-Qs are reverse biased between their bases and emitters and are turned off.
The bias voltage V1 is a constant voltage formed by the constant voltage VR, and operates to prevent an increase in DC current when the voltage is increased.

また、電圧比較トランジスタQ7 、Qsのベースには
、定電圧vRを分圧して形成された定電圧を基準電圧と
して印加するものとしてもよい。
Furthermore, a constant voltage formed by dividing the constant voltage vR may be applied as a reference voltage to the bases of the voltage comparison transistors Q7 and Qs.

本発明はトランジスタ増幅回路に広く適用できる。The present invention can be widely applied to transistor amplifier circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の詳細な説明する基本的一実施例回路、
第2図はPLLを利用したFMマルチプレックス復調回
路の一例を示すブロック線図、第3図は本発明を第2図
における一部の回路に適用した具体的−実施回路を示す
。 1・・・・・・増幅素子、2・・・・・・負荷手段、3
・・・・・・バイアス回路、4・・・・・・電圧比較回
路、5・・・・・・電流吸込回路、6・・・・・・プリ
アンプ部、7,8・・・・・・位相比較器、9,10・
・・・・・ローパスフィルタ、11・・・・・・直流ア
ンプ、12・・・・・・発振回路、13〜15・・・・
・・分周回路、16・・・・・・復調回路、17・・・
・・・ランプドライバ 18・・・・・・定電圧回路、
19・・・・・・分圧回路、20・・・・・・電圧比較
、電流吸込回路、21・・・・・・バイアス回路、22
・・・・・・プリアンプ、23・・・・・・電流供給回
路、24・・・・・・復調回路、25・・・・・・、駆
動回路、26・・・・・・半導体集積回路。
FIG. 1 shows a basic embodiment circuit for explaining the present invention in detail.
FIG. 2 is a block diagram showing an example of an FM multiplex demodulation circuit using PLL, and FIG. 3 shows a concrete implementation circuit in which the present invention is applied to some of the circuits shown in FIG. 1... Amplifying element, 2... Load means, 3
...Bias circuit, 4...Voltage comparison circuit, 5...Current sink circuit, 6...Preamplifier section, 7, 8... Phase comparator, 9, 10・
...Low pass filter, 11...DC amplifier, 12...Oscillation circuit, 13-15...
...Frequency divider circuit, 16...Demodulation circuit, 17...
... Lamp driver 18 ... Constant voltage circuit,
19... Voltage divider circuit, 20... Voltage comparison, current sink circuit, 21... Bias circuit, 22
...Preamplifier, 23 ... Current supply circuit, 24 ... Demodulation circuit, 25 ... Drive circuit, 26 ... Semiconductor integrated circuit .

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 少なくとも、一定範囲の電源電圧VOOの増減に対
して一定のバイアス電圧を形成するための定電圧素子D
zを有するバイアス回路3を具備してなるトランジスタ
増幅回路において、電源電圧が増幅トランジスタQのバ
イアス電圧を決定するにあたり基準となった標準電圧以
下になったことを検出する手段4、及びこの検出結果に
基づき制御され、上記バイアス電圧を電源電圧の低下に
応じて低下させるバイアス電圧補正手段5を具備してな
ることを特徴とするトランジスタ増幅回路。 2、特許請求の範囲第1項記載の電圧検出手段20とし
て、トランジスタQ7−s Q、のベースに基準電圧、
エミッタに電源電圧に基づいて変化する電圧を印加し、
このトランジスタQ7.Q8のON。 OFFにより電圧検出を行なうようにしたことを特徴と
するトランジスタ増幅回路。 3 特許請求の範囲第2項記載のトランジスタQ7 、
Qsのコレクタ電流を抵抗手段R8,Ft9を通して流
すことにより、この電圧降下分をバイアス補正電圧とし
て用いることを特徴とするトランジスタ増幅回路。 4 %許請求の範囲第3項記載におけるトランジスタQ
8のコレクタを一定電圧vRを分割抵抗R3osR3□
により分圧するバイアス接続点に接続したことを特徴と
するトランジスタ増幅回路。
[Claims] 1. At least a constant voltage element D for forming a constant bias voltage with respect to increases and decreases in the power supply voltage VOO within a certain range.
In a transistor amplifier circuit comprising a bias circuit 3 having a bias voltage z, a means 4 for detecting that the power supply voltage has become lower than a standard voltage used as a reference for determining the bias voltage of the amplification transistor Q, and a result of this detection. A transistor amplifier circuit comprising bias voltage correction means 5 which is controlled based on the above bias voltage and reduces the bias voltage according to a decrease in power supply voltage. 2. As the voltage detection means 20 described in claim 1, a reference voltage is connected to the base of the transistor Q7-sQ,
Applying a voltage to the emitter that varies based on the supply voltage,
This transistor Q7. Q8 ON. A transistor amplifier circuit characterized in that voltage detection is performed when the transistor is turned off. 3. Transistor Q7 according to claim 2,
A transistor amplifier circuit characterized in that a collector current of Qs is caused to flow through resistor means R8 and Ft9, and this voltage drop is used as a bias correction voltage. 4% Transistor Q as described in claim 3
8 collector with constant voltage vR divided by resistor R3osR3□
A transistor amplifier circuit characterized in that it is connected to a bias connection point that divides the voltage by.
JP51019002A 1976-02-25 1976-02-25 transistor amplifier circuit Expired JPS5839404B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51019002A JPS5839404B2 (en) 1976-02-25 1976-02-25 transistor amplifier circuit
NL7702008A NL7702008A (en) 1976-02-25 1977-02-24 AMPLIFIER CHAIN.
DE19772708056 DE2708056A1 (en) 1976-02-25 1977-02-24 Transistor amplifier circuit with comparator - uses difference between reference and output to control current sink in bias circuit (NL 29.8.77)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51019002A JPS5839404B2 (en) 1976-02-25 1976-02-25 transistor amplifier circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS52102657A JPS52102657A (en) 1977-08-29
JPS5839404B2 true JPS5839404B2 (en) 1983-08-30

Family

ID=11987318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51019002A Expired JPS5839404B2 (en) 1976-02-25 1976-02-25 transistor amplifier circuit

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS5839404B2 (en)
DE (1) DE2708056A1 (en)
NL (1) NL7702008A (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5930351B2 (en) * 1977-05-20 1984-07-26 株式会社日立製作所 FM stereo demodulation circuit
JPS54122004A (en) * 1978-03-15 1979-09-21 Pioneer Electronic Corp Fm receiver
JPS5890807A (en) * 1981-11-24 1983-05-30 Nec Corp Transistor circuit
JP2570878B2 (en) * 1990-02-01 1997-01-16 日本電気株式会社 High frequency power amplifier

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5099669A (en) * 1973-12-29 1975-08-07

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5099669A (en) * 1973-12-29 1975-08-07

Also Published As

Publication number Publication date
JPS52102657A (en) 1977-08-29
NL7702008A (en) 1977-08-29
DE2708056A1 (en) 1977-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59218036A (en) Phase comparator circuit
US5323122A (en) Rapid slewing unity gain buffer amplifier with boosted parasitic capacitance charging
JPS5839404B2 (en) transistor amplifier circuit
JPH0476941A (en) Semiconductor integrated circuit
US4914533A (en) Differential amplifier with differential outputs
US5543742A (en) Phase shifting circuit
JPH05121946A (en) Balanced modulation circuit
KR900008026B1 (en) Phare comparator
US6362686B1 (en) Fast saturation recovery operational amplifier input stage
US5412345A (en) Amplifier arrangement having a relatively stable reference potential
US6529076B2 (en) Fast saturation recovery operational amplifier input stage
JPS6334360Y2 (en)
JP2665072B2 (en) Amplifier circuit
EP0255826B1 (en) Balanced differential load
JPH05347516A (en) Amplifier
JPH0349462Y2 (en)
JPS6148283B2 (en)
JPH0681031B2 (en) Level shift circuit
KR830001932B1 (en) Amplification circuit
US4772857A (en) Amplifying circuit
JPS6212693B2 (en)
JPH0413858Y2 (en)
JPH0112417Y2 (en)
JPH0541618A (en) Correction circuit for dc offset
JPH0832375A (en) Btl output circuit