JPS5816124Y2 - 進行波管 - Google Patents

進行波管

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JPS5816124Y2
JPS5816124Y2 JP1976168533U JP16853376U JPS5816124Y2 JP S5816124 Y2 JPS5816124 Y2 JP S5816124Y2 JP 1976168533 U JP1976168533 U JP 1976168533U JP 16853376 U JP16853376 U JP 16853376U JP S5816124 Y2 JPS5816124 Y2 JP S5816124Y2
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JP
Japan
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traveling wave
tube
wave tube
high voltage
collector
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Application number
JP1976168533U
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English (en)
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JPS5385961U (ja
Inventor
大類隆三
木村俊一
Original Assignee
日本電気株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、マイクロ波の増幅作用を行なう進行波管から
電磁波の漏洩を減少させるための改良に関する。
第1図は、従来使用されている入出力回路が導波管結合
形の金属セラミック外囲容器よりなる進行波管の1例を
断面図で示したものである。
管球1は主に電子ビームを発射する電子銃11、前記電
子ビームを高周波(マイクロ波)と作用させる遅波回路
12および電子ビームを捕獲するコレクタ13から構成
され、遅波回路12は管球1の真空外囲容器の一部を形
成する細長い外周管14の内側に同軸的に収納されてい
る。
電子ビーム集束のため管球1と同軸的に周期磁界装置3
1が配設され、高周波入力は入力導波管32より入力セ
ラミック窓15、入力アンテナ16を介して遅波回路1
2に伝達され、電子ビームと相互作用を行ない、遅波回
路12上を伝播するにつれて増幅され高周波出力として
出力ブンテナ18、出力セラミック窓17を介して出力
導波管33から取り出される。
電子銃11の各電極(アノード19、ウェネルト20、
カソード21、ヒータ22)は、セラミックステム23
で各々電気的に絶縁され、高圧リード線34を通じて、
またコレクタ13には高圧リード線35を通じて外部電
源(図示せず)から遅波回路12を接地電位として高電
圧が供給される。
コレクタ13は一般的に円筒状セラミック24で遅波回
路12から絶縁されている。
また、コレクタ13の周囲には、コレクタ冷却用として
中間に絶縁板25を有する放熱ブロック26が取りつけ
られ、周期磁界装置31を含めて管球1は金属ケース3
6内に収納される。
高圧リード線34゜35には、軟鋼撚線な導体として導
体の上にぼシリコンゴムあるいはテフロンが一様な厚さ
で被覆された外径3φ程度のシリコンゴム絶縁電線ある
いはテフロン絶縁電線が用いられ、高圧リード線34.
35は各々セラミックステム23より取り出された電子
銃11の各電極リード27及び放熱ブロック26と半田
付などで接続されている。
近年進行波管をマイクロ波増幅管として使用する通信装
置のシステム設計上特に高利得、高能率の進行波□管が
要望されるようになったが、第1図に示した従来形の構
造では次のような欠点があっtもすなわち、高能率の進
行波管を得る手段の一つとしてコレクタ電圧を遅波回路
電圧の4〜4に低下させる方法があるが、この手段を用
いる場合遅波回路12とコレクタ13の電位差が犬とな
り円筒状セラミック24の絶縁を十分にとるため、円筒
状セラミック24の寸法を長目にする必要があり、この
時出力アンテナ18から円筒状セラミック24を通して
漏洩高周波電力が増大し、高圧リード線35上を主な伝
播経路として金属ケース36と周期磁界装置31間の経
路41を伝播する漏洩高周波電力は高圧リード線34.
35を介して経路42から外部へ電磁波として放射され
、マイクロ波通信装置などの他の機器へ悪影響を与える
という大きな欠点があった。
また、経路41により入力側へ帰還した漏洩高周波電力
の一部は高圧リード線34および電極リード27へ伝播
し経路43により管球1内に入り、外周管14の入力端
内部を通り遅波回路12の入力アンテナ16に帰還し、
進行波管の動作を不安定にしたり、特性を劣化させたり
、特に進行波管の利得が高い場合自己発振を起したりす
る欠点もあった。
また、進行波管は、マイ、クロ波中継局においてマイク
ロ波通信装置に実装され、一般に複数本、周波数を若干
ずらした状態で使用されるが、他の動作中の進行波管か
ら放射された不要電磁波が経路43′に示すように高圧
リード線34を伝わり管球1内に侵入し、外周管14の
、入力側端部を通り経路43により人力アンテナ16に
誘起される。
この不要電磁波は入力導波管32から入力される高周波
入力(人力信号)と共に遅波回路12上で増幅され、そ
の結果、信号対雑音比が劣化して品質上大きな障害とな
る。
云(・かえれば、進行波管の外部より電磁波を放射した
場合に望ましくない電磁波が信号に混入すると云う欠点
があった。
特に50〜60dB以上の高利得の進行波管の場合、外
部からの不要電磁波の混入が極めて微小であっても利得
が高いので、信号対雑音比が劣化するおそれがあった。
したがって本考案の目的は、従来形進行波管の上記の欠
点を簡単な構造で取り除き、外部からの不要電磁波の侵
入および進行波管外部への不要電磁波の放出を防止し、
加えて進行波管内部での高周波電力の帰還による自己発
振および特性劣化等を有効に阻止した進行波管を提供す
ることにある。
以下第2図に基づいて本考案の実施例の説明を行なう。
管球1は従来形と全く同様に、真空外囲容器内に電子銃
部11.遅波回路12、コレクタ13などを含むもので
あり、管球1には電子ビーム集束のための周期磁界装置
31およびコレクタ冷却用の放熱ブロック26が配設さ
れ、金属ケース36に収納される。
外周管14の出力側端部とコレクタ13間に介在する円
筒状セラミック24は遅波回路12とコレクタ13間の
電位差に十分耐えるような長さに選定される。
本考案では、電子銃11の各電極リード27および放熱
ブロック26に半田付などで接続された高圧リード線3
4.35に各々円筒状<波減衰体37.38が同軸的に
配設される。
電波減衰体37.38を電波吸収量が大きい酸化鉄粉と
エポキシ樹脂を混合し固体化したもので作製すれば、機
械加工性がよ(電波減衰量が大きい電波減衰体を得るこ
とが出来る。
電波減衰体37は高圧リード線35のコレクタ側端部に
高圧リード線35の外周囲にそって置かれ、電波減衰体
38は高圧リード線34.35の入力側端部に置かれ、
電波減衰体37.38を所定の位置に保持固定するため
各電極リード27間の絶縁およびコレクタ13の絶縁を
かねて電気的絶縁がよいシリコンゴム(図示せず)が金
属ケース36内の空隙39.40内に充填される。
このような構造にすれば、円筒状のセラミック24から
漏洩した高周波電力は、高圧リード線35のコレクタ側
に配設された電波減衰体37により減衰され、さらに入
力側へ高圧リード線35を伝わって漏洩して来た高周波
電力は、高圧リード線34.35の入力側端部に置かれ
た電波減衰体38で減衰されるので、漏洩高周波電力が
経路41゜43の順に伝わり、入力端アンテナ1.6へ
帰還することがなくなるので進行波管の動作が不安定と
なることはなく、自己発振を防止することが出来ると共
に経路41.42により放射される進行波管の外部への
不要電磁波が低減される。
また、高圧リード線34を伝かつて進行波管の外部から
経路43′により侵入する不要電磁波は電波減衰体38
により減衰され、経路43を通って遅波回路12へ伝達
されることがないので、外部からの不要電磁波に起因す
る信号対雑音比の劣化がなくなり、進行波管の特性が改
善される。
電波減衰体37゜38の数量は進行波管に要求される特
性によって変えることが出来、高圧リード線34.35
の片方または複数本の高圧リード線34の一部にだけ電
波減衰体37.38を配設することも可能である。
実験結果によれば、高圧リード線34.35には数Kv
の高電圧に耐える外径2.8φのテフロン絶縁電線を用
い、電波減衰体37.38の寸法を外径8φ内径2.9
φ長さ8WrIrLとし、第2図に示すように電波減衰
体37.38を各々高圧リード線35の上に2個、高圧
リード線34.35上に6配設した場合、周波数4GH
z動作出力5W、利得60dBの進行波管において、進
行波管の外部へ放出される不要電磁波の量および直行波
管の外部から侵入する不要電磁波に起因する信号対雑音
比は、第1図の従来形構造の場合に比較して数拾dB改
善されることが分った。
次に本考案の他の実施例を第3図に基づいて説明する。
コレクタ13に高電圧を印加するための高圧リード線3
5は、コレクタ側の金属ケース36の側面より取り出さ
れ、電波減衰体37は金属ケース36の外側に、高圧リ
ード線35の外周にそって同軸的に配設され、金具51
により保持固定される。
また、電波減衰体38は金属ケースz6の入力側側面の
外側に、高圧リード線34の外周を囲うように配設さ礼
金具52により保持固定される。
このような構造にすれば、高圧リード線35が入力側か
ら取り出されていないので高圧リ−)憩35上を伝播し
て入力側へ漏洩する高周波電力はなく、経路41により
伝播する漏洩高周波電力は低減され、進行波管の自己発
振などが起り難くなる。
また、経路44により高圧リード線35上を伝播する漏
洩高周波電力は、電波減衰体37で十分減衰されるので
、外部への不要電磁波は十分低減される。
また、外部から高圧リード線34を伝わって侵入する不
要電磁波は、金属ケース36内に侵入する前に電波減衰
体38により減衰されるので、経路43により遅波回路
12へ伝送されることがないので、信号対雑音比がよ(
なり、進行波管の特性p″−−改善る。
特に高能率、高利得め進行波管で、金属ケース36の内
部の空隙39゜40がせまく電波減衰体37.38を金
属ケース36の内部に配設するのが難しい場合に、第3
図の構造を適用すれば犬なる効果を得ることが出来る。
上記の実施例では導波管結合形の金属セラミック外囲容
器からなる進行波管について説明したが入出力取出しに
同軸回路を用いた進行波管、真空外囲容器がガラスで出
来た進行波管あるいは遅波回路以外の電極を接地点とす
る進行波管に対しても本考案は適用出来る。
以上説明した通り、本考案によれば、進行波管の外部へ
の不要電磁波の放散および外部からの不要電磁波の侵入
を防止することが出来る。
特に高能率、高利得の進谷波管に適用した場合に犬なる
効果を発揮することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来行なわれている入出力回路が導波管結合形
のメタルセラミック形進行波管の縦断面図、第2図、第
3図は本考案進行波管の縦断面図を示す。 図において、1は管球、11は電子銃、12は遅波回路
、13はコレクタ、14は細長い外周管体、19itア
ノード、20はウェネルト、21はカソード、22はヒ
ータ、23はセラミックステム、24は円筒状セラミッ
ク、25は絶縁板、27は電極リード、31は周期磁界
装置、34.35は高圧リード線、36は金属ケース、
37.38は円筒状の電波減衰体、51.52は電波減
衰体37.38を保持固定するための金具である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電子ビームを発生する電子銃、高周波の相互作用が行な
    われる遅波回路、電子ビームを捕獲するコレクタを金属
    ケース内に収容した進行波管において、これら電子銃、
    遅波回路及びコレクタの各電極に電圧を印加するための
    複数リード線が金属ケースを貫通する外側にリード線を
    囲むように電波減衰体を設け、かつ、これら電波減衰体
    を金具により包囲し前記金属ケースに保持固定したこと
    を特徴とする進行波管。
JP1976168533U 1976-12-15 1976-12-15 進行波管 Expired JPS5816124Y2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1976168533U JPS5816124Y2 (ja) 1976-12-15 1976-12-15 進行波管

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JP1976168533U JPS5816124Y2 (ja) 1976-12-15 1976-12-15 進行波管

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Publication Number Publication Date
JPS5385961U JPS5385961U (ja) 1978-07-15
JPS5816124Y2 true JPS5816124Y2 (ja) 1983-04-01

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ID=28776159

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JP1976168533U Expired JPS5816124Y2 (ja) 1976-12-15 1976-12-15 進行波管

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4725968U (ja) * 1971-04-20 1972-11-24
JPS4843560U (ja) * 1971-09-23 1973-06-06

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4725968U (ja) * 1971-04-20 1972-11-24
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