JPS58144796A - 水素同位体ガスの除去方法 - Google Patents
水素同位体ガスの除去方法Info
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- JPS58144796A JPS58144796A JP2772582A JP2772582A JPS58144796A JP S58144796 A JPS58144796 A JP S58144796A JP 2772582 A JP2772582 A JP 2772582A JP 2772582 A JP2772582 A JP 2772582A JP S58144796 A JPS58144796 A JP S58144796A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、主Ｔｌｔｌａ―曾炉ＪＩ歇円にシけるトリ
チウム等の水嵩同位体ガスａ、Ｓ事赦時の際、禦１ｔｓ
洩トリチウムｋＩ！−除１去し、■境へのトリチウムの
放散を未然に＆＆、止す壱〇ｔｔ罎的とした水嵩同位体
ガスの除傘、方ｔ＆に−する。
チウム等の水嵩同位体ガスａ、Ｓ事赦時の際、禦１ｔｓ
洩トリチウムｋＩ！−除１去し、■境へのトリチウムの
放散を未然に＆＆、止す壱〇ｔｔ罎的とした水嵩同位体
ガスの除傘、方ｔ＆に−する。
一般（、核融曾炉Ｊ１ｉ＆［おいては、燃料として大暑
の放射性物、質のトリチウムに４ｉり黴うため。
の放射性物、質のトリチウムに４ｉり黴うため。
１１１４１ｈ設から９當時％Ｌ、（は事故時にＪる濃境
へＯトリチウムの款出を未然ＩＩｃｇぐこｔが安禽株の
観点から必須の畳件とｇｔｔてＶｈ◆、９．。
へＯトリチウムの款出を未然ＩＩｃｇぐこｔが安禽株の
観点から必須の畳件とｇｔｔてＶｈ◆、９．。
しか６＃ｃ、−洩事赦〇−にトリチウムを除去する方法
些して幌１，１．触Ｊｌｔ用いた触媒鹸化反応法区ｌる
水嵩同位体ガスの除去システムがＩ！＃４されて−６゜
、 上紀従ＩＩＯシステムは、纂１＆！１ｍに示すＪうに、
格納容器内又は富内等水ｌＡ同位体ｍ洩楊虐ム円のガス
体は、 曽＊２ンｆ１で機側され、ｌし・ビーフ１触媒
酸化反応器３、了フメーターラ４＆び水分徴看鴫Ｓｔ−
シリーＪｅ区紬曽した一礪形層に軽て除去されるＪ５Ｉ
Ｃなっている。
些して幌１，１．触Ｊｌｔ用いた触媒鹸化反応法区ｌる
水嵩同位体ガスの除去システムがＩ！＃４されて−６゜
、 上紀従ＩＩＯシステムは、纂１＆！１ｍに示すＪうに、
格納容器内又は富内等水ｌＡ同位体ｍ洩楊虐ム円のガス
体は、 曽＊２ンｆ１で機側され、ｌし・ビーフ１触媒
酸化反応器３、了フメーターラ４＆び水分徴看鴫Ｓｔ−
シリーＪｅ区紬曽した一礪形層に軽て除去されるＪ５Ｉ
Ｃなっている。
ところが、上記除去システムにおいて、水素−位体ガス
（以下処暑ガスと称す）の除去性能に保持するため区、
触＃ｌａ化反応器ｓｋ比軟的Ｉｊ４鴎直〒這伝操作する
必！＃があも。従って触媒酸化反応器３のａＩｌ＆中処
虐ガスの冷却区相当な熱容量が要求ｇｆＬ、１１馴注に
間層が生じる欠、ｌａがあった。
（以下処暑ガスと称す）の除去性能に保持するため区、
触＃ｌａ化反応器ｓｋ比軟的Ｉｊ４鴎直〒這伝操作する
必！＃があも。従って触媒酸化反応器３のａＩｌ＆中処
虐ガスの冷却区相当な熱容量が要求ｇｆＬ、１１馴注に
間層が生じる欠、ｌａがあった。
丁ｔｂも、従量の除去システムでは１反応器１の温［ｌ
ニジては２００℃以上で繰作する必ｌ！があｊ、 Ｊｌ
ｌ島、冷却［１１ｆる熱容量が大暑（なる傾向があｐ、
ａｍ事故＊Ｃ＋際に用いられるトリチウム除去設備は、
トリチウム漏洩に対して直ちＬ対応できるＪ５富時反応
！３に’高温にに維持しておくことが必要である。従っ
て儒馴注に―点が６１゜トリチウム除去設備として、率
−で（１１＄注の高い除去システムのａｍが望筐ｎてい
た。
ニジては２００℃以上で繰作する必ｌ！があｊ、 Ｊｌ
ｌ島、冷却［１１ｆる熱容量が大暑（なる傾向があｐ、
ａｍ事故＊Ｃ＋際に用いられるトリチウム除去設備は、
トリチウム漏洩に対して直ちＬ対応できるＪ５富時反応
！３に’高温にに維持しておくことが必要である。従っ
て儒馴注に―点が６１゜トリチウム除去設備として、率
−で（１１＄注の高い除去システムのａｍが望筐ｎてい
た。
この離間は、上述した事情＃Ｃ鑑みてなされたｔので６
１．白金、及びイラジウム触媒を用いた試験の赫来、処
ｍｆスの水分ｉ充分に除去して露点Ｖ低下させ′ｒＬｒ
ｉ、低温ｊｆ（音振附近）の反応器においてｔ地場ガス
Ｄ除去注能Ｙ保持できることに１目し、核融曾炉施殴円
等でのトリチウムｔＩＡ洩事故時に、緊急に、かつ表金
にトリチウム等の水嵩同位体ガスを一収絃去丁曇ことＥ
ｌｊ、外部へ０款＊に未然に防止Ｔにｊｋ目的とした水
嵩−位体ガスの除去方法に提供する−のである。
１．白金、及びイラジウム触媒を用いた試験の赫来、処
ｍｆスの水分ｉ充分に除去して露点Ｖ低下させ′ｒＬｒ
ｉ、低温ｊｆ（音振附近）の反応器においてｔ地場ガス
Ｄ除去注能Ｙ保持できることに１目し、核融曾炉施殴円
等でのトリチウムｔＩＡ洩事故時に、緊急に、かつ表金
にトリチウム等の水嵩同位体ガスを一収絃去丁曇ことＥ
ｌｊ、外部へ０款＊に未然に防止Ｔにｊｋ目的とした水
嵩−位体ガスの除去方法に提供する−のである。
以下、この発明［Ｊる実施＄Ｉｋ１１２−ないし厘４（
２）ｔ＋ｃ４とづｖｌて詳−区貌一する。票２図は、こ
０発＠にＩる★施ｈＹ示す水素同位体ガスの除去システ
ムであり、−において恢量惰を対応する塵屑には同一符
号？付して説明する。格納容器内又は直円等の水嵩同位
体１洩場所ム内のガス体は循ａｔ／ング１で吸引さｆＬ
＆＃Ｉｋｆ１１−６にて除湿された級、ブレ・ヒー＃２
の加島器から触媒酸化反応器３１経て水分教看塔５に送
られて微調するよう（Ｉｌｌ−ざｎて訃り、各装置はシ
リーズに結付さｎている。
２）ｔ＋ｃ４とづｖｌて詳−区貌一する。票２図は、こ
０発＠にＩる★施ｈＹ示す水素同位体ガスの除去システ
ムであり、−において恢量惰を対応する塵屑には同一符
号？付して説明する。格納容器内又は直円等の水嵩同位
体１洩場所ム内のガス体は循ａｔ／ング１で吸引さｆＬ
＆＃Ｉｋｆ１１−６にて除湿された級、ブレ・ヒー＃２
の加島器から触媒酸化反応器３１経て水分教看塔５に送
られて微調するよう（Ｉｌｌ−ざｎて訃り、各装置はシ
リーズに結付さｎている。
上＃８ＩＩＮＩＦｉＬにおいて、除湿機６は、触媒酸化
反応器゛ｊの手ｗｔ’ｔｓｃ＆ａして、処理ガス体中の
水分濃ｊｌ″を低減することＷＣＪ９、反応ｉ！Ｂ３ｒ
常温近傍の低温１０件で這転操浄しても１６ｍｆス体の
除去性能は光分ＫＭ持ｒきるものである。
反応器゛ｊの手ｗｔ’ｔｓｃ＆ａして、処理ガス体中の
水分濃ｊｌ″を低減することＷＣＪ９、反応ｉ！Ｂ３ｒ
常温近傍の低温１０件で這転操浄しても１６ｍｆス体の
除去性能は光分ＫＭ持ｒきるものである。
これは、処理ガス中の水分Ｖ除去すると、触媒の酸化反
応性が著しく向上する現象を利用したｔので６９．これ
は１１３図な−Ｌ、１１４図にＪりでも明らかτある。
応性が著しく向上する現象を利用したｔので６９．これ
は１１３図な−Ｌ、１１４図にＪりでも明らかτある。
Ｉｌ３−はＯＣ１ａｔｍ （大気圧）条件下ｃオケ６露
点と処理ガス中の水分ｉｌｌ［ｔ’示すグラフで、横軸
は嶌点温ｆｌｃｃ）、左＠はその露点ａｔＣおける水分
１１ｆｋ！１ｌｉｌ率（炉）、右−は圧力（１１’ｏｒ
ｒ＝五纒Ｈｚ ）として表示したｔので、処理ガス中の
水分ｌｌ＆が下ると露点が下ることｔ示しｔ′いる。
点と処理ガス中の水分ｉｌｌ［ｔ’示すグラフで、横軸
は嶌点温ｆｌｃｃ）、左＠はその露点ａｔＣおける水分
１１ｆｋ！１ｌｉｌ率（炉）、右−は圧力（１１’ｏｒ
ｒ＝五纒Ｈｚ ）として表示したｔので、処理ガス中の
水分ｌｌ＆が下ると露点が下ることｔ示しｔ′いる。
ｓ１４園は反応−人ロ露点ｉパ二次反応速ｌ定数の関係
を示す゛グラフで、 ゛・ゞ・・触
媒 ：０．５慢ｐＣ（担体ム１ｚＯｓ）’人ロ水嵩ｉ
ｌｆ：Ｌ２０９Ｆ 中ヤリアガス：ム１ｒ 反応器１！：４Ｇ℃、８０℃ 供ＩＩＩＩｆＩＬ量： Ｉ Ｍｙａ”／ｂｒ反応圧カニ
１Ｇ６０〜１０４１Ｇ ？ｏｒｒとしだ１曾である。−
次反応装置定数とは反応器における処理がス除去Ｉ！１
絽（ｒｌ＆化反応〕の１ｆｌｔｔ’示し１反応装置定数
値が太きｖｋｌｉ！ａｍが上昇する。
を示す゛グラフで、 ゛・ゞ・・触
媒 ：０．５慢ｐＣ（担体ム１ｚＯｓ）’人ロ水嵩ｉ
ｌｆ：Ｌ２０９Ｆ 中ヤリアガス：ム１ｒ 反応器１！：４Ｇ℃、８０℃ 供ＩＩＩＩｆＩＬ量： Ｉ Ｍｙａ”／ｂｒ反応圧カニ
１Ｇ６０〜１０４１Ｇ ？ｏｒｒとしだ１曾である。−
次反応装置定数とは反応器における処理がス除去Ｉ！１
絽（ｒｌ＆化反応〕の１ｆｌｔｔ’示し１反応装置定数
値が太きｖｋｌｉ！ａｍが上昇する。
コｆＬ＃１ＬＷｋ去ａＷ１．ｂ’処ＨＩｆ−Ｘ中４り
Ｈ２、Ｄａ −Ｔ虞Ｏａｌの一乗に比例するご定義して
表わしている。Ｉｌ４園に示すＥ（、反応器入口露点（
’Ｃ）が低−（水分−髪が低い）ｍ、Ｉ＆ＭＩｆス除去
注艶が向上するので、処理がスの水分を光分＃Ｃ除去し
て菖−Ｖ下げ几は低温厘の反応器７４処理ガスの除去性
能′に保持できるものでｈ４゜しＱ＞％反応器１の操作
源ｌが低ｉため、水分ａｍｍ省人入口処理態度ｉ當温近
傍まで下げるに必要なアフタークーラ一番の設備は不１
’［すること−可能である。゛なお一上記触媒酸化反応
＠３＃ＣＩ！Ｊ＠される触媒は白金−しくは／豐うジウ
ムが好適である。ざ゛らに厘４１Ｉ！ｃ１につ゛いてｓ
ｉ明す会と、低温［４０℃０１ａ台においては゛、処ｇ
ｆｘ中の水＆１Ｉｆｔ Ｊ Ｉｌ、 ＃去注ｔ）ｔ 大
１！ （雇′化−ｆにとｔ−意味して％／−ｈ心。たと
えば図４７Ｘｙｆ’ｃｉ−−ツ゛トしである露点温１［
−６＆５℃（水分鋼質が少１に）条件時の除去性能は、
同じく露点温屓ＩＦＬ５℃（＊分＃１度が多−）条件時
と比較して、５倍１１ｆ−向上ず６゛ことｔ示している
。
Ｈ２、Ｄａ −Ｔ虞Ｏａｌの一乗に比例するご定義して
表わしている。Ｉｌ４園に示すＥ（、反応器入口露点（
’Ｃ）が低−（水分−髪が低い）ｍ、Ｉ＆ＭＩｆス除去
注艶が向上するので、処理がスの水分を光分＃Ｃ除去し
て菖−Ｖ下げ几は低温厘の反応器７４処理ガスの除去性
能′に保持できるものでｈ４゜しＱ＞％反応器１の操作
源ｌが低ｉため、水分ａｍｍ省人入口処理態度ｉ當温近
傍まで下げるに必要なアフタークーラ一番の設備は不１
’［すること−可能である。゛なお一上記触媒酸化反応
＠３＃ＣＩ！Ｊ＠される触媒は白金−しくは／豐うジウ
ムが好適である。ざ゛らに厘４１Ｉ！ｃ１につ゛いてｓ
ｉ明す会と、低温［４０℃０１ａ台においては゛、処ｇ
ｆｘ中の水＆１Ｉｆｔ Ｊ Ｉｌ、 ＃去注ｔ）ｔ 大
１！ （雇′化−ｆにとｔ−意味して％／−ｈ心。たと
えば図４７Ｘｙｆ’ｃｉ−−ツ゛トしである露点温１［
−６＆５℃（水分鋼質が少１に）条件時の除去性能は、
同じく露点温屓ＩＦＬ５℃（＊分＃１度が多−）条件時
と比較して、５倍１１ｆ−向上ず６゛ことｔ示している
。
５ｌＷｌがａＯ℃Ｏ場誉゛においては、処理ガスの露点
（水分＃Ｉ屓）ｋ変える・パと、露点が一６１５℃（水
分ａｔが少ない）条件下の方が、露点゛ｌ＆５℃に比做
して、２倍＠ｌめ性能が向上すること？示して−る。
（水分＃Ｉ屓）ｋ変える・パと、露点が一６１５℃（水
分ａｔが少ない）条件下の方が、露点゛ｌ＆５℃に比做
して、２倍＠ｌめ性能が向上すること？示して−る。
一方１反応器温ｆが盛ｏｃＩ：ｓｏ℃の２条件ｒ表示し
たのは、反応６１１ｆが低い条件下の万が、＠ｌｌｆス
中の露点（水分Ｉｌ１置）の依存性が大きいことＶ示し
たいためである。
たのは、反応６１１ｆが低い条件下の万が、＠ｌｌｆス
中の露点（水分Ｉｌ１置）の依存性が大きいことＶ示し
たいためである。
また１反応器龜ｆが８０℃以上に設疋した１曾は、処理
ガス中の露点（水分−ＩＦ）が反応器の除去性ｗＡに依
存する傾向は小さくなることが纂６−から１！明できる
。
ガス中の露点（水分−ＩＦ）が反応器の除去性ｗＡに依
存する傾向は小さくなることが纂６−から１！明できる
。
この発明は１反応湯温Ｉｊｋ常温付近（ｌＧ−４０℃）
で操作する条件ＩＬｓ？いて、処理ＩスＯｊＩ点（水分
秦ｆ）が反応ＩＩａ能に大きく依存するこ＜１＃＊シ、
３１１点（水分員ｌ）が低い（少ない）条件の１曾１反
応器性能が大幅＃ｌｃ向上する現象に利用することであ
る。
で操作する条件ＩＬｓ？いて、処理ＩスＯｊＩ点（水分
秦ｆ）が反応ＩＩａ能に大きく依存するこ＜１＃＊シ、
３１１点（水分員ｌ）が低い（少ない）条件の１曾１反
応器性能が大幅＃ｌｃ向上する現象に利用することであ
る。
つぎに上述したＪ５に１１１１楓されたこＩＤ発明にＪ
る除去システムの作用についτｍ＠する。ＳＳＳ器円又
は直円等のム富へ中ヤリアガス（Ｍ、、！−。
る除去システムの作用についτｍ＠する。ＳＳＳ器円又
は直円等のム富へ中ヤリアガス（Ｍ、、！−。
ムｒ等）ｉ含む水ａＰ１位体ガス（例えばｋｉ、、Ｄ、
、！１、ＩＴ、ＨＤ、Ｄ？）が１洩した１曾、こ几らｉ
含むガス体は直ちに循ＩＩ／ンｆｌで鎗嫌磯６へ移送さ
ｎ、ここで水分があるＳ置除去され、！し・ヒータ２で
加熱さｎながら触媒酸化反応器１へ送らｆＬ４１゜この
反応１１！３では触媒ａｃＪる酸化反応に受けて水の化
学形（ａ、ＯＳＤχ０． ｔ、ｏ、ＨＴＯｌＨＤＯ。
、！１、ＩＴ、ＨＤ、Ｄ？）が１洩した１曾、こ几らｉ
含むガス体は直ちに循ＩＩ／ンｆｌで鎗嫌磯６へ移送さ
ｎ、ここで水分があるＳ置除去され、！し・ヒータ２で
加熱さｎながら触媒酸化反応器１へ送らｆＬ４１゜この
反応１１！３では触媒ａｃＪる酸化反応に受けて水の化
学形（ａ、ＯＳＤχ０． ｔ、ｏ、ＨＴＯｌＨＤＯ。
Ｄ？Ｏ）ｃ度ＩＩさｎる。こ０＠、それらは水分数置４
５＃ｃ過らｎて処ｌＩｆス体Ｘ９除去されるものである
。
５＃ｃ過らｎて処ｌＩｆス体Ｘ９除去されるものである
。
以上ｔｌｌａｌｃａ明ｔ、ｔｔｚうｊｌｃ、 コＩＥ）
＠＠１１６水素同位体ガスの除去方法は、キャリアガス
Ｖ含む魁虐ガス体中区水嵩同位体Ｉスが１洩した１曾。
＠＠１１６水素同位体ガスの除去方法は、キャリアガス
Ｖ含む魁虐ガス体中区水嵩同位体Ｉスが１洩した１曾。
厘ちに１洩した水ＩＡｆＩｉ１位体Ｉスを除去―釈する
べく、そのため触媒の酸化反応を低ａｔ条件でも促進さ
せる目的で、上記反応器の曽工＠を除湿上を設けること
ｔｘｇ反応器の侍！ＩＩ温腹を低く維持することができ
るので反応器の操作維持に信頼性が６９、シかも触媒［
は低温１条件でも酸化反応性の良い白金−しくは−ヤラ
ジウムｉ使用でき、従来必畳であったアフタークーラー
が不畳になる等、簡単な購造で効果的な水嵩−位体ガス
の除去システムが得られる。
べく、そのため触媒の酸化反応を低ａｔ条件でも促進さ
せる目的で、上記反応器の曽工＠を除湿上を設けること
ｔｘｇ反応器の侍！ＩＩ温腹を低く維持することができ
るので反応器の操作維持に信頼性が６９、シかも触媒［
は低温１条件でも酸化反応性の良い白金−しくは−ヤラ
ジウムｉ使用でき、従来必畳であったアフタークーラー
が不畳になる等、簡単な購造で効果的な水嵩−位体ガス
の除去システムが得られる。
１に訃、上記構成＃ＣＪる除去システムでは、トリチウ
ム壇ｉ＋ｎ毅における南洩トリチウムの除去はもちろん
のこと、水嵩款び重水素＊＊＊設における漏洩水嵩及び
ｆＩＡ洩重水素の除去システムとしても効果を奏する−
のであり、 ｆｊＡ洩事故の際、Ｓ洩ガス体に直ちに回
収除去するので、積項への放散が未然に防止さｆ’Ｌ％
安全で暴る。
ム壇ｉ＋ｎ毅における南洩トリチウムの除去はもちろん
のこと、水嵩款び重水素＊＊＊設における漏洩水嵩及び
ｆＩＡ洩重水素の除去システムとしても効果を奏する−
のであり、 ｆｊＡ洩事故の際、Ｓ洩ガス体に直ちに回
収除去するので、積項への放散が未然に防止さｆ’Ｌ％
安全で暴る。
第１図は従来の貢膳働を示すシステム・）Ω−ダイヤグ
ラム、諷２■はこの発明にＪる実施例を示すシステム・
フローダイヤグラム、１１３図１にいしＪ１４１１？３
は、この発＠にＪる逃場ガス体と水分との関係［Ｊる除
去性能を示す説明−である。 ■・・・ｉｉＩｍｐンｆ、 ２・・・ブレ・ヒータ、
３・・・触媒酸化反応器、４・・・アフタークーラー。 ５・・・水分吸看塔、６・・・除湿機。
ラム、諷２■はこの発明にＪる実施例を示すシステム・
フローダイヤグラム、１１３図１にいしＪ１４１１？３
は、この発＠にＪる逃場ガス体と水分との関係［Ｊる除
去性能を示す説明−である。 ■・・・ｉｉＩｍｐンｆ、 ２・・・ブレ・ヒータ、
３・・・触媒酸化反応器、４・・・アフタークーラー。 ５・・・水分吸看塔、６・・・除湿機。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水嵩同位体、酸嵩、水分勇び命ヤ￥アｆＪｌ會む処暑ガ
ス中の水素崗位体奮鹸化除去丁６ために。 白金もしくはΔラジウム触媒ｔＸる触媒鹸化反応−に使
用するシステム＃Ｃおいて、上配触厳酸化黒、シー０１
１１１工１１に論温畿を装置し、舛暑Ｉス中、の水分奮
尤分ｌｃ＃ｌｌｌ１去して露点を低下葛せるＪ、う、４
−成したことに脣黴とする水嵩同位体ガス、、の除去７
ｊ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2772582A JPS58144796A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 水素同位体ガスの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2772582A JPS58144796A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 水素同位体ガスの除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144796A true JPS58144796A (ja) | 1983-08-29 |
Family
ID=12228988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2772582A Pending JPS58144796A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 水素同位体ガスの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144796A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2600454A1 (fr) * | 1986-02-27 | 1987-12-24 | Kernforschungsz Karlsruhe | Procede et dispositif de decontamination des gaz d'echappement d'un circuit de combustion d'un reacteur de fusion pour des composants contenant des liaisons chimiques avec du tritium et/ou deuterium |
| FR2620849A1 (fr) * | 1987-09-18 | 1989-03-24 | Kernforschungsz Karlsruhe | Procede pour la decontamination du gaz residuaire d'un reacteur a fusion nucleaire |
| US4935196A (en) * | 1987-10-02 | 1990-06-19 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Differential atmospheric tritium sampler |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5053799A (ja) * | 1973-08-27 | 1975-05-13 | ||
| JPS5073098A (ja) * | 1973-11-02 | 1975-06-17 |
-
1982
- 1982-02-23 JP JP2772582A patent/JPS58144796A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5053799A (ja) * | 1973-08-27 | 1975-05-13 | ||
| JPS5073098A (ja) * | 1973-11-02 | 1975-06-17 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2600454A1 (fr) * | 1986-02-27 | 1987-12-24 | Kernforschungsz Karlsruhe | Procede et dispositif de decontamination des gaz d'echappement d'un circuit de combustion d'un reacteur de fusion pour des composants contenant des liaisons chimiques avec du tritium et/ou deuterium |
| FR2620849A1 (fr) * | 1987-09-18 | 1989-03-24 | Kernforschungsz Karlsruhe | Procede pour la decontamination du gaz residuaire d'un reacteur a fusion nucleaire |
| US4935196A (en) * | 1987-10-02 | 1990-06-19 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Differential atmospheric tritium sampler |
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