JPS58151082A - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JPS58151082A
JPS58151082A JP57034903A JP3490382A JPS58151082A JP S58151082 A JPS58151082 A JP S58151082A JP 57034903 A JP57034903 A JP 57034903A JP 3490382 A JP3490382 A JP 3490382A JP S58151082 A JPS58151082 A JP S58151082A
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semiconductor laser
constant
output
circuit
reference voltage
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Osamu Ito
修 伊藤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06835Stabilising during pulse modulation or generation

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  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To secure and stabilize the operation and make the power constant by a method wherein an external input signal is clamped based on the difference between the peak value of the laser output at the time of recording and reproduction, and the constant reference voltage. CONSTITUTION:The output of the laser 1 is photoelectrically converted 3, thus the level of the minimum power Pb is detected 12, and the difference between it and the constant reference voltage Vr is obtained, regardless of the time either reproduction or recording, into a clamp level. The input signal is clamped 13 by this level, and accordingly the laser 1 is driven 7. By a clamp circuit 13, regardless of duty cycles, the Pb becomes constant even in the presence of non-modulated regions, and then the detected output 12 operates so as to be coincident to Vr. Since the slope of the I-P characteristic is constant without depending on temperatures at the oscillation region for the laser 1, the maximum power Pp also becomes constant when the input signal is constant in amplitude. By this constitution, the recording quality is improved without the necessity of switching the reference voltage at the time of recording and reproduction (modulation and non-modulation).

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体レーザ装置に関し、特に半導体レーザ
を用いて情報を記録または再生する情報記録再生装置に
おいて、半導体レーザの出力パワーの温度依存性を補償
する自動レーザパワーコントロール(以下ALPCと略
す)回路を含む半導体レーザ装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor laser device, and particularly to an information recording/reproducing device that uses a semiconductor laser to record or reproduce information. The present invention relates to a semiconductor laser device including an ALPC (hereinafter abbreviated as ALPC) circuit.

第1図は半導体レーザの駆動側1と出力バワ−Pの関係
を示す特性(以下IP特性と称する)図である。周知の
ように、半導体レーザは、図示のように、温度によって
スレッショルド点が大きく変化する。このため、一定電
流10で駆動する場合には、オーミック損失などにより
濃度が上昇し、出力パワーがPlからP2へ、ざらにP
2からP3へと低下して、発振停止に至る。これを防止
させるために、従来より、出力パワーを一定にするため
のALPC回路が提案されている。
FIG. 1 is a characteristic (hereinafter referred to as IP characteristic) diagram showing the relationship between the drive side 1 and output power P of a semiconductor laser. As is well known, the threshold point of a semiconductor laser changes greatly depending on the temperature, as shown in the figure. Therefore, when driving with a constant current of 10, the concentration increases due to ohmic loss and the output power changes from Pl to P2, roughly P
2 to P3, and oscillation stops. In order to prevent this, ALPC circuits have been proposed to keep the output power constant.

第2図は従来のALPC回路を含む半導体レーザ@胃の
ブロック図である。構成において、半導体レーザ1は、
その駆動によってレーザ光(出射光)2を発生する。レ
ーザ光2の一部は光電変換回路3で検出される。充電変
換回路3はレーザ光2のパワーを電気信号に変換し、平
滑用ローバスフィルタ4に与える。ローパスフィルタ4
の出力μ差動増幅器6の比較入力(−)として与えられ
る。差動増幅器6の基準入力端(+)には、基準電圧発
生回路5の出力の基準電圧が入力される。
FIG. 2 is a block diagram of a semiconductor laser @ stomach including a conventional ALPC circuit. In the configuration, the semiconductor laser 1 has the following configuration:
Laser light (emitted light) 2 is generated by this drive. A portion of the laser beam 2 is detected by a photoelectric conversion circuit 3. The charging conversion circuit 3 converts the power of the laser beam 2 into an electric signal and supplies it to the smoothing low-pass filter 4. Low pass filter 4
The output μ is given as the comparison input (-) of the differential amplifier 6. A reference voltage output from the reference voltage generation circuit 5 is input to a reference input terminal (+) of the differential amplifier 6 .

差動増幅器6の出力は駆動回路7に入力される。The output of the differential amplifier 6 is input to a drive circuit 7.

駆s@路7には、入力端子8に入力された信号が」ンデ
ンサ9を介して入力される。入力端子8には、半導体レ
ーザ1を変調させるための外部入力信号がうえられる。
A signal input to an input terminal 8 is input to the driver circuit 7 via a capacitor 9. An external input signal for modulating the semiconductor laser 1 is applied to the input terminal 8 .

第3図は半導体レーザの変調特性を示す図である。w4
4図は第2図の動作を説明するための半導体レーザの出
力パワーとデユーティサイクルとの関係を示す図である
FIG. 3 is a diagram showing the modulation characteristics of a semiconductor laser. w4
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the output power and duty cycle of the semiconductor laser to explain the operation of FIG. 2.

次に、′I/s1図ないし第4図を参照して、矩形波信
号で半導体レーザ1を変調させる場合における第2因め
動作を説明する。たとえば、第3図に示すように、温f
iP1において、駆動回路7が平均駆動11*Ia1と
する電流波形10で半導体レーザ1を駆動した場合を想
定する。そのとき、半導体レーザ1から発生されたレー
ザ光2が光電変換回路3で検出される。その出力変mt
@は1N3図の11の波形で示される。ローパスフィル
タ4はこの出力変調信号11を平滑することによって、
平均電圧■aを求めて、差動増幅器6に与える。
Next, the second factor operation in the case where the semiconductor laser 1 is modulated with a rectangular wave signal will be explained with reference to FIGS.'I/s1 to FIG. For example, as shown in FIG.
Assume that at iP1, the drive circuit 7 drives the semiconductor laser 1 with a current waveform 10 with an average drive of 11*Ia1. At this time, laser light 2 generated from semiconductor laser 1 is detected by photoelectric conversion circuit 3. Its output change mt
@ is shown by the 11 waveforms in the 1N3 diagram. By smoothing this output modulation signal 11, the low-pass filter 4
The average voltage ■a is determined and applied to the differential amplifier 6.

一方、基準電圧発生回路5は、基準電圧■「を差動増幅
器6に与えている。このため、差動増幅器6は、両入力
の差電圧(Vr −Va )を求め、それを増幅して駆
動回路7に与える。このように、半導体レーザ1の出力
を負帰還させる閉ループによって、ALPC回路が構成
される。
On the other hand, the reference voltage generation circuit 5 provides the reference voltage ``'' to the differential amplifier 6. Therefore, the differential amplifier 6 calculates the difference voltage (Vr - Va) between both inputs and amplifies it. It is applied to the drive circuit 7. In this way, the ALPC circuit is configured by a closed loop that negatively feeds back the output of the semiconductor laser 1.

前述のALPC回路によって、半導体レーザ1は出力変
調信号11の平均レベルvaが基準電圧Vrに一致する
ように動作する。この状態において、周囲一度がT1か
らT2へ変化した場合は、平均駆動電流がIalから点
線で示すIa2へ自動的に移動するように働くので、出
力変調信号11が一定に保たれる。したがって、入力端
子8に外部入力信号が与えられない場合、すなわち無変
調時においては、光電変換回路3の出力電圧が基準電圧
vrと一致するように、ALPC回路が動作する。この
ため、無音IIviの出力パワーは、変調時の出力パワ
ーの平均値となる。
The aforementioned ALPC circuit operates the semiconductor laser 1 so that the average level va of the output modulation signal 11 matches the reference voltage Vr. In this state, when the circumference changes from T1 to T2, the average drive current automatically moves from Ial to Ia2 shown by the dotted line, so the output modulation signal 11 is kept constant. Therefore, when no external input signal is applied to the input terminal 8, that is, when no modulation is performed, the ALPC circuit operates so that the output voltage of the photoelectric conversion circuit 3 matches the reference voltage vr. Therefore, the output power of silence IIvi is the average value of the output power during modulation.

ところで、前述のような半導体レーザ装置は、半導体レ
ーザ1を記録および再生用の光源とする高密度記録再生
装置(光ディスク装置と称する)に応用されている。光
デイスク装置におむ1ては、記録時に変調信号によって
高パワーに変調して記録媒体に穴を開けて記録し、再生
時に無音諷低Iくワーで発光させて信号を読出す。再生
時の光ノくワーは、記**体に穴が開かない程度に充分
低くしなければならない。ところが、半導体レーザな光
デイスク装置の光源として使う場合は、再生時の出力パ
ワーが変調時の出力パワーの平均レベル(すなわちデユ
ーティサイクルが50%)の場合に、極大パワーの約半
分のパワーになり、記録媒体の一度むらなどに起因して
、穴があ0て情報を破壊させる可能性がある。これを防
止するためには、記録と再生(すなわち変調と無音Im
)で基準電圧vrの−を切替える必要がある。し力\し
、基準電圧を切替えると、その切替え詩に発生するl<
ルスノイズが半導体レーザ1に入力して、光ディスクに
記録された情報を破壊する可能性があり、信頼性に欠け
るという問題点があった。また、第4図の(a)、(b
)、(C)に示すように、デユーティサイクルの変動す
る信号を入力する場合は、従来の半導体レーザ装置では
平均レベルでALPG回路が動作するため、極大パワー
Ppが変動する。そのため、光ディスクの記録状態(す
なわち穴の大きさなど)が変動することになり、情報の
記録品質が悪くなるという問題点があった。
Incidentally, the semiconductor laser device as described above is applied to a high-density recording and reproducing device (referred to as an optical disk device) that uses the semiconductor laser 1 as a light source for recording and reproducing. In an optical disk device, during recording, the power is modulated to high power by a modulation signal to punch a hole in the recording medium to record, and during playback, the signal is read out by emitting light in a silent and low pitched manner. The light beam during playback must be low enough to avoid puncturing the body. However, when using a semiconductor laser as a light source for an optical disk device, when the output power during reproduction is at the average level of the output power during modulation (that is, the duty cycle is 50%), the output power is approximately half of the maximum power. Therefore, due to irregularities in the recording medium, holes may occur and the information may be destroyed. To prevent this, recording and playback (i.e. modulation and silence Im
) It is necessary to switch the reference voltage vr from negative to negative. When the reference voltage is switched, l<
There is a problem that the noise noise may enter the semiconductor laser 1 and destroy the information recorded on the optical disk, resulting in a lack of reliability. Also, (a) and (b) in Figure 4
) and (C), when a signal with a varying duty cycle is input, the ALPG circuit operates at an average level in the conventional semiconductor laser device, so the maximum power Pp varies. As a result, the recording condition of the optical disc (namely, hole size, etc.) fluctuates, resulting in a problem in that information recording quality deteriorates.

それゆえに、この発明の目的は、記録時と再生時で基準
電圧の値を切替える必要がなく、動作が安定かつ確実に
なり、デユーティサイクルの変動する信号に対しても極
大パワーと極小パワーが一定となるような半導体レーザ
装置を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to eliminate the need to switch the value of the reference voltage during recording and playback, to ensure stable and reliable operation, and to maintain maximum power and minimum power even for signals with varying duty cycles. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device that maintains a constant value.

この発明は、要約すれば、半導体レーザの出力のピーク
値を検出し、このピーク値と記録時および再生時で一定
の基準電圧との差を求め、差の電圧に基づいて外部入力
信号をクランプし、クランプされた出力電圧に基づいて
半導体レーザを駆動するようにしたものである。
In summary, this invention detects the peak value of the output of a semiconductor laser, determines the difference between this peak value and a constant reference voltage during recording and playback, and clamps the external input signal based on the difference voltage. However, the semiconductor laser is driven based on the clamped output voltage.

以下に、図面を参照してこの発明の具体的な実施例につ
いて説明する。
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第5図はこの発明の一実施例の半導体レーザ装■のブロ
ック図である。構成において、この実施例が第2図と興
なる点は、ローパスフィルタ4に代えてピーク検知回路
12を用い、差動増幅器6の出力および入力端子8へ入
力された信号をクランプ回路13に与え、クランプ回路
13の出力を駆動回路7に与えるように構成したことで
ある。
FIG. 5 is a block diagram of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention. In terms of configuration, this embodiment differs from FIG. 2 in that a peak detection circuit 12 is used instead of the low-pass filter 4, and the output of the differential amplifier 6 and the signal input to the input terminal 8 are applied to the clamp circuit 13. , the output of the clamp circuit 13 is provided to the drive circuit 7.

このピーク検知回路12は、極小レベル(最小レベル)
を検知するものである。クランプ回路13は、差動増幅
116の出力電圧をクランプレベルとし、入り端子8か
ら与えられる入力信号の極小レベルをクランプする。も
のである。なお、ピーク検知回路12は、直流信号が入
力された場合、入力直流レベルを検知する。また、クラ
ンプ回路13は、直流信号が入力された場合、入力直流
レベルをクランプするものとする。このピーク検知回路
12、クランプ回路13は、後述の第6図、第7図にそ
れぞれ詳細に示す。
This peak detection circuit 12 detects an extremely low level (minimum level).
It is used to detect. The clamp circuit 13 uses the output voltage of the differential amplifier 116 as a clamp level, and clamps the minimum level of the input signal applied from the input terminal 8. It is something. Note that the peak detection circuit 12 detects the input DC level when a DC signal is input. Furthermore, the clamp circuit 13 is assumed to clamp the input DC level when a DC signal is input. The peak detection circuit 12 and clamp circuit 13 are shown in detail in FIGS. 6 and 7, which will be described later.

第6図はこの実施例に用いられるピーク検知回路12の
詳細な回路図である。このピーク検知回路12は、ダイ
オード12aおよびコンデンサ12bによって、入力信
号の極小レベルを検知する。
FIG. 6 is a detailed circuit diagram of the peak detection circuit 12 used in this embodiment. This peak detection circuit 12 detects the minimum level of an input signal using a diode 12a and a capacitor 12b.

ダイオード12aのアノードと電II(V+)の間には
、抵抗12cが介挿される。これによって、抵抗12c
を介して微小電流を流すことにより、無変調時において
もダイオード12aが導通状態になり、検知動作するよ
うにしたものである。
A resistor 12c is inserted between the anode of the diode 12a and the voltage II (V+). As a result, the resistor 12c
By passing a minute current through the diode 12a, the diode 12a becomes conductive even when no modulation is being performed, and a detection operation is performed.

第7図はこの実施例に用いられるクランプ回路13の一
例の詳細な回路図である。この実施例のクランプ回路1
3は、コンデンサ13aおよびダ・イオード13bによ
って、入力信号の極小レベルをクランプ電圧VCにクラ
ンプする。また、抵抗13cを用いて微小電流・i凍す
ことにより、無変調時においてもダイオード13bを導
通状態にさせて、クランプ電圧を出力させる。
FIG. 7 is a detailed circuit diagram of an example of the clamp circuit 13 used in this embodiment. Clamp circuit 1 of this embodiment
3 clamps the minimum level of the input signal to the clamp voltage VC by the capacitor 13a and diode 13b. Further, by freezing a minute current using the resistor 13c, the diode 13b is made conductive even when no modulation is performed, and a clamp voltage is output.

tなわも、第6図に示すピーク検知回路および1117
図に示すクランプ回路を用いることにより、ill低信
号入力された場合は、直流入力レベルを検知しまたはク
ランプすることになる。
The peak detection circuit and 1117 shown in FIG.
By using the clamp circuit shown in the figure, when an ill low signal is input, the DC input level is detected or clamped.

18図はこの実施例の動作を説明するためのデユーティ
サイクルとパワーとの関係を示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing the relationship between duty cycle and power for explaining the operation of this embodiment.

次に、第5図ないし第8図を参照してこの実施例の動作
を説明する。半導体レーザ1の出力は、光電変換回路3
によって電気信号に変換されて、ピーク検知回路12に
与えられる。ピーク検知回路12は極小パワーPbに対
応する極小レベルを検知する。この極小レベルの電圧が
差動増幅116に入力される。差動増幅器6には、基準
電圧発生回路5の出力の基準電圧Vrが基準電圧として
入力される。この基準電圧V「は、この発明の半導体レ
ーザ装置が光デイスク装置に適用された場合において、
再生時または記録時にかかわらず一定の鎧に運ばれる。
Next, the operation of this embodiment will be explained with reference to FIGS. 5 to 8. The output of the semiconductor laser 1 is transmitted to the photoelectric conversion circuit 3
The signal is converted into an electrical signal and applied to the peak detection circuit 12. The peak detection circuit 12 detects the minimum level corresponding to the minimum power Pb. This minimum level voltage is input to the differential amplifier 116. The reference voltage Vr output from the reference voltage generation circuit 5 is input to the differential amplifier 6 as a reference voltage. This reference voltage V" is, when the semiconductor laser device of the present invention is applied to an optical disk device,
Carried by constant armor whether played or recorded.

差動増幅!I6は基準電圧■rとピーク検知回路12の
出力電圧との差を求め、それをクランプ回路13のクラ
ンプレベルとして与える。クランプ回路13は、入力端
子8がら与えられる入力信号を差動増幅器6で求められ
たクランプレベルでクランプし、その出力を駆動回路7
に与える。駆動回路7はクランプ回路13の出力に基づ
いて半導体レーザ1を駆動させる。
Differential amplification! I6 determines the difference between the reference voltage ■r and the output voltage of the peak detection circuit 12, and provides it as the clamp level of the clamp circuit 13. The clamp circuit 13 clamps the input signal applied from the input terminal 8 at the clamp level determined by the differential amplifier 6, and outputs the output from the drive circuit 7.
give to The drive circuit 7 drives the semiconductor laser 1 based on the output of the clamp circuit 13.

すなわち、クランプレベルを一定としたときのクランプ
回路13の働きによって、半導体レーザ1の出力パワー
は、第8図に示すようにデユーティサイクルが50%ま
たは50%以上もしくは50%以下のいずれであるにも
がかわらず、しがも無変調領域がある場合であっても極
小パワーPbが一定になる。そして、ALPCI回路の
作用により、ピーク検知回路12の出力電圧が基準電圧
Vr蝙一致する′ように働く。
That is, depending on the function of the clamp circuit 13 when the clamp level is kept constant, the output power of the semiconductor laser 1 has a duty cycle of 50%, more than 50%, or less than 50%, as shown in FIG. However, even if there is a non-modulated region, the minimum power Pb remains constant. The action of the ALPCI circuit causes the output voltage of the peak detection circuit 12 to match the reference voltage Vr.

ところで、第1図に示す半導体レーザ1の発振領域にお
けるI/P特性の傾斜は、湯度にあまり依存せずに、一
定である。それゆえに、入力信号の振幅が一定であれば
、極大パワーPpも一定となる。上述の説明がら明らか
なように、この寅塵例によれば、ALPC回路がデユー
ティサイクルに依存せず、変調信号の極小値を一定(す
なわち極大値を一定〉とさせるように働く。また、無変
調時の光出力は、変調時の極小値と一致するように働く
。それゆえに、この実施例の半導体レーザ装置を光デイ
スク装置に適用すれば、再生時(すなわち無変調時)に
おける光出力が自動的に変調時の光出力の極小値まで低
下するので、基準電圧の切替えが不要となり、動作が安
定かつ確実になるとともに、デユーティサイクルに依存
しない一定の記録が行なえ、情報の記録品質を向上でき
るなどの利点がある。
Incidentally, the slope of the I/P characteristic in the oscillation region of the semiconductor laser 1 shown in FIG. 1 is constant without depending much on the hot water temperature. Therefore, if the amplitude of the input signal is constant, the maximum power Pp will also be constant. As is clear from the above explanation, according to this example, the ALPC circuit does not depend on the duty cycle and works to keep the minimum value of the modulation signal constant (that is, the maximum value constant). The optical output when not modulated works to match the minimum value when modulated. Therefore, if the semiconductor laser device of this embodiment is applied to an optical disk device, the optical output during playback (that is, when not modulated) Since the optical output is automatically reduced to the minimum value during modulation, there is no need to switch the reference voltage, and operation is stable and reliable.Also, constant recording that is independent of the duty cycle can be performed, improving the recording quality of information. It has the advantage of being able to improve

以上のように、この発明によれば、ALPC回路の動作
が安定かつ確実となり、デユーティサイクルの変動する
信号に対しても極大パワーおよび極小パワーが一定とな
るなどの特有の効果が奏される。また、この発明の半導
体レーザ装置を光デイスク装置に適用すれば、記録時お
よび再生時(すなわち変調時と無変調時)で基準電圧を
切替える必要がなく、情報の記録品質を向上できる。
As described above, according to the present invention, the operation of the ALPC circuit becomes stable and reliable, and unique effects such as maximum power and minimum power are constant even for signals with varying duty cycles are achieved. . Further, if the semiconductor laser device of the present invention is applied to an optical disk device, there is no need to switch the reference voltage during recording and reproduction (that is, during modulation and during non-modulation), and the recording quality of information can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は半導体レーザの駆動電流と出力パワーの関係を
示す特性図である。第2図はALPC回路を含む半導体
レーザ装置のブロック図である。 第3図は半導体レーザの変調特性を示す図である。 第4図は第2図の動作を説明するためのデユーティサイ
クル別のパワーの関係を示す図である。第5図はこの発
明の一実施例の半導体レーザ装置のブロック図である。 第6図はこの実施例に用いられるピーク検知回路の一例
の具体的な回路図である。第7図はこの実施例に用いら
れるクランプ回路の、−例の具体的な回路図である。第
8図はこの実施例の動作を説明するためのデユーティサ
イクル別のパワーの関係を示す図である。 図において、1は半導体レーザ、3は光電変換回路、5
は基準電圧発生回路、6は差動増幅器、7は駆動回路、
12はピーク検知回路、13はクランプ回路を示す。 代理人 葛 野 信 −(外1名) ¥1図 第2図 第3図 ■611a2 Iα1 第41に
FIG. 1 is a characteristic diagram showing the relationship between drive current and output power of a semiconductor laser. FIG. 2 is a block diagram of a semiconductor laser device including an ALPC circuit. FIG. 3 is a diagram showing the modulation characteristics of a semiconductor laser. FIG. 4 is a diagram showing the power relationship for each duty cycle to explain the operation of FIG. 2. FIG. 5 is a block diagram of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a specific circuit diagram of an example of the peak detection circuit used in this embodiment. FIG. 7 is a specific circuit diagram of an example of the clamp circuit used in this embodiment. FIG. 8 is a diagram showing the power relationship for each duty cycle to explain the operation of this embodiment. In the figure, 1 is a semiconductor laser, 3 is a photoelectric conversion circuit, and 5 is a semiconductor laser.
is a reference voltage generation circuit, 6 is a differential amplifier, 7 is a drive circuit,
12 is a peak detection circuit, and 13 is a clamp circuit. Agent Shin Kuzuno - (1 other person) ¥1 Figure 2 Figure 3 ■611a2 Iα1 41st

Claims (1)

【特許請求の範囲】 レーザ光を発生する半導体レーザ、 前記半導体レーザから発生されたレーザ光の一部を検知
し、電気信号に変換する光電変換手段、前記光電変換手
段の出力信号のピークを検出するピーク検出手段、 前記ピーク検出手段の出力信号と一定の基準電圧との差
を増幅する差動増幅手段、 前記差動増幅手段の出力電圧に基づいて、前記レーザ光
を変調させるための外部入力信号をクランプするクラン
プ手段、および 前記クランプ手段の出力電圧に応じて前記半導体レーザ
を駆動する駆動手段を備えた半導体レーザ装置。
[Scope of Claims] A semiconductor laser that generates laser light; a photoelectric conversion means that detects a portion of the laser light generated by the semiconductor laser and converts it into an electrical signal; and detects a peak of an output signal of the photoelectric conversion means. peak detection means for detecting the peak detection means; differential amplification means for amplifying the difference between the output signal of the peak detection means and a constant reference voltage; and an external input for modulating the laser light based on the output voltage of the differential amplification means. A semiconductor laser device comprising: a clamp means for clamping a signal; and a drive means for driving the semiconductor laser according to an output voltage of the clamp means.
JP57034903A 1982-03-03 1982-03-03 Semiconductor laser device Granted JPS58151082A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57034903A JPS58151082A (en) 1982-03-03 1982-03-03 Semiconductor laser device

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JP57034903A JPS58151082A (en) 1982-03-03 1982-03-03 Semiconductor laser device

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JPS58151082A true JPS58151082A (en) 1983-09-08
JPH021384B2 JPH021384B2 (en) 1990-01-11

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ID=12427139

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918681A (en) * 1986-12-25 1990-04-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Data reproducing apparatus using idling current
JPH02137133A (en) * 1988-11-17 1990-05-25 Nec Corp Optical recording and reproducing device
EP0725462A1 (en) * 1995-02-02 1996-08-07 Siemens Aktiengesellschaft Two level laserdiode power control using a single control circuit
JP2006237087A (en) * 2005-02-22 2006-09-07 Canon Inc Laser diode driving circuit and driving method thereof
US20100000979A1 (en) * 2006-06-16 2010-01-07 Valeo Etudes Electroniques Method and device for controlling the power transmitted by a laser to a reference point, soldering device and method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918681A (en) * 1986-12-25 1990-04-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Data reproducing apparatus using idling current
JPH02137133A (en) * 1988-11-17 1990-05-25 Nec Corp Optical recording and reproducing device
EP0725462A1 (en) * 1995-02-02 1996-08-07 Siemens Aktiengesellschaft Two level laserdiode power control using a single control circuit
JP2006237087A (en) * 2005-02-22 2006-09-07 Canon Inc Laser diode driving circuit and driving method thereof
US20100000979A1 (en) * 2006-06-16 2010-01-07 Valeo Etudes Electroniques Method and device for controlling the power transmitted by a laser to a reference point, soldering device and method
US8822880B2 (en) * 2006-06-16 2014-09-02 Valeo Etudes Electroniques Method and device for controlling the power transmitted by a laser to a reference point, soldering device and method

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JPH021384B2 (en) 1990-01-11

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