JPS58215624A - 母線形会話接続デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、異なる受信手段及び／又は送信手段間１例え
ば計算機周辺装置と中実装置間の接続を可能に１−るユ
ニモードオプチカルファイバを用いる母線形会話接続デ
バイスに関する。

複数のデバイスを相互に接続する必要がある場合には、
多少網状化した回路網を形成することが可能であり１回
路網の複雑性はデバイスの数に伴って増加する。

この回路網を単純化するために、母線線路方式と相称さ
れる方式を用いることは公知である８この方式はしげし
げ多導線電気接続から成り、この電気接続上に前記デバ
イスすべてが分岐状に接続されろ。Ｉｌｌｌ摘記接続上
れらのでバイスそれぞれが通常のデジタル信号を送信し
及び／又は受信する。接続が多導線からなる場合には、
デジタル信号は導線当り１ビツトの割合で並列に受信し
たワードによって形成されろ。これらの信号全体の混合
を回避するために、各デバイスに時間を割振る方式又は
メツセージ開始アドレス方式が用いられ。

またこれら２つの方式を結合することさえも可能である
。

特Ｋ［、列置線接続の場合罠は電気接続を置換するため
にオプチカルファイバを用いることができる。

母線線路に用いられる距離環の少くとも短い距１１１１
１＃に関して現在のオプチカルファイバがか＼えている
問題を実質的に解決したけれども１％に好オしくけ単一
デバイスを用いて光学信号を送信し且つ受信し得る必要
のある線路の場合Ｋ　）Ｘ、これらのファイバに接続す
るためのデバイスが今まで通り検討され【いる。

マルチモードファイバ及び受動形結合器を基礎として、
オプチカルファイバによる会話接続が詳細に検討された
。更に詳しくは、直列母線と共に受動形結合器！用いる
と、直列に結合され得る端末の数を急速に削減する結果
になる。直列構造は。

２個のオプチカルファイバ間に於て光エネルギを部分的
に又は全面的に交換する能動形結合器を用いることによ
って最適化され得る。

しかしながら、制御電力のレベルが低（且つ例えば、１
０メガヘルツを越える周波数について交換割合が高い場
合に、この交換が実現可能であるＫすぎない。それ故に
ユニモードオプチカルファイバが集積光学スイッチと結
合される。これらのスイッチの構造と技術は公知である
。

多数の具体例が実験的に検討された。適切な基板上に作
られたモノモード導波路によって形成されたこれらのス
イッチは９通常電気光学形であって、一方の導波路から
他方の導波路に対して光を高効率で分岐させることを可
能にし、約１ボルトの制御電圧と数ギガヘルツの通過帯
域の場合、漏話は−３０ｄＢよりも曳好である。例えば
、ニオブ酸リチウム基板上に作られたスイッチについて
言及することができる。

従って、集積光学系の分野で最近開発された各種の構成
要素の中では、平行な２個の光学導波路部な用いる結合
器が公知である。これらの導波路部の結合は、−組の電
極を用いることによってこれらの電極に適用される可変
電圧の作用下で制御される。そのような結合器は１例え
ばフランス特許出願公開第２，２９９，６６２号及び！
　２，３０９，８９０号に於て説明されている。別のフ
ランス特許出願公開第２，４１０，８８４号には、前述
のタイプの３個の結合器を結合することによって送信器
及び／又は受信器を光学母線線路に制御可能に接続し得
る集積光学デバイスが記載されている。

しかしながら、先行技術による会話接続デバイス１ｃｔ
ｊ多数の欠点があり、特にこれらのデバイスは数個の光
エネルギ源と、閉ループ状の母線線路を使用しており、
前記ループ内で反対方向に現れる情報の間で衝突を生起
させ得る。

本発明のデバイスはこれらの欠点の除去を可能にする。

従って１本発明デバイスに於ては、会話接続が単一の連
続的光学源又は単一の直接的光学源を必要と”するにす
ぎＩＬいという利点なもっている。各端末のスイッチは
、端末が送信器の場合にをエエネルギザンプリングによ
って作動する変調器として作動し、又は端末が検出器の
場合にＩ工調節し得る割合又は調節し得るレベルな有す
るサンプラとして作ｌｌ１Ｉｌ″ｇ−る。二重ループに
、送信器端末の上流と下流に伝送される情報の伝搬を可
能にする。

そのような構造は、＠列母線の構成を最適化し得、）−
の高電力源は多数の端末を設けることを可能にし、ｔた
。篩速スイッチヲマ１例えば１ギガビット／秒の高流量
を可能にする・ 故［、本発明のデバイスはユニモードオプチカルファイ
バと高速スイッチを用いることによって。

ｌθ々１１母線構造に基づく数個の端末間の会話接続を
有利に実現し得る。

従って１本発明は、明確には両方向母線線路と。

両方向結合手段によって母線線路に接続された情報送信
器端末及び情報受信器端末とを有イるコーニモードオプ
チカルファイバを用いる母線形会話接続デバイス忙関す
る。前記母線線路はユニモードオプチカルファイバから
形成される、その場合。

デバイスは光エネルギを供給する単−光学源を含み、少
くとも第１と第２のユニモードオプチカルファイバが第
１と第２の定方向性ループを形成し。

前記結合手段が前記母線線路上のエネルギをサンプリン
グする少くとも第１と第２のスイッグーによって形成さ
れ、第１のループが結合手段全部σ）第１のスイッチを
直列に接続し、また、第２のループが第１のループと反
対方向に第２のスイッチを接続し１分離結合手段は光源
からの光エネルギを等しい２つの部分に分離し且つ光エ
ネルギを２個のユニモードオプチカルファイバの２つの
端部に結合することを可能にする。

以下に非限定的具体例と添付図面によって本発明を更に
、ｎｍ１ｃ説明する。

筆１図に略図的に示された情報処理システムは。

プリンターＲ，テープレコーダＢＭ及び表示コンソール
ＶＵから成る周辺装置に接続された中実装置ＵＣを含む
。この接続はオグテカルファイ／（ＦＯＶＣよって形成
された母線線路によって行われろ。こチ１らのオプチカ
ルファイバは接続デバイスＵＲによって相互に接続され
１寸たこれらの接続デバイスはき信接続！ＩｓＥ及び受
信接続部Ｒによってシステムの各種の装置を母線線路に
接続することを可能にする。これらのデバイスそれぞれ
は装ｖＶｃも接続され、甘たこの装置１エデバイス中に
含すれる結合器の制御を可能にする接続部Ｃによって電
力を供給される。

従って、このタイプのシステムに於ては先行技術による
デバイスの９Ｌ気接続部を置き換えるためにオプチカル
ファイバを使用するこ°とができる。

これらのオプチカルファイバの公知の利点は。

電気母線線路を聞き換えるために、オプチカルファイバ
を会話接続に於ける伝送手段として極めて魅力あるもの
Ｋする。情報流１．が比較的多いことと、電気磁気的妨
害が全く存在しないことに加えて、オプチカルファイバ
は電気的伝送の際に従来遭遇したインピーダンス整合と
接地ループの問題を排除するという利点を有する。

データ伝送システムに関する主要な２つの配置は直列分
配と星形分配である。１ｎ列分配に通常開ループ又は閉
ループによって行われ、このループに対してを工、第１
図に示されるようＫＮ個の端末は結合素子（結合器）Ｋ
よるアクセスを有１゛る。

Ｎ個の端末中の任意の１個の送信器からの情龜は。

ループを構成する光学ケーブル中で結合され且つＮ個の
端末のすべて□の受信器に分配される１、基本的な構成
要素は２個の入力／出力チャンネルを二重に備える直列
結合器であって、これらのチャンネルの中２個は伝送フ
ァイバに接続され、一方送信器と受信器は別の２個のチ
ャンネルに結合されろ、 Ａ、／Ｆ、Ａｏ、ＡＦ及びＡＦ／Ｄがそれぞれ送信器／
ファイバ結合、ファイバ／ファイバ接続、伝送ファイバ
ー及びファイバ／検出器結合に関してデシベルで表わ■
また損失であるとすれば、送信器Ｅ、によって伝送きれ
る光学電力と検出器Ｒ０によって受は取られる光学電力
とのｌ５ｆｌに於ける減衰へｓ　Ｓｉ−Ｎ≧２の場合 峠−Ａ　ｒ、：／Ｆ　＋　Ａ　ｃ　＋　Ｃ＋　Ａ　　＋
（Ｎ−２）　ＡＴ”２　　（Ｎ−２）Ａｃ−１−Ａ　　
Ｆ　＋ＡＣ＋Ｃ十へ、ｃ　＋　　Ａ　Ｆ。

又は Ａ８＝（２Ａｃ＋Ａ、、、）Ｎ−＋２（ｃ−ＡＴ）＋Ａ
Ｆ、／Ｆ＋ＡＦ＋ＡＦ’／Ｄ によってり見られる。

魅力的な字決Ｐ：Ｉ↓マルチモードの平面状ガイドｔ７
：（４−川することにある。直列結合器を有する完全な
構造を構成することが可能であり、所望のものはマスキ
ングによって得られる。この方法は１例えばガラス鼻板
中での金属イオンの拡散現象を利用する。これによって
準半円形の断面を有するガイドが得られる。このタイプ
の２個のエレメントを重ねることによって、単円形断面
を有するガイドな再構成することがで！、このガイドは
伝送ファイバとの結合に比較的よく適合し【いる。

このタイプの指向性結合器を用いる会話接続デバイスの
主要な＊ｉｓｖ第２図〜第５図を参照して簡潔に照明す
る。

第２図には集積光学系に於けるこのタイプの指／Ｄ 向性結合器が示され、電気光学スイッチとして４の作動
が言及される。第２図〜第６図によって示されるこの実
例Ｉ１非限定的具体例として示される０２個の光学導波
路１及び２４工基板４中に屈折率力（基板の屈折率より
も大きい領域を作ることによって得られる。標準的な製
造方法の一つを１ニオブ酸リチウム基板の表面Σ十でチ
タンを拡散させることである。同一の電気光学物質から
形成されたガイド１及び２は同じ幅と同じ厚みとを有す
る。こｈらのガイドは、長さＬの少くとも直線部分に於
ては平行であって、その限値ｄだけの間隔を置いて配電
され、値ｄの大きさの程度はガイド中で伝搬されるべき
光放射の波長の数倍である。

金属電極Ｅ１及びＥ、がガイドを支持する基板面上に配
置される。これらの電極はそれぞれ長さＬのガイド１及
び２上を覆い、電圧源３［接続される。

電圧源３がｄ、ｃ、ｌ［圧Ｖを供給する際に生成さ第１
る電界線のパターンを説明するために、第３図に結合器
の断面が示される。これらの電界線が湾曲されて、一方
の電極から他方の電極に進む際にガイドと基板を横断し
、ｔた電極が配置される表面Σに関するレベルは前記表
面に対して垂直であることが公知である。従って、ガイ
ド１と２に作用する電界４表面Σに対して実質的に垂直
であって、絶対値に於て等しく且つ反対の符号を有する
。

接線成分は極めて小さく、双方のガイドに対して同一方
向に存在する。

ニオブ酸リチウムの場合、電界が結晶軸Ｃに対して平行
な場合に電気光学効果が最大であることは公知である。

このようにして、第２図と第３図では軸Ｃが表面Σに対
して垂直であることが判る。

しかしながら、軸Ｃが電界に対して垂直である場合には
、電気光学効果は極めて弱い。これは軸Ｃが表面Σに対
して平行な場合であろう。この場合には、第２図及び第
３図に示される配列とは違った電極配列を用いることに
よって最大の効果が得られるであろう。このようにして
、電極に隣接するけれども電極を覆わないようにガイド
ｌ及び２０両側に電極Ｅ１及び−を配置した場合には。

電界線が表面Σに対して実質的に平行な方向でガイドな
横断することを証明することは容易である。

第２図と第３図の配置を用いた場合、スイッチの作動は
第４図の曲線ｆよって示される。光エネルギがガイド１
中にのみ導入されると仮定する。

第４図ｆ示される線図には、光波によって横断さＪする
距＃２の関数として、比ｓ１／ｅ１の変化が示される。

ｅ、ｔＸガイド１中で結合されるエネルギであり、一方
謹、は伝搬中に同じガイド！中に存在するエネルギであ
る。長さＬを有する領域の端部であって、エネルギの入
口に相当する端部に原点がとられている。

電圧源３（よって供給される電圧■がゼロの場合九曲線
Ｃ１が得られろ。これら２個のガイド、間で結合が行わ
ねるために、エネルギが正弦則に従ってガイドｌからガ
イド２に連続的に進行する。

従って比１１０１は正弦則に従って変化する。こσ）比
は長さｌ。の端部に於てはゼロを通過する・長さＩ。は
休止状態での結合長さと相称され、この長さの点ではエ
ネルギ全量が伝達される。２１６＊Ｌ１０　　等の端部
に於ては伝達は再びゼロになる。

電極に印加される電圧がゼロでない場合には。

電圧は電気光学効果によってガイド１及び２中の波の伝
搬割合について変化を生起させる。これらの波は本質的
に同じ絶対値を有し且つ反対の符号を有する。従って、
２個のガイドの位相定数間に差Δβが存在し、この差は
Ｖ−Ｏの場合の位相定数値β。より尚然小さい。

この差Δβは２つの効果を有する。即ち１つの効果昏１
結合長さｌｖ＜ｉｏ’を減少させることであり。

もう１つの効果は結合の減少であって、Ｚ−１ｖについ
ては伝達が最早全面的には符われない。

Ｃ （式中、Ｃはガイド関距離ｄと、基板及びガイドの分配
指数とＫ特に依存する結合係数であって。

に等しい。この場合、■−０で丁べ′〔が伝達されろＺ
−匂に於ては伝達はゼロである。■−０の場合のＬ−１
ｏ又はＬをｌ。の奇数倍に選択することによって、全エ
ネルギはガイド２に集められ。

またガイドｌＫ全エネルギが集められる△βの値が肴在
Ｔる。このようにして、スイッチが得られシ）。ｌ＼β
の適切な値は長さしに厳密に依存する。

ｆＦ、５図は印加電圧■の値の関数としてガイド１及び
２中での伝搬割合β　及びβ２の変化を示す。

ｖ−ｏの場合９割合β１及びβ、は共通の値β。

を示す。■が増加すると、β１は増加し、β、は減少−
［る。これらの変化は正弦曲線を描き、方向が反対にな
る。電圧Ｖ。の所与の値から判るように、β、に最大値
でありβ、は最小値である。従って差△βは最大値であ
る。次に、この差をヱＶ−２ＶｏＩ４Ｖｏ・・・・・・
　１で増加する。電圧Ｖの極性を逆転させると、変化は
類似するけれども方向が反対になる。従って１例えばス
イッチの２つの状態の一方の状態に導くΔβの精確な値
を得るためには、■が精確な数値範囲にある必要がある
。

本発明のデバイスを更に説明するために、第６図には先
行技術のデバイスが略図的に示され、また第７図には本
発明のデバイスが略図的に示される。

第６図に示されるように、光源５からの光の誘導路中に
電気的に制御可能なサンプリングデバイス又は結合器Ｃ
１を直列に組み合せた際、他のスイッチ全部、−例えば
第６図のスイッチＣ３及ヒＣ４が部分的なサンプリング
状態にある場合には、これらのスイッチの任意の一つ１
例えば第６図のＣ３上の変調信号によって’ｆｆｆｌＪ
御されるサンプリングがＣ２の下流７に於て生起する。

１゜ 伝送されるべき信号のタイミングによって送信器端末が
サンプリングを行い且つ１００％のレベルで分配を行い
、一方検、出された光学パワーが等しくなるようなサン
プリング割合で受信器端末が情報列全体をサンプリング
する場合にシステムが最適化されろ。

このようにして、光源５が連続する光信号を送出し、ま
た送信器が情報を伝送しようとする場合罠は送信器がこ
の連続的な光信号を遮断する。従って送信器は”アブレ
ーション”送信器（ａｂｌａ−ｔｔｎｎ　ｔｒａｎきｍ
１ｔｔｅｒ　）　　又を１光エネルギサンプリング送信
器になる、 送信器端末の上流及び下流に配置された端末すべてが送
信器の情報を検出し得ろように、第７図に示される配置
の如く二重ループ配置を採用することが可能である。

光源５からの連続的な光エネルギが等しい２つσ）部分
に分離され且つ例えば集積光学系として作られた回路２
０．即ち第２図〜第５図に於て説明した回路と同じタイ
プの回路圧よってループ中の２個のファイバ８．９に於
て結合される。各端末Ｔｉ４１フアイバ８及び９にそれ
ぞれ接続された２個のスイッチＣ及びＣ′　と光検出器
り、とを備・１　　　　　　１ える。

送信され且つ分配されるべき信号が１００％の交換レベ
ルで送信器端末の２個のスイッチ、例えば第７図の端末
Ｔ、のＣ７とＣ’２ｖ同時に制御する。

Ｔ、の下流の端末Ｔ３とＴ４は、ファイバ９をファイバ
８中を循環し且つスイッチＣ，Ｋ−よって変調されたエ
ネルギの一部を最適化されたレベルでサンプリングする
。

Ｔ２の上流の端末Ｔ１は、ファイバ８中を循環ファイバ
９中を循環し且つスイッチＣＪ、によって変調されたエ
ネルギの一部をサンプリングする６第８図には、そのよ
うなシステム中に使用し得る集積光学回路の実例が示さ
れる。通常、２個のスイッチが用いられ、母線の各線路
用に１個のスイッチが用いられる。

第８図に於ては、母線８及び９０２個の線路が回路の２
個の側面を通って回路１４に入り、ｔたこの回路を離れ
る。端末が線路上の受信位置にある場合には、対応する
スイッチを工接続を最適化し得るサンプリングレベルに
調整される。その際刈のスイッチは、サンプリングせず
に他方からの情報を通過させる。その際、前記状態を”
並列”（ｐａｒａｌｌｅｌ　）と相称する。次に、スイ
ッチの２個の自由ガイド部に光検出器１２を接続するた
めに２個のオプチカルファイバ１０及び１１が必要であ
る。

第９図に於ては、２個の線路８及び９が回路１５の同一
の側面を通って入り且つ離れる。次にスイッチの２個の
自由出力部が実際の回路１５上の単一の非モノモードガ
イド１６に結合される。

オプチカルファイバは光検出器１２に接続することがで
き、接続を直接行うこともできる。伝送状態に於ては１
回路の２個のスイッチは変調信号によって母線の２個の
線路に対して情報を伝送するように制御される。

１９７９年にＲ，Ｃ，Ａｌｆｅｒｎｅｓｓ　　Ｋよって
ＡｐｐＨｅｄ　Ｐｈｙｓｌｅｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　　（
第３３巻、２６０頁）に発表された論文に記載されたス
イッチのような先行技術のスイッチの特殊な配置は１作
動が光の入射偏光に鋭敏でない回路の実現を可能にし。

従って母線の線路用として標準的なファイバであり且つ
所与の偏光状＊Ｖ維持しないファイバを用いる可能性を
提供するという事に注目すべきである。同様にして、光
の偏光を維持しないファイバを用いるために、その際集
積光学回路は偏光に対して鈍感である必要はない。

送信器端末に対する検出器端末の順位を識別すると、計
辺機又は任意の類似のギ段を用いろことによって、送信
器端末の下流に配置された検出器端末の番号と、ザンブ
ラの挿入損失及び伝送損失げよる減衰との関数とし７て
前記検Ｌ（ｊ器端末に対する最適サンプリング割合を決
定することが可能でｔ、ろ。

このようにして、このデバイスの作動は送信器端末が変
化する開にサンプリング割合が先づ平均割合でホ）す、
その後ｉｔ算を行った後に、受信器状態の関数である最
適割合になるような作動である。

ｐ。％１第１Ｏ図σ）送信器端末ＥＫよって交換さＪす
る光学パワーであり、また、バーセント変調が１００の
場合Ｋに＋　Ｐｏはファイバ中を循環する連続パワーの
的記送信器端末に於ける値である。

ｐ、　、　Ｐ２　”　ｎ　は送信器端末Ｅの下流に配置
された順位ｉ、２．・・・・・・ｎの端末によってサン
プリングさｆまた光学パワーである。Ａげ２個の端末を
分離する伝送係数であって、２個の端末を分離する部分
の線路損失と、受信器端末に関するスイッチの挿入損失
との双方を考慮したものである。八は一定でキ、す、ｔ
た全端末に対１−る挿入損失は勿論。

連続する２個の端末間の線路損失は同一と見做さ　　　
　　゛れると仮定する。

Ｐｌ−、カｔ、サンプリング後に順位しｌの端末から取
り出される変調光学パワーである場合、順位ｉの端末の
サンプリング割合は と１し・て定義される、従ってｔｉげランクｌのスイッ
チによってサンプリングされた光学ノ（ワーと前■己ス
イッチによる光学パワー利用レベルとの間の比である。

サンブリ“ングされた光学電力はすべて等しいσ）が望
ましい、従って Ｐ１＝ＩＩＰ２１＝＝・・・・・・・・・・・・Ｐ　醸
Ｐである。

ｎ１１Ｐ＝Ｐ　Ａｎ ０ ｎｗ　１ と瞥くことができ、πが生成された関数を表わす場合 （但し、１＜ｊ＜ｎ） 従って。

であるａｌ−１ならば が得られ、ｊ−２ならば が得られる。従って である。ｊ−３ならば が得られる。従って。

となる゛。

一統して繰返すと１式（１）は各端末について端末の順
位の関数として協動したスイッチの最適サンプリング割
合の計算を可能圧する。

各検出器端末の最適サンプリング割合を調節するために
は、各検出端末は送信器端末に対するランクｖｗ＆別す
る必要がある。然しなから、会話接続実験記録から２つ
の場合を維持することができる。

ランダムアクセスの場合には１作動中に送信器端末が伝
送の終りに次の送信器端末を確認して。

すべての検出器端末にこの情報を供給する。この時から
検出器端末は前記次の送信器端末の上流と下流のランク
の位置を決定することができ１式＋１１に基づいて結合
されるスイッチのサンプリング割合を決定する。

逐次アクセスの場合には、情報交換がないために実験記
録によって、このように順次送信器になるすべての端末
の逐次走査が決定される。従って所与の系列は実験記録
によって検出器端末のサンプリング割合で固定される。

端末の一つが情報を供給せねばならない場合Ｋ　ｔＸ、
これらの端末上でこの情報を伝送１−る時間のための停
止が起って。

逐次走査が再開される。

従って、第７図に於てｔ工１例えばマイクロプロセツヤ
であり得ろ計算機２２が実時間に於ていずれが送信器端
末であるかを識別する。計算機°が１憶装置２３に接続
される。この記憶装着中には。

例えば端末間の接続に関する優先権を記載する実験記録
が書き込まれ、各端末は１例えば端末の認識とアドレッ
シングを可能にする番号をもつ【いるＯ 既に説明した配置を基礎にして、直列母線接続を実現す
ることが可能である。この、場合、変調は刻時周波数ｆ
□で変調された信号に基づいており。

連続的な光学信号に基づくものではない。この変調は接
続全体との関連に於て同期化を簡単にする・第１１図に
示されるように、レーザ５の出力に特殊な集積光学回路
２０を附加することによつ【”集中刻時装置”が容易に
得られ得る。この回路げ変調機能と分離機能の双方を実
現する。その際。

刻時周波数ｆＨＶＣ於いて変調回路を制御することが必
要になるにすぎない・ そのような回路の実例が第１１図に示される。

レーザ源５が集積光学回路２０のガイドに結合される。

レーザ源の次に配置されたスイッチが光信号に変４■を
加えることケ可能にする。スイッチの出力分岐の一方に
検出器１２を配置することができ、こσ）検出器は送出
信号の制御を可能にする。

モノモード対称分岐２１がスイッチの他方のアーノ、上
に配置され、光学パワーを等しい２つの部分に分離′１
−ることを可能にする。次に、この分岐は母線の２個の
線路８及び９に結合され得る、＠７図に於て考慮したタ
イプのスイッチ２０は電気光学スイッチである。即ち屈
折率が基板の屈折率よりも大きな領域を形成させること
によって基板中に光学導波路が得られる。従来の製造方
法の一つ＋Ｓニオブ酸リチウム基板の表面Σ上にチタン
を拡散させることにある。同一の電気光学物質から造ら
れたこれらの導波路は同一の幅と同一の厚みとを有する
。少（とも直線から成る部分の長さについては、導波路
は平行であり、ｔた導波路中で伝搬さ第１るべき光放射
の波長の数倍の大きさの値だけ間隔を置いて配置される
。導波路を支える基板面上に金属電極が配置される。こ
れらの電極は前記導波路を一定の長さだけ完全に覆って
おり、オ＼た電圧源に接続される。この場合電圧源は刻
時信号であり、この信号は周波数ｆＨで変動する方形信
号であり得る。

従って１本発明デバイスｔ”ｚ以下に指摘する利点を有
する。

信号源５によって信号源／ファイバ結合が一度生ずるの
みである。信号源は高電力を伴うように選択される。こ
の信号源は多数の端末を設けることを可能にする。従っ
て比較的多くの複雑性を有し得る。これらの端末が過酷
な環境にある場合には、信号源な特別に保Ｓすることが
できる（例えば”積載”システム（ｅｍｂａｒｋｅｄ　
ｓｙｌＩｔｅｍ　）　）。

２個のファイバルーズの結果として、二重開ループは上
流と下流への同時分配を可能し且つ閉ループから生ずる
”衝突”を除去する。

集積光学スイッチとユニモードオプチカルファイバな用
いることによって、低い制御電力が要求され、また高電
位の流量が可能になる。

更に、端末に電力が供給されない場合１例えば破壊の場
合ＶＣは、スイッチＣ及びＣ′、が”導電”状態になる
ように構成され、その際母線を１遮断されない。

提案したシステムの性能は既に示した関係ｎＰ−ＰＡ” を基礎として計算され得る、この関係はと帯かれる。こ
の場合−ＰＭＡＸはユニモードファイバ中に導入される
最高光学パワーであり、このパワーは用いられるソース
のタイプ（例えばレーザダイオードであり得る）による
か、又は例えばＹＡＧレーザを用いることによってファ
イバ中に非線形現象を出現させることによって規制され
。

コノパワーは線路損失の補償を容易にする。Ｐヨは所与
の情報の流れ及び誤差レベルについて及び検出器ＤＩを
含む所与の検出器連鎖について検出可能な最低の変調光
学パワーである。ｎＭＡＸＩ！。

接続部上に接続され得る端末の最大数である。

＠　１２図の曲線はＡ−０，５に対する比ＰＭＡＸ／Ｐ
ア即ちスイッチの挿入損失と３ｄＢのファイバ中での伝
送の関数として”ＭＡＸの変化を表わす。

１ギガビット／秒の流量とｌｏ−９の誤差レベルに対し
ては、必要な最小光学パワーは約１マイクロワツトであ
る。ＹＡＧレーザを用いた場合にＰＭＡＸが１ワツトに
等しいならば、この場合端末の最大数は約１６である。

【図面の簡単な説明】

第１図は光学母線線路を用いる情報処理システムを示す
説明図、第２図及び第３図は公知の方向性結合器を示す
説明図、ｍ４図及び第５図は第２図及び第３図に示した
結合器の作動を説明する説明図、第６図は先行技術によ
るデバイスな示す説明図、第７図は本発明デバイスを示
す図、第８図及び第９図は本発明デバイスに用いられ得
る集積光学回路の実例を示す説明図、第１Ｏ図は本発明
デバイスに関する部分説明図、第１１図は本発明デバイ
スの変形に関する部分詐、明図、及び第１２図は本発明
デバイスを用いて得られた結果を示す線図である、 ５・・・光源。 ８．９・・・オプチカルファイバ。 ２０・・・分離結合手段。 ｃ、、ｃ’、・・・スイッチ。 代理人弁理士今　　村　　　　元

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）両方向母線線路と１両方向結合手段によって母線
   線路に結合された情報送信器端末及び情報受信器端末と
   を有するユニモードオプチカルファイバを用いるデバイ
   スであり、前記母線線路がユニモードオプチカルファイ
   バから形成される母線形会話接続デバイスであって、デ
   バイスが光エネルギを供給する単一の光源を含んでおり
   、少くとも第１及び第２のユニモードオプチカル７アイ
   パが第１及び第２の定方向ループを形成し、前記結合手
   段が前記母線線路上のエネルギをサンプリングする少く
   とも第１及びｗ、２のスイッチによって形成され、第１
   のループがすべての結合手段の第１のスイッチを直列に
   接続し、また第２のループが第１のループに対して反対
   方向に第２のスイッチを接続し１分離結合手段が光源か
   らの光エネルギを等しい２つの部分への分離と、２個の
   ユニモードオプチカルファイバの２個の端部に対する光
   エネルギの結合とを可能圧するデバイス〇
2. （２）異なる結合手段に接続された計算手段が情報受信
   器端末のサンプリング割合の最適化を可能にし、各結合
   手段が母線線路に於ける結合割、合の測定を可能にする
   検出器に接続されることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項に記載のデバイス。
3. （３）　　光源が一定の光エネルギを送出することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項に記載のデバイス。
4. （４）分離結合手段が光源の出力に配置された集積光学
   回路によつ【実現されており、制御電圧の関数としてエ
   ネルギ伝達を行うべ、く前記回路が電気光学物質から形
   成された導波路と隣接する２つの部分にあるこれらの導
   波路によって伝搬される光放射の速度を変調するの釦役
   立つ電界を生ずる電極とを含んでおり。 これらの導波路の一方が光エネルギタ等しい２つの部分
   に分離することを可能にし且つ２個のオプチカルファイ
   バに結合されるモノモード対称分岐を有することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記載のデバイス。
5. （５）Ｎ１気光学物質がニオブ酸リチウムであり。 導波路がこの物質中でのチタンの拡散によって得られる
   ことな特徴とする特許請求の範囲第４項に記載のデバイ
   ス。
6. （６）　　刻時周波数で変化するエネルギ伝達を行うべ
   く変調手段が電極に接続されており、このよう圧して光
   エネルギがこの周波数で変調さねることを特徴とする特
   許請求の範囲第４項圧ｎ己載のデバイス。
7. （７）２個のスイッチが電気的に制御された電気光学ス
   イッチであることを特徴とする特ｎ請求の範囲第１項に
   記載のデバイス。
8. （８）　　制御電圧の関数としてエネルギ伝達を行うべ
   （２個のスイッチが電気光学物質中に形成されたモノモ
   ード導波路と隣接部分にあるこれらの導波路によって伝
   搬される光エネルギの速度を変調させるための電界を生
   ずる電極とを含むこと１ｋＩＶｌ微とする特許請求の範
   囲第７項に記載のデバイス。 ＋９１　　電気光学物質がニオブ酸リチウムであり。 導波路がこの物質中でのチタンの拡散によって得られる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載のデ°バ
   イス・ 員　会話接続がランダム形であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項に記載のデバイス。 ｆｉｌｌ　　会話接続が逐次形であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載のデバイス。