JPS5824008B2 - Electron beam exposure equipment - Google Patents

Electron beam exposure equipment

Info

Publication number
JPS5824008B2
JPS5824008B2 JP12333178A JP12333178A JPS5824008B2 JP S5824008 B2 JPS5824008 B2 JP S5824008B2 JP 12333178 A JP12333178 A JP 12333178A JP 12333178 A JP12333178 A JP 12333178A JP S5824008 B2 JPS5824008 B2 JP S5824008B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
knife
sample
linear member
shielding plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP12333178A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5550623A (en
Inventor
湯浅徹雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Denshi KK filed Critical Nihon Denshi KK
Priority to JP12333178A priority Critical patent/JPS5824008B2/en
Publication of JPS5550623A publication Critical patent/JPS5550623A/en
Publication of JPS5824008B2 publication Critical patent/JPS5824008B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、整形された矩形ビームの寸法や電流密度分布
を正確に検知し得る電子ビーム露光装置に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an electron beam exposure apparatus that can accurately detect the dimensions and current density distribution of a shaped rectangular beam.

超LSIを製作する手段としての電子ビーム露光装置に
あっては、精度面の向上の他に露光スピードの向上が要
求される。
In an electron beam exposure apparatus used as a means for manufacturing a VLSI, an improvement in exposure speed is required in addition to improvement in accuracy.

このような相反する要求を満たすために、1面積露光“
と呼ばれるビーム断面を一定の面積をもつ矩形に正し、
これを試料上にショットしていく方法が注目されている
In order to meet these conflicting demands, single-area exposure
Correct the beam cross section called , into a rectangle with a constant area,
A method of shooting this onto a sample is attracting attention.

第1図は、面積露光の一例を示すブロック図で1は電子
銃を示す。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of area exposure, and numeral 1 indicates an electron gun.

この電子銃より出た電子線は集束レンズ2により、集束
されビーム整形用の矩形開口板3上に投射される。
The electron beam emitted from this electron gun is focused by a focusing lens 2 and projected onto a rectangular aperture plate 3 for beam shaping.

この矩形開口板を通過したビームはレンズ4により縮小
され半導体ウェハー等の試料5上に投射される。
The beam passing through this rectangular aperture plate is reduced by a lens 4 and projected onto a sample 5 such as a semiconductor wafer.

試料5はステージ6上に置かれており、駆動手段7によ
ってX。
A sample 5 is placed on a stage 6 and is moved by X by a driving means 7.

Y方向に移動せられる。It can be moved in the Y direction.

前記レンズ4と、試料5との間には偏向系8が設置され
、整形されたビームの試料上への照射位置を決定する。
A deflection system 8 is installed between the lens 4 and the sample 5, and determines the irradiation position of the shaped beam onto the sample.

9は、コンピュータで電子銃1、レンズ2及び4、ステ
ージ駆動手段7及び偏向系8はこのコンピュータにより
制御され、その結果試料5上に所望のパターンが描画さ
れる。
A computer 9 controls the electron gun 1, lenses 2 and 4, stage driving means 7, and deflection system 8, and as a result, a desired pattern is drawn on the sample 5.

斯様な装置において、整形された矩形ビームの形状や大
きさ或いは、電流密度分布は露光の精度や露光むらに直
接関係するため、正確に測定乃至は検知することが必要
となる。
In such an apparatus, the shape and size of the shaped rectangular beam or the current density distribution are directly related to exposure accuracy and exposure unevenness, so it is necessary to accurately measure or detect them.

而して、この目的のために第2図に示す如き検出手段が
提案されている。
For this purpose, a detection means as shown in FIG. 2 has been proposed.

図中10は細いワイヤ又はナイフェツジであり、第1図
の試料5に置換して或いは該試料の極く近傍に置かれて
いる。
In the figure, reference numeral 10 denotes a thin wire or knife, which is placed in place of the sample 5 in FIG. 1 or very close to the sample.

そしてそのワイヤ又はナイフェツジの方向は、矩形ビー
ムの辺の方向つまりX及び若しくは、Y方向に向けられ
ている。
The wire or knife is oriented in the direction of the sides of the rectangular beam, that is, in the X and/or Y directions.

このワイヤ又はナイフェツジの後方には、ファラデーケ
ージや半導体検出器等の電子線検出器11が置かれ、入
射する電子線電流を検出する。
An electron beam detector 11 such as a Faraday cage or a semiconductor detector is placed behind this wire or knife to detect the incident electron beam current.

この検出器からの出力は適宜増幅された後−次微分回路
12に送られ、微分され、この出力は二次微分路13及
び表示装置14に送られる。
The output from this detector is appropriately amplified and then sent to a second-order differentiation circuit 12 for differentiation, and this output is sent to a second-order differentiation circuit 13 and a display device 14.

二次微分回路の出力信号も表示装置14に送られている
The output signal of the second-order differentiator circuit is also sent to the display device 14.

この様な構成において、偏向系8を用いて、或いは別の
偏向系を使用して、整形されたビームのスポットをワイ
ヤ10を横切るように偏向移動させると、検出器11に
は第3図aに示す如き信号変化が得られる。
In such a configuration, when the spot of the shaped beam is deflected and moved across the wire 10 using the deflection system 8 or another deflection system, the detector 11 will be shown as shown in FIG. A signal change as shown in is obtained.

該検出器の出力信号は、一次微分回路12において一定
微分され、第3図すに示す如き信号となる。
The output signal of the detector is subjected to constant differentiation in a first-order differentiator circuit 12, resulting in a signal as shown in FIG.

この信号は電子ビームの電流密度分布を示している。This signal indicates the current density distribution of the electron beam.

b図の信号は更に回路13において微分され、第3図C
に示す信号となる。
The signal in Figure b is further differentiated in circuit 13, and the signal in Figure 3C
The signal will be as shown in .

この信号のパルス間隔は、偏向方向におけるビームスポ
ットの寸法を示している。
The pulse interval of this signal indicates the size of the beam spot in the deflection direction.

従って回路12及び13からの信号を表示装置14にお
いて波形表示して観測すれば、整形ビームの寸法や電流
密度分布が検知できるわけである。
Therefore, if the signals from the circuits 12 and 13 are displayed in waveform on the display device 14 and observed, the dimensions and current density distribution of the shaped beam can be detected.

しかし乍らこの様な装置では得られた結果が寸法にして
も電流密度分布にしても平均化されているため、多少の
分布むらや寸法の誤差が検出できないという欠点があり
、高精度の露光を達成することが困難となる。
However, with this type of equipment, the results obtained are averaged for both dimensions and current density distribution, so there is a drawback that some distribution unevenness and dimensional errors cannot be detected, making it difficult to perform high-precision exposure. becomes difficult to achieve.

本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、以下図面に示
す実施例に従って詳述する。
The present invention has been made in view of these points, and will be described in detail below according to embodiments shown in the drawings.

第4図は本発明の主要部を示す斜視図で、10及び11
は第2図と同様ワイヤ(又はナイフェツジ)及び電子線
検出器を夫々示しである。
FIG. 4 is a perspective view showing the main parts of the present invention, 10 and 11.
2 shows a wire (or knife) and an electron beam detector, respectively, as in FIG.

15は、ワイヤ10の上方に置かれたスリット16を有
する遮板であり、該スリットの両直線状端縁16a。
15 is a shielding plate having a slit 16 placed above the wire 10, and both linear edges 16a of the slit.

16bはワイヤ10と直交する方向、つまりビームスポ
ット51(S2)の偏向移動方向に一致せしめられてい
る。
16b is made to coincide with the direction perpendicular to the wire 10, that is, the direction of deflection and movement of the beam spot 51 (S2).

斯様な構成において、先ずスポットS1で示す如く、整
形ビームを第5図aかられかるように直線状端縁16a
の側に寄せ、斜線で示す部分のみが検出器11に入射す
るようにする。
In such a configuration, first, as shown in spot S1, the shaped beam is aligned with the straight edge 16a as shown in FIG. 5a.
, so that only the shaded portion is incident on the detector 11.

而して端縁に沿ってスポットS1を偏向移動すれば、第
6図aに示すような検出器出力が得られる。
If the spot S1 is deflected and moved along the edge, a detector output as shown in FIG. 6a can be obtained.

そして、その出力信号は、微分回路12及び13により
す、c図の如く変換される。
Then, the output signal is converted by differentiating circuits 12 and 13 as shown in Fig. c.

このとき0図の両パルス間隔がビームスポットSの上辺
の長さdlを示している。
At this time, the interval between both pulses in FIG. 0 indicates the length dl of the upper side of the beam spot S.

一方S2で示す如くスポットを上方(第5図)に移動し
、端縁16bに沿って偏向移動させると、検出器11に
は第7図aの如き信号が得られ、回路12.13により
同図す。
On the other hand, when the spot is moved upward (FIG. 5) as shown by S2 and deflected along the edge 16b, a signal as shown in FIG. Figure.

Cに示す如き信号に変換される。It is converted into a signal as shown in C.

該0図におけるパルス間隔は、第5図すの下辺の長さd
2を示しており、従って第6図Cにおけるパルス間隔と
比較すれば矩形断面の対向する二つの辺の長さの差が正
確に検出される。
The pulse interval in Figure 0 is the length d of the lower side of Figure 5.
2, and therefore, when compared with the pulse interval in FIG. 6C, the difference in length between the two opposing sides of the rectangular cross section can be accurately detected.

又、電流密度が不均一である場合には、第6図及び第7
図のb図の波形が鋸歯状や二次曲線に変化するので、正
確な分布を得ることができる。
In addition, if the current density is non-uniform, Figures 6 and 7
Since the waveform shown in figure b changes into a sawtooth shape or a quadratic curve, an accurate distribution can be obtained.

第8図は他の実施例を示す図で、ワイヤ又はナイフェツ
ジ10と遮板15とを一体的にしたものである。
FIG. 8 shows another embodiment in which a wire or knife 10 and a shielding plate 15 are integrated.

即ち遮板15に矩形の穴17をあけ、その直線端縁17
a、17bに対し、17゜、17゜が、ナイフェツジの
働をもつようにしたものである。
That is, a rectangular hole 17 is made in the shielding plate 15, and its straight edge 17 is
17° and 17° with respect to a and 17b are designed to have the function of a knife.

この様にすれば、構造を簡単にすることができる。In this way, the structure can be simplified.

尚上記実施例(第1図)においては単一の開口板3によ
り電子ビームを整形した場合を示したが、二枚の開口板
と、レンズと偏向系とを用いて、ビーム断面の形状及び
大きさを可変し得るようになした装置にも本発明は適用
し得る。
Although the above embodiment (Fig. 1) shows the case where the electron beam is shaped by a single aperture plate 3, two aperture plates, a lens, and a deflection system are used to shape and shape the cross section of the beam. The present invention can also be applied to a device whose size can be changed.

以上詳述した如く、本発明は矩形ビーム断面の各辺に近
い部分についてのみ検出するようになしたため、断面の
寸法や電流密度分布を極めて正確に検知することができ
、従って露光精度を一段と向上させることが可能となる
As detailed above, since the present invention detects only the portions near each side of the rectangular beam cross section, the cross-sectional dimensions and current density distribution can be detected extremely accurately, thus further improving exposure accuracy. It becomes possible to do so.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明を適用する電子ビーム露光装置の一例
を示すブ田ンク図、第2図は従来装置の主要部を示す図
、第3図は第2図の動作説明図、第4図は本発明の一実
施例を示す主要部斜視図、第5図乃至第7図は、第4図
の動作を説明するための図、第8図は他の実施例を示す
図である。 10・・・・・・ワイヤ又はナイフェツジ、11・・・
・・電子線検出器、15・・・・・・遮板、16・・・
・・・スリット孔、16a、16b・・・・・・直線状
端縁。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of an electron beam exposure apparatus to which the present invention is applied, FIG. 2 is a diagram showing the main parts of a conventional apparatus, FIG. The figure is a perspective view of a main part showing one embodiment of the present invention, FIGS. 5 to 7 are diagrams for explaining the operation of FIG. 4, and FIG. 8 is a diagram showing another embodiment. 10... Wire or knife, 11...
...Electron beam detector, 15...Block plate, 16...
...Slit hole, 16a, 16b...Straight edge.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 電子線発生源と、この発生源から発射された電子ビ
ームの断面を矩形状に整形する手段と、該整形された電
子ビームを試料上に縮小投影する手段と、試料上での電
子ビーム投射位置を可変する手段と、前記試料と同−面
上或いはその近傍に置かれた線条部材又はナイフェツジ
とこの線条部材又はナイフェツジを横切るように前記整
形された電子ビームを偏向移動させる手段と、前記線状
部材又はナイフェツジによる電子ビームの遮断状況を検
知する手段とを備えた装置において、前記線条部材又は
ナイフェツジと同−面又はその上方に前記電子ビームの
偏向移動の方向に沿った直線状端縁を有する遮板を設け
、矩形断面電子ビームの端部についての情報を検知し得
るように構成したことを特徴とする電子ビーム露光装置
。 2 前記遮板は、細長いスリット孔を有している特許請
求の範囲第1項記載の電子ビーム露光装置。 3 前記遮板は矩形の穴を有しており、任意のエツジは
前記直線状端縁を又それと直交するエツジは、ナイフェ
ツジの機能を与えてなる特許請求の範囲第1項記載の電
子ビーム露光装置。
[Scope of Claims] 1. An electron beam generation source, means for shaping the cross section of the electron beam emitted from the generation source into a rectangular shape, means for reducing and projecting the shaped electron beam onto a sample, and a sample. means for varying the electron beam projection position on the sample; a linear member or knife placed on the same plane as the sample or in the vicinity; and a shaped electron beam so as to cross the linear member or knife. In an apparatus comprising a means for deflecting and moving the electron beam, and a means for detecting a blocking state of the electron beam by the linear member or knife, the deflection movement of the electron beam is arranged on the same plane as or above the linear member or knife. What is claimed is: 1. An electron beam exposure apparatus characterized in that a shielding plate having a straight edge along a direction is provided so that information about an end of a rectangular cross-section electron beam can be detected. 2. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein the shielding plate has an elongated slit hole. 3. The electron beam exposure according to claim 1, wherein the shielding plate has a rectangular hole, and any edge is the linear edge, and an edge perpendicular thereto is provided with a knife function. Device.
JP12333178A 1978-10-06 1978-10-06 Electron beam exposure equipment Expired JPS5824008B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12333178A JPS5824008B2 (en) 1978-10-06 1978-10-06 Electron beam exposure equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12333178A JPS5824008B2 (en) 1978-10-06 1978-10-06 Electron beam exposure equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5550623A JPS5550623A (en) 1980-04-12
JPS5824008B2 true JPS5824008B2 (en) 1983-05-18

Family

ID=14857906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12333178A Expired JPS5824008B2 (en) 1978-10-06 1978-10-06 Electron beam exposure equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5824008B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59229818A (en) * 1983-06-13 1984-12-24 Jeol Ltd Charged beam exposure

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5550623A (en) 1980-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4441250A (en) Apparatus for registering a mask pattern in a photo-etching apparatus for semiconductor devices
GB1573920A (en) Electron beam lithographic system
CA1103813A (en) Apparatus for electron beam lithography
US4443703A (en) Method and apparatus of deflection calibration for a charged particle beam exposure apparatus
US4149085A (en) Automatic overlay measurements using an electronic beam system as a measurement tool
JPH10289851A (en) Charged particle beam exposing device
US4264822A (en) Electron beam testing method and apparatus of mask
US5153441A (en) Electron-beam exposure apparatus
JP3299647B2 (en) Electron beam drawing apparatus and electron beam drawing method
JPH0458104A (en) Electron beam size measuring instrument
JPH0628232B2 (en) Charged beam exposure system
JPS5824008B2 (en) Electron beam exposure equipment
US4151417A (en) Electron beam exposure apparatus
JP3064375B2 (en) Electron beam drawing apparatus and its adjustment method
JP2786660B2 (en) Charged beam drawing method
JP3065472B2 (en) Adjustment method of rectangular beam size and positioning in charged particle beam writing apparatus
JP2786662B2 (en) Charged beam drawing method
JP2786661B2 (en) Charged beam drawing method
JPH0282515A (en) Electron beam lithography
JP2892068B2 (en) Charged beam drawing method
JP2848417B2 (en) Charged particle beam exposure apparatus and exposure method
JPS6231488B2 (en)
JP2658871B2 (en) Method and apparatus for detecting mark position in electron beam exposure
JPH1126373A (en) Method of detecting mark and mark
JPH02250311A (en) Drawing by electron beam