JPS583315B2 - Entoujikukenshiyutsusouchi - Google Patents

Entoujikukenshiyutsusouchi

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JPS583315B2
JPS583315B2 JP7621575A JP7621575A JPS583315B2 JP S583315 B2 JPS583315 B2 JP S583315B2 JP 7621575 A JP7621575 A JP 7621575A JP 7621575 A JP7621575 A JP 7621575A JP S583315 B2 JPS583315 B2 JP S583315B2
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JP
Japan
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transformer
magnetoresistive
current
magnetic domain
signal
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Application number
JP7621575A
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Japanese (ja)
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JPS51151033A (en
Inventor
高橋一清
高橋恒介
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は円筒磁区保持板中の円筒磁区の浮遊磁界を検知
し、利用回路に2値信号を提供するための円筒磁区検出
装置に関するもめである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a cylindrical domain detection device for detecting stray magnetic fields of cylindrical domains in a cylindrical domain holding plate and providing binary signals to utilization circuits.

従来、磁気抵抗検出素子を用いた円筒磁区検出装置では
、磁気抵抗検出素子に電流を供鉛することによって円筒
磁区の浮遊磁界による磁気抵抗検出素子の電気抵抗の変
化を電圧変化に変換してから信号増巾器に供給をしてい
た。
Conventionally, in a cylindrical magnetic domain detection device using a magnetoresistive sensing element, a change in the electrical resistance of the magnetoresistive sensing element due to a stray magnetic field of the cylindrical magnetic domain is converted into a voltage change by supplying a current to the magnetoresistive sensing element. It was supplying signal amplifiers.

このとき、磁気抵抗検出素子は温度に敏感であり、電気
抵抗が温度変化によって大きく変化するという欠陥があ
る。
At this time, the magnetoresistive sensing element has a drawback in that it is sensitive to temperature and its electrical resistance changes significantly with changes in temperature.

したがって、この抵抗の変化は信号のレベル変動となり
、信号の第2値判定の際に極めて不都合である。
Therefore, this change in resistance results in a signal level fluctuation, which is extremely inconvenient when determining the second value of the signal.

それ故に、このレベル変動を防ぐために従来の円筒磁区
装置では容量性結合を行ない、かつチョツパーを用いて
いる。
Therefore, in order to prevent this level fluctuation, conventional cylindrical magnetic domain devices perform capacitive coupling and use a chopper.

このようにすると回路素子も多くなり、そのうえに不要
な雑音(たとえば、チョツパースイッチ.ノイズ)まで
も混入するという欠点があった。
This approach has the drawback of increasing the number of circuit elements and also introducing unnecessary noise (for example, chopper switch noise).

本廃明の第1の目的は磁気抵抗検出素子を流れる電流に
よって動作する変圧器を用いることによってレベル変動
がなく、かつSN比の大きい円筒磁区検出装置を提供す
ることにある。
The first object of the present invention is to provide a cylindrical magnetic domain detection device which is free from level fluctuations and has a high S/N ratio by using a transformer operated by a current flowing through a magnetoresistive detection element.

本発明の第2の目的は回転素子数が少なく、安価な円筒
磁区検出装置を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide an inexpensive cylindrical magnetic domain detection device with a small number of rotating elements.

本発明によれば、円筒磁区の浮遊磁界を感知する磁気抵
抗検出素子と、前記磁気抵抗検出素子に1次コイルが接
続された変圧器と、前記変圧器の2次コイルに接続され
る信号増巾器と、前記磁気抵抗検出素子に電流を供給す
る電源とを含む円筒磁区検出装置を得ることができる。
According to the present invention, there is provided a magnetoresistive detection element that senses a stray magnetic field of a cylindrical magnetic domain, a transformer having a primary coil connected to the magnetoresistive detection element, and a signal amplifier connected to the secondary coil of the transformer. It is possible to obtain a cylindrical magnetic domain detection device including a cloth and a power source that supplies current to the magnetoresistive detection element.

次に図面を用いて詳細に説明する。Next, it will be explained in detail using the drawings.

第1図は従来の円筒磁区検出装置の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a conventional cylindrical magnetic domain detection device.

磁気抵抗検出素子10.11には電流源1より電流が供
給される。
A current is supplied from a current source 1 to the magnetoresistive sensing element 10.11.

磁気抵抗検出素子10または11のいずれか一方に円筒
磁区の浮遊磁界が印加されて電気抵抗に変化を生じる。
A floating magnetic field of a cylindrical magnetic domain is applied to either the magnetoresistive sensing element 10 or 11, causing a change in electrical resistance.

したがって、前記抵抗変化によって、点aと点bの間の
電圧に変化を生じる。
Therefore, the change in resistance causes a change in the voltage between point a and point b.

この電圧変化即ち、信号は蓄電器20.21によって伝
達され、信号増巾器40により増巾されて端子50から
出力される。
This voltage change, that is, a signal, is transmitted by capacitors 20 and 21, amplified by signal amplifier 40, and output from terminal 50.

ところが、信号増巾器40の入力端d,cでは信号のレ
ベルが信号波形によって変動するのでチヨパー30によ
ってレベルか安定化されている。
However, since the signal level at the input terminals d and c of the signal amplifier 40 varies depending on the signal waveform, the level is stabilized by the chopper 30.

チヨパー30は端子60に印加されるゲート.パルスに
よって駆動される。
The chopper 30 has a gate applied to the terminal 60. Driven by pulses.

以上の説明から理解できるように、磁気抵抗検出素子i
o,i1の温度変化による電気抵抗の変化のために生じ
るa−b間の電圧変化は準静的であるために蓄電器20
.21によって阻止することができる。
As can be understood from the above explanation, the magnetoresistive sensing element i
Since the voltage change between a and b caused by the change in electrical resistance due to the temperature change in o and i1 is quasi-static, the capacitor 20
.. 21 can be prevented.

しかしながら、点Cおよび点dの間に生じる信号のレベ
ルは信号波形によって変動する。
However, the level of the signal occurring between points C and d varies depending on the signal waveform.

そのために、チヨパー30が不可欠となり、またチョツ
パ−30を駆動するためのゲート.パルス発生回路も必
要となる。
For this purpose, the chopper 30 is essential, and a gate for driving the chopper 30 is required. A pulse generation circuit is also required.

このように、従来め円筒磁区検出装置ではチョツパーお
よびそれに付随する回路が必要であり不経済である。
As described above, the conventional cylindrical magnetic domain detection device requires a chopper and an associated circuit, which is uneconomical.

そのうえチョツパーからはスイッチ雑音も発生するため
SN比を劣化させる要困にもなっている。
In addition, the chopper also generates switching noise, which causes problems in deteriorating the S/N ratio.

第2図は本発明による第1の実施例の概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram of a first embodiment according to the invention.

磁気抵抗検出素子12には電源2によって変圧器100
の1次コイルを通して電流が供給されている。
A transformer 100 is connected to the magnetoresistive sensing element 12 by a power source 2.
Current is supplied through the primary coil of.

円簡磁区の浮遊磁界が磁気抵抗検出素子12の電気抵抗
を変化させると変圧器100の1次コイルを流れる電流
も変化するので、変圧器100の2次コイルに電流変化
に対応した電圧(信号)を発生する。
When the floating magnetic field of the Ensaku magnetic domain changes the electrical resistance of the magnetoresistive sensing element 12, the current flowing through the primary coil of the transformer 100 also changes. ) occurs.

信号は信号増巾器41によって増巾され、出力端子51
より出力を取りだすことができる。
The signal is amplified by a signal amplifier 41 and sent to an output terminal 51.
You can get more output.

さて、本装置では変圧器100によって磁気抵抗検出素
子12と信号増巾器41が結合されているので、準静的
な電流の変化は2次コイルに電圧を誘起しない。
Now, in this device, since the magnetoresistive sensing element 12 and the signal amplifier 41 are coupled by the transformer 100, quasi-static current changes do not induce voltage in the secondary coil.

したがって温度変化による磁気抵抗検出素子12の電気
抵抗の変化は準静的であるためにこれの影響は2次コイ
ルには表われない。
Therefore, since the change in the electrical resistance of the magnetoresistive sensing element 12 due to temperature change is quasi-static, its influence does not appear on the secondary coil.

また、2次コイルに発生する信号レベルも変動すること
がないのでチョツパーは不要である。
Further, since the signal level generated in the secondary coil does not fluctuate, a chopper is not necessary.

巻数比を適当に選べば変圧器100での信号の増巾を期
待できる。
If the turns ratio is appropriately selected, the signal amplification in the transformer 100 can be expected.

以上の説明から理解できるように、本発明によれば温度
変化等によって信号レベルが変動することがな<SN比
が太きいために信頼性が高く、かつ回路素子数の少ない
円筒磁区検出装置を得ることができる。
As can be understood from the above explanation, according to the present invention, the signal level does not fluctuate due to temperature changes, etc., the reliability is high due to the large S/N ratio, and the cylindrical magnetic domain detection device with a small number of circuit elements can be realized. Obtainable.

第3図は本発明の第2の実施例の概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a second embodiment of the invention.

この円筒磁区検出装置では1次コイルおよび2次コイル
に中点タップの付いている変圧器101を使用している
This cylindrical magnetic domain detection device uses a transformer 101 in which the primary and secondary coils are tapped at the center.

1次コイルの中点タップに電源3を接続し、磁気抵抗検
出素子13.14に電流を供給している。
A power source 3 is connected to the center tap of the primary coil, and current is supplied to the magnetoresistive sensing elements 13 and 14.

磁気抵抗検出素子13に供給される電流の変化量と磁気
抵抗検出素子14に供給される電流の変化量の差に依存
する電圧が変圧器101の2次コイルに誘起される。
A voltage that depends on the difference between the amount of change in the current supplied to magnetoresistive sensing element 13 and the amount of change in current supplied to magnetoresistive sensing element 14 is induced in the secondary coil of transformer 101 .

したがって、磁気抵抗検出素子13.14を同一の回転
磁界内で動作させる場合には回転磁界による雑音は変圧
器101に対して同相入力になるので消去または減少さ
れ2次コイルに誘起される。
Therefore, when the magnetoresistive sensing elements 13 and 14 are operated within the same rotating magnetic field, the noise due to the rotating magnetic field becomes an in-phase input to the transformer 101, so it is eliminated or reduced and induced in the secondary coil.

円筒磁区の浮遊磁界は特定の時刻には磁気抵抗検出素子
13または14の一方に印加される。
The floating magnetic field of the cylindrical magnetic domain is applied to one of the magnetoresistive sensing elements 13 or 14 at a specific time.

この場合に発生する電圧(信号)は減少または消去され
ることなしに2次コイルに誘起され、信号増巾器42に
よって増巾されて出力端子52から出力される。
The voltage (signal) generated in this case is induced in the secondary coil without being reduced or eliminated, is amplified by the signal amplifier 42, and is output from the output terminal 52.

この第2の実施例では差動構成を用いているために回転
磁界等による雑音を軽減することができる。
Since this second embodiment uses a differential configuration, it is possible to reduce noise caused by rotating magnetic fields and the like.

また、電流を中点から供給しているので定常電流による
磁界が発生しないので定常電流によって変圧器の磁心を
飽和することなく、有効に用いることができる。
Furthermore, since the current is supplied from the middle point, no magnetic field is generated due to the steady current, so the transformer can be effectively used without saturating the magnetic core of the transformer with the steady current.

この装置は第1の実施例による装置の長所も兼ね備えて
いる。
This device also combines the advantages of the device according to the first embodiment.

以上の説明では磁気抵抗検出素子に供給する電流につい
て詳しい説明を施していないか、これは直流電流、パル
ス電流のいずれでもよく、特に両極性パルス電流のパル
ス巾を適切に調節して前記検出素子に供給すれば両検出
素子からの信号を同極性信号として信号増巾器から得る
ことができ、後の波形処理に便利である。
The above explanation does not provide a detailed explanation of the current supplied to the magnetoresistive sensing element.This may be either a direct current or a pulsed current, and in particular, the pulse width of the bipolar pulsed current may be appropriately adjusted to supply the current to the sensing element. If the signals from both detection elements are supplied to the signal amplifier, the signals from both detection elements can be obtained from the signal amplifier as signals of the same polarity, which is convenient for later waveform processing.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の円筒磁区検出装置の概略図を示し、30
はチョツパーであり、40は信号増市器である。 第2図は本発明による第1の実施例の概略図を示し、1
00は変圧器であり、41は信号増巾器である。 第3図は本発明による第2の実施例の概略図を示し、1
01は変圧器であり、42は信号増巾器である。 なお、1,2.3はそれぞれ電源、10,11,12,
13,14はそれぞれ磁気抵抗検出素子である。
FIG. 1 shows a schematic diagram of a conventional cylindrical magnetic domain detection device, with 30
is a chopper, and 40 is a signal increaser. FIG. 2 shows a schematic diagram of a first embodiment according to the invention, 1
00 is a transformer, and 41 is a signal amplifier. FIG. 3 shows a schematic diagram of a second embodiment according to the invention, 1
01 is a transformer, and 42 is a signal amplifier. Note that 1, 2.3 are power supplies, 10, 11, 12,
13 and 14 are magnetoresistive detection elements, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 円筒磁区の浮遊磁界を感知する磁気抵抗検出素子と
、前記磁気抵抗素子に1次価シイルが接続された変圧器
と、前記変圧器の2次側コイルに接続される信号増巾器
と、前記磁気抵抗検出素子に電流を供給する電源とを含
む円筒磁区検出装置。
1. A magnetoresistive detection element that senses a stray magnetic field of a cylindrical magnetic domain, a transformer in which a primary coil is connected to the magnetoresistive element, and a signal amplifier connected to a secondary coil of the transformer; A cylindrical magnetic domain detection device including a power source that supplies current to the magnetoresistive detection element.
JP7621575A 1975-06-20 1975-06-20 Entoujikukenshiyutsusouchi Expired JPS583315B2 (en)

Priority Applications (1)

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JP7621575A JPS583315B2 (en) 1975-06-20 1975-06-20 Entoujikukenshiyutsusouchi

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JPS51151033A JPS51151033A (en) 1976-12-25
JPS583315B2 true JPS583315B2 (en) 1983-01-20

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JP7621575A Expired JPS583315B2 (en) 1975-06-20 1975-06-20 Entoujikukenshiyutsusouchi

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JP (1) JPS583315B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6066585U (en) * 1983-10-14 1985-05-11 三菱自動車工業株式会社 air scoop

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6066585U (en) * 1983-10-14 1985-05-11 三菱自動車工業株式会社 air scoop

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JPS51151033A (en) 1976-12-25

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