JPS58161391A - 注入ロツクされたレ−ザ光源 - Google Patents
注入ロツクされたレ−ザ光源Info
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- JPS58161391A JPS58161391A JP58017305A JP1730583A JPS58161391A JP S58161391 A JPS58161391 A JP S58161391A JP 58017305 A JP58017305 A JP 58017305A JP 1730583 A JP1730583 A JP 1730583A JP S58161391 A JPS58161391 A JP S58161391A
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- Japan
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- light source
- slave
- master
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4006—Injection locking
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Laser Surgery Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Eye Examination Apparatus (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はレーデ光源に関するものである。よシ詳細にい
えば、本発明は注入ロックされたレーデ光源に関するも
のである。
えば、本発明は注入ロックされたレーデ光源に関するも
のである。
本発叫は、光フアイバ通信システムの分野において、重
要な応用を有する。
要な応用を有する。
背景技術
単−縦モードで動作しそして小さな線幅と高い周波数安
定度を有する光源をうろことと、特に光フアイバ通信シ
ステムのためにこのような光源をうるための多くの努力
が従来なされてきた。
定度を有する光源をうろことと、特に光フアイバ通信シ
ステムのためにこのような光源をうるための多くの努力
が従来なされてきた。
２つの半導体レーデを有する単−縦モード半導体レーデ
光源が従来提案されている。この光源では、半導体マス
タ レーデからの光が半導体スレーブ レーデの中に注
入され、この半導体スレーブ レーデの選定された特定
のモードが特別に強められた。もし２つの半導体レーず
が適切に制御されるならば、スレーブ レーデの光出力
は単−縦モードである。（例えば次の文献をみよ。
光源が従来提案されている。この光源では、半導体マス
タ レーデからの光が半導体スレーブ レーデの中に注
入され、この半導体スレーブ レーデの選定された特定
のモードが特別に強められた。もし２つの半導体レーず
が適切に制御されるならば、スレーブ レーデの光出力
は単−縦モードである。（例えば次の文献をみよ。
Ｊ、 Ｙａｍａｄａ等名の［Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ
ｉｎ ＩｎｔｅｎｓｉｔｙＦｌｕｃｔｕａｔｉｏｎ Ｎ
ｏ１ｓｅ ｏｆ ａ １Ｃ）ｂｉｔ／ ｓ −Ｍｏｄｕ
ｌａｔｅｄＩｎ（）ａＡｓＰ Ｌａ５ｅｒ ｂｙ ａ
Ｌｉｇｈｔ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ
ＪＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ第１９巻第１１号（１９８０年
１１月）Ｌ６８９−Ｌ６９２頁、Ｊ、 Ｙａｍａｄａ等
名の［Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ Ｓｉｎｇｌｅ −Ｌｏｎｇ
ｉｔｕｄｉｎａｌ Ｍｏｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ Ｌａ５ｅｒ ａｎｄＦｉｂｒｅ Ｔｒａｎ
ｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ
ａｔ １．５５μｍ Ｊ ＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ第ＱＥ
−１７巻第６号（１９８１年６月） 、Ｌｉｃｅｎｔｉ
ａＰａｔｅｎｔｖｅｒｗａｌｔｕｎｇｓ Ｇｍｂ［（名
の仏国特許第２．３０６，５５１号、Ｓ、 Ｋｏｂａｙ
ａｓｈｉ等名の［ＳｉｎｇｌｅＭｏｄｅ ０ｐｅｒａｔ
ｉｏｎ ｏｆ ５ Ｑ Ｑ Ｍｂｉｔ／ｓ Ｍｏｄｕｌ
ａｔｅｄＡＩＧａＡｓ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｌａ５ｅｒ ｂｙ ＩｎｊｅｃｔｉｏｎＬｏｃｋ
ｉｎｇＪ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
（ｉ ９８Ｑ年９月）第１６巻第１９号、日本電気株式
会社（日本国東京）に譲渡された米国特許第３，９９９
，１４６号） ８５０ ｎｍの領域の波長で動作する場
合でも、または１．３〜１．５μｍの波長領域で動作す
る場合でも、これらの光源の線幅が大き過ぎるために、
コヒーレント光通信システムにとって適切であるこの種
の注入ロックされたレーデ光源をうるこ七は、現在まで
できていない。ロックされたモードの線幅は、各半導体
レーザが単独で生ずる線幅に比べてそれ程小さくないこ
とがよくみられた。具体的にいえば、単一モードの線幅
を測定したところ％１００ＭＨ２〜１ＧＨｚ領域の線幅
であった。一方、コヒーレントＰＳＫ（位相シフト キ
ー）システムおよびＦＳＫ （周波数シスト キー）シ
ステムでは、少なくとも２桁小さな線幅、理想的にはメ
がヘルツ以下の線幅が要求される。
ｉｎ ＩｎｔｅｎｓｉｔｙＦｌｕｃｔｕａｔｉｏｎ Ｎ
ｏ１ｓｅ ｏｆ ａ １Ｃ）ｂｉｔ／ ｓ −Ｍｏｄｕ
ｌａｔｅｄＩｎ（）ａＡｓＰ Ｌａ５ｅｒ ｂｙ ａ
Ｌｉｇｈｔ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ
ＪＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ第１９巻第１１号（１９８０年
１１月）Ｌ６８９−Ｌ６９２頁、Ｊ、 Ｙａｍａｄａ等
名の［Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ Ｓｉｎｇｌｅ −Ｌｏｎｇ
ｉｔｕｄｉｎａｌ Ｍｏｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ Ｌａ５ｅｒ ａｎｄＦｉｂｒｅ Ｔｒａｎ
ｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ
ａｔ １．５５μｍ Ｊ ＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ第ＱＥ
−１７巻第６号（１９８１年６月） 、Ｌｉｃｅｎｔｉ
ａＰａｔｅｎｔｖｅｒｗａｌｔｕｎｇｓ Ｇｍｂ［（名
の仏国特許第２．３０６，５５１号、Ｓ、 Ｋｏｂａｙ
ａｓｈｉ等名の［ＳｉｎｇｌｅＭｏｄｅ ０ｐｅｒａｔ
ｉｏｎ ｏｆ ５ Ｑ Ｑ Ｍｂｉｔ／ｓ Ｍｏｄｕｌ
ａｔｅｄＡＩＧａＡｓ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｌａ５ｅｒ ｂｙ ＩｎｊｅｃｔｉｏｎＬｏｃｋ
ｉｎｇＪ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
（ｉ ９８Ｑ年９月）第１６巻第１９号、日本電気株式
会社（日本国東京）に譲渡された米国特許第３，９９９
，１４６号） ８５０ ｎｍの領域の波長で動作する場
合でも、または１．３〜１．５μｍの波長領域で動作す
る場合でも、これらの光源の線幅が大き過ぎるために、
コヒーレント光通信システムにとって適切であるこの種
の注入ロックされたレーデ光源をうるこ七は、現在まで
できていない。ロックされたモードの線幅は、各半導体
レーザが単独で生ずる線幅に比べてそれ程小さくないこ
とがよくみられた。具体的にいえば、単一モードの線幅
を測定したところ％１００ＭＨ２〜１ＧＨｚ領域の線幅
であった。一方、コヒーレントＰＳＫ（位相シフト キ
ー）システムおよびＦＳＫ （周波数シスト キー）シ
ステムでは、少なくとも２桁小さな線幅、理想的にはメ
がヘルツ以下の線幅が要求される。
コヒーレント光通信システムの動作原理とその特性は文
献に記載されている。（例えば、ｙ、 ｙａｍａｍｏｔ
ｏ名の［Ｒｅｃｅｉｖｅｒ ＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＥ
ｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ Ｖａｒｉｏｕｓ Ｄｉｇｉ
ｔａｌ ＯｐｔｉｃａｌＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ −Ｄｅ
ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｔｈｅ
Ｑ、 ５−１．０ μｍ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｒｅ
ｇｉｏｎ Ｊ ＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌｏｆ Ｑｕａｎ
ｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ第ｑｌｉ： −１６巻
第１１号（１９８０年１１月）１２５１−１２５９頁、
およびこの論文に引用されている文献） コヒーレント光通信システムは、直接強度変調方式に比
べて、周知の利点を有している。特に、１．５μｍ領域
の波長において利点を有している。
献に記載されている。（例えば、ｙ、 ｙａｍａｍｏｔ
ｏ名の［Ｒｅｃｅｉｖｅｒ ＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＥ
ｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ Ｖａｒｉｏｕｓ Ｄｉｇｉ
ｔａｌ ＯｐｔｉｃａｌＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ −Ｄｅ
ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｔｈｅ
Ｑ、 ５−１．０ μｍ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｒｅ
ｇｉｏｎ Ｊ ＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌｏｆ Ｑｕａｎ
ｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ第ｑｌｉ： −１６巻
第１１号（１９８０年１１月）１２５１−１２５９頁、
およびこの論文に引用されている文献） コヒーレント光通信システムは、直接強度変調方式に比
べて、周知の利点を有している。特に、１．５μｍ領域
の波長において利点を有している。
この波長領域では、直接検波方式の光受信機の特性は一
般に良くない。コヒーレント検波の感度はずっとよく、
シたがって、この利点は送信機・受信機間距離が大きい
場に十分に発揮される。この長距離通信は１．５μｍの
波長領域で低損失の光ファイバができるようになったの
で可能となった。
般に良くない。コヒーレント検波の感度はずっとよく、
シたがって、この利点は送信機・受信機間距離が大きい
場に十分に発揮される。この長距離通信は１．５μｍの
波長領域で低損失の光ファイバができるようになったの
で可能となった。
発明の要約
本発明の目的は小さな線幅のレーザ光源をうることであ
る。
る。
本発明の目的はまた、小さな線幅の光出力をうるための
レーず光源の動作方法をうろことである。
レーず光源の動作方法をうろことである。
本発明は、がス マスタ レーデを用いることによシ、
半導体スレーブ レーデから著しく小さな線幅をうろこ
とができるということに基づいている。
半導体スレーブ レーデから著しく小さな線幅をうろこ
とができるということに基づいている。
半導体レーザの線幅はこのようにいちじるしく小さくす
ることができ、コヒーレント光通信に用いることができ
る。
ることができ、コヒーレント光通信に用いることができ
る。
このように、本発明によシ、第ル−プすなわちマスタ
レーザと、第２レーデすなわちスレーブ レーデと、前
記マスタ レーずおよびスレーブ レーデを制御するた
めの装置とを有し、前記マスタ レーザからの光が前記
スレーブ レーデの中に注入されて前記スレーブ レー
ザをステイミュレートするように前記マスタ レーザお
よび前記スレーブ レーずが配置されることと、前記マ
スタ レーデおよびスレーブ レーザを制御する前記装
置によって前記スレーブ レーずからの光出力が単−縦
モードであるように制御されることと、前記マスタ レ
ーずががス レーずであることと、前記スレーブ レー
ザが半導体レーずであることとを特徴とする光源かえら
れる。
レーザと、第２レーデすなわちスレーブ レーデと、前
記マスタ レーずおよびスレーブ レーデを制御するた
めの装置とを有し、前記マスタ レーザからの光が前記
スレーブ レーデの中に注入されて前記スレーブ レー
ザをステイミュレートするように前記マスタ レーザお
よび前記スレーブ レーずが配置されることと、前記マ
スタ レーデおよびスレーブ レーザを制御する前記装
置によって前記スレーブ レーずからの光出力が単−縦
モードであるように制御されることと、前記マスタ レ
ーずががス レーずであることと、前記スレーブ レー
ザが半導体レーずであることとを特徴とする光源かえら
れる。
このがス レーずは約１．５μｍで動作するヘリウム
ネオン レーデであることが好ましい。ヘリウム ネオ
ン レーずの量子的限界線幅は１Ｈｚ程度であ夛、そし
て１ＭＨｚ以上の長時間安定度をうるように制御するこ
とができる。
ネオン レーデであることが好ましい。ヘリウム ネオ
ン レーずの量子的限界線幅は１Ｈｚ程度であ夛、そし
て１ＭＨｚ以上の長時間安定度をうるように制御するこ
とができる。
半導体レーデは、例えば、埋込みフレセントレーずであ
ることができる。
ることができる。
この半導体レーずは単−横モードを有することが好まし
く、そして正常動作条件下で単一もしくは多重縦モード
を有することができる。
く、そして正常動作条件下で単一もしくは多重縦モード
を有することができる。
本発明によりまた、２つのレーデを有し、これらのうち
の第ル−ザががス レーずであシそして第２レーずが半
導体レーデであシ、前記レーデが第ル−ずからの光が第
２レーザの中に注入されて第２レーずをステイミュレー
トするように配置された光源において、単−縦モード光
出力をうるための前記光源の動作方法がえられる。
の第ル−ザががス レーずであシそして第２レーずが半
導体レーデであシ、前記レーデが第ル−ずからの光が第
２レーザの中に注入されて第２レーずをステイミュレー
トするように配置された光源において、単−縦モード光
出力をうるための前記光源の動作方法がえられる。
本発明による光源の特徴は１−５ＭＨｚまたはそれ以下
の線幅をもった光出力かえられることである。
の線幅をもった光出力かえられることである。
このような線幅は従来えられていた線幅よりも大幅に小
さい。
さい。
この光源の変調は、スレーブ レーずに変調信号を従来
の方法で加えることによシ、容易に見られる。
の方法で加えることによシ、容易に見られる。
これとは違って、とのレーず光源の出力は別の変調装置
で変調することができる。例えば、マスタ レーデとス
レーブ レーずとの間にこの変調装置を配置することが
できる。
で変調することができる。例えば、マスタ レーデとス
レーブ レーずとの間にこの変調装置を配置することが
できる。
複数個のスレーブ レーずを同一のマスタ レーデに注
入ロックすることができる。
入ロックすることができる。
複数個のスレーブ レーザが同一のマスタ し−ずにロ
ックされた時、いくつかのスレーブ レーずの出力また
はスレーブ レーザのおのおのの出力が他のスレーブ
レーデから周波数が予め定められた大きさだけ異なるよ
うに構成することができる。この周波数の差をうる装置
’ｔマスタ レーずとスレーブ レーずの間に配置する
ことができる。このような装置は、例えば、市販されて
いる音響光学周波数シフタであることができる。
ックされた時、いくつかのスレーブ レーずの出力また
はスレーブ レーザのおのおのの出力が他のスレーブ
レーデから周波数が予め定められた大きさだけ異なるよ
うに構成することができる。この周波数の差をうる装置
’ｔマスタ レーずとスレーブ レーずの間に配置する
ことができる。このような装置は、例えば、市販されて
いる音響光学周波数シフタであることができる。
本発明を、絡付の図面を参照しながら、特定の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
発明の実施態様
第１図は本発明による光源を概略的に示したものである
。この光源はヘリウム ネオン がスマスタ レーず１
０を有している。このレーデ１０はＥ（ｅ−Ｎｅ管１Ｏ
ａと、外部鏡１０ｂを有し、このレーデから放射される
光が、光アイソレータ１１とレンズ１２を通って、半導
体スレーブ レーず１４に進むように、これらのＦ（ｅ
−Ｎｅ管や外部鏡が配置される。このヘリウム ネオン
レーず１０は低出力小線幅で１．５２３μｍで動作す
るように変更された市販の外部鏡レーザであり、２つの
１５μＷ出力ビームを有している。磁気光アイソレータ
のような光アイソレータ１１は、フィードバックによる
潜在的不安定性の問題を軽減する役割を果たす。
。この光源はヘリウム ネオン がスマスタ レーず１
０を有している。このレーデ１０はＥ（ｅ−Ｎｅ管１Ｏ
ａと、外部鏡１０ｂを有し、このレーデから放射される
光が、光アイソレータ１１とレンズ１２を通って、半導
体スレーブ レーず１４に進むように、これらのＦ（ｅ
−Ｎｅ管や外部鏡が配置される。このヘリウム ネオン
レーず１０は低出力小線幅で１．５２３μｍで動作す
るように変更された市販の外部鏡レーザであり、２つの
１５μＷ出力ビームを有している。磁気光アイソレータ
のような光アイソレータ１１は、フィードバックによる
潜在的不安定性の問題を軽減する役割を果たす。
半導体レーＪｃ１４は、正常動作条件の下で、単−横モ
ードと多重縦モード特性を有する埋込みクレセント レ
ーずである。このレーず１４は、バット接合単モード
ファイバ端で１つの小平面に、そしてビーム コリメー
ティング マイクロレンズで他の小平面に、ＤＩＬ（デ
ュアル イン ライン）パッケージ内に装着される。最
初の実験では、Ｈｅ−Ｎｅレーず１０からの光はファイ
バ端を通して半導体レーず１２の中に注入され、そして
半導体レーずの出力光はマイクロレンズからの出力光と
平行であった。半導体レーデ１４のためのバイアス制御
装置は、パッケージの温度を制御するために、ペルチェ
冷却素子を有することができる。
ードと多重縦モード特性を有する埋込みクレセント レ
ーずである。このレーず１４は、バット接合単モード
ファイバ端で１つの小平面に、そしてビーム コリメー
ティング マイクロレンズで他の小平面に、ＤＩＬ（デ
ュアル イン ライン）パッケージ内に装着される。最
初の実験では、Ｈｅ−Ｎｅレーず１０からの光はファイ
バ端を通して半導体レーず１２の中に注入され、そして
半導体レーずの出力光はマイクロレンズからの出力光と
平行であった。半導体レーデ１４のためのバイアス制御
装置は、パッケージの温度を制御するために、ペルチェ
冷却素子を有することができる。
この光源が動作するさいには、半導体レーず１４はヘリ
ウム ネオン・レーデ１０からの光によって注入ロック
される。半導体レーず１４がらの光で構成されるこの光
源からの出力光は波長１．５μｍ′ｆ：もったビームで
あシ、その出力線幅は小さくて１．５ ＭＨｚ以下であ
る。線幅のこの減少は、ヘリウム ネオン レーずから
の小さいバンド幅の１．５２３μｍ放射光が少量だけ半
導体レーずキャビティの中に注入された結果である。ヘ
リウム ネオン レーずは利得プロフィルの中心に安定
化され、１ＭＨｚ以上の長時間安定度かえられる。
ウム ネオン・レーデ１０からの光によって注入ロック
される。半導体レーず１４がらの光で構成されるこの光
源からの出力光は波長１．５μｍ′ｆ：もったビームで
あシ、その出力線幅は小さくて１．５ ＭＨｚ以下であ
る。線幅のこの減少は、ヘリウム ネオン レーずから
の小さいバンド幅の１．５２３μｍ放射光が少量だけ半
導体レーずキャビティの中に注入された結果である。ヘ
リウム ネオン レーずは利得プロフィルの中心に安定
化され、１ＭＨｚ以上の長時間安定度かえられる。
レーず モード スペクトルについて行なわれた測定に
よれば、注入のある場合、半導体レーず出力の８５％以
上が１．！５２３μｍのモードに集中した。半導体レー
ず１２のレーず駆動電流は、１Ｇ［（ｚのロッキングバ
ンド幅を持ったロッキングをうるために、最適値の土０
゜５ ｍＡの範囲内に維持されなければならない。注入
ロック状態での半導体レーデ１２からの出力を測定した
ところ、測定されたバンド幅は約１−５ ＭＨｚまたは
それ以下であった。ガス レーず１０の出力を２００μ
Ｗまで増加しそして別のＨｅ−Ｎｅシレーを用いてヘテ
ロダ１ イン検波を行った最近の測定では、注入ロックされた半
導体レーザの場合、 ＦＷＥ１１１ｖｆ線幅（最大値の
半分のところの全線幅）は３ Ｑ ＫＨｚ以下であシ、
そして［（ｅ−Ｎｅシレー１０に対する機械的外乱と音
響的外乱によって限定されているように見えた。
よれば、注入のある場合、半導体レーず出力の８５％以
上が１．！５２３μｍのモードに集中した。半導体レー
ず１２のレーず駆動電流は、１Ｇ［（ｚのロッキングバ
ンド幅を持ったロッキングをうるために、最適値の土０
゜５ ｍＡの範囲内に維持されなければならない。注入
ロック状態での半導体レーデ１２からの出力を測定した
ところ、測定されたバンド幅は約１−５ ＭＨｚまたは
それ以下であった。ガス レーず１０の出力を２００μ
Ｗまで増加しそして別のＨｅ−Ｎｅシレーを用いてヘテ
ロダ１ イン検波を行った最近の測定では、注入ロックされた半
導体レーザの場合、 ＦＷＥ１１１ｖｆ線幅（最大値の
半分のところの全線幅）は３ Ｑ ＫＨｚ以下であシ、
そして［（ｅ−Ｎｅシレー１０に対する機械的外乱と音
響的外乱によって限定されているように見えた。
注入のない場合には、測定されたモード線幅は１ＧＨｚ
以上であった。したがって、ヘリウム ネオン レーデ
１０を用いた半導体レーデ１４の注入ロッキングは半導
体レーデ１４の位相コヒーレンスを２桁以上改良する。
以上であった。したがって、ヘリウム ネオン レーデ
１０を用いた半導体レーデ１４の注入ロッキングは半導
体レーデ１４の位相コヒーレンスを２桁以上改良する。
レーｆｌＯおよびレーず１４を制御するための制御回路
は第１図には詳細には示されていない。
は第１図には詳細には示されていない。
このような回路は当業者には周知であろう。
本発明による光源を応用した２つの実施例が第２ａ図お
よび第２ｂ図に示されている。第２ａ図は、本発明によ
る光源を、振幅変調および振幅シフト キーイング装置
に用いた実施例を示している。この装置では、変調信号
は線路１８によって半導体レーず１４に加えられる。こ
の変調された信号はとのレーデ光源のスレーブ レーザ
１４か２ らの出力に現われ、この出力がファイバ１９の中へ放射
される。
よび第２ｂ図に示されている。第２ａ図は、本発明によ
る光源を、振幅変調および振幅シフト キーイング装置
に用いた実施例を示している。この装置では、変調信号
は線路１８によって半導体レーず１４に加えられる。こ
の変調された信号はとのレーデ光源のスレーブ レーザ
１４か２ らの出力に現われ、この出力がファイバ１９の中へ放射
される。
第２ｂ図は１本発明による光源を、位相変調および位相
シフト キーイング装置に用いた実施例を示している。
シフト キーイング装置に用いた実施例を示している。
この装置では、ヘリウム ネオンレーず１０と半導体レ
ーデ１４との間の光路内に配置された既知の変調装置２
１に、変調信号が線路２０全通して加えられる。
ーデ１４との間の光路内に配置された既知の変調装置２
１に、変調信号が線路２０全通して加えられる。
一般的にいって、がス レーずは実際の光フアイバ通信
システムに用いるのに適していない。その理由は信頼性
と有効寿命のためであシ、および維持費と支援設備のた
めである。けれども、本発明を用いることによってえら
れるコヒーレント光通信システムのための送信機・受信
機間距離が大きいことを考えれば、前記維持費と支援設
備も許容しうるものとなる。
システムに用いるのに適していない。その理由は信頼性
と有効寿命のためであシ、および維持費と支援設備のた
めである。けれども、本発明を用いることによってえら
れるコヒーレント光通信システムのための送信機・受信
機間距離が大きいことを考えれば、前記維持費と支援設
備も許容しうるものとなる。
本発明による光源は通信システムに対して有用であるば
かシでなく、例えば、ファイバ検査システムに応用しう
ることもわかるはずである。このファイバ検査システム
の場合には、ヘテロダイン検波を行なえば、光フアイバ
内の不連続点で逆方向に散乱された光を検出する感度が
非常に改良される。
かシでなく、例えば、ファイバ検査システムに応用しう
ることもわかるはずである。このファイバ検査システム
の場合には、ヘテロダイン検波を行なえば、光フアイバ
内の不連続点で逆方向に散乱された光を検出する感度が
非常に改良される。
第１図は本発明による光源の概略図、
第２ａ図および第２ｂ図は本発明による光源を応用しｆ
ｃ２つの実施例図。 １０〜１４ 光源 １０ マスタ レーデ １４ スレーブ レーザ ２１ 変調装置 代理人 浅 村 皓 手続補正書（自発） 昭和５８年 ３月／夕日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１７３０５ 号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 ６、補正により増加する発明の数
ｃ２つの実施例図。 １０〜１４ 光源 １０ マスタ レーデ １４ スレーブ レーザ ２１ 変調装置 代理人 浅 村 皓 手続補正書（自発） 昭和５８年 ３月／夕日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１７３０５ 号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 ６、補正により増加する発明の数
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１マスタ レーｒ （１０） （！：、 前記ｖｘ
りレーザの光出力を受取るスレーブ レーデ（１４）と
を有し、前記マスタ レーず（１０）ががスレーブであ
ることと、前記スレーブ レーず（１４）が半導体レー
ザであることとを特徴とする注入ロックされたレーザ光
源（１０〜１４）。 （２、特許請求の範囲第１項において、前記マスタレ−
ず（１０）が１．５μｍの領域の波長で動作する光源。 （３）特許請求の範囲第１項または第２項において、前
記マスタ レ−４７” （１０）がヘリウム ネオンが
スレーブである光源。 （４）特許請求の範囲第１項〜第６項のいずれかにおい
て、前記スレーブ レーザ（１４）が埋込みクレセント
半導体レーデである光源。 （５）特許請求の範囲第４項において、前記スレーブ
レーず（１４）がＩｎＧａＡｓＰレーずである光源。 （６）特許請求の範囲第１項〜第５項のいずれかにおい
て、少なくとも１つの別のスレーブ レーずが前記マス
タ レーず（１０）に注入ロックされる光源。 （７） 特許請求の範囲第６項において、別の前記ス
レーブ レーデが前記スレーブ レーデ（１４）から予
め定められた量だけずれた周波数で動作するように配置
された光源。 （８） マスタ レーデ（１０）と、少なくとも１つ
のスレーブ レーず（１４）とを有し、前記スレーブ
レーデ（１４）ががス レーず（１０）で注入ロックさ
れることを特徴とするレーザ光源の動作方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8203314 | 1982-02-05 | ||
| GB8203314 | 1982-02-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161391A true JPS58161391A (ja) | 1983-09-24 |
Family
ID=10528128
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017305A Pending JPS58161391A (ja) | 1982-02-05 | 1983-02-04 | 注入ロツクされたレ−ザ光源 |
| JP1991094339U Pending JPH0497378U (ja) | 1982-02-05 | 1991-11-18 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991094339U Pending JPH0497378U (ja) | 1982-02-05 | 1991-11-18 |
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| EP (1) | EP0087220B1 (ja) |
| JP (2) | JPS58161391A (ja) |
| AT (1) | ATE16741T1 (ja) |
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| CA (1) | CA1219637A (ja) |
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| DK (1) | DK163765C (ja) |
| ES (1) | ES519465A0 (ja) |
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-
1983
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- 1983-01-26 EP EP83300402A patent/EP0087220B1/en not_active Expired
- 1983-01-26 AU AU10780/83A patent/AU555865B2/en not_active Ceased
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- 1983-02-03 US US06/463,501 patent/US4556980A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1983-02-04 CA CA000420949A patent/CA1219637A/en not_active Expired
-
1991
- 1991-11-18 JP JP1991094339U patent/JPH0497378U/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE16741T1 (de) | 1985-12-15 |
| JPH0497378U (ja) | 1992-08-24 |
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| NO830311L (no) | 1983-08-08 |
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