JPS58194376A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
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- JPS58194376A JPS58194376A JP57075414A JP7541482A JPS58194376A JP S58194376 A JPS58194376 A JP S58194376A JP 57075414 A JP57075414 A JP 57075414A JP 7541482 A JP7541482 A JP 7541482A JP S58194376 A JPS58194376 A JP S58194376A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発−は薄膜太陽電池に関し、特に有機高分子フィル人
をペースとする薄膜太陽電池において特定の有ｌｉｔ％
分子フィル人を用いた非晶質シリコンからなる薄膜太陽
電池に関する。
をペースとする薄膜太陽電池において特定の有ｌｉｔ％
分子フィル人を用いた非晶質シリコンからなる薄膜太陽
電池に関する。
従来、太陽電池の光起電力発生層を構成する非晶質シリ
コン膜は、特開＠５ ｍ−１＠９１１０号。
コン膜は、特開＠５ ｍ−１＠９１１０号。
ｆｉｑＢｍ−１０４４３３号及び同ｊ！＠−１０４４７
７号各公＠にも開示されている如くプラズマグジー放電
法、スパッタ蒸着法又はイオンブレーティング法によっ
て形成され、！ｓ内に少なくと４ｈ１０〜１０原子製の
水ｌＡ原子を含有し、そのＩＩｋ＃ＩＣ第三成分原子と
してフッ素原子、炭素原子若しくは窒素原子等を含有す
るものが代表的なものとして挙げられる。（ここで上記
非晶質シリコン属。
７号各公＠にも開示されている如くプラズマグジー放電
法、スパッタ蒸着法又はイオンブレーティング法によっ
て形成され、！ｓ内に少なくと４ｈ１０〜１０原子製の
水ｌＡ原子を含有し、そのＩＩｋ＃ＩＣ第三成分原子と
してフッ素原子、炭素原子若しくは窒素原子等を含有す
るものが代表的なものとして挙げられる。（ここで上記
非晶質シリコン属。
なる語は粒径が約１００Ａ以下の微結晶からなるシリコ
ン瞑をも包含する意味で用いられている。） 上記非晶質シリコン膜は、可視光に対する吸収係数が単
結晶シリコンＩ［Ｋ比べて１桁以上大きく、従って太陽
光を有効に吸収利用するに必要な膜厚はＳ Ｓ、以下で
も可能である。このことは上記非晶質シリコン膜からな
る光起電力発生層を可撓性基板上に＆けることによって
任意に蘭げ５る薄膜太陽電池を作成し５ることな示唆し
ている。
ン瞑をも包含する意味で用いられている。） 上記非晶質シリコン膜は、可視光に対する吸収係数が単
結晶シリコンＩ［Ｋ比べて１桁以上大きく、従って太陽
光を有効に吸収利用するに必要な膜厚はＳ Ｓ、以下で
も可能である。このことは上記非晶質シリコン膜からな
る光起電力発生層を可撓性基板上に＆けることによって
任意に蘭げ５る薄膜太陽電池を作成し５ることな示唆し
ている。
参集、可撓性に富んだプラスチックフィルムをペースと
した非晶質シリコン履薄膜太陽電池が、既に４１開１ｉ
！１８４−１４９４ａＩ号、同ｊＩ −４９９４号及び
閂Ｓ ｍ−１１４７！４号会報に記載されている。
した非晶質シリコン履薄膜太陽電池が、既に４１開１ｉ
！１８４−１４９４ａＩ号、同ｊＩ −４９９４号及び
閂Ｓ ｍ−１１４７！４号会報に記載されている。
しかるに太陽電池として良質な非晶質シ＆ｌ：Ｉン膜を
形成するためには町―性プラスチックフィルムとしては
１００〜３００℃の耐熱性を必要とするとされ、かかる
見地から耐熱性のあるポリイＩ）″フィルムをペースと
して用いることが提案されているがこれらのフィルムは
溶媒や吸着水を含有しているため非晶質シリコン膜を積
層する温度領域に加熱するとそれら＊Ｓや吸着水の放出
がおこり形成される非晶質シリコン膜な汚染して良質の
非晶質シリコン属の形成を節電する。更にこ九ものフィ
ルムは一紋に水分の徴収度が大きいため、高湿度環境下
での安定性に問題があった。
形成するためには町―性プラスチックフィルムとしては
１００〜３００℃の耐熱性を必要とするとされ、かかる
見地から耐熱性のあるポリイＩ）″フィルムをペースと
して用いることが提案されているがこれらのフィルムは
溶媒や吸着水を含有しているため非晶質シリコン膜を積
層する温度領域に加熱するとそれら＊Ｓや吸着水の放出
がおこり形成される非晶質シリコン膜な汚染して良質の
非晶質シリコン属の形成を節電する。更にこ九ものフィ
ルムは一紋に水分の徴収度が大きいため、高湿度環境下
での安定性に問題があった。
そこで本発明看らは非晶質シリコン属を積層する温度領
域においても１ｗＩｍや吸着水の放出などというトラブ
ルがないプラスチックフィルムとしてボＶエーテルエー
テルケトン系フィルムを用いる事を検討し、白皺フィル
ムが薄膜太陽電池のペースとして好適なることを見出し
、本発１１Ｋｊｌｌ違した。
域においても１ｗＩｍや吸着水の放出などというトラブ
ルがないプラスチックフィルムとしてボＶエーテルエー
テルケトン系フィルムを用いる事を検討し、白皺フィル
ムが薄膜太陽電池のペースとして好適なることを見出し
、本発１１Ｋｊｌｌ違した。
即ち本発明は、水素・シリコンを主成分とする非晶質シ
リコンからなる光起電力発生層を、下記式（１） で表わされる構成単位を主として有し、且つ２６０℃、
１時間で測定した熱収縮率がすべての方向に３％以下で
あるポリエーテルエーテルケトンフィルム上に殻けてな
る薄膜太陽電池でＡｌ ＞’！ルケトンフィル＾の素材は上記した如く式（１）
で表わされる構成単位を主として有するものであるが、
当赦構威単位のみからなるもの及び当鋏構成単位を６０
モル％以上、好ましくは１０モル％以上會有するものが
用いられる。当餉構成単位以外の代表的構成単位として
は以下の如きものが挙げられる。
リコンからなる光起電力発生層を、下記式（１） で表わされる構成単位を主として有し、且つ２６０℃、
１時間で測定した熱収縮率がすべての方向に３％以下で
あるポリエーテルエーテルケトンフィルム上に殻けてな
る薄膜太陽電池でＡｌ ＞’！ルケトンフィル＾の素材は上記した如く式（１）
で表わされる構成単位を主として有するものであるが、
当赦構威単位のみからなるもの及び当鋏構成単位を６０
モル％以上、好ましくは１０モル％以上會有するものが
用いられる。当餉構成単位以外の代表的構成単位として
は以下の如きものが挙げられる。
Ｃ式中ムは直接結合、酸素、硫黄、−８へ−１−ＣＯ一
または二価の炭化水素基である）（式中、鳳単位 の酸素原子は基ＱまたはＱ′に対しオルト位またはパラ
位にあり、Ｑおよびｑ′は同一または異なり−αトまた
は一８ｏｌ−であり、ムｒ′は二価の芳香族基であり、
セして１は０，１．２または３である） かかるポリマーの詳細は特開昭８４−９０２９６号公報
に記載されている。
または二価の炭化水素基である）（式中、鳳単位 の酸素原子は基ＱまたはＱ′に対しオルト位またはパラ
位にあり、Ｑおよびｑ′は同一または異なり−αトまた
は一８ｏｌ−であり、ムｒ′は二価の芳香族基であり、
セして１は０，１．２または３である） かかるポリマーの詳細は特開昭８４−９０２９６号公報
に記載されている。
本発−においては、上記ポリマーからなるフィルムは熱
収縮率が意６０℃、好ましくは２８０℃、籍に好ましく
はｓＯＯ℃、３０搾間でＳ％以下であることである。好
ましくはそれら熱収縮率は１％以下であり特に好ましく
は１％以下である。
収縮率が意６０℃、好ましくは２８０℃、籍に好ましく
はｓＯＯ℃、３０搾間でＳ％以下であることである。好
ましくはそれら熱収縮率は１％以下であり特に好ましく
は１％以下である。
熱収縮率が大きいと鍍フィルムＫ ａ −８１膜を堆積
する除膜にクラック・シワが入りゃすく、これを回避す
る為に低温で堆積すると非晶質シリコン属の特性が低下
し、太陽電池と（て好ましくない。
する除膜にクラック・シワが入りゃすく、これを回避す
る為に低温で堆積すると非晶質シリコン属の特性が低下
し、太陽電池と（て好ましくない。
前記特性を有するフィルムは、例えば上記ポリマーを融
点以上の温度で溶融押出ししてフィルム化し、次いに次
転位温度〜結晶化温度で好ましくは二輪凰伸した後、熱
処理することによつ−Ｃ４１１１られる。
点以上の温度で溶融押出ししてフィルム化し、次いに次
転位温度〜結晶化温度で好ましくは二輪凰伸した後、熱
処理することによつ−Ｃ４１１１られる。
好ましい熱処理条件は
■ 駕伸フィルムを２６０℃＜Ｔ＊ ＜ ’ｒ’ｍ （
（ｉｌ ＬＴｍはポーマーの融点Ｃ℃））で示される温
度〒１（℃）で伸長〜制限収縮下論処−し、次いで■
ｓｌＯ℃〈Ｔ、＜亀で示される温度−ＣＣ）で＃フィル
ムの縦方向及び横方向にそれぞれ０ ＜ ８Ｍ ＜８Ｍ
、 Ｏ＜ ＳＴ ＜８Ｔ 、好ましくは０．３福＜８
Ｍ＜福、 ｏ、２ ＳＴ ＜ ＳＴ ＜６．よ’） 好
ｔ Ｌ ＜ ｋｔ Ｏ，１８ｙ１ ＜ ８Ｍ ＜ ８Ｍ
、 Ｏ，Ｉ ＩＩＴ ＜８丁＜８Ｔ（但しＳ蒜、Ｓ讐
はそれぞれ温Ｗｔ Ｔ、℃に於げる誼フィル人の縦及び
横方向の収縮率Ｃ％）を示す）で示される割合８Ｍ 、
８Ｔ （％）だけ収縮ｓＪｔつつ熱処理する 方法である。
（ｉｌ ＬＴｍはポーマーの融点Ｃ℃））で示される温
度〒１（℃）で伸長〜制限収縮下論処−し、次いで■
ｓｌＯ℃〈Ｔ、＜亀で示される温度−ＣＣ）で＃フィル
ムの縦方向及び横方向にそれぞれ０ ＜ ８Ｍ ＜８Ｍ
、 Ｏ＜ ＳＴ ＜８Ｔ 、好ましくは０．３福＜８
Ｍ＜福、 ｏ、２ ＳＴ ＜ ＳＴ ＜６．よ’） 好
ｔ Ｌ ＜ ｋｔ Ｏ，１８ｙ１ ＜ ８Ｍ ＜ ８Ｍ
、 Ｏ，Ｉ ＩＩＴ ＜８丁＜８Ｔ（但しＳ蒜、Ｓ讐
はそれぞれ温Ｗｔ Ｔ、℃に於げる誼フィル人の縦及び
横方向の収縮率Ｃ％）を示す）で示される割合８Ｍ 、
８Ｔ （％）だけ収縮ｓＪｔつつ熱処理する 方法である。
特に１［層目の熱処理方法としては、特定の８Ｍ 、
ＩＩＴまで７ｖ−収縮させつつ熱処理する方法、ｌＩの
熱処理で得られるフィルムの１段目の熱処理温度下での
収縮応力より小さい応力で嵩張させつつ熱処理する方法
、が好ましい。
ＩＩＴまで７ｖ−収縮させつつ熱処理する方法、ｌＩの
熱処理で得られるフィルムの１段目の熱処理温度下での
収縮応力より小さい応力で嵩張させつつ熱処理する方法
、が好ましい。
夾には！膜島処理した後、更に熱処理するいわゆる多段
熱処理方法も好ましく採用できる。
熱処理方法も好ましく採用できる。
鋤、本発明でいう鶴収縮率とは、フィルムを員さ約１０
１．巾約１億の短貴状に切りとり。
１．巾約１億の短貴状に切りとり。
所定温度のシリコンオイル中に３０秒間浸漬した場會の
収縮の割合を聾で示したものである。
収縮の割合を聾で示したものである。
また、フィルムの厚さは２５Ｊ−ｓｏｏＪ１４ｉ度が好
ましい。
ましい。
本発明においては、光起電力発生層は公知の手段により
、公知の構成の非晶質シリコン員から本質的になるもの
として形成せしめることができる。１１ 以下、実ｍ例により本蝕明を更に説明する。
、公知の構成の非晶質シリコン員から本質的になるもの
として形成せしめることができる。１１ 以下、実ｍ例により本蝕明を更に説明する。
−施例１及び比較例
下記繰返し単位
（防“（）譬
Ｃ００−
よりなり、濃硫酸中Ｃ＝ ０．１１１／ｄ・で雪１℃で
渕定した還元粘度が１．３！であるポリエーテルエーテ
ルケトンチップを乾燥後ｓ會Ｏ℃で溶融し、中２・傷の
Ｔダイを先端に設置したルーダ−より押出し、急冷する
ことにより厚さ約２ｉ。
渕定した還元粘度が１．３！であるポリエーテルエーテ
ルケトンチップを乾燥後ｓ會Ｏ℃で溶融し、中２・傷の
Ｔダイを先端に設置したルーダ−より押出し、急冷する
ことにより厚さ約２ｉ。
Ｊｍの透明なフィルムを得た。次いで該フィルムを１０
０℃で縦横それぞれ３倍に同時二輪延伸し、定長下空気
中ｇｏｏ℃で言分間熱処ｊＪｔ行った。かくして得られ
たフィルムの収縮率は２６０℃で縦方向７．＠％、横方
向７０ｍ％でありた０次に該フィルムを約５６１／ｌｘ
の応力で縦−横方向かうＳ彊しつつ、３ＱＱ℃で８分間
ｍｍ埋した。この上うにして得られたフィルムの収縮率
はＸ＠Ｏ℃で鍛方１ｃ１Ｏ，Ｓ％、横力向Ｏ，Ｓ％：２
８０℃で縦方向０．４％、横方向０．１％；哀００℃で
鍛方＠ ｏ、 ｓ％、横方＠ ｏ、 ａ％であった。
０℃で縦横それぞれ３倍に同時二輪延伸し、定長下空気
中ｇｏｏ℃で言分間熱処ｊＪｔ行った。かくして得られ
たフィルムの収縮率は２６０℃で縦方向７．＠％、横方
向７０ｍ％でありた０次に該フィルムを約５６１／ｌｘ
の応力で縦−横方向かうＳ彊しつつ、３ＱＱ℃で８分間
ｍｍ埋した。この上うにして得られたフィルムの収縮率
はＸ＠Ｏ℃で鍛方１ｃ１Ｏ，Ｓ％、横力向Ｏ，Ｓ％：２
８０℃で縦方向０．４％、横方向０．１％；哀００℃で
鍛方＠ ｏ、 ｓ％、横方＠ ｏ、 ａ％であった。
この様にして得たフィルムの上に金属）−としてステン
レス（８Ｕｉ！３４Ｇ ）をスノ（ツタ□ングで厚さ約
４００ＯＡ設けた。これを、５Ｕ８３０４製の金枠に％
ａ両固定して取り付けた後、グロー放電反応装置内にセ
ットし、基板温度２５０℃、圧力＠、 ６ ｔｏｒｒの
アルゴン雰囲気中でｌｌｉ分間Ｉ Ｊ ｌＩ６ ＭＨｚ
の高周波放電させて清浄化した。
レス（８Ｕｉ！３４Ｇ ）をスノ（ツタ□ングで厚さ約
４００ＯＡ設けた。これを、５Ｕ８３０４製の金枠に％
ａ両固定して取り付けた後、グロー放電反応装置内にセ
ットし、基板温度２５０℃、圧力＠、 ６ ｔｏｒｒの
アルゴン雰囲気中でｌｌｉ分間Ｉ Ｊ ｌＩ６ ＭＨｚ
の高周波放電させて清浄化した。
次に１０−’ ｔｏｒｒまで排気した後、水素希釈した
１０％シランガス（８１Ｈ，）と２％ホスフィンカス（
ＰＨｓ） （ＳｔＨａＫ対し１％量のｐ’Ｈ３）を導入
して約１ ｔｏｒｒ Ｋ Ｌ 、基板温度２８０℃で高
周波放電を行ない、ステンレス層上に＊ｆｊＡシリコン
層を約３１ＯＡの厚さに設けた。次に装置内を排気して
から水嵩希釈したシランガスのみを供給し、約０．ｓ声
調のシリコン層を形成した。更にジボラン（１，Ｈ，）
をシラン中に約０，５％の温度に混合し、反応装置内に
導入して、４７１１波放電を用いて約１０＠＊ｆ）ｐ朧
シ曽コン層を設けた。
１０％シランガス（８１Ｈ，）と２％ホスフィンカス（
ＰＨｓ） （ＳｔＨａＫ対し１％量のｐ’Ｈ３）を導入
して約１ ｔｏｒｒ Ｋ Ｌ 、基板温度２８０℃で高
周波放電を行ない、ステンレス層上に＊ｆｊＡシリコン
層を約３１ＯＡの厚さに設けた。次に装置内を排気して
から水嵩希釈したシランガスのみを供給し、約０．ｓ声
調のシリコン層を形成した。更にジボラン（１，Ｈ，）
をシラン中に約０，５％の温度に混合し、反応装置内に
導入して、４７１１波放電を用いて約１０＠＊ｆ）ｐ朧
シ曽コン層を設けた。
次にこのＰ１１シｌ：１７層上に、厚さ約７００Ｘの酸
化インジウムな反応性層着法によって設けた。さもに＠
化インジウム膜上に銀なくし麿に蒸着して、収集電極と
した。
化インジウムな反応性層着法によって設けた。さもに＠
化インジウム膜上に銀なくし麿に蒸着して、収集電極と
した。
比較のため、前記延伸フィルムを定長下、空気中８８０
℃で２分織したフィル＾（２６＠”Ｃの熱収縮率は、Ｍ
Ｄ方向４，６％、ＴＤ方向４．４％）を用いて、同様の
条件で非晶質シリコン層を設けたところ、フィルム＠に
多数のタラツクが見られた。
℃で２分織したフィル＾（２６＠”Ｃの熱収縮率は、Ｍ
Ｄ方向４，６％、ＴＤ方向４．４％）を用いて、同様の
条件で非晶質シリコン層を設けたところ、フィルム＠に
多数のタラツクが見られた。
酸化インジウム層を設ける時、マスクを用いて３×３謹
角瀾セルを同一フイル人士ＫＢＯ偵二、設け、その中の
最大変換効率の８５％までのセ［、夕を生存セルとし、
生存セル数を表−１に示し１％織例Ｚ、Ｓ 冥總Ｈｓと同様にして得た延伸フィルムを定長下空気中
３３０℃で２分間熱処理し、次いで下表冨に示す条件下
で熱処瑞してフィルムを得た。咳フィル人を用い、実Ｉ
ＩＡ例１と同様に太陽電池を作製した場合のフィルム面
の状況、生存セル数を表２に示した。
角瀾セルを同一フイル人士ＫＢＯ偵二、設け、その中の
最大変換効率の８５％までのセ［、夕を生存セルとし、
生存セル数を表−１に示し１％織例Ｚ、Ｓ 冥總Ｈｓと同様にして得た延伸フィルムを定長下空気中
３３０℃で２分間熱処理し、次いで下表冨に示す条件下
で熱処瑞してフィルムを得た。咳フィル人を用い、実Ｉ
ＩＡ例１と同様に太陽電池を作製した場合のフィルム面
の状況、生存セル数を表２に示した。
実施例４．比較例２
夾繍例１と同様の方法で解解、延伸、熱処理して得られ
たフィルム上に、金属層とＬ℃ステンレス（８ＵＳ
３０４）をスパッタ゛リンダテ約４００ＯＡ設けた。こ
れを金枠に嘲りつけた後、グロー放電反応装置内にセッ
トし、基板温度２５０Ｔ、圧力ｏ＋ｓ ｔｏｒｒのフル
コーン雰囲気中で１５分間、 １３．５６ ＭＨｚの
高周波放電させて清浄化した。次Ｋ １ Ｇ−’ ｔｏ
ｒｒまで排気した後、水素希釈した１０％シランガス（
ＳｉＨ４）とジボランガス（シランに対し０．７５％の
Ｂ、Ｈ，’）を導入して約１ ｔｏｒｒ Ｋ Ｌ、基板
温度２５０’Ｃで縄周皺放電を行ない、ステンレス層上
にＰｊ１シリコンを約４０ＯＡの厚さに設けた。次に装
置内を、排気してから水嵩希釈したシランガスのみを供
大して高周波放電を行ない約１ｏｏＸのｎ、［シＶコン
層を設けた１次に、この上Ｋｍ化インジウムムｇを実開
１と同様の方法で設けた。
たフィルム上に、金属層とＬ℃ステンレス（８ＵＳ
３０４）をスパッタ゛リンダテ約４００ＯＡ設けた。こ
れを金枠に嘲りつけた後、グロー放電反応装置内にセッ
トし、基板温度２５０Ｔ、圧力ｏ＋ｓ ｔｏｒｒのフル
コーン雰囲気中で１５分間、 １３．５６ ＭＨｚの
高周波放電させて清浄化した。次Ｋ １ Ｇ−’ ｔｏ
ｒｒまで排気した後、水素希釈した１０％シランガス（
ＳｉＨ４）とジボランガス（シランに対し０．７５％の
Ｂ、Ｈ，’）を導入して約１ ｔｏｒｒ Ｋ Ｌ、基板
温度２５０’Ｃで縄周皺放電を行ない、ステンレス層上
にＰｊ１シリコンを約４０ＯＡの厚さに設けた。次に装
置内を、排気してから水嵩希釈したシランガスのみを供
大して高周波放電を行ない約１ｏｏＸのｎ、［シＶコン
層を設けた１次に、この上Ｋｍ化インジウムムｇを実開
１と同様の方法で設けた。
比較のため、７５ｓカプト／フイルム
（Ｄｕｐｏｎｔ ＩＩ Ｈｔｙｐｅ ）を有機溶媒、水
洗浄後、１００℃で乾燥したフィルムを用い、ステンレ
ス層、シリコン層、＃１化インジウム層、Ａｇ層を実施
例４と同じ条件で、別のバッチで設けた。
洗浄後、１００℃で乾燥したフィルムを用い、ステンレ
ス層、シリコン層、＃１化インジウム層、Ａｇ層を実施
例４と同じ条件で、別のバッチで設けた。
これらのサンプルの変換効率の初期値を測定した後、８
０℃９５％相対温度の雰囲気に１００ｈｒ放置し、変換
効率を再測定した。ボＶエーテルエーテルケトンを用い
たセルでの初期変換効率を１．００とした時の、各変換
効率の比を表−３に示す、なお、この場合には、３×３
謡の角層セル３０個の内、それぞれのサンプルから変換
効率の高いものな１０（ｉ１選びその平均値を求めた値
である。
０℃９５％相対温度の雰囲気に１００ｈｒ放置し、変換
効率を再測定した。ボＶエーテルエーテルケトンを用い
たセルでの初期変換効率を１．００とした時の、各変換
効率の比を表−３に示す、なお、この場合には、３×３
謡の角層セル３０個の内、それぞれのサンプルから変換
効率の高いものな１０（ｉ１選びその平均値を求めた値
である。
表 −３
これより、ポリイｌドフイルムであるカプトンでは、初
期の変換効率が低いだけでなく、高温度Ｆでの熱安定性
も欠けることがわかろ。
期の変換効率が低いだけでなく、高温度Ｆでの熱安定性
も欠けることがわかろ。
特許出願人 帝人株式会社
代理人 弁場士 前 １） 純 博ン）
３４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水嵩・シー：Ｉンを主成分とする非晶質シリコンからな
る光起電力発生層を、下記式 で表わされる構成単位を主として有し、且つａｇｏ℃ｅ
ｖｏ牡間で糊定した熱収縮率がすべての方向Ｅ１％以下
であるボＶエーテル・エーテルケＦンフイルム上に設は
工なる薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075414A JPS58194376A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075414A JPS58194376A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 薄膜太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194376A true JPS58194376A (ja) | 1983-11-12 |
| JPS6222274B2 JPS6222274B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=13575487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075414A Granted JPS58194376A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194376A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162750A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Sekisui Chem Co Ltd | Electrically-conductive resin composition |
| JPS5863417A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 等方性配向ポリエ−テルエ−テルケトンフイルムの製造方法 |
-
1982
- 1982-05-07 JP JP57075414A patent/JPS58194376A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162750A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Sekisui Chem Co Ltd | Electrically-conductive resin composition |
| JPS5863417A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 等方性配向ポリエ−テルエ−テルケトンフイルムの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6222274B2 (ja) | 1987-05-16 |
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