JPS5821736B2 - Memory control method - Google Patents

Memory control method

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JPS5821736B2
JPS5821736B2 JP52094979A JP9497977A JPS5821736B2 JP S5821736 B2 JPS5821736 B2 JP S5821736B2 JP 52094979 A JP52094979 A JP 52094979A JP 9497977 A JP9497977 A JP 9497977A JP S5821736 B2 JPS5821736 B2 JP S5821736B2
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Japan
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memory
access
circuit
memory device
memory access
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JP52094979A
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桜井良雄
庄田暁夫
新谷廣
丹羽昭男
福井敏正
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Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は情報処理システムにおけるメモリ制御方式に関
するものであり、更に詳細に言えば速度の異なる複数の
メモリ装置を同一バス上に接続した情報処理システムに
おけるメモリ制御方式に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a memory control method in an information processing system, and more specifically, to a memory control method in an information processing system in which a plurality of memory devices with different speeds are connected on the same bus. It is.

近年、各種メモリ素子の開発は著しいものがあり、それ
に伴って、情報処理システムにおけるメモリ装置も多様
化して来た。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been remarkable development of various types of memory elements, and along with this, memory devices used in information processing systems have also become more diverse.

一般に情報肌理システムにおける主メモリ装置のコスト
比重は非常に高<、従ってコストパフォーマンスの良い
情報α環システムを設計する為;こは、要求される肌理
能力に見合ったメモリ装置の選択が必要とされている。
In general, the cost ratio of the main memory device in an information texture system is very high. Therefore, in order to design an information alpha ring system with good cost performance, it is necessary to select a memory device that matches the required texture ability. ing.

しかし前述したようにメモリ装置の進歩は目覚ましく、
システム設計当初においては経済的に見て実用的とは思
われないようなメモリ装置がシステム商用化の時期には
実用化されるような場合もあり、従って、メモリ制御方
式としては、メモリ装置の進歩、発展に柔軟に対α出来
る方式が望ましい。
However, as mentioned above, advances in memory devices are remarkable;
A memory device that is not thought to be economically practical at the time of system design may be put into practical use by the time the system is commercialized. A method that can flexibly respond to progress and development is desirable.

一方、例えば電子交換機における中央処理系装置のよう
に、あらかじめプログラムおよびデータのアクセス頻度
が知られているような情報肌理システムにおいては、ア
クセス頻度の高いプログラムおよびデータ類はコストは
高くても高速のメモリ装置に収容し、アクセス頻度の低
いプログラムおよびデータ類は安くて低速のメモリ装置
に収容することにより、コスト・パフォーマンスの良い
システムが実現できる。
On the other hand, in information processing systems where the access frequency of programs and data is known in advance, such as the central processing system in electronic exchanges, frequently accessed programs and data are processed at high speeds even though they are costly. A system with good cost performance can be realized by accommodating programs and data that are accessed infrequently in a cheap and low-speed memory device.

更に、電子交換機のような情報肌理システムにおいては
、局条件から要求される肌理能力に見合ったメモリ装置
が、局条件の変更に伴って中央制御装置の設計変更を必
要とすることなく自由に接続出来る構成となっている方
が、コスト・パフォーマンスの良いシステム設計が行な
える。
Furthermore, in information texture systems such as electronic exchanges, memory devices that match the texture capabilities required by station conditions can be freely connected without requiring changes in the design of the central control unit in response to changes in station conditions. If you have a configuration that allows you to do this, you can design a system with better cost performance.

以上述べた理由により、最近、同一のメモリバス上にア
クセスタイムの異なる複数のメモリ装置を接続出来るメ
モリアクセス制御方式すなわち異速度メモリ制御方式が
採用されるようになった。
For the reasons mentioned above, a memory access control method, that is, a different speed memory control method, which allows a plurality of memory devices having different access times to be connected on the same memory bus, has recently been adopted.

従来、このような異速度メモリ制御方式を採用した情報
肌理システムにおいては、同一メモリバス上に接続され
た最高速メモリ装置のアクセスタイムシこ合わせて命令
肌理パターンの設計が行なわれてきた。
Conventionally, in information texture systems employing such different speed memory control methods, instruction texture patterns have been designed based on the access times of the fastest memory devices connected on the same memory bus.

すなわち、現在メモリ装置をアクセス中の肌理装置で、
引続いて同一メモリバス上の他のメモリ装置へのアクセ
ス要求が生ずると、現在アクセス中のメモリ装置から中
央制御装置に応答情報の返送される一定時刻前に後続の
メモリアクセスを許可する方法が取られており、この「
一定時刻」は同一メモリバス上に接続されている最高速
のメモリ装置のアクセスタイム以内で、固定的に定めら
れていた。
In other words, the texture device that is currently accessing the memory device
When a subsequent access request to another memory device on the same memory bus occurs, there is a method for permitting subsequent memory access before a certain time when response information is returned from the memory device currently being accessed to the central controller. This "
The "fixed time" was fixedly determined within the access time of the fastest memory device connected on the same memory bus.

これについては第1図〜第9図を用いて更に詳細に説明
を行なう。
This will be explained in more detail using FIGS. 1 to 9.

これ等の第1図〜第9図において各記号は次の意味で使
用した。
In these FIGS. 1 to 9, each symbol is used with the following meaning.

(1)I;CCメモリアクセスサイクル(命令フェッチ
) (2)P;CCメモリアクセスサイクル(オペランドフ
ェッチ) (3)CH;データチャネル装置メモリアクセスサイク
ル (Jx;=令解読、オペランドアドレス計xサイクル (5)A;命令実行サイクル (6) n 、 n+1 、 n+2 ;命令が第n
1第n+1、第n + 2番目であること を示す。
(1) I; CC memory access cycle (instruction fetch) (2) P; CC memory access cycle (operand fetch) (3) CH; data channel device memory access cycle (Jx; = instruction decoding, operand address total x cycles ( 5) A; Instruction execution cycle (6) n, n+1, n+2; Instruction is nth
It shows that it is the 1st (n+1)th and the (n+2)th.

(7) −−−−;待合せサイクル (8)e:マシンサイクルタイム(=バスサイクルタイ
ム) さて、第1図はアクセスタイムが2eであるメモリを接
続した場合の3段先行制御時の代表命令のJE!パター
ンを示す。
(7) ----; Waiting cycle (8) e: Machine cycle time (= bus cycle time) Now, Figure 1 shows a representative command during three-stage advance control when a memory with an access time of 2e is connected. JE! Show a pattern.

ここで、CCメモリアクセスサイクル(命令フェッチ)
■とCCメモリアクセスサイクル(オペランドフェッチ
)Pとは同一 バス上の異なるメモリ装置をアクセスし
ているため、同一バスサイクルでのバスの使用要求が重
ならない範囲で事後してメモリアクセスする事により、
肌理能力の向上を図ることが出来る。
Here, CC memory access cycle (instruction fetch)
■ and CC memory access cycle (operand fetch) P are accessing different memory devices on the same bus.
It is possible to improve the texture ability.

前述した様に、メモリアクセスサイクル中(例えばn+
1のI)に生じた後続のメモリアクセス要求(例えばn
のP)は先行したメモリアクセスサイクル(例えばn
+ 1の■)の終了する一定時刻前に許されるが、アク
セスタイムが2eであるメモリ装置の場合は、第1図に
示すようにメモリアクセスサイクルが終了するle前に
後続のメモリアクセス(例えばnのP)を許すことによ
り待合せサイクルのない効率よいメモリ制御が出来る。
As mentioned above, during a memory access cycle (for example, n+
Subsequent memory access requests (e.g. n
P) is the previous memory access cycle (e.g. n
However, in the case of a memory device with an access time of 2e, subsequent memory accesses (e.g. By allowing P) of n, efficient memory control without waiting cycles can be achieved.

第1図は同一メモリ速度のメモリ装置の場合であるが、
異速度メモリの場合はアンサバス衝突およびアンサデー
タ追い越しという問題が生じる。
Figure 1 shows the case of memory devices with the same memory speed.
In the case of different speed memories, problems of answer bus collision and answer data overtaking occur.

第2図はアンサバス衝突の例である。FIG. 2 is an example of an answer bus collision.

この例のように例えば低速メモリのアクセスタイムが3
eであり、高速メモリのアクセスタイムが2eであるよ
うな異速度メモリシステムにおいて、第n + 1番目
の命令のa令フェッチ(第2図のn+1の■)で低速メ
モリをアクセス中に第n番目の命令のオペランドフェッ
チ(第2図のnのP)で高速メモリをアクセスした場合
、第2図に示すように2つのメモリ装置からの応答情報
がメモリアンサデークバスMWB上で重なってしまう場
合があり、これをアンサバス衝突と呼ぶが、これは中央
肌理装置の誤動作を招くので避けるように制御する必要
がある。
For example, as in this example, the access time of low-speed memory is 3
In a different speed memory system where the access time of the high speed memory is 2e, the nth When high-speed memory is accessed in the operand fetch of the th instruction (P in n in Figure 2), the response information from two memory devices overlaps on the memory answer deck bus MWB as shown in Figure 2. This is called an answer bus collision, but since it causes malfunction of the central texture device, it is necessary to control it to avoid it.

第3図はアンサデータ追越しの例である。FIG. 3 is an example of overtaking answer data.

ここに示すように例えば低速メモリのアクセスタイムが
4eであり、高速メモリのアクセスタイムが2eである
ような異速度メモリシステムにおいて、第n + 1番
目の命令の命令フェッチ(第3図のn+1のI)で低速
メモリをアクセス中に第n番目の命令のオペランドフェ
ッチ(第3図のnのP)で高速メモリをアクセスした場
合、先にアクセスされた低速メモリからの応答情報は後
からアクセスされた高速メモリからの応答情報よりも遅
れて返送される。
As shown here, for example, in a different speed memory system where the access time of low-speed memory is 4e and the access time of high-speed memory is 2e, the instruction fetch of the n+1th instruction (n+1 in Figure 3) is performed. If the high-speed memory is accessed by the operand fetch of the n-th instruction (P of n in Figure 3) while the low-speed memory is being accessed in I), the response information from the low-speed memory that was accessed first will be accessed later. The response information is returned later than the response information from the high-speed memory.

これをアンサデータ追越しと呼ぶが、これが命令フェッ
チとオペランドフェッチとの間で生ずると中央制御装置
の誤動作を招くことになる。
This is called answer data overtaking, and if it occurs between an instruction fetch and an operand fetch, it will cause a malfunction of the central control unit.

これらの異速度メモリシステムにおける問題点を解決す
るため従来から行なわれて来た方法は、前述したように
先行したメモリアクセスサイクルの終了する一定時刻前
に後続のメモリアクセスサイクルの開始を許すという制
御力式であり、その「一定時刻」は異速度メモリシステ
ム中の最高速メモリ装置が連続してアクセスされた際最
も効率よく制御出来るように定められていたつ 第2図、第3図の例では最高速メモリ装置のアクセスタ
イムは2eであるので、第1図に示したように先行した
メモリアクセスサイクルの終了するle前に後続のメモ
リアクセスサイクルの開始を許す方式が適用され、それ
ぞれ、第4図、第5図の命令灰皿パターンとすることで
前記問題点が解決されて来たつ しかし、このような従来方式には次の欠点があった。
The conventional method to solve these problems in different speed memory systems is to control the start of a subsequent memory access cycle at a certain time before the end of the preceding memory access cycle, as described above. In the examples shown in Figures 2 and 3, the "fixed time" is determined so that the highest speed memory device in the different speed memory system can be controlled most efficiently when accessed continuously. Since the access time of the fastest memory device is 2e, a method is applied in which the subsequent memory access cycle is allowed to start before the preceding memory access cycle ends le, as shown in FIG. Although the above-mentioned problems have been solved by using the command ashtray pattern shown in FIGS.

すなわち、例えば低速メモリのアクセスタイムが4eで
あり、高速メモリのアクセスタイムが2eであるような
異速度メモリシステムにおいて低速メモリが連続してア
クセスされる場合、従来方式によると第6図に示したよ
うな自余肌理パターンとなり、メモリアクセスサイクル
中に生じた後続のメモリアクセス要求(第6図で口+1
の1に対するnのP、nのPに対するn+2のI。
In other words, in a different-speed memory system where the access time of low-speed memory is 4e and the access time of high-speed memory is 2e, when the low-speed memory is accessed consecutively, according to the conventional method, the access time shown in FIG. This results in a free texture pattern such that subsequent memory access requests that occur during the memory access cycle (in Figure 6,
P of n for 1 of , I of n+2 for P of n.

n + 2の1に対するn +1のP)は不必要な待合
せサイクル(第6図ではそれぞれ2e)を強いられ、肌
理能力の低下を招く。
P of n + 1 for 1 of n + 2) forces unnecessary waiting cycles (each 2e in FIG. 6), leading to a decrease in texture ability.

この待合せサイクルは本来不必要であり、第7図に示す
ような命令α哩ハターンとしても伺ら不都合はなく、こ
の方が肌理能力は改善される。
This waiting cycle is essentially unnecessary, and there is no inconvenience if the command α is followed as shown in FIG. 7, and the processing ability is improved in this way.

また例えば、第6図と同様の異速度メモリシステムにお
いて、データチャネル装置が低速メモリをアクセス中に
中央制御装置が高速メモリをアクセスする場合、従来方
式によると第8図に示す命令処理パターンとなる。
For example, in a different-speed memory system similar to that shown in FIG. 6, if the central control unit accesses the high-speed memory while the data channel device is accessing the low-speed memory, the conventional method results in the instruction processing pattern shown in FIG. .

中央制御装置の命令フェッチとオペランドフェッチの間
でアンサデータ追越しが起ると誤動作の原因となるが、
データチャネル装置と中央制御装置とのメモリアクセス
サイクルの間でアンサデータ追越しが起っても、伺ら問
題はないので、第8図における待合せサイクル(2e)
も不必要なものであり、これは第9図に示す命令肌理パ
ターンとしても何ら不都合はなく、肌理能力は改善され
る。
If answer data overtakes occur between the central controller's instruction fetch and operand fetch, it will cause malfunction.
Even if answer data is overtaken during the memory access cycle between the data channel device and the central control device, there is no problem, so the waiting cycle (2e) in FIG.
This is also unnecessary, and there is no problem with the instruction texture pattern shown in FIG. 9, and the texture ability is improved.

これ等の例に示した様に、従来方式の矢へは、先行のメ
モリアクセスサイクル中に生じた後続のメモリアクセス
要求の受付は制御を、最高速メモリ装置のアクセスタイ
ムによって定められる画一的な方法で行なっていたため
に、低速メモリが連続してアクセスされる場合およびア
ンサデータ追越しが許されるような場合(例えはデータ
チャネル装置と中央制御装置とのメモリアクセス)に不
必要な待合せサイクルを生じ、処理能力の低下を引起す
ことにある。
As shown in these examples, the arrow of conventional methods is that the acceptance of subsequent memory access requests that occurred during the preceding memory access cycle is controlled in a uniform manner determined by the access time of the fastest memory device. This was done in a conventional manner, resulting in unnecessary waiting cycles when slow memory is accessed continuously and when answer data is allowed to overtake (for example, memory access between data channel equipment and central control unit). This results in a decrease in processing capacity.

本発明は、これらの欠点を解決する為、メモリ装置をア
クセス中に引続いて同一バス上の他のメモリ装置へのア
クセス要求が生じた場合、現在アクセス中のメモリ装置
のアクセスタイムと、引続いてアクセス要求の生じたメ
モリ装置のアクセスタイムとを比較する事により、この
引続いてアクセス要求の生じたメモリ装置へのアクセス
を許i”iTするようにすることにより、あらゆる速度
の組合せよりなる異速度メモリシステムにおいても、最
も効率よくメモリ装置を連用できる柔軟なメモリ制御力
式を提供するものでbす、以下、詳細に説明する。
In order to solve these drawbacks, the present invention has been developed to calculate the access time of the memory device currently being accessed and the access time of the memory device currently being accessed when a request to access another memory device on the same bus occurs while the memory device is being accessed. Subsequently, by comparing the access time of the memory device for which the access request occurred, and allowing access to the memory device for which the access request occurred subsequently, it is possible to eliminate all speed combinations. The present invention provides a flexible memory control system that allows memory devices to be used most efficiently even in different speed memory systems.This will be described in detail below.

第10図は本発明の実施例のブロック図であって、中央
制御装置CCはメモリアドレスバスMAJ3、メモリラ
イトデータバスMDB1メモリアンサデータバスMWB
の3種のバスを有し、これ等1こ複数個のメモリ装置賜
2MM12MM2〜MMnが接続され、これらメモリ装
置は中央制御装置CCからのメモリ起動信号ENo、E
N1.EN2〜ENnによりそれぞれ起動され、これ等
メモリ装置MMはそれぞれアクセスタイムT。
FIG. 10 is a block diagram of an embodiment of the present invention, in which the central control unit CC includes a memory address bus MAJ3, a memory write data bus MDB1 and a memory answer data bus MWB.
It has three types of buses, to which one or more memory devices 2MM12MM2 to MMn are connected, and these memory devices receive memory activation signals ENo and E from the central controller CC.
N1. Each of these memory devices MM is activated by EN2 to ENn and has an access time T.

、T1.T2〜Tnを有し、これ等アクセスタイムの少
なくとも1つは他と異なる。
, T1. T2 to Tn, at least one of these access times is different from the others.

第11図は中央制御装置CCにおけるメモリ装置制御部
分のブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram of the memory device control section in the central controller CC.

第11図において、メモリ装置MMへのアクセス要求は
、例えば中央制御装置CCの命令制御部(図示しない)
からは要求信号RQ1により、中央制御装置CCのオペ
ランド制御部(図示しない)からは要求信号RQ2によ
り、またデータチャネル装置(図示しない)からは要求
信号Rqにより行なわれるものとするがメモリアクセス
競合回路MAPにおいてそのうちの1個を競合優先選択
し、この情報をメモリアドレスデータ選択回路MASL
へ送り、優先選択した装置のメモリアドレスデータ、す
なわち、中央制御装置CCの命令制御部からのメモリア
ドレスデータAD、、または中央制御装置CCのオペラ
ンド制御部からのメモリアドレスデータAD2、または
データチャネル装置からのメモリアドレスデータAD3
のいずれか1つを選択する。
In FIG. 11, an access request to the memory device MM is made by a command control unit (not shown) of the central control unit CC, for example.
The memory access contention circuit is executed by a request signal RQ1 from the central controller CC, by a request signal RQ2 from the operand control unit (not shown) of the central controller CC, and by a request signal Rq from the data channel device (not shown). One of them is selected with priority in the MAP, and this information is sent to the memory address data selection circuit MASL.
and sends the memory address data of the preferentially selected device, that is, the memory address data AD from the command control section of the central control device CC, or the memory address data AD2 from the operand control section of the central control device CC, or the data channel device. Memory address data AD3 from
Select one.

メモリアドレスデータ選択回路MA S I、で選択さ
れたメモリアドレスデータは2つの部分、すなわち論理
メモリ装置ネーム部LENとメモリ装置内アドレス部m
abとから成る。
The memory address data selected by the memory address data selection circuit MASI is divided into two parts: a logical memory device name part LEN and a memory device internal address part m.
It consists of ab.

メモリ装置内アドレス部mabはドライブゲートDGに
送られる。
The memory device internal address section mab is sent to the drive gate DG.

論理メモリ装置ネーム部LENはメモリ装置ネーム変換
回路MNCに送られ、物理メモリ装置ネームPENに変
換される。
The logical memory device name portion LEN is sent to a memory device name conversion circuit MNC and converted into a physical memory device name PEN.

物理メモリ装置ネームPENはデコーダDECでデコー
ドされ、メモリ装置指定信号eno”ennとなってド
ライブゲ−1−DGに送られる。
The physical memory device name PEN is decoded by the decoder DEC and sent to the drive game 1-DG as a memory device designation signal eno''enn.

更に物理メモリ装置ネームPENはメモリ装置速度表示
回路MSIに送られる。
Furthermore, the physical memory device name PEN is sent to the memory device speed indicator circuit MSI.

メモリ装置速度表示回路MSIは、メモリ装置MM対応
にメモリ装置MMのアクセスタイムを記憶しておく、物
理メモリ装置ネームPENの指定により、対応するメモ
リ装置MMのアクセスタイム表示信号msを出力する。
The memory device speed display circuit MSI stores the access time of the memory device MM corresponding to the memory device MM, and outputs the access time display signal ms of the corresponding memory device MM according to the designation of the physical memory device name PEN.

物理メモリ装置ネームPENおよびメモリ装置内アドレ
スmabはアクセス条件チェック回路ACKにも人力さ
れる。
The physical memory device name PEN and the memory device internal address mab are also input to the access condition check circuit ACK.

アクセス条件チェック回路ACKはメモリ装置ビジーチ
ェック、メモリプロテクションチェック等を行ない、ア
クセス可の場合はアクセス町信号ackを“1″として
メモリアクセス制御回路MC19MC22MC3へ送出
する。
The access condition check circuit ACK performs a memory device busy check, a memory protection check, etc., and when access is possible, sets the access signal ACK to "1" and sends it to the memory access control circuit MC19MC22MC3.

メモリアクセス制御回路MC12MC22MC3はそれ
ぞれ、メモリアクセス競合回路MAPにおいて、中央制
御装置CCの命令制御部(図示しない)からのメモリア
クセス要求RQ1、中央制御回路CCのオペランド制御
部(図示しない)からのメモリアクセス要求RQ2、デ
ータチャネル装置(図示しない)からのメモリアクセス
要求RQ3により、メモリアクセス回路起動信号rTI
Cl + rn C2t rn Caがそれぞれ選択
され、しかもアクセス条件チェック回路ACKからのア
クセス可信号ackカげ1″の場合に起動される。
Each memory access control circuit MC12MC22MC3 receives a memory access request RQ1 from an instruction control unit (not shown) of the central control unit CC and a memory access from an operand control unit (not shown) of the central control circuit CC in the memory access contention circuit MAP. Request RQ2 and memory access request RQ3 from a data channel device (not shown) cause memory access circuit activation signal rTI.
Cl+rn, C2t, rn, and Ca are respectively selected and activated when the access enable signal ACK from the access condition check circuit ACK is 1''.

メモリアクセス制御回路MC12MC22MC3は、メ
モリ装置速度表示回路MSIからのメモリアクセスタイ
ム表示信号msを基にメモリ装置MMを今アクセスして
不都合があるか否かのメモリ速度に関するチェックをお
こなう。
The memory access control circuit MC12MC22MC3 checks the memory speed to see if there is any problem in accessing the memory device MM now based on the memory access time display signal ms from the memory device speed display circuit MSI.

本発明はこのチェックに関するものであり、これについ
ては後に詳細に説明を行なう。
The present invention relates to this check, which will be explained in detail later.

さて、チェック結果がアクセス不可である場合はメモリ
アクセスを禁止するが、アクセス町の場合はドライブゲ
ートDGに対しメモリ駆動タイミング信号DT1.DT
2.DT3をそれぞれ送ることによりメモリアドレスバ
スMABの駆動、メモリ起動信号EN(、+EN1・・
・・・・ENnの送出を指示し、更にメモリ装置速度表
示回路MSIからのメモリアクセスタイム表示信号ms
を基にメモリ装置からの応答情報をメモリアンサデータ
バスMWBを介して受信するためのアンサ受信タイミン
グ信号RT1.RT2.RT3を、アンサ受信ゲートR
G1.RG2.RG3にそれぞれ送出する。
Now, if the check result is that access is not possible, memory access is prohibited, but in the case of access, memory drive timing signal DT1. DT
2. By sending DT3 respectively, the memory address bus MAB is driven and the memory activation signal EN(, +EN1...
・・・・Instructs the sending of ENn, and also sends the memory access time display signal ms from the memory device speed display circuit MSI.
An answer reception timing signal RT1. for receiving response information from the memory device via the memory answer data bus MWB based on the response information RT1. RT2. RT3 to answer reception gate R
G1. RG2. Send each to RG3.

アンサ受信ゲートRG1.RG2.RG3はそれぞれメ
モリアンサデータバスMWBから受信したメモリ装置M
Mからの応答情報をメモリアンサデータWD12wD2
.WD3として、それぞれのメモリアクセス要求元、す
なわち、中央制御装置CCの命令制制部(図示しない)
、中央制御装置CCのオペランド制御部(図示しない)
、データチャネル装置(図示しない)へと送出する。
Answer reception gate RG1. RG2. RG3 is the memory device M received from the memory answer data bus MWB.
The response information from M is stored as memory answer data WD12wD2.
.. As WD3, each memory access request source, that is, the command control unit (not shown) of the central control unit CC
, an operand control section of the central controller CC (not shown)
, to a data channel device (not shown).

以上が本発明を適用したメモリ制御部の動作概要である
が、本発明は特に前記メモリアクセス制御回路MC12
MC22MC3に関するものであり、以後第12図を用
いて更に詳細に説明を行なう。
The above is an outline of the operation of the memory control unit to which the present invention is applied.
This relates to MC22MC3, and will be explained in more detail below using FIG. 12.

第12図においてMC12MC22MC3は第11図に
おけるメモリアクセス制御回路MC12MC22MC3
を詳細に示したものである。
In FIG. 12, MC12MC22MC3 is the memory access control circuit MC12MC22MC3 in FIG.
is shown in detail.

第12図においてCαβ(但し、α=1.2,3.β=
1.2.3でありα\β。
In Figure 12, Cαβ (where α=1.2, 3.β=
1.2.3 and α\β.

以下同じ。)はメモリアクセス制御回路MCα2とおけ
るメモリ速度の比較回路であり、メモリ装置速度表示回
路MSIから送られるアクセス表示信号msと他のメモ
リアクセス制御回路MCβにおける一1回路SBβの出
力信号sbβとを比較し、条件を満たした場合に第1の
ANDゲ−)Gα。
same as below. ) is a memory speed comparison circuit in the memory access control circuit MCα2, which compares the access display signal ms sent from the memory device speed display circuit MSI with the output signal sbβ of the 11 circuit SBβ in another memory access control circuit MCβ. If the condition is satisfied, the first AND game)Gα.

に1″を印加する。この条件はアクセス要求元が何であ
るかにより異なるが、これについては後に述べる。
1'' is applied to the access request source. This condition differs depending on the source of the access request, and will be described later.

比較回路Cαβでアクセス条件が満足され、しかもアク
セス条件チェック回路ACKの出力であるアクセス可信
号ackが1′”であり、メモリアクセス回路起動信号
mcα力げ1”の場合に第1のAND ゲートGα。
If the access condition is satisfied in the comparison circuit Cαβ, and the access enable signal ACK, which is the output of the access condition check circuit ACK, is 1''' and the memory access circuit activation signal mcα is 1'', the first AND gate Gα .

が開き、メモリアクセス制御回路MCαは起動され、ク
ロックCLKと同期して、第5のANDゲー1−Ga4
を介して、′モリ駆動タイミング信号DTαを送出する
is opened, the memory access control circuit MCα is activated, and in synchronization with the clock CLK, the fifth AND game 1-Ga4 is activated.
The 'mori drive timing signal DTα' is sent out via the.

メモリアクセス制御回路MCαにおいて、SRαは現在
アクセス中のメモリ速度を一時的に貯えるレジスタであ
り、−1回路SBαと共に一1カウンタを構成す、′る
In the memory access control circuit MCα, SRα is a register that temporarily stores the memory speed currently being accessed, and together with the -1 circuit SBα constitutes a counter.

レジスタSRa管;初期状態においては1がセットされ
ており・、従って一1回路SBαの出力sbdは0であ
り、セ゛ロ検出回路ZDαの出力zdαはN 、 +1
となっている。
Register SRa: 1 is set in the initial state. Therefore, the output sbd of the 11th circuit SBα is 0, and the output zdα of the zero detection circuit ZDα is N, +1.
It becomes.

第1のANDゲー1−Ga4の出力が”l uでゼロ検
出回路ZDαの出力zdαが1″。
The output of the first AND gate 1-Ga4 is "lu, and the output zdα of the zero detection circuit ZDα is 1".

となるとアクセスタイム表示信号msは第3のANDゲ
゛−トGα2.ORゲ゛−トGα3を経由してレジスタ
SRαにクロックCLKに同期してセットされる。
Then, the access time display signal ms is passed through the third AND gate Gα2. It is set in register SRα via OR gate Gα3 in synchronization with clock CLK.

レジスタSRαの出力srαは一1回路SBαに入力さ
れ、更に一1回路SBαはsbαを出力す。
The output srα of the register SRα is input to the 11th circuit SBα, and the 11th circuit SBα further outputs sbα.

る。Ru.

ゼロ検出回路ZDαは一1回路SBαの出力sbαが0
であるとき、その出力zdαを”1″とする。
The zero detection circuit ZDα is 0 when the output sbα of the 11 circuit SBα is 0.
When , the output zdα is set to “1”.

ゼロ検出回路ZDαの出力zdαが”0″のときは一1
回路SBαの出力sbαは第2のANDゲートGα1+
ORゲー1−Ga4を経由して再びレジスタSRαにセ
ットされる。
-1 when the output zdα of the zero detection circuit ZDα is “0”
The output sbα of the circuit SBα is connected to the second AND gate Gα1+
It is set in the register SRα again via OR gates 1-Ga4.

ゼロ検出回路ZDαの出力。zdaが”1″のときは上
述したカウンタの機能は停止し、新たにレジスタSRa
管第3のANDゲートG(、n。
Output of zero detection circuit ZDα. When zda is "1", the above-mentioned counter function stops and a new register SRa
Tube third AND gate G (, n.

ORゲー)Ga4を経由してアクセスタイム表示信号m
sを受ける事を可能とする同時に第4のANDゲートG
α4によりアンサ受信ゲート信号RTαを発生する。
OR game) Access time display signal m via Ga4
At the same time, a fourth AND gate G
An answer reception gate signal RTα is generated by α4.

比較回路Cαβの出力が”1″となる条件は、第12図
の例では次に示すとおりである。
The conditions for the output of the comparison circuit Cαβ to be "1" are as follows in the example of FIG.

第12図の例では、MC1は中央制御装置CCの命令制
御部(図示しない)からのメモリアクセス要求に対する
第1のメモリアクセス制御回路、MC2は中央制御装置
CCのオペランド制御部(図示しない)からのメモリア
クセス要求に対する第2のメモリアクセス制御回路、M
C3はデータチャネル装置(図示しない)からのメモリ
アクセス要求に対する第3のメモリアクセス制御回路で
あるが、前述したように、いずれのメモリアクセスにお
いてもアンサバス衝突は避ける必要があり、また、命令
フェッチとオペランドフェッチの間でのアンサデータ追
越しは避ける必要があるが、命令フェッチまたはオペラ
ンドフェッチとデータチャネル装置(図示しない)との
間でのアンサデータ追越しは許される。
In the example of FIG. 12, MC1 is a first memory access control circuit that responds to a memory access request from an instruction control unit (not shown) of the central control unit CC, and MC2 is a first memory access control circuit that responds to a memory access request from an instruction control unit (not shown) of the central control unit CC. A second memory access control circuit for a memory access request of M
C3 is the third memory access control circuit for responding to memory access requests from a data channel device (not shown), but as mentioned above, it is necessary to avoid answer bus collision in any memory access, and it is necessary to avoid answer bus collisions in any memory access. Answer data passing between operand fetches must be avoided, but answer data passing between instruction fetches or operand fetches and data channel devices (not shown) is allowed.

従って第12図の例の場合、比較回路Cαβの出力が”
1′′となるのはアクセスタイム表示信号msと一1回
路SBαの出力sbαとの間で次の時間的条件が成立す
るときである。
Therefore, in the case of the example shown in FIG. 12, the output of the comparison circuit Cαβ is "
1'' occurs when the following time condition is satisfied between the access time display signal ms and the output sbα of the 11th circuit SBα.

すなわち、C1□はrnS > S b2 t C13
はms\Sb3.C23はms\sb3*C21はrn
s > 5b1t C31はms\5b1t”32はm
s\sb2である。
That is, C1□ is rnS > S b2 t C13
is ms\Sb3. C23 is ms\sb3*C21 is rn
s > 5b1t C31 is ms\5b1t"32 is m
It is s\sb2.

メモリ制御部の動作について、第13図を用いて、第1
1図、第12図を参照しながら更に詳細に説明を行なう
Regarding the operation of the memory control unit, the first
A more detailed explanation will be given with reference to FIGS. 1 and 12.

第13図において、co、C1・・・・・・C1oは時
刻を示し、To、T1・・・・・・Tloはタイミング
の名称を示すが、To、T1・・・・・・Tloはすべ
て同一間隔であり、これは1マシンサイクルeと等しい
In Fig. 13, co, C1...C1o indicate time, To, T1...Tlo indicate timing names, and To, T1...Tlo are all the same interval, which is equal to one machine cycle e.

ここではデータチャネル装置(図示しない)からのメモ
リアクセス要求RQ3と中央制御装置CCの命令制御部
(図示しない)からのメモリアクセス要求RQtとが時
刻C8において同時に生じた場合の説明を行なうが、次
の前提柔性をおく。
Here, we will explain the case where a memory access request RQ3 from a data channel device (not shown) and a memory access request RQt from a command control unit (not shown) of the central control unit CC occur simultaneously at time C8. The premise is flexibility.

すなわち、 (1)データチャネル装置からのメモリアクセス要求は
中央制御装置CCからのメモリアクセス要求より優先さ
せる。
That is, (1) Memory access requests from the data channel device are given priority over memory access requests from the central controller CC.

(2)データチャネル装置が現在アクセスしようとして
いるメモリ装置のアクセスタイムは5e(eはマシンサ
イクル)である。
(2) The access time of the memory device that the data channel device is currently trying to access is 5e (e is machine cycle).

(3)中央制御装置CCが現在アクセスしようとしてい
るメモリ装置のアクセスタイムは4e(eはマシンサイ
クル)である。
(3) The access time of the memory device that the central controller CC is currently trying to access is 4e (e is machine cycle).

さて、時刻C6において同時に生じた前記2つのメモリ
アクセス要求RQ1とRQ3はタイミングT。
Now, the two memory access requests RQ1 and RQ3 that occurred simultaneously at time C6 are at timing T.

において第11図のメモリアクセス競合回路MAPに入
力されるが、上記前提条件(1)によりアクセス要求R
Q3が受は付けられる。
However, due to the above precondition (1), the access request R is input to the memory access contention circuit MAP in FIG.
Q3 is accepted.

メモリアクセス競合回路MAPの出力は同じタイミング
T。
The output of the memory access contention circuit MAP is at the same timing T.

においてメモリアドレスデータ選択回路MASLに人力
され、ここではアドレスAD3を選択し、論理メモリ装
置ネーム部LENとメモリ装置内アドレス部mabとを
出力する。
In this case, the memory address data selection circuit MASL selects the address AD3 and outputs the logical memory device name section LEN and the memory device internal address section mab.

論理メモリ装置ネーム部LENは前述したようにメモリ
ネーム変換回路MNCに人力されて物理メモリ装置ネー
ムPENを出力し、更に物理メモリ装置ネームPENは
メモリ装置速度表示回路MSIに送られ、アクセスタイ
ム表示信号msが出力されるが、今は前記前提条田2)
によりm s−5である。
As described above, the logical memory device name section LEN is manually inputted by the memory name conversion circuit MNC to output the physical memory device name PEN, and the physical memory device name PEN is further sent to the memory device speed display circuit MSI to generate an access time display signal. ms is output, but now the above premise is 2)
Therefore, it is m s-5.

既に説明したように、今、メモリアクセス制(m回路M
C3のゼロ検出回路ZD3の出力z d 3が“1″で
あり、比較回路C31および比較回路C3□においてア
クセスタイム表示信号msとの比較条件が満足しており
、しかもアクセス条件チェック回路ACKからのアクセ
ス可信号ackが1”であるとすると、メモリアクセス
競合回路MAPからのメモリアクセス回路起動信号mC
3がタイミングT。
As already explained, the memory access system (m circuit M
The output z d 3 of the zero detection circuit ZD3 of C3 is "1", the comparison condition with the access time display signal ms is satisfied in the comparison circuit C31 and the comparison circuit C3□, and the output from the access condition check circuit ACK is satisfied. Assuming that the access enable signal ack is 1'', the memory access circuit activation signal mC from the memory access contention circuit MAP
3 is timing T.

で1″となっているので、第3のメモリ制御回路MC3
の第1のANDゲートG、。
Therefore, the third memory control circuit MC3
The first AND gate G, .

、第3のANDゲー1−G3□、ORゲートG33を経
由して、時刻C1でアクセスタイム表示信号msはレジ
スタSR3にセットされ、同時に第5のANDゲートG
3.からメモリ駆動タイミング信号DT3が出力される
, the third AND gate 1-G3□, and the OR gate G33, the access time display signal ms is set in the register SR3 at time C1, and at the same time, the access time display signal ms is set in the register SR3 via the third AND gate 1-G3□ and the OR gate G33.
3. A memory drive timing signal DT3 is output from.

タイミングT1においてレジスタ出力Sr3は5を示し
、これは−1回路SB3に入力され、従って一1回路S
B3の出力sb3は4を示している。
At timing T1, register output Sr3 indicates 5, which is input to -1 circuit SB3, and therefore -1 circuit Sr3.
The output sb3 of B3 indicates 4.

さて、時刻C6において中央制御装置CCの命令制御部
(図示しない)から生じたメモリアクセス要求RQ1は
、タイミングT。
Now, the memory access request RQ1 generated from the command control unit (not shown) of the central controller CC at time C6 is received at timing T.

での優先競合に敗れたままタイミングT1まで保留され
ている。
The priority competition at 2008 was lost and the process is suspended until timing T1.

タイミンクT1では他のメモリアクセス要求がないので
メモリアクセス競合回路MAPはメモリアクセス要求R
Q1を受は付ける。
Since there is no other memory access request at timing T1, the memory access contention circuit MAP issues a memory access request R.
I accept Q1.

以後、タイミングToにおいてメモリアクセス要求RQ
3に関して述べたのと全く同様にして、アクセスタイム
表示信号msを得る。
Thereafter, at timing To, memory access request RQ
The access time indication signal ms is obtained in exactly the same manner as described in connection with 3.

前記前提条件(3)により今度はms二4であるが、タ
イミングT1では一1回路SB3の出力sb3は4を示
しており、従って第1のメモリアクセス制御回路MC1
の比較回路C13は両者の一致を検出し n Q jl
を出力するので、第1のメモリアクセス制御回路MC1
の第1のANDゲートG1゜のAND条注柔性立せず、
時刻C2でレジスタSR1にアクセスタイム表示信号m
sがセットされること、および第5のANDゲートG0
5によりメモリ駆動タイミング信号DT1が送出される
ことは禁止され、結局タイミングT2も待合せサイクル
となる。
According to the precondition (3), ms is now 24, but at timing T1, the output sb3 of the 11 circuit SB3 indicates 4, so the first memory access control circuit MC1
The comparison circuit C13 detects a match between the two and n Q jl
Therefore, the first memory access control circuit MC1
The AND clause of the first AND gate G1゜ does not stand,
At time C2, access time display signal m is sent to register SR1.
s is set, and the fifth AND gate G0
5, the sending of the memory drive timing signal DT1 is prohibited, and as a result, the timing T2 also becomes a waiting cycle.

タイミングT2になると、第3のメモリアクセス制御回
路MC,の−1回路SB3の出力sb3は3となり、前
記比較回路C13では不一致を検出して出力をn I
I+とする。
At timing T2, the output sb3 of the -1 circuit SB3 of the third memory access control circuit MC becomes 3, and the comparison circuit C13 detects a mismatch and outputs nI.
Let it be I+.

一方、第2のメモリアクセス制御回路MC2は現在アク
セスされていないとすると−1回路SB2の出力sb2
は1であり、従って比較回路C12も不一致を検出して
出力を°゛1″とする。
On the other hand, assuming that the second memory access control circuit MC2 is not currently being accessed, the output sb2 of the -1 circuit SB2
is 1, therefore, the comparator circuit C12 also detects a mismatch and outputs "1".

更に、アクセス条件チェック回路ACKからのアクセス
可信号ackが°1″とすると、タイミングT2におい
てメモリアクセス回路起動信号mc2は第1のメモリア
クセス制御回路MC1の第1のMΦケートG1oを通し
て第1のメモリアクセス制御回路MC1を起動する。
Furthermore, if the access enable signal ack from the access condition check circuit ACK is 1'', then at timing T2, the memory access circuit activation signal mc2 is sent to the first memory through the first MΦgate G1o of the first memory access control circuit MC1. Activate the access control circuit MC1.

結局タイミングT。において生じたメモリアクセス要求
RQ1を時刻03になって初めて受付けられたことにな
り、メモリ駆動タイミング信号DT1が送出される。
Timing T after all. The memory access request RQ1 generated at 03 is not accepted for the first time at time 03, and the memory drive timing signal DT1 is sent out.

メモリ駆動タイミング信号DT3.DT1が送出される
とレジスタSR3゜SR,と−1回路SB3.SB1よ
り成る一1カウンタは一1回路の出力sba l sb
lがOとなるまで減算をくり返し、−1回路SB3 p
SBtの出力sbs 、 sblが0となったことを
ゼロ検出回路ZD3.ZD1が検出し、その出力zd3
. zdlが1”′となったタイミングT5およびT、
で、第3のメモリアクセス制御回路MC3の第4のAN
Dゲー1−03.および第1のメモリアクセス制御回路
MC1の第4のANDゲートG14を通してアンサ受信
タイミング信号RT3およびRTlをそれぞれ出力する
ことにより、メモリアンサデータバスMWB上の信号を
時刻C6およびC7でそれぞれ受信する。
Memory drive timing signal DT3. When DT1 is sent out, register SR3°SR and -1 circuit SB3. The 11 counter consisting of SB1 has the output of the 11 circuit sba l sb
Repeat the subtraction until l becomes O, -1 circuit SB3 p
The zero detection circuit ZD3. detects that the outputs sbs and sbl of SBt have become 0. ZD1 detects and its output zd3
.. Timings T5 and T when zdl becomes 1'',
The fourth AN of the third memory access control circuit MC3
D game 1-03. By outputting answer reception timing signals RT3 and RTl through the fourth AND gate G14 of the first memory access control circuit MC1, the signals on the memory answer data bus MWB are received at times C6 and C7, respectively.

このようにメモリアクセス要求RQ1を時刻C2で受付
けた場合に予想される時刻C6でのアンサハス衝突を最
少の待合せサイクル(この例では2e)だけで避けるよ
うに制御出来る。
In this way, when the memory access request RQ1 is accepted at the time C2, the expected answering collision at the time C6 can be controlled to be avoided with only the minimum number of waiting cycles (2e in this example).

この場合、従来方式を適用すると4eの待合せサイクル
が必要であることは明白であり、大幅に待合せサイクル
を短縮出来る。
In this case, it is clear that if the conventional method is applied, a waiting cycle of 4e is required, and the waiting cycle can be significantly shortened.

第13図の例ではアンサバス衝突に関して説明したが、
アンサデータの追越しに関しても、前述した比較回路C
αβにおける比較条件により同様に制御出来る。
In the example shown in Figure 13, we explained about the answerbus collision.
Regarding the overtaking of answer data, the above-mentioned comparison circuit C
It can be similarly controlled by the comparison conditions for αβ.

以上、詳細に説明したように、本発明によれば、メモリ
装置速度表示回路MSIからの出力であるアクセスタイ
ム表示信号ms、すなわち今アクセスしようとしている
メモリ装置のアクセスタイムに関する情報と、現在アク
セス中のメモリ装置のアクセスタイムに関する情報、す
なわち−−−1回路SB1〜SB3の出力sb0〜sb
3とを比較回路C12ycts 1CZ31 C21t
C31t Cs□で比較することにより、アンサバス
衝突が予想される場合は後続のメモリアクセス要求の受
付けを待合せ制御し、データチャネル装置と中央制御装
置との間ではアンサデータ追越しは許すが、中央制御装
置の命令フェッチとオペランドフェッチとの間でのアン
サデータ追越しは禁止する制御をし、従来、異速度メモ
リのメモリアクセス要求受付は制御を高速メモリアクセ
スタイムに合わせて画一的に制御していたことから。
As described above in detail, according to the present invention, the access time display signal ms output from the memory device speed display circuit MSI, that is, information regarding the access time of the memory device that is currently being accessed, and the information regarding the access time of the memory device currently being accessed. information regarding the access time of the memory device, i.e. outputs sb0 to sb of the circuits SB1 to SB3;
3 and comparison circuit C12ycts 1CZ31 C21t
By comparing C31t Cs□, if an answer bus collision is expected, the reception of subsequent memory access requests is delayed and controlled, and overtaking of answer data is allowed between the data channel device and the central controller, but the central controller Conventionally, control was implemented to prohibit overtaking of answer data between instruction fetch and operand fetch, and conventionally, memory access request reception for different speed memories was uniformly controlled in accordance with high-speed memory access time. from.

生ずる、第6図および第8図に示すような、不必要な待
合せサイクルをなくシ、第7図および第9図に示すよう
な効率のよい異速度メモリアクセス制御が可能となる。
This eliminates unnecessary waiting cycles as shown in FIGS. 6 and 8, and enables efficient different speed memory access control as shown in FIGS. 7 and 9.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図から第9図までは3段先行制御時の代表命令のα
哩パターン図、第10図から第13図は本発明を説明す
るためのものであり、第10図は情報肌理システムのブ
ロック図、第11図は肌理装置内メモリ制御部のブロッ
ク図、第12図はメ。 モリ制御部内メモリアクセス制御回路の詳細ブロック図
、第13図は第11図のメモリ制御部および第12図の
メモリアクセス制御回路の動作概要を示すタイミングチ
ャートである。 CC・・・・・・中央制御装置、賜〜MMrr−・・主
メモリ装置、ENo −EN n・・・・・・メモリ起
動信号、MAB・・・・・・メモリアドレスバス、MD
B・・・・・・メモリライトデータバス、MWB・・・
・・・メモリアンサデークバス、MAP・・・・・・メ
モリアクセス競合回路、MASL・・・・・・メモリア
ドレスデータ選択回路、MNC・・・・・・メモリ装置
ネーム変換回路、MS■・・・・・・メモリ装置速度表
示回路、MC1〜MC3・・・・・・メモリアクセス制
御回路、DEC・・・・・・デコーダ、DG・・・・・
・ドライブゲート、RG1〜RG3・・・・・・アンサ
受信ゲート、RQ1〜RQ3・・・・・・メモリアクセ
ス要求、AD1〜AD3・・・・・・メモリアドレスデ
ータ、LEN・・・・・・論理メモリ装置ネーム部、P
EN・・・・・・物理メモリ装置ネーム部、wD1〜w
D3・・・・・・メモリアンサデータ、ACK・・・・
・・アクセス条件チェック回路、DT1〜DT3・・・
・・・メモリ駆動タイミング信号、RT1〜RT3・・
・・・・アンサ受信タイミング信号、mab・・・・・
・メモリ装置内アドレス部、ms・・・・・・アクセス
タイム表示信号、rn C1〜rn C3・・・・・・
メモリアクセス回路起動信号、eno〜enn〜メモリ
装置指定信号、ack・・・・・・アクセス可信号、C
LK・・・・・・クロック、C1□” 13 ”21
p C23+C311C32”””比較回路、G1o〜
G6.G2o〜G25.G3゜〜G35・・・・・・ゲ
ート、S鴇〜SR3・・・・・・レジスタ、SBl〜S
B3・・・・・・−1回路、ZD1〜ZD3・・・・・
・ゼロ検出回路、sr1〜sr3・・・・・・SR1〜
SR3の出力、sbl 〜Sb3”””SB1〜SB3
の出力、zd1〜Zd3・・・・・・ZD1〜ZD3の
出力。
Figures 1 to 9 show representative command α during three-stage advanced control.
10 to 13 are for explaining the present invention, FIG. 10 is a block diagram of the information texture system, FIG. 11 is a block diagram of the memory control section in the texture device, and FIG. 12 is a block diagram of the information texture system. The figure is me. FIG. 13 is a detailed block diagram of the memory access control circuit in the memory control section, and is a timing chart showing an overview of the operations of the memory control section of FIG. 11 and the memory access control circuit of FIG. 12. CC...Central control unit, MMrr-...Main memory device, ENo -EN n...Memory activation signal, MAB...Memory address bus, MD
B...Memory write data bus, MWB...
...Memory answer deck bus, MAP...Memory access contention circuit, MASL...Memory address data selection circuit, MNC...Memory device name conversion circuit, MS... ...Memory device speed display circuit, MC1 to MC3...Memory access control circuit, DEC...Decoder, DG...
・Drive gate, RG1-RG3...Answer reception gate, RQ1-RQ3...Memory access request, AD1-AD3...Memory address data, LEN... Logical memory device name section, P
EN... Physical memory device name section, wD1~w
D3...Memory answer data, ACK...
...Access condition check circuit, DT1 to DT3...
...Memory drive timing signal, RT1 to RT3...
...Answer reception timing signal, mab...
・Memory device internal address section, ms... Access time display signal, rn C1 to rn C3...
Memory access circuit activation signal, eno~enn~memory device designation signal, ack...Access enable signal, C
LK・・・・・・Clock, C1□" 13 "21
p C23+C311C32""" comparison circuit, G1o~
G6. G2o~G25. G3゜~G35...Gate, S to SR3...Register, SBl~S
B3...-1 circuit, ZD1 to ZD3...
・Zero detection circuit, sr1~sr3...SR1~
Output of SR3, sbl ~Sb3"""SB1 ~SB3
output, zd1 to Zd3...output of ZD1 to ZD3.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 少なくとも1つの処理装置と、アクセスタイムの異
なる複数のメモリ装置を含み、該α哩装置と該複数のメ
モリ装置を同一バスで接続する情報処理システムにおい
て、該肌理装置内1こ、前記メモリ装置対応にアクセス
タイム情報を有するメモリ速度表示回路と、命令の読み
出しアクセス、オペランドデータのアクセスおよびデー
タチャネルからのアクセスのメモリのアクセス種類ごと
に複数のメモリアクセス制御回路とを持ち、該メモリア
クセス制御回路内に、現在アクセス中のメモリ応答時間
を計数するカウンタと、メモリアクセス安水信号)と応
答して要求のあったメモリ装置のアクセスタイム情報と
他のメモリアクセス制御回路のカウンタ出力の比較を行
う複数の比較回路とを持ち、前記α理装置が前記メモリ
装置の1つをアクセス中に引続き他の1つのメモリ装置
へのアクセス要求が生じた場合、前記メモリ速度表示回
路の出力と、メモリアクセス制御回路のカウンタ出力の
比較を行い、前記他の1つのメモリ装置へのアクセス要
求の受付を制御することを特徴とするメモリ制御方式。
1. In an information processing system that includes at least one processing device and a plurality of memory devices having different access times, and in which the alpha device and the plurality of memory devices are connected via the same bus, one of the memory devices in the texture device The memory access control circuit has a memory speed display circuit correspondingly having access time information, and a plurality of memory access control circuits for each type of memory access such as instruction read access, operand data access, and access from a data channel. A counter that counts the response time of the memory currently being accessed and a memory access signal) are used to compare the access time information of the requested memory device with the counter output of other memory access control circuits. and a plurality of comparison circuits, and when a request to access another memory device occurs while the alpha processing device is accessing one of the memory devices, the output of the memory speed display circuit and the memory access A memory control method characterized in that counter outputs of control circuits are compared to control acceptance of an access request to the other memory device.
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