JPS5828592B2 - Drive circuit for three-layer thin film EL element - Google Patents

Drive circuit for three-layer thin film EL element

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JPS5828592B2
JPS5828592B2 JP51160593A JP16059376A JPS5828592B2 JP S5828592 B2 JPS5828592 B2 JP S5828592B2 JP 51160593 A JP51160593 A JP 51160593A JP 16059376 A JP16059376 A JP 16059376A JP S5828592 B2 JPS5828592 B2 JP S5828592B2
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circuit
thin film
segments
layer thin
drive circuit
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敏弘 大場
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は三層薄膜EL素子をLC直列共振駆動により複
数個のセグメントを点灯させる場合の駆動回路の改良に
係る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a drive circuit for lighting a plurality of segments of a three-layer thin film EL element by LC series resonance driving.

特に本発明は点灯するセグメント数に関係なくLC共振
周波数を一定に保つことができる回路に関する。
In particular, the present invention relates to a circuit that can keep the LC resonant frequency constant regardless of the number of lit segments.

三層薄膜EL素子はガラス等の透明基板に透明電極Y2
O3、S i 3N4のような絶縁薄膜、Mnを0.5
%程度ドープしたZnSのEL薄膜、前記と同様にY2
O3、S i 3N4のような絶縁薄膜、そしてAI等
の背面電極をこの順序で積層して構成される。
A three-layer thin film EL element has a transparent electrode Y2 on a transparent substrate such as glass.
Insulating thin film such as O3, Si 3N4, Mn 0.5
% doped ZnS EL thin film, same as above, Y2
It is constructed by laminating in this order an insulating thin film such as O3, Si3N4, and a back electrode such as AI.

上記2つの絶縁薄膜は約0.2μ771.EL薄膜は0
.5μ扉であり、蒸着法、スパッタリング法等で作られ
る。
The above two insulating thin films are about 0.2μ771. EL thin film is 0
.. It is a 5μ door and is made by vapor deposition, sputtering, etc.

三層薄膜EL素子はこのように透明電極と背面電極の間
に極めて薄く且つ高誘電率の絶縁層で挾まれたEL薄膜
を介在させるものであるから、等価的にかなり大きな容
量成分を持つ素子と考えられる。
Since a three-layer thin film EL element has an EL thin film sandwiched between an extremely thin and high dielectric constant insulating layer between a transparent electrode and a back electrode, it is an element that equivalently has a fairly large capacitive component. it is conceivable that.

この容量成分を積極的に利用し、三層薄膜EL素子の外
部回路にインダクタンス成分(コイル)を直列に接続し
、この容量成分とインダクタンス成分とによるLC直列
共振回路によって電源電圧を三層薄膜EL素子の発光電
圧より低減して駆動することができる。
By actively utilizing this capacitance component, an inductance component (coil) is connected in series to the external circuit of the three-layer thin film EL element, and the power supply voltage is applied to the three-layer thin film EL element by an LC series resonant circuit made up of this capacitance component and inductance component. It can be driven at a lower voltage than the light emitting voltage of the device.

第1図に三層薄膜EL素子の容量Ceを用いたLC直列
共振回路図を示し、これの動作の説明を行う。
FIG. 1 shows a diagram of an LC series resonant circuit using a capacitance Ce of a three-layer thin film EL element, and its operation will be explained.

一般に直列共振回路における共振周波数1は次式で与え
られる。
Generally, the resonant frequency 1 in a series resonant circuit is given by the following equation.

ここでLはコイルのインダクタンス、coは全容量であ
る。
Here, L is the inductance of the coil, and co is the total capacitance.

またこの回路の尖鋭度Q値は次式で表わされる。Further, the sharpness Q value of this circuit is expressed by the following equation.

ここで、Rは共振回路の抵抗分である。Here, R is the resistance of the resonant circuit.

直列共振回路に共振周波数に等しい周波数をもち互いに
1800位相のずれた励振パルスをトランジスターQ□
、Q2の入力端子A及びBに加え直列共振回路に起電力
±Eを加えたときのコンデンサーの端子電圧Ecは次式
のようになる。
Transistor Q
, Q2's input terminals A and B, and when an electromotive force ±E is applied to the series resonant circuit, the terminal voltage Ec of the capacitor is given by the following equation.

従って共振時は式(2)を式(3)に代入して、次のよ
うになる。
Therefore, at the time of resonance, by substituting equation (2) into equation (3), the following equation is obtained.

c は すなわちIEclは加えた電圧EのQ倍となる。c. teeth That is, IEcl is Q times the applied voltage E.

従って、電源電圧は表示に必要な電圧の1/Q倍でよい
ことになる。
Therefore, the power supply voltage may be 1/Q times the voltage required for display.

なお第1図において、1は容量Ceを持つ薄膜EL素子
、2はコイル、5及び6は保護ダイオードである。
In FIG. 1, 1 is a thin film EL element having a capacitance Ce, 2 is a coil, and 5 and 6 are protection diodes.

また、第2図に第1図の各点での電圧波形及びEL素子
の発光波形タイムチャートを示す。
Further, FIG. 2 shows a voltage waveform at each point in FIG. 1 and a time chart of the light emission waveform of the EL element.

第2図a、bはそれぞれトランジスタQl 。Q2の
入力端子A及びBへの入力波形、同CはEL素子の電極
Cの電圧波形、dはEL素子の発光波形を示す。
Figures 2a and 2b are transistors Ql, respectively. Input waveforms to input terminals A and B of Q2, C shows the voltage waveform of electrode C of the EL element, and d shows the light emission waveform of the EL element.

ところで、ひとつのコイルを用いてEL上セグメント選
択的に接続させる場合、例えば7セグメント(日の字型
)で表示する場合、表示する数字によって接続するセグ
メント数は当然具なってくる。
By the way, when selectively connecting segments on the EL using one coil, for example when displaying 7 segments (Japanese character shape), the number of segments to be connected naturally depends on the number to be displayed.

この為LC共振周波数は(1)式より明らかな如く変化
し、ある一定の周波数で外部から励振すると接続するセ
グメント数により、共振条件からはずれ、表示に必要な
電圧値がとれなくなり不都合を生じる。
For this reason, the LC resonance frequency changes as is clear from equation (1), and when externally excited at a certain constant frequency, depending on the number of connected segments, it deviates from the resonance condition and the voltage value required for display cannot be obtained, causing a problem.

上記欠点を除(回路を本件発明者等は2つ特許出願して
いる。
The inventors have filed two patent applications for circuits that eliminate the above drawbacks.

1つは特願昭51−108032号「三層薄膜EL素子
の駆動方法」であり第3図に示し、他は特願昭51−1
12256号「薄膜EL素子の駆動装置」であり第4図
に示す。
One is Japanese Patent Application No. 108032/1983 ``Method for Driving Three-Layer Thin Film EL Element'' and is shown in Figure 3; the others are Japanese Patent Application No. 1983-1
No. 12256 ``Driving device for thin film EL element'' and is shown in FIG.

第3図の場合は、ELの1セグメント当りの容量Ceと
比べて、十分大きい容量をもつコンデンサー7をEL上
セグメント−1,・・・・・・、8−nに並列に接続し
、トランジスター10−1.・・・・・・。
In the case of Fig. 3, a capacitor 7 having a sufficiently large capacity compared to the capacitance Ce per segment of the EL is connected in parallel to the upper EL segments -1, . . . , 8-n, and the transistor 10-1. .......

10−n及びダイオード11−1.・・・・・・、11
nによってEL素子を選択的に接続し、接続数が異なる
場合にも容量の変化量の割合を少なくし、共振周波数を
ほぼ一定に保ちえる駆動回路である。
10-n and diode 11-1. ......, 11
This is a drive circuit that selectively connects EL elements by n, reduces the rate of change in capacitance even when the number of connections differs, and keeps the resonant frequency almost constant.

また第4図においては、EL素子の容量Ceとほぼ等し
い容量をもつコンデンサー18−1 、・・・”・、1
8nをEL素子16−1、−・・、 16−nと相対し
て並列に接続し、トランジスター21−1、・・・・・
・、 21−nあるいは22−1 、・・・・・・。
In addition, in FIG. 4, capacitors 18-1, .
8n are connected in parallel opposite to the EL elements 16-1, . . . , 16-n, and the transistors 21-1, .
・, 21-n or 22-1,...

22−nによって、EL素子の側のトランジスターをオ
ンにする場合はコンデンサーの側のトランジスターをオ
フにし、EL素子の側のトランジスタをオフにする場合
はコンデンサーの側のトランジスターをオンすることに
よって共振回路の合計容量を一定に保ち、共振周波数を
一定に保つ方法である。
22-n, when turning on the transistor on the EL element side, turn off the transistor on the capacitor side, and when turning off the transistor on the EL element side, turning on the transistor on the capacitor side, thereby creating a resonant circuit. This method keeps the total capacitance constant and the resonant frequency constant.

なお第3図、第4図において、14,28は励振パルス
駆動回路、2,15はコイル 11−1゜・・・・・・
、11−n、24−1.・・・・・・、24−n、22
5−1 、・・・・・・、25−nは一方向接続の為の
ダイオードである。
In addition, in FIGS. 3 and 4, 14 and 28 are excitation pulse drive circuits, 2 and 15 are coils 11-1°...
, 11-n, 24-1. ......, 24-n, 22
5-1, . . . , 25-n are diodes for one-way connection.

これら二つの駆動回路は前述の如く、共振周波数を一定
にする為の補償コンデンサーを付加するものであり、共
振周波数を一定にし、共振時にEL素子に加わる電圧を
一定にする目的は達せられるが容量負荷を大きくする為
、励振パルス駆動部の負担を大きくしたりあるいは(2
)式で示されるQ値を低下させる欠点をもっていた。
As mentioned above, these two drive circuits add a compensation capacitor to keep the resonant frequency constant, and although the purpose of keeping the resonant frequency constant and the voltage applied to the EL element at the time of resonance constant is achieved, the capacitance is In order to increase the load, the load on the excitation pulse drive section may be increased or (2
) had the disadvantage of lowering the Q value shown by the formula.

本発明は以上のような各問題を解決するものであり、本
発明は複数個のセグメントを1単位として、セグメント
の全数がN、 1組のセグメント数がnとするとき、
Nの周期で順次選択セグメントを駆動するものである。
The present invention solves the above-mentioned problems, and the present invention uses a plurality of segments as one unit, and when the total number of segments is N and the number of segments in one set is n,
The selected segments are sequentially driven at N cycles.

第5図は本発明の7セグメントを駆動する駆動回路をブ
ロック図で示し、テンキーボード29、エンコーダ30
、ランチ回路31.BcDt7セグメントデコーダ32
、励振パルス発生器33、n段の分周回路34.4相ゲ
ートパルス35、モノステーブル36、フリップフロッ
プ37、ゲート38、ゲート39、スイッチS1〜S8
の回路40、共振駆動回路41、よりなる。
FIG. 5 shows a block diagram of a drive circuit for driving the seven segments of the present invention, including a ten-key keyboard 29, an encoder 30,
, launch circuit 31. BcDt7 segment decoder 32
, excitation pulse generator 33, n-stage frequency dividing circuit 34.4-phase gate pulse 35, monostable 36, flip-flop 37, gate 38, gate 39, switches S1 to S8
It consists of a circuit 40 and a resonance drive circuit 41.

第6図は第5図の部分42の詳細な回路図である。FIG. 6 is a detailed circuit diagram of portion 42 of FIG.

ラッチ回路31はテンキーボード29の数字信号を2進
コードを保持する回路で、BCDtc 7セグメント
デコーダー32、及びゲート回路により信号出力a −
hを得る。
The latch circuit 31 is a circuit that holds the numerical signals of the numeric keyboard 29 in binary code, and outputs the signal a - by the BCDtc 7 segment decoder 32 and the gate circuit.
get h.

第7図は第5図の部分43の詳細な回路図である。FIG. 7 is a detailed circuit diagram of portion 43 of FIG.

分周回路34により、励振パルス発生器33からの周波
数21のパルス信号を土に分周してn 4bitパラレル出力シフトレジスター35に入力し、
4相ゲートパルス■〜■を作る。
The frequency dividing circuit 34 divides the pulse signal with a frequency of 21 from the excitation pulse generator 33 and inputs it to the n 4-bit parallel output shift register 35.
Create 4-phase gate pulses ■~■.

リセットスイッチR8はシフトレジスター35の出力を
初Xll]状態に戻す役目をする。
The reset switch R8 serves to return the output of the shift register 35 to the initial Xll] state.

第8図は第5図の部分44の詳細な回路図である。FIG. 8 is a detailed circuit diagram of portion 44 of FIG.

励振パルス33はパルス幅可変回路36とフリップフロ
ップ回路31に入力される。
The excitation pulse 33 is input to a variable pulse width circuit 36 and a flip-flop circuit 31.

上記回路36と37のQ、Q出力はゲート回路38に入
力されて、互いに位相が1800ずれた信号Sig、
1及びSig、2となる。
The Q and Q outputs of the circuits 36 and 37 are input to the gate circuit 38, and a signal Sig whose phase is shifted by 1800,
1 and Sig, 2.

第9図は第5図のゲート回路45の詳細を示す。FIG. 9 shows details of the gate circuit 45 of FIG. 5.

この回路は第6図に示す部分からのデコーダ出力信号a
−hと第7図に示す部分からの4相ゲ一ト信号■〜■の
タイミングをとる状態を示し、各セグメントに接続され
たスイッチのオン−オフ動作を行なわせる信号を出力す
る。
This circuit receives the decoder output signal a from the section shown in FIG.
-h and the timing of the four-phase gate signals (1) to (4) from the section shown in FIG.

81〜S8は各スイッチへの接続を示す。81 to S8 indicate connections to each switch.

第10図は第5図の部分46のやや模式的な回路図を示
し、三層薄膜ELの各セグメントをコンデンサー43〜
49とみなして、コンデンサーの※※記号で表わし、そ
れらコンデンサーとスイッチの接続関係図である。
FIG. 10 shows a somewhat schematic circuit diagram of the portion 46 in FIG.
49, and is represented by the * symbol of a capacitor, and the connection relation diagram of those capacitors and a switch is shown.

第11図はその詳細な回路図を示す。FIG. 11 shows its detailed circuit diagram.

42はコイル 43〜49は該薄膜EL素子の各セグメ
ントa〜gの電気容量を、50は外部に接続した該薄膜
ELの1セグメントの電気容量Ceにほぼ等しいコンデ
ンサーである。
42 is a coil; 43 to 49 are capacitances of each segment a to g of the thin film EL element; and 50 is a capacitor approximately equal to the capacitance Ce of one segment of the thin film EL connected to the outside.

(表示セグメント数が偶数の場合は不要である)。(Not required if the number of display segments is even).

51〜58は切換スイッチ81〜S8を示す。51 to 58 indicate changeover switches 81 to S8.

59〜62は共振駆動回路のスイッチング用トランジス
ター、63,64は逆流防止用ダイオード、65〜72
は一方向印加用ダイオードである。
59 to 62 are switching transistors of the resonance drive circuit, 63 and 64 are backflow prevention diodes, and 65 to 72
is a unidirectional application diode.

本発明の2セグメントを1組の負荷として点灯させる場
合の1桁(Decimal pointを除く)で00
〜9の数字におけるR周期の4相ゲ一トパルス信号とス
イッチ信号81〜S8のタイミングの関係を第1表に示
す。
00 in one digit (excluding decimal point) when lighting two segments of the present invention as one set of load.
Table 1 shows the relationship between the timings of the R-cycle four-phase gate pulse signals and the switch signals 81 to S8 in numbers 9 to 9.

hはコンデンサーで点灯に関係なく、したがって数字■
6“を除いて常に4タイミングでON状態にある。
h is a capacitor, regardless of whether it is lit or not, so the number ■
It is always in the ON state at 4 timings except for 6".

第12図aに表示論理駆動回路のタイムチャートを示す
FIG. 12a shows a time chart of the display logic driving circuit.

例として′X3“の数字表示例を示す。Aは2fの周波
数の励振パルス信号、B、Cは第8図の回路37のQ、
Q信号、D、Eは第8図のSig、 1.51g2であ
る。
As an example, a numerical display example of 'X3'' is shown. A is an excitation pulse signal with a frequency of 2f, B and C are Q of the circuit 37 in FIG.
The Q signals, D and E are Sig, 1.51g2 in FIG.

Fは回路34の分周出力でここでは周波数L G−Jは
第1図の回路4ゝ 35の並列出力信号、K−Rは数字XX3“の場合の第
6図のデコーダー32及びゲート出力a −h信号を示
す。
F is the frequency divided output of the circuit 34, here the frequency L, G-J is the parallel output signal of the circuits 4 and 35 in FIG. 1, and K-R is the decoder 32 and gate output a in FIG. -h signal is shown.

S−zは第9図の各ゲートのタイミング出力信号で夫々
81〜S8に対応する。
S-z is a timing output signal of each gate in FIG. 9, and corresponds to 81 to S8, respectively.

第12図すのa−hは第10図の各セグメン)a−hに
加わる印加電圧波形、周波数はfである。
In FIG. 12, a to h are applied voltage waveforms applied to each segment (a to h) in FIG. 10, and the frequency is f.

数字ゝゝ3“の場合で、第1タイミングでセグメントa
In the case of number ゝゝ3'', segment a at the first timing
.

dが点灯、次の第2タイミングでセグメント数。d lights up, and the number of segments is displayed at the next second timing.

Cが点灯、第3タイミングではどのセグメントも点灯し
ない。
C lights up, and at the third timing, no segment lights up.

第4タイミングでセグメントgが点灯。Segment g lights up at the fourth timing.

なお薄膜ELの発光周期は2fである。以下順次繰返し
点灯を行なう。
Note that the light emission period of the thin film EL is 2f. The lighting is then repeated in sequence.

他の数字に対しても同様の過程で点灯させることができ
る。
Other numbers can also be lit using the same process.

第1表及び第12図に示したように外部から挿入したコ
ンデンサー50の0N−OFF接続により、直列LC共
振回路の負荷容量は表示する数字の如何にかかわらずほ
ぼ一定に保たれることになる。
As shown in Table 1 and Figure 12, the load capacity of the series LC resonant circuit is kept almost constant regardless of the number displayed by the 0N-OFF connection of the capacitor 50 inserted from the outside. .

三層薄膜EL素子の発光時の損失はLに比して十分小さ
いので、したがって共振条件はほぼ満足され、一定の共
振周波数で、はぼ均一な明るさで表示点灯することがで
きる。
Since the loss during light emission of the three-layer thin film EL element is sufficiently smaller than that of L, the resonance condition is almost satisfied, and the display can be lit with almost uniform brightness at a constant resonance frequency.

また本発明では複数個のセグメントを単位として駆動す
るから、駆動周期は1セグメント毎に順次、駆動するも
のに比べて大きくなり、従って点灯時間が長くなり平均
輝度が向上する。
Further, in the present invention, since a plurality of segments are driven as a unit, the driving cycle is longer than that in a case where each segment is driven one after another, so that the lighting time becomes longer and the average luminance improves.

または同一平均輝度である場合には薄膜EL素子の印加
電圧を低くすることができる。
Alternatively, if the average luminance is the same, the voltage applied to the thin film EL element can be lowered.

本発明では共振回路は常に2セグメント数の電気容量の
みに接続されることになるので、共振回路の容量負荷も
太き(ならず、したがって回路のQ値をさほど損うこと
なく駆動できるので電源電圧を大きくする必要がなくな
る。
In the present invention, since the resonant circuit is always connected to only two segments of electrical capacitance, the capacitive load of the resonant circuit is also thick (not large), and therefore the circuit can be driven without significantly deteriorating the Q value. There is no need to increase the voltage.

更に本発明はダミーコンデンサを負荷としないから無駄
な電力消費が少なち・。
Furthermore, since the present invention does not use a dummy capacitor as a load, unnecessary power consumption is reduced.

なお本発明は7セグメント日の字型に限らす、セグメン
ト数、表示パターンの異なる場合においても適用できる
ことは言うまでもない。
It goes without saying that the present invention is not limited to the 7-segment diagonal shape, but can also be applied to cases where the number of segments and display patterns are different.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は三層薄膜EL素子のLC共振回路の一例、第2
図は第1図の共振回路の各点での電圧波形、及びEL素
子の発光波形のタイムチャート、第3図は先願発明の共
振周波数補償回路例、第4図は他の先願発明の共振周波
数補償回路の一例、第5図は本発明の一実施例の駆動回
路のブロックダイヤグラム、第6図、第7図、第8図、
第9図、第10図、第11図は第5図の各部分の詳細な
回路図、第12図a、bは第5図の電圧波形のタイムチ
ャートである。 32はBCDto 7 セグメントデコータ、34は分
周回路、35は4相ゲートパルス、39はケート回路、
42はコイル、43〜49は薄膜EL素子の1セグメン
ト、50はコンデンサ、51〜58はスイッチ。
Figure 1 is an example of the LC resonant circuit of a three-layer thin film EL element,
The figure shows a time chart of the voltage waveform at each point of the resonant circuit in Fig. 1 and the emission waveform of the EL element, Fig. 3 shows an example of the resonant frequency compensation circuit of the earlier invention, and Fig. 4 shows an example of the other earlier invention. An example of a resonant frequency compensation circuit, FIG. 5 is a block diagram of a drive circuit according to an embodiment of the present invention, FIGS. 6, 7, 8,
9, 10, and 11 are detailed circuit diagrams of each part of FIG. 5, and FIGS. 12a and 12b are time charts of the voltage waveforms of FIG. 5. 32 is a BCDto 7 segment decoder, 34 is a frequency dividing circuit, 35 is a 4-phase gate pulse, 39 is a gate circuit,
42 is a coil, 43 to 49 are one segment of a thin film EL element, 50 is a capacitor, and 51 to 58 are switches.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 三層薄膜EL素子に直列にインダクタンス成分を接
続し、LC直列共振回路により三層薄膜EL素子を駆動
する回路において、文字表示するセグメントの中、複数
個のセグメントを1単位として、該各1単位を順次駆動
し、上記LC直列共振回路の共振周波数を一定に保持す
ることを特徴とする三層薄膜EL素子の駆動回路。
1. In a circuit in which an inductance component is connected in series to a three-layer thin film EL element and the three-layer thin film EL element is driven by an LC series resonant circuit, a plurality of segments among the segments for character display are regarded as one unit, and each of the segments is A driving circuit for a three-layer thin film EL element, characterized in that the units are sequentially driven and the resonant frequency of the LC series resonant circuit is kept constant.
JP51160593A 1976-12-28 1976-12-28 Drive circuit for three-layer thin film EL element Expired JPS5828592B2 (en)

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