JPS5829589B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

Info

Publication number
JPS5829589B2
JPS5829589B2 JP50004881A JP488175A JPS5829589B2 JP S5829589 B2 JPS5829589 B2 JP S5829589B2 JP 50004881 A JP50004881 A JP 50004881A JP 488175 A JP488175 A JP 488175A JP S5829589 B2 JPS5829589 B2 JP S5829589B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency power
excitation
frequency
heating chamber
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP50004881A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5180039A (ja
Inventor
虎雄 永井
卯一郎 佐々木
幾郎 市坪
照夫 及川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP50004881A priority Critical patent/JPS5829589B2/ja
Publication of JPS5180039A publication Critical patent/JPS5180039A/ja
Publication of JPS5829589B2 publication Critical patent/JPS5829589B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高周波加熱装置の改良に係わり、特に固体高周
波電力モジュールによる3点励振を用いて比較的高効率
で均一な加熱を可能にしようとするものである。
従来より高周波加熱においては高周波電力源としてマグ
ネトロンを用い、その発生高周波電力を食品等の被加熱
物を収容する直方体状の加熱室内に導入加熱する方法が
一般的に採用されている。
このような高周波加熱に際しては加熱むらが重要な問題
点となるので、その対策として現用の高周波加熱装置で
は電磁波を攪拌するスタラファン。
被加熱物を回転させるターンテーブル等が加熱室内に設
置されている。
しかしこのような対策にもかかわらず被加熱物の温度の
均一化は充分に達成されているとはいえない。
またかかる対策手段を施すことは機構の複雑化、高価格
化を招来し好ましくない。
一方晶周波電力源としてのマグネトロンの動作電圧が数
千ボルトの高電圧であるために、電源部の大形化と安全
性との見地から問題がある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされ、均一加熱に秀れて
安全性が高く、かつ小形軽量な高周波加熱装置を提供し
ようとするものである。
一般に均一な高周波加熱を行なうには、多数の高周波電
力源を加熱室の壁土に分散配置して室内を励振するのが
効果的であるが、このような構成を採るには数十〜数百
ワットの比較的小形な電力源が要求される。
しかしこの高周波電力源をマグネトロンとするのは、マ
グネトロンが小形でないこと、出力電力が大き過ぎるこ
と等で適当とはいえない。
そこでトランジスタ、FET等の固体能動素子を用いた
高周波発振器、高周波増幅器等から成る電力源を用いる
のが有利である。
それは固体能動素子を用いた高周波回路が固体高周波電
力モジュールとして小形軽量に製作できてその出力も上
述した水準のものが得られるからである。
しかし複数励振の際には各高周波電力モジュール間の高
周波電力による相互作用が大きな問題となる。
すなわち原理的にはすべての高周波電力モジュールは加
熱室を介して相互にカップルされてあって外乱電力の影
響を受けることになる。
一般に固体高周波能動素子はこの外乱電力に対しては弱
体であるため、用いる固体高周波電力モジュール間のカ
ップリングが強い場合には、その効率。
性能の劣化をもたらし、ひいてはその破壊の原因ともな
る。
したがって複数励振方式の実用に際しては、この点で制
約を受けることとなり、当然高周波電力モジュール間相
互にある程度のデカップリングが得られるように励振部
の位置と数とを定めなければならない。
そこでかかる高周波電力モジュール間相互のデカップリ
ング値を次のような実験により種々の状態において測定
することにした。
すなわち第1図に示すように例えば330X260X2
63間の直方体状加熱室Oの台壁にそれぞれ複数個の励
振部を分散配置する。
第2図の加熱室展開図からも判るように土壁Aに第1.
第2励振部を、奥壁Bに第3、第4.第5励振部を、右
側、左側壁C1゜Dにそれぞれ第6.第7および第8.
第9励振部を設置する。
かかる加熱室で励振周波数を2450MH2とし、水1
1を負荷として収納した場合の各励振部相互のデカップ
リング値を測定したところ、次表に示すような結果が得
られた。
この表から判るように、同一壁土の励振部間相互のデカ
ップリング値および対向する左右側壁上の励振部間相互
のデカップリング値は表の太線枠で示すようにほぼ6d
B以下であるので、高周波電力モジュールの効率的な安
定動作が期待できない。
これに対して土壁、奥壁、およびいずれか一方の側壁お
のおのにおける任意の1個の励振部を1組とするときは
何れの場合もデカップリング値は表から判るようにほぼ
7dB以上であることが容易に判る。
従って例えば第3図に示すように加熱室の上壁A、奥壁
B、右側壁Cに1個づつ励振器a、b、cを分散配置す
れば、高周波電力モジュールを構成する固体能動素子そ
の他回路素子の動作はカップリングによってほとんど悪
影響を受けることがないから、3点励振でも単一励振の
場合とほぼ同程度の効率、安定性を保ちつつより均一な
加熱が可能となる。
上記より明らかなように本発明においては良好なデカッ
プリングが得られる加熱室壁土の3点から励振を行なう
ように構成されているから、複数励振の際の高周波電力
モジュール間の好ましからぬ悪影響は回避され、複数励
振の特徴である均一加熱の利点を損なうことなく、固体
高周波電力モジュールによる3点励振が可能となるもの
である。
いうまでもなく固体能動素子は例えば20〜30■の低
電圧で動作が可能であり、そのため従来のマグネトロン
の場合に比して安全性が改善される。
また同時に高圧トランス等も不要となるので小形軽量化
も可能となる。
要するに本発明によって安全性が高く均一加熱に秀れ、
しかも小形軽量な高周波加熱装置が実現できるものであ
る。
なお本発明において使用する加熱室は第1図。
第2図に示すような扁平同のみの直方体状のものに限ら
ず第4図に示すように彎曲面を含む直方体状のものでも
さしつかえない。
また使用する固体高周波電力モジュールは第5図a =
dに例示するように単体の発振器O8Cでも、これに
増幅器AMPを組合せたものでもよく、また共通の発振
器に増幅器を組合せたものでもさしつかえないのは勿論
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は多数励振形の直方体状加熱室の斜視図で第2図
はその展開図、第3図は本発明に係わる3点励振形の直
方体状加熱室の斜視図、第4図は本発明において使用さ
れる彎曲面を含む直方体状加熱室の斜視図、第5図a
= dは本発明において使用される高周波電力モジュー
ルの簡略回路構成図である。 1〜9・・・・・・加熱室台壁の励振部、a、b、c・
・・・・・加熱室上壁A、奥壁B、右側壁Cにおける単
一の励振部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 13台の固体高周波電力モジュールを備え、それらの高
    周波電力をそれぞれ直方体状加熱室の土壁、奥壁および
    左右側壁のいずれか一方の各単−の励振部から放射励振
    させることを特徴とする高周波加熱装置。
JP50004881A 1975-01-10 1975-01-10 高周波加熱装置 Expired JPS5829589B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50004881A JPS5829589B2 (ja) 1975-01-10 1975-01-10 高周波加熱装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50004881A JPS5829589B2 (ja) 1975-01-10 1975-01-10 高周波加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5180039A JPS5180039A (ja) 1976-07-13
JPS5829589B2 true JPS5829589B2 (ja) 1983-06-23

Family

ID=11596006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50004881A Expired JPS5829589B2 (ja) 1975-01-10 1975-01-10 高周波加熱装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5829589B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5326582U (ja) * 1976-08-14 1978-03-07
FR2854022A1 (fr) * 2003-04-16 2004-10-22 Rimm Technologies Corp N V Dispositif a micro-ondes ou a radio-frequences comprenant trois generateurs decouples

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5124600Y2 (ja) * 1972-12-13 1976-06-23

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5180039A (ja) 1976-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3670134A (en) Microwave oven no-load sensor
Choi et al. Experimental investigation of a high power, two-cavity, 35 GHz gyroklystron amplifier
GB1233030A (ja)
JPS5826487A (ja) 高周波加熱器
JPS5829589B2 (ja) 高周波加熱装置
US3557333A (en) Solid state microwave oven
MacAdam et al. Fine structure of Rydberg states. III. New measurements in D, F, and G states of He 4
US3739225A (en) Microwave magnetron
JPS61294789A (ja) 高周波加熱装置
Abramovich et al. Measurements and simulation of the radiation build-up process in a prebunched free-electron maser oscillator
Churilova et al. Potentials of the clinotron for high-power high-frequency generation
Shrader et al. The 267 MHz High Power CW Klystrode® Amplifier
JPH0626269B2 (ja) ガスレ−ザ装置
Andresen et al. Line shapes of resonant harmonic frequency generation in ruby
JPS5954191A (ja) 高周波加熱装置
Scarpa et al. A 2.5 kW, low cost 352 MHz solid state amplifier for CW and pulsed operation
Otake et al. Cavity combiner for S-band solid-state amplifier for the high-power klystron at SLAC
KR890006156Y1 (ko) 전자 레인지의 전자파 가열장치
Schulze et al. Rf control of superconducting helically loaded cavities
JPS5954193A (ja) 高周波加熱装置
Samsonov et al. Gyro-TWTs and gyro-BWOs with helically corrugated waveguides
Shrader et al. High power CW klystrode amplifier for 267 MHz
Chae et al. The Status of a 1.6-cell Photocathode RF Gun at PAL
BR102020012185A2 (pt) dispositivo para aquecimento de um material através de micro-ondas, sistema para aquecimento de um material através de micro-ondas, e método para aquecimento de um material através de micro-ondas
Walker The use of injection locked magnetrons as a source microwave processing applications