JPS5827601B2 - Semiconductive polymer composition - Google Patents

Semiconductive polymer composition

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JPS5827601B2
JPS5827601B2 JP54006748A JP674879A JPS5827601B2 JP S5827601 B2 JPS5827601 B2 JP S5827601B2 JP 54006748 A JP54006748 A JP 54006748A JP 674879 A JP674879 A JP 674879A JP S5827601 B2 JPS5827601 B2 JP S5827601B2
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亘 下間
良雄 岸本
収 堀田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マトリックス高分子中に有機半導体を分散し
た半導電性高分子組成物の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to improvements in semiconducting polymer compositions in which an organic semiconductor is dispersed in a matrix polymer.

従来の有機半導体には有機結晶よりなるものと高分子有
機半導体とがある。
Conventional organic semiconductors include those made of organic crystals and polymer organic semiconductors.

有機結晶については種々研究されているが、高分子のよ
うな成形加工性がなく、無機半導体に匹敵する程は安定
でなく、また大きな単結晶は得られにくく、有機物とし
ての特長が発揮され難い。
Various studies have been conducted on organic crystals, but they do not have the moldability of polymers, are not stable enough to rival inorganic semiconductors, and are difficult to obtain large single crystals, making it difficult to demonstrate the characteristics of organic materials. .

一方、高分子有機半導体は電荷移動結合や共役π電子結
合を高分子鎖自身が有するため、剛体構造となり、汎用
高分子のような成形加工性のよいものはなく、脆弱で成
膜性さえないものが多い。
On the other hand, polymeric organic semiconductors have charge transfer bonds and conjugated π-electron bonds in the polymer chains themselves, so they have a rigid structure, and they do not have good moldability like general-purpose polymers, and are brittle and have no film-forming properties. There are many things.

半導電性高分子組成物は絶縁性高分子中にカーボン、金
属あるいは有機半導体を分散しても得られることはよく
知られているが、有機半導体をマトリックス高分子中に
分散する場合には、それが分子分散されやすいことにそ
の特徴がある。
It is well known that semiconducting polymer compositions can be obtained by dispersing carbon, metals, or organic semiconductors in insulating polymers, but when an organic semiconductor is dispersed in a matrix polymer, Its characteristic feature is that it is easily molecularly dispersed.

有機半導体がマトリックス高分子に分子分散された場合
には、その高分子組成物の電気的性質は真性の半導体に
近い特性を示し、そのモデル図は第1図に示される。
When an organic semiconductor is molecularly dispersed in a matrix polymer, the electrical properties of the polymer composition are close to those of an intrinsic semiconductor, a model diagram of which is shown in FIG.

一方、真性の高分子有機半導体の場合には、第2図のよ
うであり、高分子主鎖1の動きや間隙によってπ電子系
導電サイト2の積み重なりに影響を及ぼすが、その多く
はπ電子系導電サイトの積み重なりに寄与するよりも高
分子主鎖のねじれや剛性が積み重なりを妨害する。
On the other hand, in the case of an intrinsic polymeric organic semiconductor, as shown in Figure 2, the movement and gaps of the polymeric main chain 1 affect the stacking of π-electron-based conductive sites 2, but most of the π-electron-based conductive sites 2 are Rather than contributing to stacking of the system's conductive sites, the torsion and rigidity of the polymer backbone impede stacking.

機械的性質においては、この第1図と第2図では非常に
大きな差を有し、第1図の方が汎用高分子同様の成形加
工性を有するのに対し、第2図の方はパルキイ(bul
ky )なπ電子系導電サイトが高分子主鎖に強い化学
結合をしているため、成形加工性に乏しい脆弱な高分子
となる。
In terms of mechanical properties, there is a very large difference between Fig. 1 and Fig. 2. The one in Fig. 1 has moldability similar to that of a general-purpose polymer, while the one in Fig. 2 has a (bul
ky ) π-electron-based conductive sites have strong chemical bonds with the main chain of the polymer, resulting in a brittle polymer with poor moldability.

しかしながら、有機半導体を高分子マトリクス中に分子
分散した組成物の場合にはすぐれた加工性を有するけれ
ども、その有機半導体が高分子中で溶解状態となり電界
による電気泳動を起こしたり、それが電荷移動錯体の時
にはカチオン、アニオンとなってイオン伝導を併発する
という欠点がある。
However, although compositions in which an organic semiconductor is molecularly dispersed in a polymer matrix have excellent processability, the organic semiconductor becomes dissolved in the polymer and causes electrophoresis due to an electric field, which causes charge transfer. When it is a complex, it has the disadvantage that it becomes a cation and an anion and causes ionic conduction at the same time.

これらの場合には電界印加により電極間で物質移動が生
じ、材料組成や物質構造に変化を生じ、安定した電子伝
導電流が得られないという結果をまねく。
In these cases, the application of an electric field causes mass transfer between the electrodes, causing changes in the material composition and structure, resulting in the inability to obtain a stable electron conduction current.

従来、この種の半導電性高分子組成物を構成するための
有機半導体としては、電子供与体と電子受容体とよりな
る電荷移動錯体がよく用いられている。
Conventionally, a charge transfer complex consisting of an electron donor and an electron acceptor has often been used as an organic semiconductor for forming this type of semiconducting polymer composition.

この電荷移動錯体には、イオン性あるいは非イオン性の
電荷移動型分子化合物のほか、イオンラジカル塩もある
These charge transfer complexes include ionic or nonionic charge transfer molecular compounds as well as ionic radical salts.

これら有機半導体において、電子伝導のキャリヤ担体は
電子か正孔かによりn形、p形にそれぞれ分けられるが
、安定なラジカル状態の電子が伝導に寄与し、これらの
ラジカルはキャリヤサイトとなる分子に存在している。
In these organic semiconductors, carriers for electron conduction are classified into n-type and p-type depending on whether they are electrons or holes, but electrons in a stable radical state contribute to conduction, and these radicals form molecules that serve as carrier sites. Existing.

それ故、上記錯体においては、イオンラジカルの状態を
持つ分子がキャリヤサイトとなり、陰イオンラジカルの
場合はn形、陽イオンラジカルの場合はp形となる。
Therefore, in the above complex, a molecule having an ionic radical state becomes a carrier site, and in the case of an anion radical, it becomes an n-type, and in the case of a cation radical, it becomes a p-type.

また、電荷移動型分子化合物の場合はntpの両性電導
を示し、イオン性分子化合物では錯体結晶の状態で、そ
れぞれの独立した陽イオンラジカル、陰イオンラジカル
のカラムを正孔と電子がそれぞれ流れる場合が多い。
In addition, charge transfer type molecular compounds exhibit NTP amphoteric conduction, and ionic molecular compounds exhibit complex crystalline state, where holes and electrons flow through independent columns of cation radicals and anion radicals, respectively. There are many.

安定な陽イオンラジカルや陰イオンラジカルを作る化合
物は各種知られているが、いずれもπ電子系の発達した
低分子であり、一般にはオニウム陽イオンや金属イオン
を電子供与体とし、陰イオンラジカルを電子受容体とす
る陰イオンラジカル塩が多く合成されている。
Various compounds that create stable cation radicals and anion radicals are known, but all of them are low molecules with a developed π-electron system, and generally use onium cations or metal ions as electron donors to create anion radicals. Many anion radical salts have been synthesized that use .

これら従来のイオンラジカルをもつ錯体は、高分子マト
リクス中において分子分散し難く、またよく分散した場
合には、電界によりマトリクス中を移動し、構造変化を
生じるという欠点があった。
These conventional complexes having ion radicals have the disadvantage that they are difficult to disperse in molecules in a polymer matrix, and when they are well dispersed, they move in the matrix due to an electric field and undergo structural changes.

また一方、高分子半導体においては、従来、はとんとか
第2図に示すような構造で機械加工性に乏しいものであ
り、ポリビニルピリジンやアイイオンなどのポリカチオ
ンと7.7,8.8−テトラシアノキノジメタン(以下
、TCNQで表す)との陰イオンラジカル塩がその大部
分であった。
On the other hand, in the case of polymer semiconductors, conventional polymer semiconductors have a structure as shown in Figure 2 and have poor machinability. The majority of them were anion radical salts with -tetracyanoquinodimethane (hereinafter referred to as TCNQ).

これらは、ポリカチオンは高分子であるがキャリヤサイ
トとなるTCNQイオンラジカルは低分子であり、ポリ
カチオンのイオン席に影響されてTCNQが配列される
というものであった。
In these studies, the polycation is a polymer, but the TCNQ ion radical serving as a carrier site is a low molecule, and TCNQ is arranged under the influence of the ionic site of the polycation.

また、このポリカチオンとTCNQの高分子錯体をさら
に別の高分子マトリクス中に分散する試みもあったが、
この場合はポリカチオンは重合化して固定されているが
、キャリヤサイトであるTCNQは低分子であり、電子
伝導にとって重要であるのに固定されていないという問
題点があった。
There have also been attempts to disperse this polymer complex of polycation and TCNQ in another polymer matrix;
In this case, the polycation is polymerized and fixed, but TCNQ, which is a carrier site, is a low molecule and is important for electron conduction, but there is a problem in that it is not fixed.

本発明は、これらの欠点を改良し、すぐれた成形加工性
を有し、安定した電子伝導特性を示す高分子組成物を提
供するものである。
The present invention aims to improve these drawbacks and provide a polymer composition that has excellent moldability and exhibits stable electron conduction properties.

すなわち、高分子マトリクスに分子的に分散する有機半
導体として、キャリヤサイトとなるイオンラジカル分子
の低重合体からなる化合物を用いることを特徴とする。
That is, it is characterized in that a compound consisting of a low polymer of ion radical molecules serving as carrier sites is used as an organic semiconductor that is molecularly dispersed in a polymer matrix.

本発明によれば、キャリヤサイトとなる安定なラジカル
状態を形成する分子が重合化されている結果、高分子マ
トリクス中における物質移動が大きく妨げられ、電子伝
導が優先し、安定な電子伝導をする高分子組成物を得る
ことができる。
According to the present invention, as a result of polymerization of molecules that form stable radical states that serve as carrier sites, mass transfer in the polymer matrix is greatly hindered, giving priority to electron conduction, resulting in stable electron conduction. A polymer composition can be obtained.

ここで、重合化するイオンラジカル分子としては、既に
知られているものを用いることができる。
Here, as the ion radical molecules to be polymerized, those already known can be used.

安定な陽イオンラジカルを作る化合物としては、例えば
N、N、N’、N’−テトラメチルアーフェニレンジア
ミン、テトラチオフルバレン、テトラセレノフルバレン
、テトラチオテトラセン、ジベンゾフェノチアジンのほ
か多くの含窒素化合物、含イオウ化合物がある。
Examples of compounds that create stable cation radicals include N, N, N', N'-tetramethylarphenylenediamine, tetrathiofulvalene, tetraselenofulvalene, tetrathiotetracene, dibenzophenothiazine, and many other nitrogen-containing compounds. There are compounds and sulfur-containing compounds.

一方安定な陰イオンラジカルを作る化合物としてはハロ
キノン、シアノキノン、テトラシアノエチレン、TCN
Q、テトラシアツナフッキノジメタンのほか、多くのシ
アノ化物、ハロゲン化物があり、中でもTCNQは最も
すぐれた陰イオンラジカルの一つである。
On the other hand, compounds that create stable anion radicals include haloquinone, cyanoquinone, tetracyanoethylene, and TCN.
In addition to Q, tetracyatunafuchinodimethane, there are many cyanides and halides, and among them, TCNQ is one of the most excellent anion radicals.

イオンラジカル分子を重合化する方法としてはイオンラ
ジカルの安定性をそこなわないような位置に側鎖として
官能基をつけ、それを重合する方法がよく、重合結合と
してはウレタン結合、エスチル結合、アミド結合、エー
テル結合、ビニル結合のほかホルムアルデヒドの縮合に
よるメチレン結合やイミド結合など多くの結合を用いる
ことができる。
A good way to polymerize ion radical molecules is to attach a functional group as a side chain at a position that does not impair the stability of the ion radical, and then polymerize it. In addition to bonds, ether bonds, and vinyl bonds, many bonds such as methylene bonds and imide bonds formed by condensation of formaldehyde can be used.

中でも、ウレタン結合やエステル結合、エーテル結合等
の回転自由度の高い可撓性を材料に付与でき、また高分
子マ) IJクスとの相溶性をよくするような結合が望
ましい。
Among these, bonds that can impart flexibility with a high degree of rotational freedom to the material, such as urethane bonds, ester bonds, and ether bonds, and that also improve compatibility with the polymer matrix (IJ) are desirable.

イオンラジカル分子の代表として、TCNQに*本つい
て説明すると、例えば、J 、 Org、 Chem。
As a representative of ion radical molecules, TCNQ * books are explained, for example, J, Org, Chem.

±1(8)、1412(1978)に開示されているご
とく、ウレタン結合を用いて重合することができる。
1(8), 1412 (1978), using urethane linkages.

すなわちTCNQにジオル形のアルコキシ基を側鎖とし
て導入してできたTCNQCN−ル分子をジイソシアネ
ートと反応させることにより重合体を得ることができる
That is, a polymer can be obtained by reacting a TCNQCN-l molecule produced by introducing a diol-type alkoxy group as a side chain into TCNQ with a diisocyanate.

その構造を次式このアルコキシ基をTCNQに導入する
位置は2.3,5.6の位置であり、TCNQのイオン
ラジカルの安定性を壊するようなものではない。
Its structure is expressed as follows: The alkoxy groups are introduced into TCNQ at positions 2.3 and 5.6, which do not destroy the stability of the ionic radicals of TCNQ.

本発明においては、このようにして得られる重合体の低
重合体、すなわちオリゴマーを用いるものであり、この
低重合体の電荷移動錯体を高分子マI−IJクスに分子
分散するものである。
In the present invention, a low polymer of the polymer thus obtained, that is, an oligomer is used, and a charge transfer complex of this low polymer is molecularly dispersed in a polymer matrix I-IJ.

低重合体を用いる理由は高分子マl−IJクスへの相溶
性を悪化させないためと、組成物の成形加工時にこの電
荷移動形像重合体が、加工性を妨げないためであり、ま
た逆にこのようなオリゴマー程度の重合によって本発明
の目的であるキャリヤサイト(イオンラジカル分子)の
固定を充分に果たし得るからである。
The reason for using a low polymer is to avoid deteriorating the compatibility with the polymeric matrix, and also to prevent the charge transfer image polymer from interfering with the processability during molding of the composition, and vice versa. This is because the immobilization of carrier sites (ion radical molecules), which is the object of the present invention, can be sufficiently achieved by such oligomer-level polymerization.

この低重合体の重合度PとしてはP=2〜20で十分で
ある。
It is sufficient for the degree of polymerization P of this low polymer to be P=2 to 20.

これ以上になるとこれを分子分散した組成物の加工性を
大きく悪化させる傾向にある。
If it exceeds this range, the processability of a composition in which it is molecularly dispersed tends to deteriorate significantly.

本発明においては、これらのイオンラジカル分子の低重
合体をイオンラジカル塩あるいは電荷移動形分子化合物
の形で高分子マトリクス中に分散する。
In the present invention, these low polymers of ion radical molecules are dispersed in a polymer matrix in the form of ion radical salts or charge transfer type molecular compounds.

それ故、電荷移動形分子化合物の場合には陽イオンラジ
カル分子と陰イオンラジカル分子の両方が別個にあるい
は一緒に重合化され、イオンラジカル塩の場合は一方の
イオンラジカル分子を重合化し、他方のイオンは低分子
イオンでも重合体でもいずれでもよい。
Therefore, in the case of charge-transfer molecular compounds, both the cationic and anionic radical molecules are polymerized separately or together, and in the case of ionic radical salts, one ionic radical molecule is polymerized while the other The ion may be a low molecular weight ion or a polymer.

しかしイオン伝導を防ぐ意味では、このイオンも重合化
した方がよい。
However, in order to prevent ion conduction, it is better to polymerize these ions as well.

この種の重合化したイオンとしては高分子電解質に用い
られるポリビニルピリジン、ポリアミノスチレン、アイ
イオンなどのポリカチオンやポリアニオンがある。
Examples of this type of polymerized ion include polycations and polyanions such as polyvinylpyridine, polyaminostyrene, and i-ion used in polymer electrolytes.

また金属キレ−1・結合も用いることができる。Also, metal beam bonding can be used.

本発明に用いるこれらイオンラジカル分子の低重合体の
イオンラジカル塩や分子化合物はイオンラジカルの安定
性を損なわないような結合により重合されているため、
イオンラジカルは安定であり、電導度は極度に損なわれ
るものではない。
These low polymer ion radical salts and molecular compounds of ion radical molecules used in the present invention are polymerized with bonds that do not impair the stability of ion radicals.
Ion radicals are stable and conductivity is not severely impaired.

本発明はこの低重合度錯体を高分子マI−IJクス中に
分子分散することにより、高分子マI−IJクス中に強
く固定された動き難いキャリヤサイトを形成するもので
あり、物質移動、構造変化はあまり起こらず、安定な電
子伝導が優先する組成物を提供するものである。
In the present invention, by molecularly dispersing this low degree of polymerization complex in the polymer matrix I-IJ, a carrier site that is strongly fixed and difficult to move in the polymer matrix I-IJ is formed, and mass transfer is prevented. , provides a composition in which structural changes do not occur much and stable electronic conduction is prioritized.

本発明に用いる高分子マトリクスとしては上記の有機半
導体を分子分散させる構造のものを選択して用いればよ
く、クーロンポテンシャルの大きい程電子伝導が容易で
あり、また有機半導体分散性の可塑剤を任意に併用すれ
ばよいことも当然である。
As the polymer matrix used in the present invention, one having a structure in which the above-mentioned organic semiconductors are molecularly dispersed may be selected and used.The larger the Coulomb potential is, the easier electron conduction is. It goes without saying that it may be used in combination with

次に本発明の実施例を示す。Next, examples of the present invention will be shown.

エチレングリコールによりアルコキシ化したTCNQの
Na塩 0.08モルとを反応させて低重合体ポリウレタンを得
た。
A low polymer polyurethane was obtained by reacting with 0.08 mol of Na salt of TCNQ alkoxylated with ethylene glycol.

これの30重量部を熱可塑性ポリウレタン100重量部
に加え、加熱ロールにより混練した後シートとした。
30 parts by weight of this was added to 100 parts by weight of thermoplastic polyurethane, and the mixture was kneaded with heated rolls to form a sheet.

この抵抗測定をしたところ比抵抗は35℃において5.
9X109.O−鼾であり、60℃において直流印加(
500V/cIrL)による100時間後の抵抗変化R
/Roは非常小さく1.8倍であった。
When this resistance was measured, the specific resistance was 5.
9X109. It is O-snoring, and direct current is applied at 60℃ (
Resistance change R after 100 hours due to 500V/cIrL)
/Ro was extremely small and was 1.8 times.

一方NaTCNQを同じ熱可塑性ポリウレタンに5重量
%分子分散した組成物では35℃での比抵抗は3,6゜
X109.!12−αであり、60℃での同様の直流印
加による抵抗変化R/Roは24倍と非常に大きかった
On the other hand, in a composition in which 5% by weight of NaTCNQ is molecularly dispersed in the same thermoplastic polyurethane, the specific resistance at 35°C is 3.6° x 109. ! 12-α, and the resistance change R/Ro due to the same direct current application at 60° C. was as large as 24 times.

本発明は、このようにすぐれた加工性をもつ半導電性高
分子組成物を提供するものであり、有機電子材料として
種々の用途に用いることができる。
The present invention provides a semiconductive polymer composition having such excellent processability, and can be used for various purposes as an organic electronic material.

例えばプラスチックサーミスタの素材や無機半導体粒子
との組み合わせによる多くの機能性複合材料の素材とし
ても利用できるものである。
For example, it can be used as a material for plastic thermistors or as a material for many functional composite materials in combination with inorganic semiconductor particles.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

図面は半導電性高分子材料における電気伝導の模型を示
すもので、第1図はマl−IJクス高分子にπ電子系導
電サイトが分子分散された半導電性高分子組成物につい
て示し、第2図はマトリクス高分子とπ電子系導電サイ
トが化学結合した真性の高分子有機半導体について示す
The drawing shows a model of electrical conduction in a semiconductive polymer material, and Figure 1 shows a semiconductive polymer composition in which π-electron conductive sites are molecularly dispersed in a Marx polymer. FIG. 2 shows an intrinsic polymeric organic semiconductor in which a matrix polymer and a π-electron conductive site are chemically bonded.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 有機半導体を高分子マトリクス中に分子的に分散し
てなる半導電性高分子組成物であって、前記有機半導体
が、キャリヤサイトとなるイオンラジカル分子の低重合
体からなる化合物であることを特徴とする半導電性高分
子組成物。 2 前記キャリヤサイトとなるイオンラジカル分子が、
陽イオンラジカルを形成する含イオウ化合物もしくは含
窒素化合物である特許請求の範囲第1項記載の半導電性
高分子組成物。 3 前記キャリヤサイトとなるイオンラジカル分子が、
陰イオンラジカルを形成するシアン化合物もしくはハロ
ゲン化物である特許請求の範囲第1項記載の半導電性高
分子組成物。 4 前記シアノ化合物が、7,7,8.8−テトラシア
ノキノジメタンであり、その重合位置が2゜3.5,6
の少なくとも1つである特許請求の範囲第3項記載の半
導電性高分子組成物。 5 前記低重合体が、ウレタン結合、アミド結合、エス
テル結合、エーテル結合およびビニル結合よりなる群か
ら選ばれた少なくとも1つによって重合されている特許
請求の範囲第1〜4項のいずれかに記載の半導電性高分
子組成物。 6 前記低重合体の平均重合度が2〜20である特許請
求の範囲第1〜4項のいずれかに記載の半導電性高分子
組成物。
[Scope of Claims] 1. A semiconducting polymer composition comprising an organic semiconductor molecularly dispersed in a polymer matrix, wherein the organic semiconductor is composed of a low polymer of ion radical molecules serving as a carrier site. A semiconductive polymer composition characterized by being a compound. 2 The ion radical molecule serving as the carrier site is
The semiconductive polymer composition according to claim 1, which is a sulfur-containing compound or a nitrogen-containing compound that forms cation radicals. 3 The ion radical molecule serving as the carrier site is
The semiconductive polymer composition according to claim 1, which is a cyanide compound or halide that forms anion radicals. 4 The cyano compound is 7,7,8.8-tetracyanoquinodimethane, and its polymerization position is 2°3.5,6
The semiconductive polymer composition according to claim 3, which is at least one of: 5. The low polymer is polymerized by at least one selected from the group consisting of urethane bonds, amide bonds, ester bonds, ether bonds, and vinyl bonds. semiconducting polymer composition. 6. The semiconductive polymer composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the low polymer has an average degree of polymerization of 2 to 20.
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JPS5325700A (en) * 1976-07-30 1978-03-09 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductive polymer material

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