JPS5829560B2 - イオン化式煙感知器の信号処理回路 - Google Patents
イオン化式煙感知器の信号処理回路Info
- Publication number
- JPS5829560B2 JPS5829560B2 JP14873478A JP14873478A JPS5829560B2 JP S5829560 B2 JPS5829560 B2 JP S5829560B2 JP 14873478 A JP14873478 A JP 14873478A JP 14873478 A JP14873478 A JP 14873478A JP S5829560 B2 JPS5829560 B2 JP S5829560B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- circuit
- comparator
- signal processing
- smoke detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Fire-Detection Mechanisms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン化式煙感知器の信号処理回路に関する
ものである。
ものである。
従来イオン化式煙感知器は、イオンチャンバーに方形波
電圧を印加しているが、イオンチャンバーがコンデンサ
的構造の為方形波電圧の立ち下がり、立ち上がり時に出
力信号に重畳してスパイク電圧が発生するという問題が
あった。
電圧を印加しているが、イオンチャンバーがコンデンサ
的構造の為方形波電圧の立ち下がり、立ち上がり時に出
力信号に重畳してスパイク電圧が発生するという問題が
あった。
そのため従来回路ではこのスパイク電圧の補償のための
調整を要するという欠点があった。
調整を要するという欠点があった。
また従来の信号の監視は常時行なっているため連続的な
ノイズが入力した場合誤報するという信頼性に欠ける欠
点があった。
ノイズが入力した場合誤報するという信頼性に欠ける欠
点があった。
本発明は上述の欠点に鑑みて、為したもので、その目的
とするところはイオンチャンバーによって発生するスパ
イク電圧をカットすることによって信号処理を容易にし
かつ信号の大きさをパルス的にチェックすることによっ
てノイズ等に対する信頼性の向上を計ったイオン化式煙
感知器の信号処理回路を提供するにある。
とするところはイオンチャンバーによって発生するスパ
イク電圧をカットすることによって信号処理を容易にし
かつ信号の大きさをパルス的にチェックすることによっ
てノイズ等に対する信頼性の向上を計ったイオン化式煙
感知器の信号処理回路を提供するにある。
以下本発明を実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図を示す。
発振回路１は発振出力を波形発生回路２へ入力するよう
になっており、波形発生回路２は発振回路１の出力信号
を基にして第２図ａに示すようなイオンチャンバー３に
印加する方形波電圧と、この方形波電圧に対して第２図
すに示す逆電圧とを夫々出力端Ａ、Ｂから得るとともに
第２図ｄに示すように第２図ａの方形波の立下がりより
やや前の時点で立上がり時点を有し、方形波と同一時点
で立下がる信号を出力端りより得る。
になっており、波形発生回路２は発振回路１の出力信号
を基にして第２図ａに示すようなイオンチャンバー３に
印加する方形波電圧と、この方形波電圧に対して第２図
すに示す逆電圧とを夫々出力端Ａ、Ｂから得るとともに
第２図ｄに示すように第２図ａの方形波の立下がりより
やや前の時点で立上がり時点を有し、方形波と同一時点
で立下がる信号を出力端りより得る。
イオンチャンバー３は放射線源３ａより放射する放射線
によって電極間に１・話時イオン電流が流れており、煙
が侵入する際に生じる電流変化によって煙を検出し、そ
の検出信号を増幅器４にて増幅する。
によって電極間に１・話時イオン電流が流れており、煙
が侵入する際に生じる電流変化によって煙を検出し、そ
の検出信号を増幅器４にて増幅する。
増幅器４は出力を抵抗Ｒ１と電界効果型トランジスタＦ
ＥＴ１を介してコンパレータ５の反転入力端に接続する
とともに、電界効果型トランジスタＦＥＴ２を介して接
地しており、電界効果型トランジスタＦＥＴ２は波形発
生回路２の出力端Ｂにゲートを接続し、電効果型トラン
ジスタＦＥＴ１は出力端りにゲートを接続しである。
ＥＴ１を介してコンパレータ５の反転入力端に接続する
とともに、電界効果型トランジスタＦＥＴ２を介して接
地しており、電界効果型トランジスタＦＥＴ２は波形発
生回路２の出力端Ｂにゲートを接続し、電効果型トラン
ジスタＦＥＴ１は出力端りにゲートを接続しである。
コンパレータ５は電源ＶＤＤを抵抗Ｒ２，Ｒ３にて分圧
してその分圧電圧を基準電圧として非反転入力端に入力
するとともに、動作用の電源ＶＤＤを電界効果型トラン
ジスタＦＥＴ３を介して接続しており、この電界効果型
トランジスタＦＥＴ３はゲートを波形発生回路２の出力
端りに接続しである。
してその分圧電圧を基準電圧として非反転入力端に入力
するとともに、動作用の電源ＶＤＤを電界効果型トラン
ジスタＦＥＴ３を介して接続しており、この電界効果型
トランジスタＦＥＴ３はゲートを波形発生回路２の出力
端りに接続しである。
しかして抵抗Ｒ１、電界効果型トランジスタＦＥＴ１．
ＦＥＴ２並びに波形発生回路２によってサンプリング回
路を構成する。
ＦＥＴ２並びに波形発生回路２によってサンプリング回
路を構成する。
かくして増幅器４の出力端に発生する信号は波形発生回
路２の出力端Ｂに発生する信号に同期してオンオフする
電界効果型トランジスタＦＥＴ２に制御されて出力する
こととなって、イオンチャンバー３に印加される方形波
電圧の立下がりで生じるスパイク電圧が除去された第２
図Ｃの波形の信号となる。
路２の出力端Ｂに発生する信号に同期してオンオフする
電界効果型トランジスタＦＥＴ２に制御されて出力する
こととなって、イオンチャンバー３に印加される方形波
電圧の立下がりで生じるスパイク電圧が除去された第２
図Ｃの波形の信号となる。
この信号は更に波形発生回路２の出力端りに生じる信号
に同期してオンオフする電界効果型トランジスタＦＥＴ
、にサンプリングされ、第２図ｅのような波形の信号と
してコンパレータ５の反転入力端に入力する。
に同期してオンオフする電界効果型トランジスタＦＥＴ
、にサンプリングされ、第２図ｅのような波形の信号と
してコンパレータ５の反転入力端に入力する。
一方コンパレータ５の電源ＶＤＤは電界効果型トランジ
スタＦＥＴ１と同期してオンオフする電界効果型トラン
ジスタＦＥＴ３によって第２図ｇのように制御されるた
め、コンパレータ５は反転入力端に入力する信号電圧を
第２図ｆに示す基準電圧とパルス的に比較する。
スタＦＥＴ１と同期してオンオフする電界効果型トラン
ジスタＦＥＴ３によって第２図ｇのように制御されるた
め、コンパレータ５は反転入力端に入力する信号電圧を
第２図ｆに示す基準電圧とパルス的に比較する。
第３図はコンパレータ５の各部の信号波形を示し、同図
ａは入力信号が煙の存否によってそのレベルが上、下し
ているのを示し、１番目、２番目のようにコンパレータ
５の基準電圧のレベルＬより充分高い場合は煙が存在し
ていないときの入力信号、３番目は少ない煙が存在して
いるときの入力信号で基準電圧のレベルＬに近くなって
いる。
ａは入力信号が煙の存否によってそのレベルが上、下し
ているのを示し、１番目、２番目のようにコンパレータ
５の基準電圧のレベルＬより充分高い場合は煙が存在し
ていないときの入力信号、３番目は少ない煙が存在して
いるときの入力信号で基準電圧のレベルＬに近くなって
いる。
また４番目は煙が存在しているときの入力信号で基準電
圧のレベルＬより低くなっている。
圧のレベルＬより低くなっている。
同図すは基準電圧の波形を示し、この基準電圧はＸで示
すようにヒステリシスが存在する。
すようにヒステリシスが存在する。
同図Ｃはコンパレータ５の入力電源ＶＤＤを示す。
同図ｄは同図ａの４番目の入力信号に対応して出力して
いるコンパレータ５の出力信号の波形を示し、この信号
によってスイッチング素子をオンさせそのオン状態を保
持することによって警報信号を発生する。
いるコンパレータ５の出力信号の波形を示し、この信号
によってスイッチング素子をオンさせそのオン状態を保
持することによって警報信号を発生する。
第４図はサンプリング回路とコンパレータ５の反転入力
端との間に積分回路６を設けた別の実施例の一部省略せ
る回路を示す。
端との間に積分回路６を設けた別の実施例の一部省略せ
る回路を示す。
この回路は電界効果型トランジスタＦＥＴ、から出力す
る第５図ｇに示すようなサンプリングされた信号を同図
すの実線で示すように積分し、その積分出力をコンパレ
ータ５の反転入力端へ入力させ同図すの破線で示す基準
電圧とを比較し、同図Ｃのようなコンパレータ５出力を
得るようにしたもので、コンパレータ５出力に遅延効果
を持たしである。
る第５図ｇに示すようなサンプリングされた信号を同図
すの実線で示すように積分し、その積分出力をコンパレ
ータ５の反転入力端へ入力させ同図すの破線で示す基準
電圧とを比較し、同図Ｃのようなコンパレータ５出力を
得るようにしたもので、コンパレータ５出力に遅延効果
を持たしである。
本発明は、上述のように構成してサンプリング回路を設
けであるので、イオンチャンバーの出力に発生するスパ
イク電圧をサンプリングによって除去することができる
ものであって、従来必要であったスパイク補償調整が不
要となり、またコンパレータを用いサンプリングして得
た信号をパルス的にその大きさをチェックするため、ノ
イズ等に対する信頼性が一層向上するという優れた効果
を奏する。
けであるので、イオンチャンバーの出力に発生するスパ
イク電圧をサンプリングによって除去することができる
ものであって、従来必要であったスパイク補償調整が不
要となり、またコンパレータを用いサンプリングして得
た信号をパルス的にその大きさをチェックするため、ノ
イズ等に対する信頼性が一層向上するという優れた効果
を奏する。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は同上の各
部の波形図、第３図は同上のコンパレータの各部の波形
図、第４図は本発明の別の実施例の一部省略せる回路図
、第５図は同上の各部の波形図。 ２は波形発生回路、３はイオンチャンバー、ＦＥＴ１．
ＦＥＴ２．ＦＥＴ３は電界効果型トランジスタ、５はコ
ンパレータである。
部の波形図、第３図は同上のコンパレータの各部の波形
図、第４図は本発明の別の実施例の一部省略せる回路図
、第５図は同上の各部の波形図。 ２は波形発生回路、３はイオンチャンバー、ＦＥＴ１．
ＦＥＴ２．ＦＥＴ３は電界効果型トランジスタ、５はコ
ンパレータである。
Claims (1)
- １ イオンチャンバーに印加する方形波電圧の入力時に
のみイオンチャンバーの出力信号を取出してこの出力信
号中のスパイク電圧を含まない区間のみを抽出するサン
プリング回路と、サンプリング回路から抽出された信号
を入力して基準電圧と比較し出力信号を発生させるコン
パレータとを具備して成ることを特徴とするイオン化式
煙感知器の信号処理回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14873478A JPS5829560B2 (ja) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | イオン化式煙感知器の信号処理回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14873478A JPS5829560B2 (ja) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | イオン化式煙感知器の信号処理回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5574695A JPS5574695A (en) | 1980-06-05 |
| JPS5829560B2 true JPS5829560B2 (ja) | 1983-06-23 |
Family
ID=15459407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14873478A Expired JPS5829560B2 (ja) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | イオン化式煙感知器の信号処理回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829560B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251608A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-09-28 | Fujitsu Ltd | 表面実装型樹脂パッケージ半導体装置 |
-
1978
- 1978-11-30 JP JP14873478A patent/JPS5829560B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5574695A (en) | 1980-06-05 |
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