JPS5828574B2 - electrostatic recorder - Google Patents

electrostatic recorder

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JPS5828574B2
JPS5828574B2 JP9405878A JP9405878A JPS5828574B2 JP S5828574 B2 JPS5828574 B2 JP S5828574B2 JP 9405878 A JP9405878 A JP 9405878A JP 9405878 A JP9405878 A JP 9405878A JP S5828574 B2 JPS5828574 B2 JP S5828574B2
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JP
Japan
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electrostatic recording
recording material
conductive layer
metal oxide
polymer electrolyte
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JP9405878A
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Japanese (ja)
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JPS5521060A (en
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信雄 園田
亘 下間
繁 粒崎
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はファクシミIJ又は高速度印刷等に用いられる
静電記録体に関し、その目的とするところは、特に耐湿
度特性がすぐれ、かつ白色度が高く記録体としてすぐれ
た自然性を有する静電記録体を提供することにある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an electrostatic recording medium used for facsimile IJ or high-speed printing, etc., and its purpose is to provide an electrostatic recording medium that has excellent humidity resistance, high whiteness, and is excellent as a recording medium. The object of the present invention is to provide an electrostatic recording medium that has natural properties.

従来、静電記録体としては、すでに多くの文献で明らか
なように、紙、プラスチック等の支持体上に10”〜1
011Ωの表面固有抵抗ρ8を有する導電層を設け、さ
らにその上に比抵抗ρが1012Ω偵以上の高誘電体よ
り成る誘電層を設けたものが知られている。
Conventionally, as an electrostatic recording material, as is already clear from many literatures, 10" to 1"
It is known that a conductive layer having a surface resistivity ρ8 of 0.11Ω is provided, and a dielectric layer made of a high dielectric material having a specific resistance ρ of 1012Ω or more is further provided thereon.

この導電層としては、従来、塩化リチウム等の電機電解
質を上質紙に含浸させたものや、高分子第四級アンモニ
ウム塩等のカチオン性高分子電解質や、高分子スルホン
酸塩等のアニオン性高分子電解質を支持体上に塗工した
ものが一般的であった。
Conventionally, this conductive layer is made of high-quality paper impregnated with an electrical electrolyte such as lithium chloride, a cationic polymer electrolyte such as a polymer quaternary ammonium salt, or an anionic polymer such as a polymer sulfonate. Generally, a molecular electrolyte was coated on a support.

しかしながら、このような電解質のイオン伝導を利用し
た導電層においては、そのρ8が周囲の雰囲気湿度に大
きく影響され、特に、相対湿度(−以下%RHで表す)
が20%RH以下の低湿度時には、ρ8が急激に増加す
るため、記録がほとんど不可能となる致命的な欠点を有
するものであった。
However, in such a conductive layer that utilizes ionic conduction of an electrolyte, its ρ8 is greatly affected by the surrounding atmospheric humidity, especially relative humidity (-hereinafter expressed as %RH).
When the humidity is low, such as 20% RH or less, ρ8 increases rapidly, which has a fatal drawback that makes recording almost impossible.

これは、低湿度雰囲気においては、イオン伝導に必要な
水分がうばわれることにより、イオンによる電気伝導が
不可能となるためである。
This is because, in a low-humidity atmosphere, water necessary for ion conduction is evaporated, making electrical conduction by ions impossible.

このようなイオン伝導の欠点を解消するものとして、沃
化第一銅や沃化銀等の電子伝導性の導電材料を導電層に
用いる例が開示されている(特開昭50−159339
号公報、特開昭4830936号公報、USP3245
833)。
In order to solve this drawback of ionic conduction, an example has been disclosed in which an electronically conductive material such as cuprous iodide or silver iodide is used for the conductive layer (Japanese Patent Application Laid-Open No. 159339-1982).
No. 4830936, USP3245
833).

すなわち、電子伝導性の導電材料を用いることにより、
雰囲気湿度の影響を受けることなく、低湿度時において
も記録が可能となるものである。
In other words, by using an electronically conductive material,
It is possible to record even in low humidity without being affected by atmospheric humidity.

しかしながら、この沃化第一銅や沃化銀は着色しており
、又、その電子伝導性は、過剰の沃素に由来するため、
熱的に不安定で、静電潜像をトナーにより現像し、定着
に熱を利用する場合には、沃素を遊離する等の好ましく
ない性質を有するものであった。
However, cuprous iodide and silver iodide are colored, and their electronic conductivity comes from excess iodine.
It is thermally unstable and has unfavorable properties such as liberating iodine when an electrostatic latent image is developed with toner and heat is used for fixing.

このような従来技術に鑑み、本発明者らは、熱的に安定
な電子伝導性導電材料として、金属酸化物半導体を静電
記録体に応用することを検討した結果、特に、ハロゲン
化第−錫もしくは三ハロゲン化アンチモンとの接触処理
により低抵抗化されたn−形金属酸化物半導体の粉末を
結着剤中に分散して導電層を懲戒することにより、きわ
めてすぐれた静電記録体が得られることを見出した。
In view of such prior art, the present inventors investigated the application of metal oxide semiconductors to electrostatic recording materials as thermally stable electronically conductive conductive materials. By dispersing n-type metal oxide semiconductor powder, whose resistance has been lowered through contact treatment with tin or antimony trihalide, in a binder to form a conductive layer, an extremely excellent electrostatic recording material can be produced. I found out what I can get.

すなわち、本発明は特願昭52−134191号におけ
るn−形金属酸化物の低抵抗化方法を、静電記録体に応
用することにより、白色度が高く、記録体としてすぐれ
た自然性を有しており、さらに耐湿度特性のきわめてす
ぐれた静電記録体を提供するものである。
That is, the present invention applies the method for lowering the resistance of n-type metal oxides disclosed in Japanese Patent Application No. 134191/1980 to electrostatic recording materials, thereby producing a recording material that has high whiteness and excellent naturalness as a recording material. Furthermore, the present invention provides an electrostatic recording medium with extremely excellent moisture resistance.

以下、本発明を実施例を用L・ながらさらに詳しく説明
する。
Hereinafter, the present invention will be explained in more detail using examples.

ここでは、比較のために7・ロゲン化第−錫もしくは三
ハロゲン化アンチモンとの接触処理をしないn−形金属
酸化物半導体の粉末を導電材料に用いた静電記録体を比
較例として挙げ、以下の実施例について説明する。
Here, for comparison, an electrostatic recording material using an n-type metal oxide semiconductor powder as a conductive material that is not subjected to contact treatment with tin-7-halide or antimony trihalide is given as a comparative example. The following examples will be described.

n−形金属酸化物半導体としては、数多く知られている
が、本発明の静電記録体を、静電記録紙として用いる場
合は、記録紙の白色度が高く、普※※通紙らしさが必要
であり、この用途のためには、無色ないしは淡色の金属
酸化物が好ましい。
Many n-type metal oxide semiconductors are known, but when the electrostatic recording material of the present invention is used as electrostatic recording paper, the whiteness of the recording paper is high and it does not look like ordinary paper. colorless or light-colored metal oxides are preferred for this application.

具体的にはこのような目的に最適なものとして、二酸化
錫、酸化インジウム、酸化亜鉛等がある。
Specifically, tin dioxide, indium oxide, zinc oxide, etc. are optimal for this purpose.

比較例 1 電子伝導性の金属酸化物半導体の粉末として次のように
用意した。
Comparative Example 1 An electronically conductive metal oxide semiconductor powder was prepared as follows.

市販の二酸化錫に通常のドーピング技術を用いて、五酸
化アンチモンを0.3モルパーセント濃度でドープし、
低抵抗の二酸化錫を得た。
commercially available tin dioxide was doped with antimony pentoxide at a concentration of 0.3 mole percent using conventional doping techniques;
Low resistance tin dioxide was obtained.

又、同様に酸化インジウムには、二酸化錫を10モルパ
ーセント、酸化亜鉛には酸化アルミニラムラ0.5モル
パーセントの濃度でドープした。
Similarly, indium oxide was doped with tin dioxide at a concentration of 10 mol percent, and zinc oxide was doped with aluminum oxide at a concentration of 0.5 mol percent.

得られた粉末0.6′ifを内径が5mmの絶縁性のシ
リンダに入れ、両側より白金電極で70kg/cr7t
の圧力で加圧しながら粉末の比抵抗ρを測定した。
The obtained powder 0.6'if was put into an insulating cylinder with an inner diameter of 5 mm, and a pressure of 70 kg/cr7t was applied from both sides using platinum electrodes.
The specific resistance ρ of the powder was measured while pressurizing at a pressure of .

その結果を第1表にまとめた。The results are summarized in Table 1.

これらの粉末に、結着剤としてポリビニルアルコール(
PVA)、ヒドロキシエチルセルロース(HEC)、ス
チレンーブタジエンコホリマーラテックス(SBR)等
を結着剤として加え、水と共にボールミルで粉砕分散し
、導電層塗料とした。
Polyvinyl alcohol (
PVA), hydroxyethyl cellulose (HEC), styrene-butadiene copolymer latex (SBR), etc. were added as a binder and pulverized and dispersed with water in a ball mill to obtain a conductive layer coating.

この塗料を上質紙上にワイヤバーで塗工して得られた導
電層の表面固有抵抗ρ8を第1表にあわせて示す。
Table 1 also shows the surface resistivity ρ8 of a conductive layer obtained by applying this paint onto high-quality paper using a wire bar.

金属酸化物の種類によりρが異なるが、塗工量を変化さ
せることによってほぼ希望のρ8を備えた導電層を得る
ことが出来る。
Although ρ varies depending on the type of metal oxide, a conductive layer having approximately the desired ρ8 can be obtained by changing the coating amount.

次にこの導電層の上に、次のような組成の誘電層塗料を
乾燥後の平均厚みが3〜4μとなるように調整されたワ
イヤバーで塗工した。
Next, on this conductive layer, a dielectric layer paint having the following composition was applied using a wire bar adjusted so that the average thickness after drying was 3 to 4 microns.

このようにして得られた静電記録体の生地濃度をマクベ
ス反射濃度計で測定したところ、0.13〜0.14で
あり、導電材料のそれぞれの色に従って若干の着色が見
られた。
When the fabric density of the electrostatic recording material thus obtained was measured using a Macbeth reflection densitometer, it was 0.13 to 0.14, and some coloring was observed depending on the color of the conductive material.

又、この静電記録体の記録試験を20℃で湿度が2%R
Hから95%RHまでの雰囲気中で行なったところ、す
べての湿度範囲でほぼ満足な記録が可能であった。
In addition, a recording test of this electrostatic recording medium was conducted at 20°C and a humidity of 2% R.
When the test was carried out in an atmosphere ranging from H to 95% RH, almost satisfactory recording was possible in all humidity ranges.

実施例 1 比較例と同様に、通常のドーピング技術を用いて、二酸
化錫に五酸化アンチモンを0.1モルパーセント、酸化
インジウムに二酸化錫を1モルパーセント、酸化亜鉛に
酸化アルミニウムを0.2モルパーセントの濃度でドー
プした。
Example 1 Similar to the comparative example, 0.1 mole percent of antimony pentoxide to tin dioxide, 1 mole percent of tin dioxide to indium oxide, and 0.2 mole of aluminum oxide to zinc oxide using conventional doping techniques. Doped at a concentration of %.

得られた金属酸化物半導体粉末を、金属酸化物に対して
1モルパーセントのフッ化第−錫を含む水溶液に浸漬し
た。
The obtained metal oxide semiconductor powder was immersed in an aqueous solution containing 1 mol percent of stannous fluoride based on the metal oxide.

その後、数分間攪拌し、ろ過によって金属酸化物※※を
分離し、60℃で2時間乾燥した。
Thereafter, the mixture was stirred for several minutes, the metal oxides** were separated by filtration, and the mixture was dried at 60°C for 2 hours.

このようにして得られた金属酸化物粉末は、ドーパント
の量が少ないため当然のことながら比較例におけるより
も、はるかに白色度が高いものであった。
The metal oxide powder thus obtained had a much higher degree of whiteness than the comparative example, as the amount of dopant was small.

しかし、比抵抗を見ると、第2表に示すとおり、比較例
におけるよりもはるかに低抵抗の粉末が得られるもので
ある。
However, looking at the specific resistance, as shown in Table 2, a powder with much lower resistance than that in the comparative example was obtained.

金属酸化物を浸漬処理する試薬として、ここではフッ化
第−錫を用いたが、その他のハロゲン化第−錫および三
ハロゲン化アンチモン等も同様な低抵抗化の効果を有す
るものであった。
Although stannous fluoride was used here as a reagent for immersion treatment of metal oxides, other tin halides, antimony trihalides, and the like also had a similar effect of lowering resistance.

これらの低抵抗の金属酸化物粉末に結着剤を加え、水と
共にボールミルで粉砕分散し、導電層塗料とした。
A binder was added to these low-resistance metal oxide powders, and the mixture was ground and dispersed with water in a ball mill to form a conductive layer coating.

この塗料を上質紙上にワイヤバーで塗工して得られた導
電層の表面固有抵抗ρ8を第2表にあわせて示す。
Table 2 also shows the surface resistivity ρ8 of the conductive layer obtained by applying this paint onto high-quality paper using a wire bar.

次にこの導電層の上に、比較例で示した誘電層塗料を塗
工し、静電記録体を得た。
Next, the dielectric layer paint shown in the comparative example was applied onto this conductive layer to obtain an electrostatic recording material.

この静電記録体の生地濃度はいずれも0.11〜0.1
2であり、比較例よりもはるかに白色度が高いものであ
った。
The fabric density of this electrostatic recording material is 0.11 to 0.1.
2, and the whiteness was much higher than that of the comparative example.

さらに、第2表から明らかなように、107Ω程度のρ
8を得るための塗工量は、比較例の約半分で十分であり
、このため、記録体としての自然性すなわち厚み、手ざ
わり等もきわめてすぐれたものであった。
Furthermore, as is clear from Table 2, ρ of about 107Ω
Approximately half of the coating amount of the comparative example was sufficient to obtain No. 8, and therefore, the naturalness as a recording medium, that is, the thickness, texture, etc., were also extremely excellent.

又、記録試験においても、はぼすべての湿度範囲(2%
RH〜95%RH)において、同じ記録濃度で鮮明な記
録が可能であった。
Also, in recording tests, all humidity ranges (2%
RH to 95% RH), clear recording was possible at the same recording density.

実施例 2 実施例1においては、導電層の結着剤として、PVA、
HEC,SBR等を用いたが、ここでは、高分子電解質
を用いることにより、さらにすぐれた静電記録体を提供
するものである。
Example 2 In Example 1, PVA,
Although HEC, SBR, etc. were used, here, by using a polymer electrolyte, an even better electrostatic recording material is provided.

高分子電解質としては塩化リチウム等をPVA等の結着
剤中に溶かしこんだものをも広く意味するものであるが
、そのもの自身が結着性を有する点で、前述のカチオン
性およびアニオン性の高分子電解質が適当である。
Polymer electrolytes broadly refer to those in which lithium chloride or the like is dissolved in a binder such as PVA, but in that they themselves have binding properties, they are different from the aforementioned cationic and anionic ones. Polyelectrolytes are suitable.

具体的には、カチオン性の高分子電解質トして、ポリビ
ニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライド(ダウ
ケミカル社のECR)又、アニオン性の高分子電解質と
して、ポリスチレンスルホン酸ソーダ(荒用化学(株)
のAEP−1)等がある。
Specifically, the cationic polymer electrolyte was polyvinylbenzyltrimethylammonium chloride (ECR from Dow Chemical Company), and the anionic polymer electrolyte was polystyrene sulfonate sodium (Arayo Kagaku Co., Ltd.).
AEP-1) and others.

さらに、このような高分子電解質だけでなく、結着性の
改善のために、SBR,PVA等を併用することも、も
ちろん可能である。
Furthermore, it is of course possible to use not only such a polymer electrolyte but also SBR, PVA, etc. in order to improve the binding property.

このような高分子電解質を結着剤として導電層を形成し
たところ第3表に示すように、さらに少ない塗工量で1
07Ω程度のρ8を有する導電層を得ることが出来た。
When a conductive layer was formed using such a polymer electrolyte as a binder, as shown in Table 3, it was possible to obtain 1.
A conductive layer having ρ8 of about 0.07Ω could be obtained.

この導電層の上に誘電層を塗工して得られた静電記録体
は、実施例1と同様すぐれた記録特性を有するものであ
り、記録体としての自然性もさらにすぐれたものであっ
た。
The electrostatic recording material obtained by coating this conductive layer with a dielectric layer had excellent recording properties similar to those in Example 1, and had even better naturalness as a recording material. Ta.

これは、n−形金属酸化物半導体の電子伝導性と、高分
子電解質のイオン伝導性が相補的に作用した結果による
ものである。
This is due to the complementary action of the electronic conductivity of the n-type metal oxide semiconductor and the ionic conductivity of the polymer electrolyte.

なお今までの実施例ではドーパンI・をドープした金属
酸化物を、フッ化第−錫の水溶液等に浸漬後、乾燥して
用いたが、金属酸化物を粉砕分散する工程でフッ化第−
錫等を分散液に添加することによっても同様な特性を有
した静電記録体を得ることが出来る。
In the previous examples, the metal oxide doped with Dopan I was immersed in an aqueous solution of stannous fluoride and then dried.
An electrostatic recording material having similar characteristics can also be obtained by adding tin or the like to the dispersion.

ただし、この場合前述のカチオン性高分子電解質はフッ
化第−錫が水溶液中に存在すると、ゲル化が起こりやす
く、ここではアニオン性の高分子電解質を使用すること
が好ましい。
However, in this case, the above-mentioned cationic polymer electrolyte tends to gel if tin fluoride is present in the aqueous solution, so it is preferable to use an anionic polymer electrolyte here.

実施例 3 実施例1で示したように、低抵抗化されたn形金属酸化
物半導体の粉末は非常に低いρを有している。
Example 3 As shown in Example 1, the n-type metal oxide semiconductor powder with reduced resistance has a very low ρ.

このことは導電層の塗工量の減少というすぐれた効果に
つながるものであったが、一方粉末ノρが非常に低いこ
とを利用して、充てん剤の使用も可能となる効果もある
This led to the excellent effect of reducing the coating amount of the conductive layer, but on the other hand, it also had the effect of making it possible to use a filler by taking advantage of the extremely low ρ of the powder.

すなわち、導電層に導電材料としてのn−形金属酸化物
半導体だけでなく、充てん剤として炭酸カルシウム、タ
ルク、酸化チタン等の白色顔料を併用することにより、
さらに白色度の高い静電記録体を得ることが出来る。
That is, by using not only an n-type metal oxide semiconductor as a conductive material in the conductive layer but also a white pigment such as calcium carbonate, talc, or titanium oxide as a filler,
Furthermore, an electrostatic recording medium with high whiteness can be obtained.

−flとして、実施例1で示した比抵抗3.8×10−
1Ω侃の二酸化錫ioo重量部、炭酸カルシウム20重
量部を結着剤のポリスチレンスルホン酸ソーダ(荒用化
学(株)のAEP−1)と共に水を加えて粉砕分散した
-fl, the specific resistance shown in Example 1 is 3.8 x 10-
IOO parts by weight of tin dioxide of 1Ω and 20 parts by weight of calcium carbonate were pulverized and dispersed together with sodium polystyrene sulfonate (AEP-1, manufactured by Arayo Kagaku Co., Ltd.) as a binder and water was added thereto.

この塗料を塗工して導電層を形成し、さらにその上に誘
電層を塗工し静電記録体を得た。
This paint was applied to form a conductive layer, and a dielectric layer was further applied thereon to obtain an electrostatic recording material.

導電層の塗工量は7.3?/m″ではそのρ8は3.6
X107Ωであった。
The coating amount of the conductive layer is 7.3? /m'', its ρ8 is 3.6
It was 107Ω.

この静電記録体の生地濃度を測定すると0.10であり
、きわめて白色度の高いものであった。
When the fabric density of this electrostatic recording material was measured, it was 0.10, and the whiteness was extremely high.

記録特性においても、実施例1.2と同様、広い湿度範
囲できわめてすぐれたものであった。
As with Example 1.2, the recording characteristics were also extremely excellent over a wide humidity range.

二酸化錫粉末の酸化インジウム、酸化亜鉛においても、
全く同様に、充てん剤の使用はもちろん可能である。
In indium oxide and zinc oxide of tin dioxide powder,
It is of course possible to use fillers in exactly the same way.

実施例 4 今までの実施例において使用した金属酸化物のうち、二
酸化錫においては、その合成をシュウ酸第−錫の焼成に
よる場合、特にすぐれた導電材料を得ることが出来る。
Example 4 Among the metal oxides used in the previous examples, a particularly excellent conductive material can be obtained when tin dioxide is synthesized by calcination of tin oxalate.

三塩化アンチモン0.46fをエタノール50m1に溶
解し、この溶液にシュウ酸第−錫103グ(関東化学(
株)製)を浸漬し、かくはん後エタノールを蒸発させ除
去した。
Dissolve 0.46f of antimony trichloride in 50ml of ethanol, and add 103g of tin oxalate (Kanto Chemical Co., Ltd.) to this solution.
Co., Ltd.), and after stirring, the ethanol was evaporated and removed.

得られた粉末を電気炉中で500℃の温度に5時間加熱
し、酸化分解を行ない、さらにその後1200℃に温度
を上げ、5時間焼成した。
The obtained powder was heated in an electric furnace to a temperature of 500°C for 5 hours to perform oxidative decomposition, and then the temperature was raised to 1200°C and fired for 5 hours.

このようにして得られた二酸化錫粉末は、五酸化アンチ
モンが02モルパーセント濃度でドープされた淡青色の
粉末である。
The tin dioxide powder thus obtained is a pale blue powder doped with antimony pentoxide at a concentration of 0.2 mole percent.

この粉末を、実施例1と同様にフッ化第−錫の水溶液に
浸漬処理し、低抵抗化を行なったところ、さらに比抵抗
が低く(ρ;1.4×10−1Ω鼾)、白色度の高い、
二酸化錫粉末が得られた。
This powder was immersed in an aqueous solution of stannous fluoride in the same manner as in Example 1 to lower the resistance. high,
Tin dioxide powder was obtained.

又、ここで得られた二酸化錫粉末は、粒径がほぼ1μ程
度にそろっているため、ボールミル等による粉砕分散工
程なしでも、単に結着剤と混合するだけで導電層塗料と
することが出来る。
In addition, the tin dioxide powder obtained here has a uniform particle size of approximately 1μ, so it can be made into a conductive layer coating simply by mixing it with a binder, without the need for a pulverization and dispersion process using a ball mill or the like. .

この導電層塗料および誘電層塗料を実施例1と同様に塗
工したところ、導電層の塗工量はさらに少なくて済み(
塗工量:4.7?/m”、ρ8;31×107Ω)、記
録体としての自然性がきわめてすぐれた静電記録体が得
られた。
When this conductive layer paint and dielectric layer paint were applied in the same manner as in Example 1, the amount of conductive layer coated was even smaller (
Coating amount: 4.7? /m'', ρ8; 31×10 7 Ω), and an electrostatic recording medium with extremely excellent naturalness as a recording medium was obtained.

又、生地濃度は0.10ときわめて白色度の高いもので
あり、記録試験においても、耐湿度特性がきわめてすぐ
れたものであった。
In addition, the fabric density was 0.10, which was an extremely high degree of whiteness, and the moisture resistance was also excellent in the recording test.

以上の説明から明らかなように、本発明においては、ハ
ロゲン化第−錫もしくは三ハロゲン化アンチモンとの接
触処理により、低抵抗化されたn形金属酸化物を導電層
の導電材料に用いることにより、°耐湿度特性のきわめ
てすぐれた静電記録体を得ることが出来る。
As is clear from the above description, in the present invention, by using an n-type metal oxide whose resistance has been lowered by contact treatment with tin halide or antimony trihalide as the conductive material of the conductive layer. , it is possible to obtain an electrostatic recording medium with extremely excellent humidity resistance characteristics.

又、金属酸化物が熱的にきわめて安定であることから、
当然のことながら従来の沃化鋼等を用いた例のように熱
定着時に腐食性のガスを発生する等の不都合は全くない
In addition, since metal oxides are extremely thermally stable,
Naturally, there is no inconvenience such as generation of corrosive gas during heat fixing, unlike in conventional examples using iodized steel.

n形金属酸化物半導体としては、二酸化錫、酸化インジ
ウム、酸化亜鉛が安定性、白色度の点ですぐれており、
ハロゲン化第−錫等による低抵抗化により、白色度の高
い、自然性のすぐれた静電記録体を得ることが出来る。
As n-type metal oxide semiconductors, tin dioxide, indium oxide, and zinc oxide have excellent stability and whiteness.
By lowering the resistance using tin halide or the like, it is possible to obtain an electrostatic recording material with high whiteness and excellent naturalness.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 支持体上に導電層および誘電層を順次設けた静電記
録体であって、前記導電層が結着剤中に・・ロケン化第
−錫もしくは三ハロゲン化アンチモンとの接触処理によ
り低抵抗化されたn−形金属酸化物半導体の粉末を分散
して構成されることを特徴とする静電記録体。 2 前記n−形金金属酸化物半導体、二酸化銀、酸化イ
ンジウムおよび酸化亜鉛よりなる群から選んだ少なくと
も一つである特許請求の範囲第1項記載の静電記録体。 3 前記結着剤が、少なくとも高分子電解質を含む特許
請求の範囲第1項又は第2項記載の静電記録体。 4 前記二酸化銀が、シュウ酸第−錫を焼成して得られ
た二酸化銀である特許請求の範囲第2項記載の静電記録
体。 5 前記高分子電解質が、アニオン性高分子電解質であ
る特許請求の範囲第3項記載の静電記録体。
[Scope of Claims] 1. An electrostatic recording material in which a conductive layer and a dielectric layer are sequentially provided on a support, wherein the conductive layer contains... stannous chloride or antimony trihalide in a binder. 1. An electrostatic recording material comprising dispersed powder of an n-type metal oxide semiconductor whose resistance has been reduced by a contact treatment. 2. The electrostatic recording material according to claim 1, which is at least one selected from the group consisting of the n-type gold metal oxide semiconductor, silver dioxide, indium oxide, and zinc oxide. 3. The electrostatic recording material according to claim 1 or 2, wherein the binder contains at least a polymer electrolyte. 4. The electrostatic recording material according to claim 2, wherein the silver dioxide is silver dioxide obtained by firing tin-oxalate. 5. The electrostatic recording material according to claim 3, wherein the polymer electrolyte is an anionic polymer electrolyte.
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