JPS5814611Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5814611Y2 JPS5814611Y2 JP1978126416U JP12641678U JPS5814611Y2 JP S5814611 Y2 JPS5814611 Y2 JP S5814611Y2 JP 1978126416 U JP1978126416 U JP 1978126416U JP 12641678 U JP12641678 U JP 12641678U JP S5814611 Y2 JPS5814611 Y2 JP S5814611Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- annular body
- insulating plate
- semiconductor element
- mounting plate
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、半導体素子と絶縁板と取付板とをそれぞれ
ろう付けした半導体装置において、相互間の熱膨張の差
にもとすく剥離を防止するとともに、熱伝導を良好にし
、さらに、高電圧に対し十分耐え得るようにしたもので
ある。
ろう付けした半導体装置において、相互間の熱膨張の差
にもとすく剥離を防止するとともに、熱伝導を良好にし
、さらに、高電圧に対し十分耐え得るようにしたもので
ある。
従来、サイリスタ、トランジスタ等の半導体装置は第１
図に示すように、銅等の高熱伝導度にして良導電体の取
付板１の上面に、銅リング等からなる下部環状体２を載
置し、下部環状体２の中に円板状のろう材３を装入し、
その上に高熱伝導度の絶縁板４を載置する。
図に示すように、銅等の高熱伝導度にして良導電体の取
付板１の上面に、銅リング等からなる下部環状体２を載
置し、下部環状体２の中に円板状のろう材３を装入し、
その上に高熱伝導度の絶縁板４を載置する。
この絶縁板４は、下部環状体２およびろう材３と接する
面、および後述の上部環状体５およびろう材６と接する
面のみメタライズした後、ニッケルめっきを施こしであ
る。
面、および後述の上部環状体５およびろう材６と接する
面のみメタライズした後、ニッケルめっきを施こしであ
る。
そして、この絶縁板４の上面に、銅リング等からなる別
の上部環状体５を載置し、上部環状体５の中に円板状の
ろう材６を装入し、さらにその上にカソード端子に、ゲ
ート端子Ｇ、アノード端子Ａ等を導出し高熱伝導度にし
て良導電体のケースに半導体を封止した半導体素子７を
載置し、これらを熱板または雰囲気炉でろう付けしてい
る。
の上部環状体５を載置し、上部環状体５の中に円板状の
ろう材６を装入し、さらにその上にカソード端子に、ゲ
ート端子Ｇ、アノード端子Ａ等を導出し高熱伝導度にし
て良導電体のケースに半導体を封止した半導体素子７を
載置し、これらを熱板または雰囲気炉でろう付けしてい
る。
そして、下部環状体２は、絶縁板４とほぼ同じ大きさに
形成されている。
形成されている。
したがって、このような半導体装置は、取付板１と絶縁
板４との間の下部環状体２の径が大きいため、通電時の
ろう材３に熱歪みが発生し、ろう材３がもろくなって破
壊することがある。
板４との間の下部環状体２の径が大きいため、通電時の
ろう材３に熱歪みが発生し、ろう材３がもろくなって破
壊することがある。
また、半導体素子７と取付板１間に高電圧を印加した場
合、半導体素子７と取付板１との間の絶縁板４の沿面最
短部において放電が発生するが、比較的沿面距離が短か
いため、あまり大きな絶縁耐力を得ることか゛できない
。
合、半導体素子７と取付板１との間の絶縁板４の沿面最
短部において放電が発生するが、比較的沿面距離が短か
いため、あまり大きな絶縁耐力を得ることか゛できない
。
この考案は、このような点に留意してなされたものであ
り、つぎにこの考案を、その実施例を示した第２図以下
の図面とともに詳細に説明する。
り、つぎにこの考案を、その実施例を示した第２図以下
の図面とともに詳細に説明する。
まず、１実施例を示した第２図において、第１図と同一
記号は同一のものを示し、異なる点は、下部環状体の大
きさである。
記号は同一のものを示し、異なる点は、下部環状体の大
きさである。
すなわち、下部環状体２′の径を絶縁板−４の径より小
さく、かつ半導体素子７の平面積に同しかもしくは若干
大きくしたものである。
さく、かつ半導体素子７の平面積に同しかもしくは若干
大きくしたものである。
したがって、この装置に通電した場合、ろう材３の熱に
よる歪みが小さくなるため、ろう材３の疲労を少くシ、
熱伝導をそこなうことが防がれている。
よる歪みが小さくなるため、ろう材３の疲労を少くシ、
熱伝導をそこなうことが防がれている。
また、絶縁板４の径が下部環状体２′の径より大きいた
め、半導体素子７と取付板１間の沿面最短部は、絶縁板
４０両面にわたり、半導体素子７と取付板１間の沿面放
電における沿面距離が長くなり、大きな絶縁耐力を得る
ことができる。
め、半導体素子７と取付板１間の沿面最短部は、絶縁板
４０両面にわたり、半導体素子７と取付板１間の沿面放
電における沿面距離が長くなり、大きな絶縁耐力を得る
ことができる。
つぎに、この考案の他の実施例を示した第３図について
説明する。
説明する。
この場合は、環状体２′の径にほぼ等しい径をもった台
座部１″を設けた取付板１′にしたものである。
座部１″を設けた取付板１′にしたものである。
したがって、通電時のろう材３の熱による歪みを小さく
するとともに、取付板１′の台座部１″において熱によ
る歪みを吸収することができ、破損を極めて小さくする
ことができる。
するとともに、取付板１′の台座部１″において熱によ
る歪みを吸収することができ、破損を極めて小さくする
ことができる。
そして、同時に、半導体素子７と取付板１′間の沿面放
電における沿面距離を長くすることができるため絶縁耐
力を大きくすることができ、絶縁板４の外周部と取付板
１′の空間距離も十分に得ることができる。
電における沿面距離を長くすることができるため絶縁耐
力を大きくすることができ、絶縁板４の外周部と取付板
１′の空間距離も十分に得ることができる。
また、第２図および第３図において、上部環状体５を取
り除き、ろう材６の代りに半田を用いてろう付けしても
よく、熱による歪みによって破損することもない。
り除き、ろう材６の代りに半田を用いてろう付けしても
よく、熱による歪みによって破損することもない。
以上のように、４の考案の半導体装置によると、高熱伝
導度にして良導電体の取付板の上面に、環状体を載置し
、環状体の中にろう材を装入するとともに、環状体に高
熱伝導度の絶縁板を載置し、絶縁板の上面にろう材を介
して半導体素子を載置し、取付板、絶縁板、半導体素子
をろう付けした半導体装置において、前記絶縁板の前記
環状体および上下の前記ろう材と接する面のみをメタラ
イズし、環状体を絶縁板より小さく、かつ半導体素子の
平面積に同じかもしくは若干大きく形成することにより
、相互間の熱膨張の差にもとすく剥離が防止され、かつ
熱伝導が良好であり、さらに、半導体素子と取付板との
絶縁沿面距離を、絶縁板の上面のメタライズされていな
い部分、周面および下面のメタライズされていない部分
にわたり長くとることができ、高電圧に対し十分耐え得
る絶縁耐力を持たせることができる。
導度にして良導電体の取付板の上面に、環状体を載置し
、環状体の中にろう材を装入するとともに、環状体に高
熱伝導度の絶縁板を載置し、絶縁板の上面にろう材を介
して半導体素子を載置し、取付板、絶縁板、半導体素子
をろう付けした半導体装置において、前記絶縁板の前記
環状体および上下の前記ろう材と接する面のみをメタラ
イズし、環状体を絶縁板より小さく、かつ半導体素子の
平面積に同じかもしくは若干大きく形成することにより
、相互間の熱膨張の差にもとすく剥離が防止され、かつ
熱伝導が良好であり、さらに、半導体素子と取付板との
絶縁沿面距離を、絶縁板の上面のメタライズされていな
い部分、周面および下面のメタライズされていない部分
にわたり長くとることができ、高電圧に対し十分耐え得
る絶縁耐力を持たせることができる。
第１図は従来の半導体装置の一部切断正面図、第２図は
この考案の半導体装置の１実施例の一部切断正面図、第
３図はこの考案の他の実施例の一部切断正面図である。 １・・・・・・取付板、２′・・・・・・環状体、３・
・・・・・ろう材、４・・・・・・絶縁板、６・・・・
・・ろう材、７・・・・・・半導体素子。
この考案の半導体装置の１実施例の一部切断正面図、第
３図はこの考案の他の実施例の一部切断正面図である。 １・・・・・・取付板、２′・・・・・・環状体、３・
・・・・・ろう材、４・・・・・・絶縁板、６・・・・
・・ろう材、７・・・・・・半導体素子。
Claims (1)
- 高熱伝導度にして良導電体の取付板の上面に、環状体を
載置し、前記環状体の中にろう材を装入するとともに、
前記環状体に高熱伝導度の絶縁板を載置し、前記絶縁板
の上面にろう材を介して半導体素子を載置し、前記取付
板、絶縁板および半導体素子をろう付けした半導体装置
において、前記絶縁板の前記環状体および上下の前記ろ
う材と接する面のみをメタライズし、前記環状体を前記
絶縁板より小さく、かつ半導体素子の下部横に同じかも
しくは若干大きく形成した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978126416U JPS5814611Y2 (ja) | 1978-09-14 | 1978-09-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978126416U JPS5814611Y2 (ja) | 1978-09-14 | 1978-09-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5542388U JPS5542388U (ja) | 1980-03-18 |
| JPS5814611Y2 true JPS5814611Y2 (ja) | 1983-03-23 |
Family
ID=29088221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978126416U Expired JPS5814611Y2 (ja) | 1978-09-14 | 1978-09-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814611Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144666U (ja) * | 1976-04-26 | 1977-11-02 |
-
1978
- 1978-09-14 JP JP1978126416U patent/JPS5814611Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5542388U (ja) | 1980-03-18 |
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