JPS58210721A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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Publication number
JPS58210721A
JPS58210721A JP9311182A JP9311182A JPS58210721A JP S58210721 A JPS58210721 A JP S58210721A JP 9311182 A JP9311182 A JP 9311182A JP 9311182 A JP9311182 A JP 9311182A JP S58210721 A JPS58210721 A JP S58210721A
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JP
Japan
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circuit
stage
current
transistor
gate
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Pending
Application number
JP9311182A
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Japanese (ja)
Inventor
Makoto Furuhata
降「あ」 誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS58210721A publication Critical patent/JPS58210721A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/091Integrated injection logic or merged transistor logic

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make the injector currents of I<2>L circuits of multistage (stacked) constitution constant, by using the 1st I<2>L circuit and the 2nd I<2>L circuit connected in series with the negative side current line of the 1st I<2>L circuit. CONSTITUTION:Constant-current (injector) transistors TRQ11 and TRQ1n and switching TRs Q21 and Q2n constitute the 1st-stage I<2>L circuit. Further, constant- current TRs Q11' and Q1n' and switching TRs Q21' and Q2n' constitute the 2nd- stage I<2>L circuit. Those I<2>L circuits are connected in series to form two-stage constitution. Namely, an injection current IO1 is supplied from a constant current source to the positive power supply line (emitter of pnp TR Q11 or Q1n) of the 1st-stage I<2>L circuit. Further, the negative current source supply line (base of pnpTRQ11 or Q1n and emitter of npnTRQ21 or Q2n) of the 1st-stage I<2>L circuit is connected to the positive power supply line (emitter of pnpTRQ11' or Q1n') of the 2nd I<2>L circuit. Then, the I<2>L circuit of the other stage is provided to the negative-side power supply line of the 1st-stage I<2>L circuit and a dummy gate for switching current compensation is provided to the output gate.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明U、I”L(インテグレーテッド・インジェク
ション・ロジック)回路を含む半導体集積回路に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor integrated circuit including an integrated injection logic (U, I"L) circuit.

従来より、第1図に示すような119回路が公刊である
。工3L回路は、インジェクタ端子(ラテラルpnpl
’ランジスタQtoのエミッタ)KO,7ボルト程度の
電圧を印加して、定電流を流せば動作する。また、工2
L構造は、通常のパイボーラエC(集積回路)とほとん
ど同じプロセスの組合せで形成することができる。この
ことは、原理的にリニアとりL構成のデイジタルエCと
が同じプロセスで1チツプエ04Cll成できることr
意味している。この場合、′fIL源電圧はIJ ニア
回路に従って、例えば5ないし12ボルト程度の比叡的
高い電圧r用いることになるので、上記0.7ボルト程
度で動作するI”L回路から見れば、無効電力が大きく
なってしまう。
Conventionally, 119 circuits as shown in FIG. 1 have been published. The engineering 3L circuit connects the injector terminal (lateral pnpl
'Emitter of transistor Qto) KO, it will operate if a voltage of about 7 volts is applied and a constant current flows. Also, engineering 2
The L structure can be formed by a combination of processes that are almost the same as those for a normal pievora-e C (integrated circuit). This means that, in principle, one chip 04Cll can be created using the same process as the digital chip C with the linear L configuration.
It means. In this case, the 'fIL source voltage follows the IJ near circuit and uses a relatively high voltage r, for example about 5 to 12 volts, so from the point of view of the I'L circuit that operates at about 0.7 volts, the reactive power becomes large.

そこで、本IjA発明者等は、第2図に示すように工3
L回路r直列形態に槓み上げて、いわゆるスタックド(
5tacked )工!Lm成として、上記延源嵐圧の
有効yfIl用を図ることt考えた。
Therefore, the inventors of this IjA developed a construction method as shown in Fig. 2.
The L circuit r is assembled into a series configuration to form the so-called stacked (
5 tacked ) engineering! As the Lm formation, we considered the effective use of the above-mentioned storm pressure.

このように、スタックドエ2L構成とすると、仄のよう
な問題の生じることが、本願発明者の研究によって明ら
かにされた。
As described above, the inventor's research has revealed that the stacked 2L configuration causes the following problems.

例えば、第2図に示すように、差動トランジスタ回路等
を用いた出力インターフェイスヶ介してI”Lディジタ
ル回路の出力信号2 IJ ニア回路に伝える場合、上
記出カニILゲートにおけるスイッチングトランジスタ
Q2nのスイッチング動作により、下段側のI”L回路
のインジェクタ電流が変動してしまう。すなわち、工1
Lゲートの出力スイッチングトランジスタQvnがオン
のときには、その負荷抵抗Rs k通して、出力インタ
ーフェイス回路OUT、側から電流工0が工2L回路側
に流れ込んでしまうのに対して、上記トランジスタQ!
nがオフのときには、上記電流工0が工1L回路側に流
れ込まない。そして、この電流工◎は、下段側の工2L
回路のインジェクタ電流工◎嘲′の一部として利用され
るものである。し友がって、下段側の工2L回路におい
て、そのインジェクタ屯流工◎l′が、上記トランジス
タQ、anのオン/オフにょJ、tfi工。1十Xo/
工◎1のように変動してしまう。
For example, as shown in FIG. 2, when transmitting the output signal of the I"L digital circuit to the near circuit through an output interface using a differential transistor circuit or the like, the switching of the switching transistor Q2n in the output IL gate Due to the operation, the injector current of the I''L circuit on the lower stage side fluctuates. In other words, engineering 1
When the output switching transistor Qvn of the L gate is on, the current 0 flows from the output interface circuit OUT to the 2L circuit side through the load resistor Rsk, whereas the above transistor Q!
When n is off, the current 0 does not flow into the 1L circuit. And this current work ◎ is the work 2L on the lower stage side.
It is used as part of the injector electrician ◎ mocking circuit. Similarly, in the lower circuit 2L circuit, the injector ◎l' turns on/off the transistors Q and an. 10Xo/
It fluctuates as shown in ◎1.

上記インジェクタ電流工01’は、その工2Lゲートの
信号伝達遅延時間と密接な関係かある。
The injector current 01' is closely related to the signal transmission delay time of the 2L gate.

すなわち、公知のように、上記インジェクタ電流の増大
に反比例して、その信号伝達遅延時間が減少するもので
ある。したがって、下段側の工2L回路では、上段側の
上記出力スイッチングトランジスタQsnのスイッチン
グ動作に従い、その動作スピードが変動して(しまい、
パルス幅の変動tもたらす。これに対して、上段側の工
2L回路では、定m流工◎1で動作するkめ、その動作
スピードが一定であるので、全体として1つの回路機能
を持たせるとき、大きな障害となってしまう。
That is, as is well known, the signal transmission delay time decreases in inverse proportion to the increase in the injector current. Therefore, in the lower-stage circuit 2L circuit, its operating speed fluctuates in accordance with the switching operation of the above-mentioned output switching transistor Qsn on the upper stage.
This results in a pulse width variation t. On the other hand, the upper stage side 2L circuit operates at a constant flow rate of ◎1, and its operating speed is constant, so it becomes a big obstacle when providing one circuit function as a whole. Put it away.

また、上記インジェクタ亀流の変動は、pnpトランジ
スタQ口′ないしGLtn’のベース、エミッタ間電圧
、白い換えると、下段側の工2L回路の電源ラインの電
圧変動(スイッチングノイズ)rもたら丁ので、他の段
の工!L回路へ上記スイッチングノイズがクロストーク
して、これも誤動作の原因になってしまう。
In addition, the above-mentioned fluctuations in the injector current are caused by the voltage between the base and emitter of the pnp transistor Q' to GLtn', or in other words, the voltage fluctuation (switching noise) in the power supply line of the lower stage side 2L circuit. , another stage of engineering! The switching noise causes crosstalk to the L circuit, which also causes malfunction.

この発明の目的は、多段(スタックド)構成の工2L回
路におけるインジェクタwL流の定電流化を図った半専
体集積回路會提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semi-dedicated integrated circuit in which the injector wL flow is made constant in a multi-stage (stacked) 2L circuit.

この発明の他の目的は、以下の説明及び図面から明らか
になるであろう。
Other objects of the invention will become apparent from the following description and drawings.

第3図には、この発明の置部−実施例の回路図が示ぜれ
ている。
FIG. 3 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

定11.流(インジェクタ)トランジスタQ目ないしQ
lnと、スイッチングトランジスタQ21 ないしQm
nとにより、第1段目の工2L回路が構成されている。
11. Current (injector) transistor Q or Q
ln and switching transistors Q21 to Qm
n constitutes a first-stage circuit 2L circuit.

また、定電流トランジスタQti’ないしQtn’及び
スイッチングトランジスタQfiIないしQnn’によ
シ、上Me同様に第2段目の工:L回路が構成されでい
る。。特に制限されないか、この実施例では、工2L回
路か上記第1段、第2段の2段構成に直列形態とされて
いる。丁なわち、第1段目の工2L回路における正の電
源ライン(pnp)ランジスタQ目ないしQ、tnのエ
ミッタ)には、定電流源からインジェクタ電流工0龜か
供給されている。また、この第1段目の1′ζL回路に
おける負の11:源ライン(pnpトランジスタQtt
ないしQsnのペース及びnpn)ランジスタQ、1な
いしQ2nのエミッタ)は、上記第2段目の工2L回路
における正の電源ライン(pnp)ランジスタQ++’
 fxいしQtn’ のエミッタ)に接続されている。
In addition, a second stage L circuit is constituted by constant current transistors Qti' to Qtn' and switching transistors QfiI to Qnn', as in the above Me. . Although not particularly limited, in this embodiment, the 2L circuit is connected in series with the two-stage configuration of the first stage and the second stage. In other words, the injector current is supplied from a constant current source to the positive power supply line (PNP transistor Q to the emitter of Q, tn) in the first stage circuit 2L circuit. Also, the negative 11: source line (pnp transistor Qtt
The pace of transistors Qsn to Qsn and the emitters of transistors Q, 1 to Q2n) are the positive power supply line (pnp) transistor Q++' in the second stage circuit 2L circuit.
fx to the emitter of Qtn').

そして、この第2段目の工2LL回路における上記同様
な負の電源ラインは、接地されている。
The same negative power supply line as described above in this second stage 2LL circuit is grounded.

上記第1段目の工:L回路のように、その負側電源ライ
ンに他殺の工2L回路が設けら1するもののdカグート
に、その切シ換え電流補償用のダば一ゲートが設けられ
る。
First stage circuit: Like the L circuit, a murder circuit 2L circuit is provided on the negative side power supply line, but a double gate for compensating the switching current is provided in the D circuit. .

この実施例では、トランジスタQtn r Ghn l
)X出力グートケ構成するものであり、そのスイッチン
グトランジスタQznの1つのコレクタには、負荷抵抗
R3が設けられ、そのコレクタ出力か、出力インターフ
ェイス回路OU Ttk介して、リニア回路に伝えらt
Lる。
In this example, the transistor Qtn r Ghn l
) X output Gutke is configured, and one collector of the switching transistor Qzn is provided with a load resistor R3, and the output is transmitted to the linear circuit via its collector output or the output interface circuit OU Ttk.
L.

1上記出力インタ一フエイス回路OUT、ば、特に制限
されないが、差動トランジスタQ1 、Q!と、そのコ
レクタ抵抗R1,R,及び、工ばツタ定電流源工◎2と
により構成されている。上記差動トランジスタQIのペ
ースにトランジスタQ2nのコレクタ出力電圧が印加さ
れ、他方の差動トランジスタQ!のペースには、そのロ
ジックスレッショルド電圧vrか印加されている。
1. The output interface circuit OUT, and the differential transistors Q1 and Q!, although not particularly limited. , its collector resistors R1, R, and a constant current source ◎2. The collector output voltage of the transistor Q2n is applied to the pace of the differential transistor QI, and the other differential transistor Q! The logic threshold voltage vr is applied to the pace of .

また、上記出力トランジスタQ1のI11!方のコレク
タは、トランジスタQtpl;hpで構成されたダミー
ケートの入力に伝えられる。このダき−ゲートの出力ト
ランジスタQ!Dのコレクタには上記同様な負荷抵抗R
31が設けられている。これにより抵抗RB 、 R3
’には、共に同一の電流工0が流れるようにされている
Also, I11 of the output transistor Q1! One collector is transmitted to the input of a dummy gate formed by a transistor Qtpl;hp. The output transistor Q of this dark gate! A load resistance R similar to the above is attached to the collector of D.
31 are provided. This causes resistance RB, R3
', the same electric current 0 is made to flow in both.

上記ダミーゲートは、上記出力ゲートからの信号受けて
動作するため、スイッチングトランジスタQ宜n * 
Qv pfl、相補的に動作する。したかつて、トラン
ジスタQvnがオンのときには、抵抗R3を通した電流
工0が工H,回路側に流れ込み、トランジスタQznか
オフのときには、トランジスタQIDがオンして、抵抗
Rs’ k通したt流工◎か工2L回路側に流れ込むも
のとなる。このような、トランジスタQvrx * Q
4pの相補動作によシ、下段側の工2L回路におけるイ
ンジェクタ電流は、定電流(工01+工◎)となるもの
である。
The dummy gate operates in response to the signal from the output gate, so the switching transistor Q*
Qv pfl, operate in a complementary manner. Once, when the transistor Qvn is on, the current flow through the resistor R3 flows into the circuit H, and when the transistor Qzn is off, the transistor QID is turned on, and the current flow through the resistor Rs'k flows into the circuit side. ◎It will flow into the 2L circuit side. Such a transistor Qvrx * Q
Due to the complementary operation of 4p, the injector current in the 2L circuit on the lower stage side becomes a constant current (01 + ◎).

したがって、陶工IL回路?安定に動作させることがで
き、上段側のwカトランジスタのスイッチング動作によ
るスイッチングノイズも生じない。
Therefore, the Potter IL circuit? It can be operated stably, and no switching noise is generated due to the switching operation of the W transistor on the upper stage side.

なお、下段側の出力信号も、所定の出力インターフェイ
ス回路0UT17介してリニア回路に伝えられるもので
ある。
Note that the output signal on the lower stage side is also transmitted to the linear circuit via a predetermined output interface circuit 0UT17.

この発明は、前記実施例に限定さnない。This invention is not limited to the above embodiments.

出力トランジスタQ鵞n及びダミー用の出力トランジス
タQ、IDのコレクタ負荷は、a流源とするものであっ
てもよい。また、上記出力インターフェイス回路0UT
I 、OUT!の具体的回路は伺んでおってもよい。
The collector loads of the output transistor Q and the dummy output transistors Q and ID may be a current source. In addition, the above output interface circuit 0UT
I, OUT! You may want to ask about the specific circuit.

さらに、上段と下段の工!L回路のインジェクタ1[k
等しくする場合には、下段側の工Iも回路に並列に鑞流
工◎を流子1流バイパス回路を設ければよい。
Furthermore, the construction of the upper and lower tiers! Injector 1 of L circuit [k
If they are to be made equal, it is sufficient to provide a bypass circuit for the first flow of the flow iron ◎ in parallel to the circuit for the flow I on the lower stage side.

また、工1L回路の多段構成は、3段以上にするものと
してもよい。この場合、最下段の工2L回路?除く、各
段の工2L回路の出力ゲートには、MU記実施例のよう
な電流補償用のダミーゲートを設けるものと丁ればよい
。このダミーゲートの入力信号は、出力ゲートの出力ト
ランジスタと、ダミーゲートの出力トランジスタとが相
補的に動作するものであれば、何んであってもよい。
Further, the multi-stage configuration of the 1L circuit may be three or more stages. In this case, the lowest stage 2L circuit? A dummy gate for current compensation as in the embodiment described in MU may be provided at the output gate of the 2L circuit in each stage except for the above. The input signal to this dummy gate may be any signal as long as the output transistor of the output gate and the output transistor of the dummy gate operate complementary to each other.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、公刊の工!Lゲートの回路図、第2図は、こ
の発明に先立って考えられたスタックド25回路の回路
図、 第3図は、この発明の要部一実施例r示す回路図である
。 ・    ・) ′、−2I 第  1  図 第  2 図
Figure 1 shows the published Ko! FIG. 2 is a circuit diagram of the L gate, and FIG. 2 is a circuit diagram of a stacked 25 circuit devised prior to the present invention. FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the main part of the present invention.・ ・) ′, -2I Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、所定のディジタル信号ケ受け、そのコレクタ出力r
リニア回路に伝えるスイッチングトランジスタ2Mする
第1の工1Lゲートと、上記ディジタル信号に対して逆
相のディジタル毎号r受け、そのコレクタに上記第1の
工2Lゲートのスイッチングトランジスタと同様な相補
的電流r流子スイッチングトランジスタ’kWする第2
の工!Lグート?含む第1の工2L回路と、この第1の
119回路の負側電流ライン罠直列形態とされる第2の
119回路とt具備することを特徴とする半導体集積回
路。 2、上記第2の工!Lゲートの入力に印加される逆相の
ディジタル45号は、上記第」の工!Lゲートの1つの
出力信号であることt特徴とする特許請求の範#lJ3
第1項!6賊の半導体集積回路。
[Claims] 1. Receiving a predetermined digital signal, its collector output r
A switching transistor 2M that transmits to the linear circuit receives a digital signal r having an opposite phase to the above-mentioned digital signal, and a complementary current r similar to that of the switching transistor of the first circuit 2L gate is supplied to its collector. Current switching transistor'kW second
The work! L Gut? 1. A semiconductor integrated circuit comprising: a first 119 circuit including a first 2L circuit; and a second 119 circuit connected in series with the negative current line of the first 119 circuit. 2. The second step above! The negative phase digital signal No. 45 applied to the input of the L gate is the same as the above-mentioned "No. 45". Claim #lJ3 characterized in that it is one output signal of the L gate.
Section 1! 6 Semiconductor integrated circuits.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007221391A (en) * 2006-02-15 2007-08-30 Mitsumi Electric Co Ltd Signal output circuit and semiconductor integrated circuit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007221391A (en) * 2006-02-15 2007-08-30 Mitsumi Electric Co Ltd Signal output circuit and semiconductor integrated circuit

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