JPS5833875A - 高速ダイオ−ド - Google Patents
高速ダイオ−ドInfo
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- JPS5833875A JPS5833875A JP13214081A JP13214081A JPS5833875A JP S5833875 A JPS5833875 A JP S5833875A JP 13214081 A JP13214081 A JP 13214081A JP 13214081 A JP13214081 A JP 13214081A JP S5833875 A JPS5833875 A JP S5833875A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
最近急速な電力用半導体工業の進歩に伴い、ターンオフ
タイム１０μ−以下のサイリスタが出現しつつある＠電
圧形インバータに適用するＩＨｃは、サイリス′りに逆
並列化ダイオードを接続して使用することが一般的であ
る◎ターンオフタイムの小さいサイリスタ化逆並列接続
して使用されるダイオードは、サイリスタのターンオフ
タイム能力に対応した高適度電流しゃ断能力を有する素
子（逆回復電荷の小さい素子）が要求される略逆−・復
電−荷Ｑｒ＝Ｔ ｒｘ ｉ ｒｐ／２ ’で表現される
ので、高速ダイオードに要求される特性は次の二点であ
る。なセＴｒは逆回復時間、ｉ、は逆回復時のピーク電
流である・゛（１） 逆回復時間の小さいこと◎即ち
転流時にサイリスタ偶に再印加されるピーク電圧はダイ
オードの逆回復電荷の影響を受け、ダイオードの逆回復
電荷が大きいほど上昇するので、より高い定格電圧のサ
イリスタが必要となり、サイリスタ応用技術上、逆回復
電荷の大きいダオオードは好鵞しくない０ （り逆回復時のｄｉ／ｄｔが、ゆるやｂｓ （８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ）であること。即ちダイオードの
逆回復時のｄｉ／ｄｔが、急峻な特性（８ｎａｐ＝ｏｆ
ｆ ）では転流時にサイリスタに再印加される電圧は高
いｄマ／ｄｔを持った電圧が印加され、サイリスタのｄ
ｖ／ｄｔ＃性をおびやかすことになり、サイリスタ応用
技櫂面から８ｆｌ峠−ｏｆｆ轡性を有するダイオードは
好ましくない。
タイム１０μ−以下のサイリスタが出現しつつある＠電
圧形インバータに適用するＩＨｃは、サイリス′りに逆
並列化ダイオードを接続して使用することが一般的であ
る◎ターンオフタイムの小さいサイリスタ化逆並列接続
して使用されるダイオードは、サイリスタのターンオフ
タイム能力に対応した高適度電流しゃ断能力を有する素
子（逆回復電荷の小さい素子）が要求される略逆−・復
電−荷Ｑｒ＝Ｔ ｒｘ ｉ ｒｐ／２ ’で表現される
ので、高速ダイオードに要求される特性は次の二点であ
る。なセＴｒは逆回復時間、ｉ、は逆回復時のピーク電
流である・゛（１） 逆回復時間の小さいこと◎即ち
転流時にサイリスタ偶に再印加されるピーク電圧はダイ
オードの逆回復電荷の影響を受け、ダイオードの逆回復
電荷が大きいほど上昇するので、より高い定格電圧のサ
イリスタが必要となり、サイリスタ応用技術上、逆回復
電荷の大きいダオオードは好鵞しくない０ （り逆回復時のｄｉ／ｄｔが、ゆるやｂｓ （８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ）であること。即ちダイオードの
逆回復時のｄｉ／ｄｔが、急峻な特性（８ｎａｐ＝ｏｆ
ｆ ）では転流時にサイリスタに再印加される電圧は高
いｄマ／ｄｔを持った電圧が印加され、サイリスタのｄ
ｖ／ｄｔ＃性をおびやかすことになり、サイリスタ応用
技櫂面から８ｆｌ峠−ｏｆｆ轡性を有するダイオードは
好ましくない。
以上の理由によって、前述の目的に使用される高速度ダ
イオードは逆回復時のｄ１／ｄｔが、８ｏｆｔＲｅｃｏ
マ・ｒｙ特性を有するダイオードが望ましい。
イオードは逆回復時のｄ１／ｄｔが、８ｏｆｔＲｅｃｏ
マ・ｒｙ特性を有するダイオードが望ましい。
本−羽は上記の目的のため番こなされたものであり、以
下図面番こより本発明の一実施例について詳細Ｋｍ明す
る。
下図面番こより本発明の一実施例について詳細Ｋｍ明す
る。
嬉１図４１８ａａｐ−ｏｆｆ ４Ｉ性を有するダイオー
ドの逆回復時の電流波形の説明図、第２閣は８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖ＠ｒｙ轡性を有するダイオードの逆−復時の
電流波形の諷−閣である。
ドの逆回復時の電流波形の説明図、第２閣は８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖ＠ｒｙ轡性を有するダイオードの逆−復時の
電流波形の諷−閣である。
ダイオードの逆回復４Ｉ性において、第ｉｌｌのよう化
逆回復時間Ｔｒの短かい急峻なｄｉ／ｄｔの変化を示す
Ｂｎｋｐ−ｏｆｆ ｑＩ性と、鮪冨閣のような逆回復時
間テｒの長く緩やかなｄｌ／ｄｔの変化を示す８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ轡性の差は、ダイオード量材層のラ
イフタイムに関係する。例えばＰ−Ｎｌ−Ｎ＋接脅の鳩
舎にはＮｌられる。
逆回復時間Ｔｒの短かい急峻なｄｉ／ｄｔの変化を示す
Ｂｎｋｐ−ｏｆｆ ｑＩ性と、鮪冨閣のような逆回復時
間テｒの長く緩やかなｄｌ／ｄｔの変化を示す８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ轡性の差は、ダイオード量材層のラ
イフタイムに関係する。例えばＰ−Ｎｌ−Ｎ＋接脅の鳩
舎にはＮｌられる。
本発明は一枚のシリコン円板からなるダイオードウェフ
ァの厚み方向内＃ｃ８ｎａｐ−ｏｆｆ ＩＩ！Ｉ性を有
する領域と８層口Ｒｅｃｏｖｓ＋ｒｙ ４１性を有する
領域を直列に親会せること化より、逆回復時間の小さい
８ｏｆｔＲｅｃｏｖｅｒｙ ＠性を有するダイオード
を実現したものである・ Ｎ１３図は本発明の一実施例を示す高速ダイオードの部
分縦断面図である・ １は金（ムＵ）を主成分としこれに数パーセントのＰ形
不純物金属（ガリウム、ポロン、アルミニウム）を含ん
だアノード電極である。３はＰ層、４はＭ層、Ｓは１層
、６は金属ろう材、７は補強用支持電極でありカソード
電極となる。２は２層３ヘアノード電極１を溶着したこ
とによって形成された再結晶層のＰ層である。
ァの厚み方向内＃ｃ８ｎａｐ−ｏｆｆ ＩＩ！Ｉ性を有
する領域と８層口Ｒｅｃｏｖｓ＋ｒｙ ４１性を有する
領域を直列に親会せること化より、逆回復時間の小さい
８ｏｆｔＲｅｃｏｖｅｒｙ ＠性を有するダイオード
を実現したものである・ Ｎ１３図は本発明の一実施例を示す高速ダイオードの部
分縦断面図である・ １は金（ムＵ）を主成分としこれに数パーセントのＰ形
不純物金属（ガリウム、ポロン、アルミニウム）を含ん
だアノード電極である。３はＰ層、４はＭ層、Ｓは１層
、６は金属ろう材、７は補強用支持電極でありカソード
電極となる。２は２層３ヘアノード電極１を溶着したこ
とによって形成された再結晶層のＰ層である。
第４図は第３図のアノード電極垂直方向における２層２
．Ｐ層３．Ｎ１層４．Ｎ層５の各層のライフタイムキラ
ー（Ａｕ）の濃度分布を示した説明図である。
．Ｐ層３．Ｎ１層４．Ｎ層５の各層のライフタイムキラ
ー（Ａｕ）の濃度分布を示した説明図である。
ライフタイムキラーのａｍはＰ−Ｐ−Ｎ１層近傍（！Ｉ
ｌｌ中ム領域）が最も多く、つぎにＮ１層の中央部（Ｉ
ｔ中中質領域が多く、最も少い場所はＮ −Ｎｉ層近！
ＩＩ（１！ｉＥｌ中Ｃ領域）であるｅ本発明の高速ダイ
オードは第１１１に示す構成で形成することにより第４
図に示した如くライフタイムキラーの＃Ｉ度分布を容品
に得ることが特徴である・ つぎｌ（Ｎ４図に示すライフタイムキラー濃度分布を有
するダイオードの逆回復特性について説明する。
ｌｌ中ム領域）が最も多く、つぎにＮ１層の中央部（Ｉ
ｔ中中質領域が多く、最も少い場所はＮ −Ｎｉ層近！
ＩＩ（１！ｉＥｌ中Ｃ領域）であるｅ本発明の高速ダイ
オードは第１１１に示す構成で形成することにより第４
図に示した如くライフタイムキラーの＃Ｉ度分布を容品
に得ることが特徴である・ つぎｌ（Ｎ４図に示すライフタイムキラー濃度分布を有
するダイオードの逆回復特性について説明する。
導過状態番こある本ダイオードへ逆電圧が印加されると
、導通時のキャリアはＰ −Ｎｌ １１１合を中心とし
て正孔はアノード電極へ、電子はカソード電極へ向って
移動する一方、Ｐ−Ｎ１接舎近傍のライフタイムキラー
−直に依存して再結舎が行われ、キャリア鏝度が減少し
て行き、Ｐ−Ｎｌ接合近傍は逆電圧の値に応じた厚みを
もって空乏層化される。
、導通時のキャリアはＰ −Ｎｌ １１１合を中心とし
て正孔はアノード電極へ、電子はカソード電極へ向って
移動する一方、Ｐ−Ｎ１接舎近傍のライフタイムキラー
−直に依存して再結舎が行われ、キャリア鏝度が減少し
て行き、Ｐ−Ｎｌ接合近傍は逆電圧の値に応じた厚みを
もって空乏層化される。
このと会空乏層の厚みはＰ−Ｎｌ接合の接合面よりＮ１
層の方向に向って拡がって行く〇一般的にみてスイッチ
ング時にダイオードへ印加される逆電圧は定格電圧の１
１５〜”／ｚｏ ＩＩ ！であるから、逆電圧印加によ
って生じる空乏層厚みは概念的にＮ１層の中央部または
それ以下まで拡がると考えてよい・このため空乏層厚み
内のライフタイムキラー濃度が高いほど、空乏層内のキ
ャリアは急激な変化を示すため逆回復電流も急激な変化
を示す。
層の方向に向って拡がって行く〇一般的にみてスイッチ
ング時にダイオードへ印加される逆電圧は定格電圧の１
１５〜”／ｚｏ ＩＩ ！であるから、逆電圧印加によ
って生じる空乏層厚みは概念的にＮ１層の中央部または
それ以下まで拡がると考えてよい・このため空乏層厚み
内のライフタイムキラー濃度が高いほど、空乏層内のキ
ャリアは急激な変化を示すため逆回復電流も急激な変化
を示す。
つぎに空乏層の外側（Ｎｉ層の中央部からＮ＋層まで）
へ移動したキャリアーは、ライフタイムキラー濃度の低
い領域へ移るので、この場所ではキャリアは再結舎によ
り緩やか化減衰するため逆回復電流も緩やかな変化を示
す・ 以上の説明から理解されるように本ダイオードのスイッ
チング時の逆回復電流は、逆回復電流が流れ始めた前期
は急激な電流変化を示す５ｎａｐ−ｏｆｆ善性が現れ、
後半期には緩やかな電流炭化を示す８ｏｆｔ Ｒｅｃｏ
ｖｅｒｙ ４Ｉ性が現れ、本特許の目的とする２段階の
電流変化を示す逆回復特性を得ることができる０ 第５図は上述した状態を説明するための逆回復時の電流
波形を示した説明図である。
へ移動したキャリアーは、ライフタイムキラー濃度の低
い領域へ移るので、この場所ではキャリアは再結舎によ
り緩やか化減衰するため逆回復電流も緩やかな変化を示
す・ 以上の説明から理解されるように本ダイオードのスイッ
チング時の逆回復電流は、逆回復電流が流れ始めた前期
は急激な電流変化を示す５ｎａｐ−ｏｆｆ善性が現れ、
後半期には緩やかな電流炭化を示す８ｏｆｔ Ｒｅｃｏ
ｖｅｒｙ ４Ｉ性が現れ、本特許の目的とする２段階の
電流変化を示す逆回復特性を得ることができる０ 第５図は上述した状態を説明するための逆回復時の電流
波形を示した説明図である。
本ダイオードの逆回復４Ｉ性は５ｎａｐ−ｏｆｆ ％性
を示すｄ Ｉ Ｌ／ｄ ｔの大きい領域８と８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ４Ｉ性を示すｄ ｌ ｖｄ ｔの小
さい領域９が出現する０高遮ダイオードで４ＨＣＩ！！
な点は領域９のｄｌＶ’ｄｔを小さく押えることであり
、本発明ではこれが可能になった・つぎに本ｌＩ明によ
る高速ダイオードの一実施例の調造工程を第６図を用い
て説明する。
を示すｄ Ｉ Ｌ／ｄ ｔの大きい領域８と８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ４Ｉ性を示すｄ ｌ ｖｄ ｔの小
さい領域９が出現する０高遮ダイオードで４ＨＣＩ！！
な点は領域９のｄｌＶ’ｄｔを小さく押えることであり
、本発明ではこれが可能になった・つぎに本ｌＩ明によ
る高速ダイオードの一実施例の調造工程を第６図を用い
て説明する。
な口第１図と同一符号は同一または相幽部分を示す。
まず、ダイオードウェファの製作化ついて説明すると基
板シリコンとして比抵抗７００１のＮ形シリコンで厚み
Ｇ、ｌｉ？ｍｓ直１１：Ｈｍが使用される〇予め基板シ
リコンの片面には、Ｐ形不純物のボロンを用いて２層３
が５０ＪＭの厚みで形成されており、傭のＩＩＫはＮｊ
ｉｌｌ不純物のリンを用いて表面濃度的Ｉ Ｘ １Ｇ
ａ＠ｏｍｓ／ｃｃで厚み３０Ｊの８層５が形成され、Ｎ
１ｊ１４が１８０−を有し、かつ基−全面に酸化膜１０
を有した円板状シリコンが準備される。
板シリコンとして比抵抗７００１のＮ形シリコンで厚み
Ｇ、ｌｉ？ｍｓ直１１：Ｈｍが使用される〇予め基板シ
リコンの片面には、Ｐ形不純物のボロンを用いて２層３
が５０ＪＭの厚みで形成されており、傭のＩＩＫはＮｊ
ｉｌｌ不純物のリンを用いて表面濃度的Ｉ Ｘ １Ｇ
ａ＠ｏｍｓ／ｃｃで厚み３０Ｊの８層５が形成され、Ｎ
１ｊ１４が１８０−を有し、かつ基−全面に酸化膜１０
を有した円板状シリコンが準備される。
つぎにダイオードウェファの逆回復時間を小さくするた
めＫｐ層層面面上酸化膜１０を除去して、この面に対し
て真空蒸着にて金が蒸着され、８２０°０のａ直で６０
分間の熱処理が行われる。この熱処理によって金の磯直
分布は菖４図に示すＢ、Ｃ，Ｄノ！１１１ 領域となる０金濃共がＣ領域で減少する塩山４よ、金が
Ｎ”ｊｌ Ｂにゲッターされるためである。金のゲッタ
ー効果はリンを拡散して形成したＮ層が特に有効であり
本特許の一つの特徴となっているＯこの熱処理後、表面
を被っている酸化膜１０を除去し、ＰｊｌＢの間化対し
てはアノード電極１となる直径１ｓｔｌｌｓ厚み４０＃
を有する金−ガリウム箔（金９５−、ガリウム５−）を
置き、８層５の面に対してはダイオードウェファと同価
のタングステ行ひ一体に固着されるＯ 固着の際の熱処理温度は、前述の金の熱処理温度が前述
の金の熱処理で得た濃度よりも高くなる温度が必要であ
る・本発明のＮ１論例では固着温度を８６０℃にして５
〜ｌＯ分間熱処理を行い、再結晶層の２層２の厚みを２
０〜２５声にして小らを得ることができた働 以上説明したような二つの熱処理工程を経て第４１１１
に示されるＡ、Ｂ、Ｃのごとく三つの領域を示す金の濃
度分布を１１現することがで合る０固着完成後、電圧阻
止接合であるＰ−Ｎ１接会は球面研磨法等により負ベベ
ルに整形された後にベベル面に対して化学研塵、表面保
護膜形成等がなされてダイオードが完成する・、 このようにして製作されたダイオードの定格は１！１０
ム、２０００Ｖで逆回復時間は約２μ−であり、舎た− な詔、逆關復電荷一定条件としては、原電流３００ム、
屓電滝降下率５０Ａ／μ８で行った。
めＫｐ層層面面上酸化膜１０を除去して、この面に対し
て真空蒸着にて金が蒸着され、８２０°０のａ直で６０
分間の熱処理が行われる。この熱処理によって金の磯直
分布は菖４図に示すＢ、Ｃ，Ｄノ！１１１ 領域となる０金濃共がＣ領域で減少する塩山４よ、金が
Ｎ”ｊｌ Ｂにゲッターされるためである。金のゲッタ
ー効果はリンを拡散して形成したＮ層が特に有効であり
本特許の一つの特徴となっているＯこの熱処理後、表面
を被っている酸化膜１０を除去し、ＰｊｌＢの間化対し
てはアノード電極１となる直径１ｓｔｌｌｓ厚み４０＃
を有する金−ガリウム箔（金９５−、ガリウム５−）を
置き、８層５の面に対してはダイオードウェファと同価
のタングステ行ひ一体に固着されるＯ 固着の際の熱処理温度は、前述の金の熱処理温度が前述
の金の熱処理で得た濃度よりも高くなる温度が必要であ
る・本発明のＮ１論例では固着温度を８６０℃にして５
〜ｌＯ分間熱処理を行い、再結晶層の２層２の厚みを２
０〜２５声にして小らを得ることができた働 以上説明したような二つの熱処理工程を経て第４１１１
に示されるＡ、Ｂ、Ｃのごとく三つの領域を示す金の濃
度分布を１１現することがで合る０固着完成後、電圧阻
止接合であるＰ−Ｎ１接会は球面研磨法等により負ベベ
ルに整形された後にベベル面に対して化学研塵、表面保
護膜形成等がなされてダイオードが完成する・、 このようにして製作されたダイオードの定格は１！１０
ム、２０００Ｖで逆回復時間は約２μ−であり、舎た− な詔、逆關復電荷一定条件としては、原電流３００ム、
屓電滝降下率５０Ａ／μ８で行った。
第 ｉｌｌ
嬉ｌｌ１１１は本実施例によって製作された素子と従来
製作されていた同定格の素子を比較したものである。第
１１１１Ｉから理解されるように本発明による素子は、
逆回復時間が小さく、サイリスタに与えるｄマ／ｄｔ耐
量に大きな影譬力をもつ１１１／ｄｔが従来の素子より
も低減された高速ダイオードが製作可能となった◎この
ためサイリスタ応用技術面に寄与する効果が極めて大き
いものである・
製作されていた同定格の素子を比較したものである。第
１１１１Ｉから理解されるように本発明による素子は、
逆回復時間が小さく、サイリスタに与えるｄマ／ｄｔ耐
量に大きな影譬力をもつ１１１／ｄｔが従来の素子より
も低減された高速ダイオードが製作可能となった◎この
ためサイリスタ応用技術面に寄与する効果が極めて大き
いものである・
第１図は５ｎａｐ−ｏｆｆ ’Ｐｉ性を有するダイオー
ドの逆回復時の電流ｔＩＬ形の説明り第ａｌｌは ８ｏ
ｆｔＲｅｃｏｖ＠ｒｙ ４Ｉ惟を有するダイオードの逆
回復時の電流波形の説明図、第３図は本発明の一実施例
を示す高速ダイオードの部分断面図、第４図は本発明ダ
イオードの金機度分布を示した説明図、ＷＪ５図はその
逆回復時の電流波形を示した説明図、第６図は本発明の
高速ダイオードの一実施例の製造工程を示す縦断面図で
あるＯ １、・・・、アノード電極、２・・・・・Ｐ＋層、３・
・・・・・Ｐ層、４ ・・・・Ｎ１層、５・・・・・Ｎ
＋層、６・・・・・・金属ろう、７・・・・・・支持電
極、１０・・・・・酸化膜Ｏ特許出願人 東洋電機製造株式会社 代表者 土 井 厚 瀾 １図 １図 ８３図 第４Ｗ 第 ５ 図 ′４６凶 手続補正書（自発） ＷＢ和６６都１０月Ｊ日 轡許庁長實 殿 １、事件の表示 喝＄８８年畳許履ｊｌｌｌＨ１４・希 ｉ 発−の本称 高速ダイオード 龜 補正をする者 事件との関係 畳許出願人 郵便曹４） １Ｇ４ 東京都中央区八重洲二丁＠１番２号 嘴麟書のｒａｗの簡単な説明」の欄 ！Ｌ ＠正の内容 （１）＠細書第１１頁第１行目「ダイオードの金機度分
布を・・・・・・」を「ダイオードの会議度分布を・・
・・・・」に訂正する。
ドの逆回復時の電流ｔＩＬ形の説明り第ａｌｌは ８ｏ
ｆｔＲｅｃｏｖ＠ｒｙ ４Ｉ惟を有するダイオードの逆
回復時の電流波形の説明図、第３図は本発明の一実施例
を示す高速ダイオードの部分断面図、第４図は本発明ダ
イオードの金機度分布を示した説明図、ＷＪ５図はその
逆回復時の電流波形を示した説明図、第６図は本発明の
高速ダイオードの一実施例の製造工程を示す縦断面図で
あるＯ １、・・・、アノード電極、２・・・・・Ｐ＋層、３・
・・・・・Ｐ層、４ ・・・・Ｎ１層、５・・・・・Ｎ
＋層、６・・・・・・金属ろう、７・・・・・・支持電
極、１０・・・・・酸化膜Ｏ特許出願人 東洋電機製造株式会社 代表者 土 井 厚 瀾 １図 １図 ８３図 第４Ｗ 第 ５ 図 ′４６凶 手続補正書（自発） ＷＢ和６６都１０月Ｊ日 轡許庁長實 殿 １、事件の表示 喝＄８８年畳許履ｊｌｌｌＨ１４・希 ｉ 発−の本称 高速ダイオード 龜 補正をする者 事件との関係 畳許出願人 郵便曹４） １Ｇ４ 東京都中央区八重洲二丁＠１番２号 嘴麟書のｒａｗの簡単な説明」の欄 ！Ｌ ＠正の内容 （１）＠細書第１１頁第１行目「ダイオードの金機度分
布を・・・・・・」を「ダイオードの会議度分布を・・
・・・・」に訂正する。
Claims (1)
- Ｎｉ１ＩＩ母材から成るシリコン基板の片１１ＫＰ形不
純物を、偽の一面ｉＣＮ形不純物を拡散して形成したｐ
＝Ａｔ−Ｎ”＠台構造ダイオードウェファの逆回復電荷
を小さくするために、Ｐ層表面よりライフタイムキラー
である金を熱拡散した前記ダイオ゛−ドウエファに対し
て、Ｐ層表面に電極を形成するに際して金を主成分とし
た電極材料を用い、この電極と前記１層を固着する鶏処
履温度を、前記金竺散亀直よりも高く設定してこの電極
から金を高い機１１てＰ−Ｎｌｌｌ舎近くに拡散形成し
たことを特徴とする高速ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13214081A JPS5833875A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 高速ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13214081A JPS5833875A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 高速ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833875A true JPS5833875A (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=15074291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13214081A Pending JPS5833875A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 高速ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198778A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Toshiba Corp | スイツチング素子 |
| JPH0846221A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Origin Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP13214081A patent/JPS5833875A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198778A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Toshiba Corp | スイツチング素子 |
| JPH0846221A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Origin Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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