JPS5836232Y2 - Surge absorption circuit - Google Patents

Surge absorption circuit

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JPS5836232Y2
JPS5836232Y2 JP1978102917U JP10291778U JPS5836232Y2 JP S5836232 Y2 JPS5836232 Y2 JP S5836232Y2 JP 1978102917 U JP1978102917 U JP 1978102917U JP 10291778 U JP10291778 U JP 10291778U JP S5836232 Y2 JPS5836232 Y2 JP S5836232Y2
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JP
Japan
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voltage
capacitor
surge absorption
surge
absorption circuit
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JP1978102917U
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Japanese (ja)
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JPS5529903U (en
Inventor
清春 稲生
Original Assignee
横河電機株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、トランスを有するスイッチングレギュレータ
に使用されるサージ吸収回路の改良に関するものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a surge absorption circuit used in a switching regulator having a transformer.

トランスを有するスイッチングレギュレータにおいては
、トランスの漏洩インダクタンスの影響で、スイッチン
グ時にサージ電圧を発生する。
In a switching regulator having a transformer, a surge voltage is generated during switching due to the leakage inductance of the transformer.

このサージ電圧はトランジスタ等のスイッチング素子を
破壊してしまう可能性があるので、何らかのサージ吸収
回路を設けなければならないが、従来は抵抗とコンデン
サの直列または並列回路よりなるサージ吸収回路が多く
用いられ、サージエネルギーをコンデンサで吸収すると
ともに、吸収したサージエネルギーを抵抗に消費させて
いた。
This surge voltage has the potential to destroy switching elements such as transistors, so some kind of surge absorption circuit must be provided, but conventionally surge absorption circuits consisting of a series or parallel circuit of a resistor and a capacitor have often been used. In addition to absorbing surge energy with a capacitor, the absorbed surge energy was consumed by a resistor.

しかしながら、このようなサージ吸収回路において、抵
抗に消費される電力はそのまま損失となるので、スイッ
チング電力が大きくなるにつれて、この損失も大きくな
ってしまい、スイッチングレギュレータの効率を向上さ
せるうえで大きな問題点となってしまう。
However, in such a surge absorption circuit, the power consumed by the resistor becomes a loss, so as the switching power increases, this loss also increases, which is a major problem in improving the efficiency of the switching regulator. It becomes.

本考案は、上記のような従来装置の欠点をなくし、サー
ジエネルギーを無駄に消費してしまうことなく、スイッ
チングレギュレータとしての効率を向上させることので
きるサージ吸収回路を簡単な構成により実現することを
目的としたものである。
The present invention aims to eliminate the drawbacks of conventional devices as described above, and to realize a surge absorption circuit with a simple configuration that can improve efficiency as a switching regulator without wasting surge energy. This is the purpose.

本考案のサージ吸収回路は、吸収したサージエネルギー
を従来装置のように抵抗で消費してしまうのではなく、
入力電圧より高い電圧を必要とする回路、例えば突入電
流制御回路等に動作電圧として供給し、スイッチングレ
ギュレータとしての効率を向上させるようにしたもので
ある。
The surge absorption circuit of the present invention does not consume the absorbed surge energy through resistance as in conventional devices.
This is supplied as an operating voltage to a circuit that requires a voltage higher than the input voltage, such as an inrush current control circuit, to improve the efficiency of the switching regulator.

図は本考案のサージ吸収回路の一実施例を示す構成図で
ある。
The figure is a configuration diagram showing an embodiment of the surge absorption circuit of the present invention.

図において、R1,R2は抵抗、C1,C2はコンデン
サ、Tr1〜Tr3はトランジスタ、Dl、D2はダイ
オード、Tはトランスである。
In the figure, R1 and R2 are resistors, C1 and C2 are capacitors, Tr1 to Tr3 are transistors, Dl and D2 are diodes, and T is a transformer.

1次巻線に中点タップを有するトランスTと、この中点
タップに接続されたコンテ゛ンサC1、および1次巻線
の両端に接続されたスイッチングトランジスタTr2゜
Tr3とはスイッチングレギュレータの直流交流変換部
を構成しており、スイッチングトランジスタTr2.T
r3を交互にオンオフさせることにより、コンテ゛ンサ
C1の充電電圧に応じた交流電圧をトランスTの2次巻
線から発生する。
A transformer T having a center tap on the primary winding, a capacitor C1 connected to the center tap, and switching transistors Tr2 and Tr3 connected to both ends of the primary winding are a DC/AC converter of a switching regulator. The switching transistors Tr2. T
By alternately turning r3 on and off, an alternating current voltage corresponding to the charging voltage of capacitor C1 is generated from the secondary winding of transformer T.

RCCは突入電流制限抵抗R1とトランジスタTr1よ
りなる突入電流制御回路で、電源投入時等にコンデンサ
C1に流入する突入電流を制限する。
RCC is an inrush current control circuit made up of an inrush current limiting resistor R1 and a transistor Tr1, and limits the inrush current flowing into the capacitor C1 when the power is turned on.

SVAは一端がトランスTの1次巻線の中点タップに接
続されるとともに他端がダイオードD1.D2を介して
スイッチングトランジスタTr2.Tr3のコレクタ側
に接続されたコンデンサC2よりなるサージ吸収回路で
、コンデンサC2の充電電圧Ecを抵抗R2を介してト
ランジスタTr、のベースに印加している。
One end of SVA is connected to the center tap of the primary winding of transformer T, and the other end is connected to diode D1. Switching transistor Tr2. A surge absorption circuit includes a capacitor C2 connected to the collector side of Tr3, and applies charging voltage Ec of the capacitor C2 to the base of the transistor Tr via a resistor R2.

以上のように構成された本考案のサージ吸収回路におい
て、その動作は次の通りである。
The operation of the surge absorption circuit of the present invention configured as described above is as follows.

スイッチングトランジスタTr2.Tr3がそれぞれオ
フとなった時、そのコレクタに印加される電圧は原理的
には2 Vccとなるが、前記したようにトランスTの
漏洩インダクタンスのためにサージ電圧が発生するので
、瞬間的には2VCC以上の電圧が印加される。
Switching transistor Tr2. When each Tr3 is turned off, the voltage applied to its collector is theoretically 2 Vcc, but as mentioned above, a surge voltage is generated due to the leakage inductance of the transformer T, so A voltage of 2VCC or more is applied.

しかしながら、この電圧はダイオードD 1. D 2
を介してコンデンサC2に吸収されるので、トランジス
タTr2.Tr3のコレクタに極端な過電圧が印加され
ることはない。
However, this voltage is connected to the diode D1. D2
is absorbed by the capacitor C2 via the transistor Tr2. Extreme overvoltage is not applied to the collector of Tr3.

ここで、コンデンサC2の充電電圧Ecは抵抗R2を介
して放電されているので、この放電時定数を適当に選択
することにより、充電電圧Ecを2VCCに維持し、ト
ランジスタTr2゜Tr3のコレクタを2 Vccにク
ランプすることができる。
Here, since the charging voltage Ec of the capacitor C2 is discharged via the resistor R2, by appropriately selecting this discharge time constant, the charging voltage Ec is maintained at 2VCC, and the collectors of the transistors Tr2 and Tr3 are Can be clamped to Vcc.

このように、コンテ゛ンサC2は常に2vCCの電圧で
充電されているので、突入電流制御回路RCC側から見
た場合には、2VCCなる電圧を有する直流定電圧源が
得られたことになる。
In this way, since the capacitor C2 is always charged with a voltage of 2VCC, when viewed from the inrush current control circuit RCC side, a DC constant voltage source having a voltage of 2VCC is obtained.

例えば、突入電流制御回路RCCの動作電圧として入力
電圧Vccをそのまま利用した場合、トランジスタTr
1のベース電位は最高Vccまでとなってしまい、この
部分での電圧降下が数(V)程度となり、損失が大きく
なってしまう。
For example, if the input voltage Vcc is directly used as the operating voltage of the inrush current control circuit RCC, the transistor Tr
The base potential of the transistor 1 reaches a maximum of Vcc, and the voltage drop at this portion is approximately several (V), resulting in a large loss.

これに対し、本考案のように突入電流制御回路RCCの
動作電圧としてサージ吸収回路SVAより得られる電圧
を利用すると、トランジスタTr1のベース電位を入力
電圧Vccより高い電圧に維持することができるので、
この部分での電圧降下を著しく減少することができ、突
入電流制御回路RCCにおける電力損失を低減させるこ
とができる。
On the other hand, if the voltage obtained from the surge absorption circuit SVA is used as the operating voltage of the inrush current control circuit RCC as in the present invention, the base potential of the transistor Tr1 can be maintained at a voltage higher than the input voltage Vcc.
The voltage drop in this portion can be significantly reduced, and the power loss in the rush current control circuit RCC can be reduced.

なお、上記の説明においてサージ吸収回路SVAのコン
デンサC2の一端をトランジスタTの1次巻線の中点タ
ップに接続した場合を例示したが、このコンテ゛ンサC
2はアース電位に接続しても同様の動作を行なわせるこ
とができる。
In the above explanation, the case where one end of the capacitor C2 of the surge absorption circuit SVA was connected to the center tap of the primary winding of the transistor T was exemplified, but this capacitor C
The same operation can be performed even if 2 is connected to the ground potential.

また、コンテ゛ンサC2の充電電圧Ecを他の回路の動
作電圧として利用する場合に、あまり電流を取りすぎる
と電圧Ecが低下してしまうが、やはり一定の直流電圧
を得ることはできる。
Furthermore, when using the charging voltage Ec of the capacitor C2 as an operating voltage for other circuits, if too much current is drawn, the voltage Ec will drop, but a constant DC voltage can still be obtained.

以上説明したように本考案のサージ吸収回路では、吸収
したサージエネルギーを入力電圧より高い電圧を必要と
する回路に供給するようにしているので、サージ吸収回
路自体の損失を増加させることなく、他の回路の損失を
低減させることができ、スイッチングレギュレータとし
ての効率を向上させることができる。
As explained above, the surge absorption circuit of the present invention supplies the absorbed surge energy to circuits that require a voltage higher than the input voltage. The loss of the circuit can be reduced, and the efficiency of the switching regulator can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図は本考案のサージ吸収回路の一実施例を示す構成国で
ある。 RCC・・・・・・突入電流制御回路、SVA・・・・
・・サージ吸収回路。
The figure shows the configuration of an embodiment of the surge absorption circuit of the present invention. RCC...Inrush current control circuit, SVA...
...Surge absorption circuit.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] トランスとその入力端に接続された突入電流制御回路と
を有するスイッチングレギュレータにおいて、前記トラ
ンスの1次巻線にダイオードを介して接続されこの巻線
に発生するサージ電圧を吸収するコンテ゛ンサを具備す
るとともに、このコンデンサの充電電圧を前記突入電流
制御回路に動作電圧として供給するようにしてなるサー
ジ吸収回路。
A switching regulator having a transformer and an inrush current control circuit connected to its input terminal, further comprising a capacitor connected to the primary winding of the transformer via a diode to absorb surge voltage generated in this winding. , a surge absorption circuit configured to supply the charging voltage of the capacitor to the inrush current control circuit as an operating voltage.
JP1978102917U 1978-07-26 1978-07-26 Surge absorption circuit Expired JPS5836232Y2 (en)

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JP1978102917U JPS5836232Y2 (en) 1978-07-26 1978-07-26 Surge absorption circuit

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JP1978102917U JPS5836232Y2 (en) 1978-07-26 1978-07-26 Surge absorption circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5529903U JPS5529903U (en) 1980-02-27
JPS5836232Y2 true JPS5836232Y2 (en) 1983-08-15

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ID=29042946

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Application Number Title Priority Date Filing Date
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS522086A (en) * 1975-06-24 1977-01-08 Tomita Mitsue Method of removing unnecessary pressure wave at korotkov*s sound detecting time

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS522086A (en) * 1975-06-24 1977-01-08 Tomita Mitsue Method of removing unnecessary pressure wave at korotkov*s sound detecting time

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JPS5529903U (en) 1980-02-27

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