JPS5821628A - ノルボルナジエン誘導体およびその製造方法 - Google Patents
ノルボルナジエン誘導体およびその製造方法Info
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- JPS5821628A JPS5821628A JP56117613A JP11761381A JPS5821628A JP S5821628 A JPS5821628 A JP S5821628A JP 56117613 A JP56117613 A JP 56117613A JP 11761381 A JP11761381 A JP 11761381A JP S5821628 A JPS5821628 A JP S5821628A
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- Japan
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- trifluoromethyl
- methyl
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ノルボルナジェン骨格の一端にメチル基を１
個または２個、および他の一端にトリフルオロメチル基
１個または２個導入され、少くとも夫々の１個が各端部
の同じ儒に位置されたことを特徴とするノルボルナジェ
ン鰐導体およびその製造方法に関するものである。
個または２個、および他の一端にトリフルオロメチル基
１個または２個導入され、少くとも夫々の１個が各端部
の同じ儒に位置されたことを特徴とするノルボルナジェ
ン鰐導体およびその製造方法に関するものである。
ノルボルナジェン（以下ＮＢＤと略記する）は、紫外線
を照射されることにより歪のある結合を分子内に持つク
ワドリシクレｙ（以下ＱＤＣと略記する）Ｋ異性化し、
適当な触媒との接触で元に罠り、その際およそ２５Ｋｓ
ａｌ／−・Ｊの熱を放出することが知られている。
を照射されることにより歪のある結合を分子内に持つク
ワドリシクレｙ（以下ＱＤＣと略記する）Ｋ異性化し、
適当な触媒との接触で元に罠り、その際およそ２５Ｋｓ
ａｌ／−・Ｊの熱を放出することが知られている。
しかし、とのＮＩＤ（ｈｐ、９１℃、ｍｐ、−１９℃）
は、その蒸気圧が ２０℃で５．４５１Ｈ＃ ３０℃でｚ６１ ４０℃で１α９１ というよう（、日常温度域で比較的高いため引火性が高
く、通常建築物中での使用には危険が伴う。（ちなみＫ
ＱＤＣにおいては、２０℃で２．２ｓＨ１，５０℃で３
．４ｃｍＨＩ、４０ｔで５．８ｔｘｇＨ９と約１／２で
ある。）更にまたＮＢＤ、ＱＤＣ共（非常に強い臭気を
持ち、これを吸引する人に不快感を与えるなどの大きな
欠点を持っている。
は、その蒸気圧が ２０℃で５．４５１Ｈ＃ ３０℃でｚ６１ ４０℃で１α９１ というよう（、日常温度域で比較的高いため引火性が高
く、通常建築物中での使用には危険が伴う。（ちなみＫ
ＱＤＣにおいては、２０℃で２．２ｓＨ１，５０℃で３
．４ｃｍＨＩ、４０ｔで５．８ｔｘｇＨ９と約１／２で
ある。）更にまたＮＢＤ、ＱＤＣ共（非常に強い臭気を
持ち、これを吸引する人に不快感を与えるなどの大きな
欠点を持っている。
また、ＮＢＤは可視光域での吸光−を持たないため、塩
化第１鋼などの適当な増感剤を用いないと、太陽光では
能率良く光異性化が起らない。このためＮＢＤの長波長
光の吸収性を改善するための工夫として、ＮｌＩＤをジ
メチルジシアノイＣすることの有効性が報告されている
（告田善−１日本化学会１９８１年春季年会）。
化第１鋼などの適当な増感剤を用いないと、太陽光では
能率良く光異性化が起らない。このためＮＢＤの長波長
光の吸収性を改善するための工夫として、ＮｌＩＤをジ
メチルジシアノイＣすることの有効性が報告されている
（告田善−１日本化学会１９８１年春季年会）。
しかし、このＮｌＩＤのジメチルジシアノ誘導体は、シ
アノ基を有する化合物だけＫｍ性の面で問題があると考
えられ、その点Ｋ１１１する検討が必要とされるであろ
う。
アノ基を有する化合物だけＫｍ性の面で問題があると考
えられ、その点Ｋ１１１する検討が必要とされるであろ
う。
本発明者らは、これらの点に留意し、より有効なＮＩＤ
誘導体を得るべく鋭意思考をめぐらせ、電子供与性の強
いメチル基と電子受容性の強いトリフルオロメチル基と
を少くとも１９Ｉ４、ＮＩＤ＃）底部２つの２覆結台の
夫々の互に向き合う側に導入することによって、分子内
の電荷移動性を計り、光吸収スペクトルの長波長側の拡
大を計ることの可能性と、化学結合論的に安定なトリフ
ルオロメチル基な導入することで毒性問題が回避され、
蒸気圧の低下それにもとづく引火性の低下および一燃化
も期待し得るだろうと予測し★− よって、この予測にもとすき本発明者らは、その様なＮ
ｌＩＤ＠導体の合成法を確立すべく鋭意研究し、その化
合物の合成に成功しち即ち、その合成法はシフ誼ペンタ
ジェンの２−メチル誘導体または２．３−ジメチル誘導
体と５．５＊５−）リフルオＣｌ−１−プロピンまたは
へキナフルオロ−２−ブチンを付加反応させる点を骨子
とするもので、以下（これを反応式と共に示す。
誘導体を得るべく鋭意思考をめぐらせ、電子供与性の強
いメチル基と電子受容性の強いトリフルオロメチル基と
を少くとも１９Ｉ４、ＮＩＤ＃）底部２つの２覆結台の
夫々の互に向き合う側に導入することによって、分子内
の電荷移動性を計り、光吸収スペクトルの長波長側の拡
大を計ることの可能性と、化学結合論的に安定なトリフ
ルオロメチル基な導入することで毒性問題が回避され、
蒸気圧の低下それにもとづく引火性の低下および一燃化
も期待し得るだろうと予測し★− よって、この予測にもとすき本発明者らは、その様なＮ
ｌＩＤ＠導体の合成法を確立すべく鋭意研究し、その化
合物の合成に成功しち即ち、その合成法はシフ誼ペンタ
ジェンの２−メチル誘導体または２．３−ジメチル誘導
体と５．５＊５−）リフルオＣｌ−１−プロピンまたは
へキナフルオロ−２−ブチンを付加反応させる点を骨子
とするもので、以下（これを反応式と共に示す。
シクロペンタジェンの２−メチル誘導体は、市販のメチ
ルシフ四べｙタジェングイ！−を加熱分解して得らゎ、
２．３−ジメチル誘導体は、 Ｒ１ｎｋｅｓ法によって
１−メチル−１−シクロペンテンから２−メチルベンテ
ノンを合成として得られる。この１．２−ジメチル体と
２，５−ジメチル体の分離は、２０〜４０’ＣＫおける
ガスクＯＹ）グラフィーにより分取される。分離に当っ
て用いられる最適のカラム担体としてはＣａｍ＠ｒ口・
ＣＫ（商品名）をＰＩＧ４００（１％）＋Ａ＃ＮＯ，（
５％）で処理したものが挙げられる。
ルシフ四べｙタジェングイ！−を加熱分解して得らゎ、
２．３−ジメチル誘導体は、 Ｒ１ｎｋｅｓ法によって
１−メチル−１−シクロペンテンから２−メチルベンテ
ノンを合成として得られる。この１．２−ジメチル体と
２，５−ジメチル体の分離は、２０〜４０’ＣＫおける
ガスクＯＹ）グラフィーにより分取される。分離に当っ
て用いられる最適のカラム担体としてはＣａｍ＠ｒ口・
ＣＫ（商品名）をＰＩＧ４００（１％）＋Ａ＃ＮＯ，（
５％）で処理したものが挙げられる。
一方、５．５．５−→リフルオロー１−プロピンおよび
へ命ナフルオＥｌ−２−ブチンは、いずれも市販のもの
が利用し得る。
へ命ナフルオＥｌ−２−ブチンは、いずれも市販のもの
が利用し得る。
これらＶりｐペンタジェン誘導体とア七チン化合物との
付加反応は、いわゆるＤｉ＠１ｍ−ム１ｊｓｒ反応によ
る前者の１．４位炭素と後者のアセチレン結合炭素との
付加反応である。本発明者らが鋭意検討したところによ
ると、この反応は、低温でも良く、かつ連かに進行し、
２，３−ジメチルシクロペンタジェンを反応させる場合
には、そのものの純度が高ければ目的物も純度よく高収
率で得られる。勿論ジメチ、Ａ／ｙクーペンタジェンを
予め分散せず、１，２−ジメチル体と２．５−ジメチル
体の混合物をアセチレン化合物と反応させた後Ｋｉ１ス
クｐ分堆し、目的物を得ることも可能である。
付加反応は、いわゆるＤｉ＠１ｍ−ム１ｊｓｒ反応によ
る前者の１．４位炭素と後者のアセチレン結合炭素との
付加反応である。本発明者らが鋭意検討したところによ
ると、この反応は、低温でも良く、かつ連かに進行し、
２，３−ジメチルシクロペンタジェンを反応させる場合
には、そのものの純度が高ければ目的物も純度よく高収
率で得られる。勿論ジメチ、Ａ／ｙクーペンタジェンを
予め分散せず、１，２−ジメチル体と２．５−ジメチル
体の混合物をアセチレン化合物と反応させた後Ｋｉ１ス
クｐ分堆し、目的物を得ることも可能である。
２−メチルシクロペンタジェンと３．５．３−トリフル
オー−１−プロピンとを反応させる場合は、目的化合物
とは別に、 メチル基とＦリフルオロメチル基が互に対角位置に存在
する化含物鞄成するので、目的イーヒ合物を高純度で得
るためには、やはりガスクロ分取を行うことになる。
オー−１−プロピンとを反応させる場合は、目的化合物
とは別に、 メチル基とＦリフルオロメチル基が互に対角位置に存在
する化含物鞄成するので、目的イーヒ合物を高純度で得
るためには、やはりガスクロ分取を行うことになる。
（式中、Ｒ３および−は、Ｈまたは−ＣＨ１で、少くと
もその１つが一〇Ｈ１を表わし、Ｒ１および−は■また
は−ｃｒ、で、少くともその１つがＲ３または−の−Ｃ
Ｈｓと同じ側にある一ｃｒ、を表わす。） 尚、本発明の合成法を実施するに際し、反応容−が金属
である場合−比し、ガラス容器やガラス、２イニング、
を有する金属容器等の、ガラス内面を有する反応容器で
ある方が、目的物の収率および純度が高いので好結果が
得られる。
もその１つが一〇Ｈ１を表わし、Ｒ１および−は■また
は−ｃｒ、で、少くともその１つがＲ３または−の−Ｃ
Ｈｓと同じ側にある一ｃｒ、を表わす。） 尚、本発明の合成法を実施するに際し、反応容−が金属
である場合−比し、ガラス容器やガラス、２イニング、
を有する金属容器等の、ガラス内面を有する反応容器で
ある方が、目的物の収率および純度が高いので好結果が
得られる。
、本発明に係るこのＮＩＤ誘導体は、太陽光または水銀
ランプもしくはキセノンランプ等の光を照射すると容易
に環化異性化し、ＱＤＣ誘導体に導かれる。勿論、イタ
メトキシアセトフェノン、電ヒラーケトンその他の増感
剤を用いるととによりこの異性化が促進される。そして
この異性化物を反応管またはオートクレーブ内で熱を加
えると、確かに元のＮＢＤ＠導体Ｋｌｌす、かつ発熱す
ることが確認され、關生物の轡成は認められない。また
復元反応の触媒とし【は、ｃ、ｉ６ｗｃＩ、−ムＩＣ１
，などが有効であり、発熱して元に戻る。
ランプもしくはキセノンランプ等の光を照射すると容易
に環化異性化し、ＱＤＣ誘導体に導かれる。勿論、イタ
メトキシアセトフェノン、電ヒラーケトンその他の増感
剤を用いるととによりこの異性化が促進される。そして
この異性化物を反応管またはオートクレーブ内で熱を加
えると、確かに元のＮＢＤ＠導体Ｋｌｌす、かつ発熱す
ることが確認され、關生物の轡成は認められない。また
復元反応の触媒とし【は、ｃ、ｉ６ｗｃＩ、−ムＩＣ１
，などが有効であり、発熱して元に戻る。
このＮＩＤ誘導体は、本発明者らの予測通り、環化異性
化に当って吸収する光の波長領域がＮＢＤＫ比して可視
光領域まで及び、例えばＲ，＝Ｒ，＝ＣれでＲ１＝Ｃ−
の化合物においては４２０ｍｍＪｔｆ、近、同じ＜、Ｉ
ｔ、ｍ％＝ｃＨ，の化合物においては４９０１１！ＩＩ
付近の波長領域まで吸光領域が及び、光エネルギーの蓄
蔵体として極めて有効性が高い。
化に当って吸収する光の波長領域がＮＢＤＫ比して可視
光領域まで及び、例えばＲ，＝Ｒ，＝ＣれでＲ１＝Ｃ−
の化合物においては４２０ｍｍＪｔｆ、近、同じ＜、Ｉ
ｔ、ｍ％＝ｃＨ，の化合物においては４９０１１！ＩＩ
付近の波長領域まで吸光領域が及び、光エネルギーの蓄
蔵体として極めて有効性が高い。
また本発明のＮＩＤ誘導体は、いずれも常温付近で液体
もしくは固体で、ＮＢＤＫ比して引火性が低く、かつＩ
ＩＩ竺性が匿れており、また安定性および毒性の問題も
少いため、光エネルギーの蓄蔵体として攻扱い易い。
もしくは固体で、ＮＢＤＫ比して引火性が低く、かつＩ
ＩＩ竺性が匿れており、また安定性および毒性の問題も
少いため、光エネルギーの蓄蔵体として攻扱い易い。
以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
嘴はこれに限定されるものではな％、１夷麹実施 一ガス置換を行ないながら一７０℃以下に冷却したガラ
ス反応管内に、２，３ジメチルシク四ペンタジェン５．
０Ｉ（ａ０５ｓｓ・１）を添加し、これを液体Ｎ、で固
化せしめ、ガラス反応管内を真空排気した。これにヘキ
サフルオロ−２−ブチン＆４＃（（ＬＯ５３ｍ＠ｌ）を
ガスだめあるいはシリンダーから直接ガラス反応管内に
移行させる。
嘴はこれに限定されるものではな％、１夷麹実施 一ガス置換を行ないながら一７０℃以下に冷却したガラ
ス反応管内に、２，３ジメチルシク四ペンタジェン５．
０Ｉ（ａ０５ｓｓ・１）を添加し、これを液体Ｎ、で固
化せしめ、ガラス反応管内を真空排気した。これにヘキ
サフルオロ−２−ブチン＆４＃（（ＬＯ５３ｍ＠ｌ）を
ガスだめあるいはシリンダーから直接ガラス反応管内に
移行させる。
ドライアイス−メタノール混会冷溶媒を用いて一５０〜
Ｏ℃の低温下で５時間反応させ、生成物１五２Ｉを得九
また、この生成物の純度は９五２％、収率９５５％であ
った。この生成物をＭｌ、ＮＭＲおよびＩｌｌの夫々で
分析した結果、２．５−ビス（トリフルオーメチ＃）−
５，４−ジメチル−ビシクー〔２，２，１〕へブタ−２
，５−ジエンであることが確認された。
Ｏ℃の低温下で５時間反応させ、生成物１五２Ｉを得九
また、この生成物の純度は９五２％、収率９５５％であ
った。この生成物をＭｌ、ＮＭＲおよびＩｌｌの夫々で
分析した結果、２．５−ビス（トリフルオーメチ＃）−
５，４−ジメチル−ビシクー〔２，２，１〕へブタ−２
，５−ジエンであることが確認された。
Ｍ８分析 ■／・値 帰属
２５６ 分子イオンピーク００２４１
Ｍ−ｅｌｌ。
Ｍ−ｅｌｌ。
１８７ Ｍ−ＣＦ。
ＮＭＩ分析
”ＨＮＭＲ
νμ値 強度 帰属
１５０ ｉｔ Ｍ＠ｔｈｙｌ＠烏・Ｃ−１８０
５，９ＭＩｔｈｙｌ ＣＭｇ＆５５ ２．０
Ｍｌｔｋｉｍ・ ＣＨ１畠ＣＮＭＩ！ ｐｐｍ値 帰属 １４２ ＭＩｔｈｙｌ Ｃ５７，４Ｍ＠
ｓｈ％１・ Ｃ ６９，９Ｍｌｔｋ７１＠−・Ｃ １４９，７０１＠ｆｉｍｉｓ Ｃ−ＣＦ。
５，９ＭＩｔｈｙｌ ＣＭｇ＆５５ ２．０
Ｍｌｔｋｉｍ・ ＣＨ１畠ＣＮＭＩ！ ｐｐｍ値 帰属 １４２ ＭＩｔｈｙｌ Ｃ５７，４Ｍ＠
ｓｈ％１・ Ｃ ６９，９Ｍｌｔｋ７１＠−・Ｃ １４９，７０１＠ｆｉｍｉｓ Ｃ−ＣＦ。
１５９！ １ ０１ｅｆ１ｍｌ＠Ｃ−ＣＨ。
１２１２ Ｊｅｔ（２７５Ｈ翼） ？ｒｉｆ１ｗｅｒｍ
ｓｔｋｙｌ Ｃ鰺Ｆ ）ｆＭＩＬ ｐｐ■値 帰属 低磁場側ＩＺｏ（？−ｙ、ムＣ，ｅｘｔ） Ｔｒ１ｆ１
ｍｅｒ＠ｍ＊ｔｋｙｌｃｒ。
ｓｔｋｙｌ Ｃ鰺Ｆ ）ｆＭＩＬ ｐｐ■値 帰属 低磁場側ＩＺｏ（？−ｙ、ムＣ，ｅｘｔ） Ｔｒ１ｆ１
ｍｅｒ＠ｍ＊ｔｋｙｌｃｒ。
！８分析
吸収波長（１１）強度 帰 属
２？＋６０ Ｍ Ｍｅｔｈｙｌ ｒａ
ｇ ０１１２９００ Ｍ Ｍ＊ｔｋｔ
ｋｙｌ＠ｍｓ １ａｓ ＣＨ＠１６７０ １
１ −（ＣＦ、）Ｃ−Ｃ（ＯＦ、）−νｅ＝ｃ１４２
０ ｇ −（ＣＩ、）Ｃ鴫！（ＣＨａ
）−ν１（１４ＧＧ〜１１０Ｑ Ｖｌｉ ？ｒｉ
ｆ１ｍｔｒｓｍｔｋｙｌＣ−Ｆ（シ＆！イオンク１２マ
ド法による。）実施例２ 実施例１と同様の手順で、２．Ｓ−ジメチルシフ四ペン
タジェン２αＧ （（Ｌ２１５ｍｎｌ）と、ヘキサフル
オｎ −２−ブチン５４．５１ （０，２１５１１＠ｌ
）をステンレス製オートクレーブ中に加え、−５０〜０
℃で６時間反応させ、生成物５２．６１を得た。この生
成物の純度は９７．９％、収率９４．５％であつ旭夾施
鉤１と同様に分析した結果、生成物も同じ物質であるこ
とが確認された。
ｇ ０１１２９００ Ｍ Ｍ＊ｔｋｔ
ｋｙｌ＠ｍｓ １ａｓ ＣＨ＠１６７０ １
１ −（ＣＦ、）Ｃ−Ｃ（ＯＦ、）−νｅ＝ｃ１４２
０ ｇ −（ＣＩ、）Ｃ鴫！（ＣＨａ
）−ν１（１４ＧＧ〜１１０Ｑ Ｖｌｉ ？ｒｉ
ｆ１ｍｔｒｓｍｔｋｙｌＣ−Ｆ（シ＆！イオンク１２マ
ド法による。）実施例２ 実施例１と同様の手順で、２．Ｓ−ジメチルシフ四ペン
タジェン２αＧ （（Ｌ２１５ｍｎｌ）と、ヘキサフル
オｎ −２−ブチン５４．５１ （０，２１５１１＠ｌ
）をステンレス製オートクレーブ中に加え、−５０〜０
℃で６時間反応させ、生成物５２．６１を得た。この生
成物の純度は９７．９％、収率９４．５％であつ旭夾施
鉤１と同様に分析した結果、生成物も同じ物質であるこ
とが確認された。
実施例５
実施例１と同様の手順で、２．５ジメチルシクロペンタ
ジェン２．５１（α０２７１！Ｉ＠Ｉ）と、５，５ｅ５
−）リアルオービービン２．５＃（α０２７１１１＠１
）をガラス反応管内に加え、−６０〜０℃で３時間反応
させ、生成物４６Ｉを得ちこの生成物の純度は９７５％
、収率８９５％であつらこの生成物を実施例１と同１ｓ
Ｋ分析した結果、この生成物は２．３−ジメチル、５−
トリフルオシメチル−ビシクロ（２ｅ ２１１ ）へブ
タ−２，５−ジエンであることが確認された。
ジェン２．５１（α０２７１！Ｉ＠Ｉ）と、５，５ｅ５
−）リアルオービービン２．５＃（α０２７１１１＠１
）をガラス反応管内に加え、−６０〜０℃で３時間反応
させ、生成物４６Ｉを得ちこの生成物の純度は９７５％
、収率８９５％であつらこの生成物を実施例１と同１ｓ
Ｋ分析した結果、この生成物は２．３−ジメチル、５−
トリフルオシメチル−ビシクロ（２ｅ ２１１ ）へブ
タ−２，５−ジエンであることが確認された。
分析結果
Ｍ８分析 ＩＩＩ／＠値 帰属１８８
分子イオンビーク（Ｍ）１７５ Ｍ−ＣＩ。
分子イオンビーク（Ｍ）１７５ Ｍ−ＣＩ。
１１９ Ｍ−ＣＦ。
ＮＭ凰分析
１１１ ＮＭＲシシ論値 強度 帰属ｔｏｏ
ｔ？ 層−ｔｋ７１・鳳・ ＣＨ。
ｔ？ 層−ｔｋ７１・鳳・ ＣＨ。
１８０ ４０ １＆ｔｋｙｌ ｅＨ１五４０
ｔ９ １＆ｔｋｌ−・ Ｃ１７，０８ｔｏ ０
１＠ｆｉｍｌｅ ＣＨ”Ｉｃ ＮＭＲｐｐｍ１ｌｉ
＃１Ｉ１１＆２ １６ｔｈｙｌ Ｃ ５５，４Ｍｅｔｈｉｍ＊ Ｃ ７１？ ＆ｔｋｙｌ＠ｎ＠Ｃ １４４，８０１ｍｆ１ｍｌｅ Ｃ−Ｈｌ ４９５
０１＠ｆｌｎｉｅ Ｃ−ＣＩＰ＠１５ａＯＯ１＠ｆ
ｉｍｌ ＠ Ｃ−ＣＨ５１２１５Ｔｒｌｆ１ｗ＠ｒｓ
ｍｔｋｙｌ Ｃ諷−Ｆ ＮＭＲｐｐｍ値 帰
属低磁場側１７．０ Ｔｒｉ ｆ １＋＋ｎｒｏ
ｍ＠ｔｋｙｌ（Ｔ＊Ｆ＊ＡＣ、＊ｘｔ ）
ＣＦ＠ＩＲ分析 吸収波長（ａ＋ａ″） 強度 帰属２９６０
Ｍ Ｍｅｔｈｙｌ ｒａｓ ０Ｍ２９
００ Ｍ ｌ＆ｔｋｙｌ＠ｍｎ
ｙａｓ ＣＨ＠１４４０ Ｍ −ｃ
（ＣＦｓ） Ｃ−ｅＨ−、ｙｃ式％式％（２ 大日本インキ化学工業株式会社 （財）用村瑠化学研究所 １６２
ｔ９ １＆ｔｋｌ−・ Ｃ１７，０８ｔｏ ０
１＠ｆｉｍｌｅ ＣＨ”Ｉｃ ＮＭＲｐｐｍ１ｌｉ
＃１Ｉ１１＆２ １６ｔｈｙｌ Ｃ ５５，４Ｍｅｔｈｉｍ＊ Ｃ ７１？ ＆ｔｋｙｌ＠ｎ＠Ｃ １４４，８０１ｍｆ１ｍｌｅ Ｃ−Ｈｌ ４９５
０１＠ｆｌｎｉｅ Ｃ−ＣＩＰ＠１５ａＯＯ１＠ｆ
ｉｍｌ ＠ Ｃ−ＣＨ５１２１５Ｔｒｌｆ１ｗ＠ｒｓ
ｍｔｋｙｌ Ｃ諷−Ｆ ＮＭＲｐｐｍ値 帰
属低磁場側１７．０ Ｔｒｉ ｆ １＋＋ｎｒｏ
ｍ＠ｔｋｙｌ（Ｔ＊Ｆ＊ＡＣ、＊ｘｔ ）
ＣＦ＠ＩＲ分析 吸収波長（ａ＋ａ″） 強度 帰属２９６０
Ｍ Ｍｅｔｈｙｌ ｒａｓ ０Ｍ２９
００ Ｍ ｌ＆ｔｋｙｌ＠ｍｎ
ｙａｓ ＣＨ＠１４４０ Ｍ −ｃ
（ＣＦｓ） Ｃ−ｅＨ−、ｙｃ式％式％（２ 大日本インキ化学工業株式会社 （財）用村瑠化学研究所 １６２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （式中、８．および島は、Ｈまたは一〇−で、少くとも
その１つが−ＣＨ，を表わし、−および視は、Ｈまたは
−ＯＦ、で、少くともその１つがＲ１または４の−ｃＨ
。 と閂じ儒にあるーＣＦ、を表わす・） で示されるメチルおよびトリフルオーメチル置換された
ノルがルナジエン誘導体。 Ｌ Ｒ，と４が共に−ＯＦ、である特許請求の範囲第
１項に記載のノルｌルナジエン誘導体。 五 ２−メチルシフ四ペンタジェンまたは２．３−ジメ
チルシタ−ペンタジェンと、５，３．５−）リフルオ冒
−１−プ四ピンまたはへキサフルオロ−２−ブチンとを
、−５０−１５０℃の温度域およびα１〜５０ａｔｍの
圧力下で付加反応せしめ、 （式中、８．および−は、■または−Ｃ−で少くともそ
の１つが−Ｃ−を表わし、８．および丸は、Ｈまたは−
ＣＦ、で、少くともその１つが８．またはＲ１の−ＣＨ
。 と同じ儒にある一ＣＦ、を表わす。） で示されたノルボルナジェン誘導体の製造方法。 求の範囲第５項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117613A JPS5821628A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | ノルボルナジエン誘導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117613A JPS5821628A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | ノルボルナジエン誘導体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821628A true JPS5821628A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14716087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117613A Pending JPS5821628A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | ノルボルナジエン誘導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821628A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116359A (en) * | 1977-02-25 | 1978-10-11 | Suntech | Improved method of perfluorating cyclic hydrocarbon |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP56117613A patent/JPS5821628A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116359A (en) * | 1977-02-25 | 1978-10-11 | Suntech | Improved method of perfluorating cyclic hydrocarbon |
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| Schrauzer et al. | Preparation, Reactions, and Structure of Bisdithio-α-diketone Complexes of Nickel, Palladium, and Platinum1, 2 | |
| Breslow et al. | Chlorocyclopropenes, chlorocyclopropenyl cations, and cyclopropenone | |
| Katz et al. | Reactions of the cyclooctatetraenyl dianion with gem-dihalides. the preparation of derivatives of bicyclo [6.1. 0] nonatriene. Synthesis of the cyclononatetraenyl anion | |
| Yasuda et al. | Chemistry of Dienyl Anions. II. Crystalline Bis (dienyl) magnesium. Selective Dienylation and Structure in Solution and in the Solid State | |
| Hall Jr et al. | Reactions of the zwitterions from trisubstituted electron-deficient ethylenes and electron-rich olefins | |
| Iyoda et al. | A one-step synthesis of dehydro [12] annulenes using palladium-catalyzed reaction of o-diiodoarenes with acetylene gas | |
| Balthazor et al. | Synthesis and structure of benziodazoles | |
| Williams et al. | Electrophilic addition of acetylenes and olefins to. sigma.-bonded, unsaturated hydrocarbon ligands in transition-metal complexes | |
| Mansuy et al. | Thiocarbonyl complexes of iron (II) porphyrins. Formation by thiophosgene reduction | |
| Doan et al. | Synthesis, crystal structure, optical, electrochemical and thermal properties of the ynamide: Bis-(N-4-methylbenzenesulfonyl, Nn-butyl)-1, 3-butadiyne-1, 4-diamide | |
| Ueno et al. | Synthesis and Properties of Fluoroazulenes. II. Electrophilic Fluorination of Azulenes with N-Fluoro Reagents. | |
| Sondheimer | Recent progress in the annulene field | |
| Canich et al. | Synthesis and spectroscopic properties of ethynylsulfur pentafluoride (SF5C. tplbond. CH) | |
| Gonzalo Rodríguez et al. | Synthesis and structural analysis of 1, 4‐bis [n‐(N, N‐dimethylamino) phenyl] buta‐1, 3‐diynes and charge‐transfer complexes with TCNE | |
| JPS5821628A (ja) | ノルボルナジエン誘導体およびその製造方法 | |
| Gisch et al. | Dichlorocarbene from flash vacuum pyrolysis of trimethyl (trichloromethyl) silane. Possible observation of 1, 1-dichloro-3-phenylcarbonyl ylide | |
| Dickson et al. | Transition metal complexes of substituted alkynes. IV. Some bridging alkynecobalt complexes | |
| Wuu et al. | Photochemistry of (. eta. 3-C3H5) Ru (CO) 3Br: spectroscopic evidence for the intermediates (. eta. 3-C3H5) Ru (CO) 2Br and [(. eta. 3-C3H5) Ru (CO) 2 (. mu.-Br)] 2 | |
| Mikolajczyk et al. | Reaction between dithioacetic acid and dicyclohexylcarbodiimide-structure of products. Crystal and molecular structure of trans-2, 4-dimethyl-2, 4-bis (thioacetylthio)-1, 3-dithietane | |
| Wagner et al. | Ferrocene derivatives containing anthracene linked by spacers | |
| Ignasiak et al. | Structure of aromatic diazocyanides; synthesis of diazoisocyanides | |
| Laird et al. | Selectivity of attack on a Si–C (sp3) sigma bond coordinated to NiII | |
| Werz et al. | Donor-substituted CpCo-stabilized cyclobutadienes and superphanes | |
| Becker et al. | cis-1, 2-Bis (9-anthryl) ethylene. Prearation and photochemical properties | |
| Chaudret et al. | Bis (styrene) bis (triphenylphosphine) ruthenium (0) and its reactions with triphenylphosphine and with alkenes |