JPS58166357A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58166357A JPS58166357A JP4900982A JP4900982A JPS58166357A JP S58166357 A JPS58166357 A JP S58166357A JP 4900982 A JP4900982 A JP 4900982A JP 4900982 A JP4900982 A JP 4900982A JP S58166357 A JPS58166357 A JP S58166357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- film
- powder
- photoreceptor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体およびその製造方法に関する
ものである。
ものである。
従来の電子写真用感光体はアルミ等の導電性基板上にＳ
ｅ膜を真空蒸着法によシ蒸着して成るものであるが、こ
のＳｅ感光体は分光感度が５００ｎｍ付近までしかなく
、また結晶しやすく不安定である。
ｅ膜を真空蒸着法によシ蒸着して成るものであるが、こ
のＳｅ感光体は分光感度が５００ｎｍ付近までしかなく
、また結晶しやすく不安定である。
そこで、このＳｅ感光体の安定性を改善したものとして
少量のＡｓをＳｅに添加して成るＢｅ −Ａｌｌ感光体
がある。また、分光感度を長波長に伸ばした５ｅ−Ｔｅ
感光体はＳｅにＴｅ（テルル）を添加して成るものであ
るが、Ｔｅの添加量が増加すると、Ｓｓ Ｔｅ膜の電
気抵抗が低下し、その結果、表面電荷の保持特性が悪く
なυ、事実上、感光体として使用できなくなる。さらに
ｓ Ｓｅに８１を添加して成る５ｅ−Ｂ１合金感光体の
場合は長波長に低感度ではあるが、さらにＩ（’ｉｆつ
素）を添加して成るＳｅ −Ｂｉ −Ｉ合金感光体の場
合は分光感度が８００ ｎｍにおいて亀十分高い感度を
有することが知られている。しかし、このＳｅ −Ｂｉ
−Ｉ合金膜の形成には特殊なフラツシエ蒸着法を必要と
し、また形成後の膜も不安定なため、この５ｓ−Ｂｉ−
Ｉ合金感光体の実用化は実際のところ困難であるという
欠点がある。
少量のＡｓをＳｅに添加して成るＢｅ −Ａｌｌ感光体
がある。また、分光感度を長波長に伸ばした５ｅ−Ｔｅ
感光体はＳｅにＴｅ（テルル）を添加して成るものであ
るが、Ｔｅの添加量が増加すると、Ｓｓ Ｔｅ膜の電
気抵抗が低下し、その結果、表面電荷の保持特性が悪く
なυ、事実上、感光体として使用できなくなる。さらに
ｓ Ｓｅに８１を添加して成る５ｅ−Ｂ１合金感光体の
場合は長波長に低感度ではあるが、さらにＩ（’ｉｆつ
素）を添加して成るＳｅ −Ｂｉ −Ｉ合金感光体の場
合は分光感度が８００ ｎｍにおいて亀十分高い感度を
有することが知られている。しかし、このＳｅ −Ｂｉ
−Ｉ合金膜の形成には特殊なフラツシエ蒸着法を必要と
し、また形成後の膜も不安定なため、この５ｓ−Ｂｉ−
Ｉ合金感光体の実用化は実際のところ困難であるという
欠点がある。
一方、上述の電子写真用感光体を用い九レーザビーム・
プリンタ等では、現在、光源として６・３３画の波長を
有するＨｅ −Ｎ・レーザが用いられている。最近は、
さらに半導体レーデを光源として用いることが試みられ
ているが、この光源の波長は７００〜９００ｎｍとなっ
ており、よシ長波長において感度が高く電荷の保持能力
の高い感光体がますます要求されてきている。
プリンタ等では、現在、光源として６・３３画の波長を
有するＨｅ −Ｎ・レーザが用いられている。最近は、
さらに半導体レーデを光源として用いることが試みられ
ているが、この光源の波長は７００〜９００ｎｍとなっ
ており、よシ長波長において感度が高く電荷の保持能力
の高い感光体がますます要求されてきている。
本発明は斜上の点に着目して成されたもので、従来、添
加することが困難であったＦをＳｅ −Ｂ１合金に容易
に添加して５ｅ−Ｂｉ−Ｆ合金膜を形成できる新しい製
造方法によ）、長波長域においても十分高感度であり、
かつ安定性の高い感光膜として前記合金膜の組成比を選
んで成る電子写真用感光体を提供するととを目的とする
ものである。
加することが困難であったＦをＳｅ −Ｂ１合金に容易
に添加して５ｅ−Ｂｉ−Ｆ合金膜を形成できる新しい製
造方法によ）、長波長域においても十分高感度であり、
かつ安定性の高い感光膜として前記合金膜の組成比を選
んで成る電子写真用感光体を提供するととを目的とする
ものである。
以下に本発明の二実施例を説明する。
まず、本発明の第１の実施例は、導電性基板としてアル
ミニウムを用い、この基板の上に、本発明による組成の
Ｓｅ −Ｂｉ −Ｆ合金膜を感光膜として高周波スパッ
タ法によシ形成した本のである。
ミニウムを用い、この基板の上に、本発明による組成の
Ｓｅ −Ｂｉ −Ｆ合金膜を感光膜として高周波スパッ
タ法によシ形成した本のである。
この第１の実施例では、例えば、核５ｅ−Ｂｉ−Ｆ合金
膜の組成比はＳｅが９７原子パーセント、Ｂｉが２原子
パーセント、Ｆが１原子パーセントで、厚さ５０μｎ１
の合金膜を作成して用いられた。
膜の組成比はＳｅが９７原子パーセント、Ｂｉが２原子
パーセント、Ｆが１原子パーセントで、厚さ５０μｎ１
の合金膜を作成して用いられた。
このようにして作成した５ｅ−Ｂｉ−Ｆ合金感光体は、
８５０ ｎｍまで十分高い分光感度を有し、例えば、８
００ ｎｍにおける半一露光量は０．４声Ｊ／ｃｉｌで
、表面電位は７２０Ｖ、残留電位も３０ｖと小さく実用
上十分な電位を示し、しかも感光膜の結晶化、ひび割れ
等は全く生じることなく、高い安定性を示すものである
。
８５０ ｎｍまで十分高い分光感度を有し、例えば、８
００ ｎｍにおける半一露光量は０．４声Ｊ／ｃｉｌで
、表面電位は７２０Ｖ、残留電位も３０ｖと小さく実用
上十分な電位を示し、しかも感光膜の結晶化、ひび割れ
等は全く生じることなく、高い安定性を示すものである
。
なお、本発明の第１の実施例で用いられた前記５ｅ−Ｂ
ｉ−Ｆ合金膜の組成は０．５〜１０原子パーセントのＢ
ｉ 、 ０．０１〜ｌＯ原子パーセントのＦ、残部組成
比を成すＳｅの場合が良い特性を示し、特に、第１図に
示す如く、１〜５原子パーセントの８１゜０．５〜４原
子パーセントのＦの場合、８００ｎｎ１における半減露
光量は０．５ｊＪ／ｆｆｌ以下と極めて良好な感度特性
を示した。なお、第１図は５ｅ−Ｂｉ−Ｆ合金感光体の
感度特性を示すものでこの５ｅ−Ｂｉ、−Ｆ合金感光体
の８００画における半減露光量（μＪ／ｃｄ）をＢｉと
Ｆの組成比を変数として図示したものである。
ｉ−Ｆ合金膜の組成は０．５〜１０原子パーセントのＢ
ｉ 、 ０．０１〜ｌＯ原子パーセントのＦ、残部組成
比を成すＳｅの場合が良い特性を示し、特に、第１図に
示す如く、１〜５原子パーセントの８１゜０．５〜４原
子パーセントのＦの場合、８００ｎｎ１における半減露
光量は０．５ｊＪ／ｆｆｌ以下と極めて良好な感度特性
を示した。なお、第１図は５ｅ−Ｂｉ−Ｆ合金感光体の
感度特性を示すものでこの５ｅ−Ｂｉ、−Ｆ合金感光体
の８００画における半減露光量（μＪ／ｃｄ）をＢｉと
Ｆの組成比を変数として図示したものである。
次に、本発明の第２の実施例は、上述の実施例のＳｅ
−Ｂｉ−Ｆ合金膜にＡａを添加した場合で、例えば高周
波スパッタ装置の粉末ターグツトとして、Ｓｅが９５．
８原子パーセント、 Ｂｉが２．２原子ノ（−セント、
Ｆが０．９原子パーセントｓ Ａｓが１．１原子）く−
セントの組成比のものを用いて厚さ４０μｍの感光膜を
得たものである。このＡｓを添加した５ｓ−Ｂｉ−Ｆ合
金感光体の８００ ｎｍにおける半減露光量は０．６μ
Ｊ／ｄであ、９、Ａｓを添加しな゛いものに比較して少
し悪いが、表面硬度が高くなり、また熱的安定性がさら
に向上し、感光体としての信頼性が一段と向上した。
−Ｂｉ−Ｆ合金膜にＡａを添加した場合で、例えば高周
波スパッタ装置の粉末ターグツトとして、Ｓｅが９５．
８原子パーセント、 Ｂｉが２．２原子ノ（−セント、
Ｆが０．９原子パーセントｓ Ａｓが１．１原子）く−
セントの組成比のものを用いて厚さ４０μｍの感光膜を
得たものである。このＡｓを添加した５ｓ−Ｂｉ−Ｆ合
金感光体の８００ ｎｍにおける半減露光量は０．６μ
Ｊ／ｄであ、９、Ａｓを添加しな゛いものに比較して少
し悪いが、表面硬度が高くなり、また熱的安定性がさら
に向上し、感光体としての信頼性が一段と向上した。
本発明の電子写真用感光体は、以上説明したとおり、８
ｅ−Ｂ１合金にＦを容易に添加できる新しい製造方法に
よシ、Ｓ・−Ｂｉ−Ｆ合金感光錦、を得て長波長光に対
し高い感度と高い安定性を得るこ（ができ、その結果、
高い分光感度と安定性を要求するレーザビーム、プリン
タ用としてのみならず、半導体レーザ光を用いたファク
シミリまたは赤色ＬＥＤを用いたプリンク、ファックス
等の用途にも十分応えられるだけの高性能、商品質の利
点を有するものである。
ｅ−Ｂ１合金にＦを容易に添加できる新しい製造方法に
よシ、Ｓ・−Ｂｉ−Ｆ合金感光錦、を得て長波長光に対
し高い感度と高い安定性を得るこ（ができ、その結果、
高い分光感度と安定性を要求するレーザビーム、プリン
タ用としてのみならず、半導体レーザ光を用いたファク
シミリまたは赤色ＬＥＤを用いたプリンク、ファックス
等の用途にも十分応えられるだけの高性能、商品質の利
点を有するものである。
次に、上述の電子写真用感光体の製造方法を図面と共に
説明する。
説明する。
従来の電子写真用感光体紘導電性基板としてアルミニウ
ムを用い、仁の基板上に８ｅ膜、Ｓｓ Ａｅ合金膜、
Ｓｅ −Ｔｅ合金膜、あるいは５ｅ−Ｂｌ−Ｉ合金膜の
いずれかの感光膜を真空蒸着法によシ蒸着せしめて形成
するものである。
ムを用い、仁の基板上に８ｅ膜、Ｓｓ Ａｅ合金膜、
Ｓｅ −Ｔｅ合金膜、あるいは５ｅ−Ｂｌ−Ｉ合金膜の
いずれかの感光膜を真空蒸着法によシ蒸着せしめて形成
するものである。
これに対して本発明の電子写真用感光体は感光膜として
Ｓｅ −Ｂｌ−Ｆ合金膜を用いる。
Ｓｅ −Ｂｌ−Ｆ合金膜を用いる。
以下に、８ｅ−Ｂｌ−Ｆ合金膜の形成方法の従来例を第
２図、第３図と共に説明する。
２図、第３図と共に説明する。
なお、図中同一符号は同一部分を示す。
第２図は第１の従来例を示し、図において１はアルミ基
板、２はるつぼ、３は材料供給器、４は真空室である。
板、２はるつぼ、３は材料供給器、４は真空室である。
すなわち、予め、５ｓ−Ｂｉ−Ｆの混合物を作成し、こ
れを細かい粒状に粉砕し、少しずつ、加熱されているる
つぼ２に供給し、この供給された量だけ短時間に蒸発さ
せてアルミ基板１に臭突蒸着させる方法である。この方
法によれば、Ｓｅ −Ｂ１−Ｆの均一な混合物が必要で
あるが、この混合物を作ること自体が困難であり、又こ
の混合物が得られたとしてもフラッシュ蒸着法ではこの
材料である混合物の供給制御が大変難しい。ただし、こ
の方法は５ｅ−Ｂｉ−Ｉ合金膜の形成ならば比較的容易
に行える。
れを細かい粒状に粉砕し、少しずつ、加熱されているる
つぼ２に供給し、この供給された量だけ短時間に蒸発さ
せてアルミ基板１に臭突蒸着させる方法である。この方
法によれば、Ｓｅ −Ｂ１−Ｆの均一な混合物が必要で
あるが、この混合物を作ること自体が困難であり、又こ
の混合物が得られたとしてもフラッシュ蒸着法ではこの
材料である混合物の供給制御が大変難しい。ただし、こ
の方法は５ｅ−Ｂｉ−Ｉ合金膜の形成ならば比較的容易
に行える。
次に、第３図は第２の従来例を示し、図において５はシ
ャッターである。すなわち、第２の従来例は真空蒸着法
を用い九三温度法で行うもので、Ｓｅ 、 Ｂｉ及びＢ
ｉＦ、という三種の材料を３個のるつぼ２に別々に入れ
、この各々のるつは２の温度を、熱電対（図示せず）等
を用いて測定しながら別々の最適温度に制御し、それぞ
れの蒸発量を制御する。しかし、この場合、３個のるつ
は２のそれぞなるまでには、かなシの時間を要し、その
間にるつは２に入れた材料が全部蒸発してしまうことが
ある。また、るつは２の温度制御だけでは、蒸着膜の組
成は厳密にならないので、るつぼ２に設けたシャッター
５の開きを加減するなどして前記蒸発量を制御する必要
がある。
ャッターである。すなわち、第２の従来例は真空蒸着法
を用い九三温度法で行うもので、Ｓｅ 、 Ｂｉ及びＢ
ｉＦ、という三種の材料を３個のるつぼ２に別々に入れ
、この各々のるつは２の温度を、熱電対（図示せず）等
を用いて測定しながら別々の最適温度に制御し、それぞ
れの蒸発量を制御する。しかし、この場合、３個のるつ
は２のそれぞなるまでには、かなシの時間を要し、その
間にるつは２に入れた材料が全部蒸発してしまうことが
ある。また、るつは２の温度制御だけでは、蒸着膜の組
成は厳密にならないので、るつぼ２に設けたシャッター
５の開きを加減するなどして前記蒸発量を制御する必要
がある。
従って、この方法は、実際上いくつかの解決すべき困礫
な問題を抱えている。
な問題を抱えている。
電子写真用感光体の製造方法に関して、本発明は斜上の
点に着目して成されたもので、従来添加することが困難
であったＦ ｔ Ｓｅ −Ｂｉ合金に容易に添加して５
ｅ−Ｂｉ−Ｆ合金膜を形成せしめ、この合金膜を感光膜
として用いて成る電子写真用感光体の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
点に着目して成されたもので、従来添加することが困難
であったＦ ｔ Ｓｅ −Ｂｉ合金に容易に添加して５
ｅ−Ｂｉ−Ｆ合金膜を形成せしめ、この合金膜を感光膜
として用いて成る電子写真用感光体の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
以丁に、本発明によるＳｅ −Ｂｉ−Ｆ合金膜の形成方
法の二実施例を第４図、第５図と共に説明する。
法の二実施例を第４図、第５図と共に説明する。
なお、図中、第２図、第３図に記載の同一符号は同一部
分を示す。
分を示す。
第４図において、１ｍはアルミ基板、６は５ｅ−Ｂｉ−
Ｆ混合粉末のターグツト、７は石英製の皿である。
Ｆ混合粉末のターグツト、７は石英製の皿である。
すなわち、予め作成しておいたＳｅ −Ｂｉ合金の粉末
と本発明の特徴であるＢｉＦＢの粉末をガラス製ゲール
ミルに入れ、メタノールを加えて、約２４時間ポール・
ミリングし、この粉砕混合したものを石英製の皿７に入
れてこれをターグツト６とし、スパッタ・アップの方法
、すなわちターグツト６を下側、基板１ｍを上側に対向
配置せしめてスパッタ蒸着する方法によりアルミ基板１
ａＫスパツタし、Ｓｓ −Ｂ１−Ｆ合金膜を形成し、こ
れを感光膜として加工処理して所望の電子写真、用感光
体が得られる。なお、前記スパッタ・アップの方法には
従来からある高周波スパッタ装置を使用した。
と本発明の特徴であるＢｉＦＢの粉末をガラス製ゲール
ミルに入れ、メタノールを加えて、約２４時間ポール・
ミリングし、この粉砕混合したものを石英製の皿７に入
れてこれをターグツト６とし、スパッタ・アップの方法
、すなわちターグツト６を下側、基板１ｍを上側に対向
配置せしめてスパッタ蒸着する方法によりアルミ基板１
ａＫスパツタし、Ｓｓ −Ｂ１−Ｆ合金膜を形成し、こ
れを感光膜として加工処理して所望の電子写真、用感光
体が得られる。なお、前記スパッタ・アップの方法には
従来からある高周波スパッタ装置を使用した。
また、前記Ｓｅ −Ｂｉ−Ｆ合金膜の組成であるが、例
えば、本発明の第１の実施例に用いられた５ｓ−Ｂｉ−
Ｆ合金膜の場合は、Ｂ１を２．ＯＭ子パーセント含むＳ
ｓ −Ｂｉ合金の粉末４０ＩとＢｉＦ、粉末０．４ｇを
前記ガラス製が−ルミルに入れてよく混合粉砕し、Ｓｅ
が９６．８原子パーセント、Ｆが０．９原子パーセント
としたものを石英皿に入れ、これをスパッタ用ターｒッ
トとして用いて、厚さ５０μｍの感光膜をアルミ基板ｌ
ａ上に形成したものである。
えば、本発明の第１の実施例に用いられた５ｓ−Ｂｉ−
Ｆ合金膜の場合は、Ｂ１を２．ＯＭ子パーセント含むＳ
ｓ −Ｂｉ合金の粉末４０ＩとＢｉＦ、粉末０．４ｇを
前記ガラス製が−ルミルに入れてよく混合粉砕し、Ｓｅ
が９６．８原子パーセント、Ｆが０．９原子パーセント
としたものを石英皿に入れ、これをスパッタ用ターｒッ
トとして用いて、厚さ５０μｍの感光膜をアルミ基板ｌ
ａ上に形成したものである。
カお、この時の基板温度は５０°Ｃとした。
次に、本発明の第２の実施例に用いられたＳｅ −Ｂｉ
−Ｆ合金膜の場合は、Ｂｉを２．０原子パーセント含む
Ｓｅ −８１合金粉末４０．９とＢ ｉ Ｆｓ粉末０．
４ Ｉｉとを含む上述の第１の実施例と同様の混合粉末
にＡｓ粉末０．４．９を加えて、上述と同じ製造工程を
経て厚さ４０μｍの感光膜をアルミ基板ｌａ上に形成し
たものである。なお、この時の基板温度は６０°Ｃとし
た。
−Ｆ合金膜の場合は、Ｂｉを２．０原子パーセント含む
Ｓｅ −８１合金粉末４０．９とＢ ｉ Ｆｓ粉末０．
４ Ｉｉとを含む上述の第１の実施例と同様の混合粉末
にＡｓ粉末０．４．９を加えて、上述と同じ製造工程を
経て厚さ４０μｍの感光膜をアルミ基板ｌａ上に形成し
たものである。なお、この時の基板温度は６０°Ｃとし
た。
本発明による製造方法において、スパッタされた合金膜
の組成を分析したところ、スパッタ・ター４’ツト粉末
の組成とほとんど同じであり、この合金膜を用いること
により安定した感光膜を容易に得ることができた。また
、この製造方法は基板の代りに第５図に示す如きドラム
状のものにスパッタすることもできる。
の組成を分析したところ、スパッタ・ター４’ツト粉末
の組成とほとんど同じであり、この合金膜を用いること
により安定した感光膜を容易に得ることができた。また
、この製造方法は基板の代りに第５図に示す如きドラム
状のものにスパッタすることもできる。
以上説明したとおり、本発明による電子写真用感光体の
型造方法は、従来の真空蒸着法の代りにスパッタ蒸着法
で従来のＳｓ −Ｂｉ合金職にＦを容易に添加すること
によシ、Ｓｅ −Ｂｉ−Ｆ合金膜を導電性基板の上に形
成でき、所望の高分光感度の電子写真用感光体を安定的
に、かつ安価に製造できるという効果を奏するものであ
る。
型造方法は、従来の真空蒸着法の代りにスパッタ蒸着法
で従来のＳｓ −Ｂｉ合金職にＦを容易に添加すること
によシ、Ｓｅ −Ｂｉ−Ｆ合金膜を導電性基板の上に形
成でき、所望の高分光感度の電子写真用感光体を安定的
に、かつ安価に製造できるという効果を奏するものであ
る。
第１図は５ｅ−Ｂｉ−Ｆ合金感光体の感度特性図、第２
図、第３図は従来のＳ・−Ｂｉ−Ｆ合金膜の形成法を示
す工程説明図、第４図、第５図は本発明による電子写真
用感光体製造の実施例を示す工程説明図である、 １．１ａ・・・アルミ基板、２・・・るつぼ、３・・・
材料供給器、４・・・真空室、５・・・シャッター、６
・・・スパッタ、７・・・石英製の皿、８・・・ドラム
状物。 □凸 特許出頼人 電子計、算機基本技術研究組合第１図 ８（唐子％） 第２図 手続補正書 昭和５７年９月−３日 特許庁長官＊Ｓ＊＊ 殿 １、事件の表示 昭和ｓ７年 時評 該第 ４９００９ 号２、斃明の
名称 電子写真用感光体およびそＯ１ｌ造方渋３、補正をする
者 事件との関係 轡 許 出願人電子計算機基
本技術研究親会 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自−
）顔な説明」Ｏ欄、及び「−ＩＩＯ簡単な説明」Ｏ欄。 ７、補正の内容 （１）明細書の「特許請求の範囲」を１１４紙のとおり
補正する。 （２） 明細書６頁５行の「プリンク」を「プリンタ
」と訂正する７ （３） 同頁１１行のｒ Ｓ＠−Ａ＠ Ｊ ｔ ［８
ｅ−Ａｓ Ｊと訂正する。 （４）同書９頁１０行〜１１行の「ス／ｌツタ蒸着する
方法」を「スノダツタする方法」と訂正する。 （６）同書１１頁１５行〜１６行の［６・・・スノタツ
タＪを「６・・・ターゲット、」と訂正するＯ＆ 添付
書類の０碌 （１） 訂正特許請求の範囲 １通以上 （１）導電性基板と、前記導電性基板の上に蒸着し九感
光膜とから構成され、前記感光膜にはＳ・−Ｂｌ−２合
金膜を用いたことを特徴とする電子写真用感光体。 （２）感光膜は０．５〜ｌＯ原子ノ譬−セントのＢ１及
び０．０１〜１０原子ノ譬−セントＯＦを含むＳ・から
成る５ｅ−Ｂｉ−２合金膜であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子写真用感光体。 （３）導電性基板を準備する工程と、前記導電性基板の
上に感光膜を蒸着せしめる感光膜形成工程より成υ、前
記感光膜形成工程鉱高周波スパッタ法を用いて、Ｓ・−
Ｂ１合金粉末及びＢＩＦｍ粉末から成ゐ粉末ターゲット
の前記導電性基板上への膜形成を行わしめたことを特徴
とする原子写真用感光体の製造方法。
図、第３図は従来のＳ・−Ｂｉ−Ｆ合金膜の形成法を示
す工程説明図、第４図、第５図は本発明による電子写真
用感光体製造の実施例を示す工程説明図である、 １．１ａ・・・アルミ基板、２・・・るつぼ、３・・・
材料供給器、４・・・真空室、５・・・シャッター、６
・・・スパッタ、７・・・石英製の皿、８・・・ドラム
状物。 □凸 特許出頼人 電子計、算機基本技術研究組合第１図 ８（唐子％） 第２図 手続補正書 昭和５７年９月−３日 特許庁長官＊Ｓ＊＊ 殿 １、事件の表示 昭和ｓ７年 時評 該第 ４９００９ 号２、斃明の
名称 電子写真用感光体およびそＯ１ｌ造方渋３、補正をする
者 事件との関係 轡 許 出願人電子計算機基
本技術研究親会 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自−
）顔な説明」Ｏ欄、及び「−ＩＩＯ簡単な説明」Ｏ欄。 ７、補正の内容 （１）明細書の「特許請求の範囲」を１１４紙のとおり
補正する。 （２） 明細書６頁５行の「プリンク」を「プリンタ
」と訂正する７ （３） 同頁１１行のｒ Ｓ＠−Ａ＠ Ｊ ｔ ［８
ｅ−Ａｓ Ｊと訂正する。 （４）同書９頁１０行〜１１行の「ス／ｌツタ蒸着する
方法」を「スノダツタする方法」と訂正する。 （６）同書１１頁１５行〜１６行の［６・・・スノタツ
タＪを「６・・・ターゲット、」と訂正するＯ＆ 添付
書類の０碌 （１） 訂正特許請求の範囲 １通以上 （１）導電性基板と、前記導電性基板の上に蒸着し九感
光膜とから構成され、前記感光膜にはＳ・−Ｂｌ−２合
金膜を用いたことを特徴とする電子写真用感光体。 （２）感光膜は０．５〜ｌＯ原子ノ譬−セントのＢ１及
び０．０１〜１０原子ノ譬−セントＯＦを含むＳ・から
成る５ｅ−Ｂｉ−２合金膜であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子写真用感光体。 （３）導電性基板を準備する工程と、前記導電性基板の
上に感光膜を蒸着せしめる感光膜形成工程より成υ、前
記感光膜形成工程鉱高周波スパッタ法を用いて、Ｓ・−
Ｂ１合金粉末及びＢＩＦｍ粉末から成ゐ粉末ターゲット
の前記導電性基板上への膜形成を行わしめたことを特徴
とする原子写真用感光体の製造方法。
Claims (3)
- （１）導電性基板と、前記導電性基板の上に蒸着した感
光膜とから構成され、前記感光膜には５ｅ−Ｂｉ−Ｆ合
金膜を用いたことを特徴とする電子写真用感光体。 - （２）感光膜は０．５〜１０原子パーセントのＢ１及び
０．０１〜１０原子パーセントのＦを含むＳｅから成る
Ｓｅ −Ｂｉ −Ｆ合金膜であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子写真用感光体。 - （３）導電性基板を準備する工程と、前記導電性基板の
上に感光膜を蒸着せしめる感光膜形成工程よυ成如、前
記感光膜形成工程は高周波スパッタ蒸着法を用いて、Ｓ
ｅ −８１合金粉末及びＢ ｉ、Ｆ’３粉末から成る粉
末ターグットの前記導電性基板上への蒸着を行わしめた
ことを特徴とする電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4900982A JPS58166357A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4900982A JPS58166357A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166357A true JPS58166357A (ja) | 1983-10-01 |
| JPH0117572B2 JPH0117572B2 (ja) | 1989-03-31 |
Family
ID=12819151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4900982A Granted JPS58166357A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166357A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49104594A (ja) * | 1973-01-05 | 1974-10-03 |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP4900982A patent/JPS58166357A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49104594A (ja) * | 1973-01-05 | 1974-10-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0117572B2 (ja) | 1989-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3467548A (en) | Method of making xerographic plate by vacuum evaporation of selenium alloy | |
| US3884688A (en) | Photosensitive element employing a vitreous bismuth-selenium film | |
| US3973960A (en) | Electrophotographic element having a selenium layer containing arsenic in varying concentrations across the layer thickness | |
| US3524745A (en) | Photoconductive alloy of arsenic,antimony and selenium | |
| US4842973A (en) | Vacuum deposition of selenium alloy | |
| JPS58166357A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| US4822712A (en) | Reduction of selenium alloy fractionation | |
| US4008082A (en) | Method for producing an electrophotographic recording material | |
| USRE32744E (en) | Dual layer electrophotographic recording material containing a layer of selenium, arsenic and halogen, and thereabove a layer of selenium and tellurium | |
| Turyanitsa et al. | Raman spectra and dielectric properties of glasses of the Sb-SI system | |
| JPH0760270B2 (ja) | セレン材料の調製方法 | |
| EP0337683B1 (en) | Control of selenium alloy fractionation | |
| US5002734A (en) | Processes for preparing chalcogenide alloys | |
| JPS6059355A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US5035857A (en) | Processes for preparing chalcogenide alloys | |
| JPH0151182B2 (ja) | ||
| JPS60250358A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS59104660A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| US3816116A (en) | N-type photosensitive member for electrophotography | |
| JP2574485B2 (ja) | カルコゲナイド合金の分晶抑制方法 | |
| JP2639110B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPH06161137A (ja) | 電子写真用セレン感光体の製造方法 | |
| US4476209A (en) | Selenium-antimony alloy electrophotographic photoreceptors | |
| EP0464743B1 (en) | Process for controlling alloy fractionation | |
| JPS58221847A (ja) | 電子写真用感光体 |