JPS58128735A - Alignment of x-ray aligner - Google Patents
Alignment of x-ray alignerInfo
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- JPS58128735A JPS58128735A JP57010005A JP1000582A JPS58128735A JP S58128735 A JPS58128735 A JP S58128735A JP 57010005 A JP57010005 A JP 57010005A JP 1000582 A JP1000582 A JP 1000582A JP S58128735 A JPS58128735 A JP S58128735A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、粗アライメントステージと精ア２イメントス
テージによりウェハと１スクのアライメントを為精度に
行うＸ線アライナのアライメント方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an X-ray aligner alignment method for accurately aligning a wafer and one screen using a coarse alignment stage and a fine alignment stage.
ＸＩＩｊｌアライナやグロジェクシ、ンアライチなどの
マスクアライナ装置では、ウェハとマスクを超高１ｎＩ
ＦＩｊＬにアライメントする必要が生じている。このた
めアライメント方法として粗アライメントと釉アライメ
ントとを別々のステージで行う方式が従来よう用いられ
ている。しかし。Mask aligners such as
It is now necessary to align to FIjL. For this reason, a conventional alignment method has been used in which coarse alignment and glaze alignment are performed on separate stages. but.
この方式によるものは、粗アライメントステージの上に
精アライメントステージを載せるもので、粗アライメン
トステージの移動量をレーザ測長器等で測長し、精アラ
イメントステージの移動量を差動トランス勢で測長し、
その結果を制御鋏置内で合成計算し移動Ｊｌｌを算出す
るものである。In this method, a fine alignment stage is placed on top of a coarse alignment stage, and the amount of movement of the coarse alignment stage is measured using a laser length measuring device, and the amount of movement of the fine alignment stage is measured using a differential transformer. long,
The results are combined and calculated within the control scissors device to calculate the movement Jll.
このような測定方法では、レーザ測長６勢の１差と差動
トランス勢の１差とが加算されるため、高精度のアライ
メントができない欠点を有していた、又、粗アライメン
トステージの上に重＾精アライメントステージｔ−載せ
なければならないため、振動の発生、移動スピードの低
下などの問題が生じる欠点を有していた。This measurement method has the disadvantage that it is not possible to achieve highly accurate alignment because one difference between the six laser length measurement units and one difference between the differential transformer units is added. Since a heavy precision alignment stage must be mounted on the machine, it has disadvantages such as generation of vibration and reduction in movement speed.
本発明は１以上の欠点を解消するもので、その目的は、
ウェハとマスクのアライメントを為精度、かつ、高速で
行うことのできるＸｌｌ１ｌアライナの７ライメント方
法を提供するＫある。The present invention obviates one or more disadvantages and aims to:
There are 7 alignment methods for Xll1l aligners that can align wafers and masks with high precision and at high speed.
本発明は１以上の目的を達成するために、粗布アライメ
ントステージをそれぞれ別々とし。The present invention provides separate sackcloth alignment stages to accomplish one or more objectives.
ウニハラ粗アライメントステージによって移動させ、マ
スクを精アライメントステージによって移動するように
したものである。すなわち。The mask is moved by a rough alignment stage, and the mask is moved by a fine alignment stage. Namely.
予め単一の副長器によりてマスクとウエノ１の相対位置
誤差を検出したのち、粗アライメントステージでウェハ
の位置決めをし、この位置決め誤差を前記副長器で測定
し、この測定値と前記検出値とＫよシマスフを取着する
精アライメントステージを移動させ、ウェハとマスクの
アライメントをするようにしたＸ、＠アライナのアライ
メント方法を特徴としたものである。After detecting the relative positional error between the mask and the wafer 1 in advance using a single sub-length device, the wafer is positioned on a coarse alignment stage, this positioning error is measured using the sub-length device, and this measured value is combined with the detected value. This method is characterized by the alignment method of the X, @aligner, in which the fine alignment stage that attaches the K, shim surface is moved to align the wafer and the mask.
以下１本発明の実施例を図に基ついて説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はＸ＠アライナの全体構成を示したものである。FIG. 1 shows the overall configuration of the X@aligner.
ベース１５には粗アライメントステージ５が載置されて
いる。粗アライメントステージ５＃−１ｌ：、Ｘ方向に
移動するＸ細ステージ５α、Ｙ方向に移動するＹ１１１
１ステージ５ｂおよび回転方向に移動する一転軸（θ軸
と称Ｉ）？）ステージ５Ｃから構成されている。θ軸ス
テージ５Ｃは図示していないが粗微動の可能な構成とさ
れ、上面にウェハ１を１置している。A coarse alignment stage 5 is mounted on the base 15. Coarse alignment stage 5#-1l: X fine stage 5α moving in the X direction, Y111 moving in the Y direction
1 stage 5b and a rotation axis (referred to as θ axis I) that moves in the rotation direction? ) It consists of stage 5C. Although not shown, the θ-axis stage 5C is configured to allow coarse and fine movements, and has one wafer 1 placed on its upper surface.
粗アライメントステージ５の上方匈には精アライメント
ステージ６が配設されている。ｈアライメントステージ
６は囚で明示されてはいないが、粗アライメントステー
ジ５とは別個に本体に支持されている。A fine alignment stage 6 is disposed above the coarse alignment stage 5. Although the h-alignment stage 6 is not explicitly shown, it is supported by the main body separately from the coarse alignment stage 5.
精アライメントステージ６は、マスク２を取着する保持
台６αとマスクをＸ方向およびＹ方向に微動する直線ガ
イド機構６ｂから構成されている。The fine alignment stage 6 is composed of a holding table 6α on which the mask 2 is attached and a linear guide mechanism 6b that slightly moves the mask in the X direction and the Y direction.
粗アライメントステージ５および精ア２イメントステー
ジには反射鏡１５および１６が配置され奉−のレーザ測
長器７からのレーザ光１Ｂと干渉計１４によシ位置測定
がなされる。Reflecting mirrors 15 and 16 are arranged on the coarse alignment stage 5 and the fine alignment stage 5, and the position is measured using the laser beam 1B from the laser length measuring device 7 and the interferometer 14.
マスク２の上方Ｋｌ／−１ウェハ１とマスク２とのアラ
イメントマーク位１１１ｔ−検出する光学系→４＃９が
設置されている。なお、光学系榛４．＊９は不便用時に
はｘＩｉＩｊｌ光の光路から退避できるよう圧されてい
る。光学系Ｍ ４ 、−１＋ ９ Ｋは検出ｆｉ（４５
，＠８がそれぞれ対応して配置されている。An optical system for detecting alignment mark position 111t of Kl/-1 wafer 1 and mask 2 above mask 2→4#9 is installed. In addition, the optical system 4. *9 is pressed so that it can be evacuated from the optical path of the xIiIjl light when it is inconvenient. The optical system M 4 , -1+9 K is the detection fi (45
, @8 are arranged correspondingly.
発光源１９内は真空に保持され、その中ＫＸ線源１０が
設置されている。Ｘｌｌ１Ｉ源１０からのＸ線はＸ線を
通し易いベリラム窓１７を介し、ウェハ、マスク側に照
射される。The inside of the light emitting source 19 is kept in a vacuum, and the KX-ray source 10 is installed therein. The X-rays from the Xll1I source 10 are irradiated onto the wafer and mask side through the beryllum window 17 through which X-rays can easily pass.
第２図は光学系＠ ４ 、 襖９を退避させ、Ｘ線源１
０からｘｌＩｉＩを照射している状態を示す。Figure 2 shows the optical system @4, the sliding door 9 retracted, and the X-ray source 1
It shows a state in which xlIiI is irradiated from 0 to xlIiI.
第５図および第４図は精アライメントステージ６の直線
ガイド機構を示したものである。5 and 4 show the linear guide mechanism of the fine alignment stage 6. FIG.
このｔｉｔｓｉｔガイド機構は同一の構造を有するＸ軸
ガイド機構とＸ軸ガイド機構を相互Ｋｉｌ交させたもの
から構成されている。This titsit guide mechanism is composed of an X-axis guide mechanism and an X-axis guide mechanism that have the same structure and cross each other.
直線ガイド機構は、四角状のステージ２Ｈ２１’）のそ
れぞれの対辺を固定ベース２２．２２’ （２５，２５
’ ）および連接棒２５．２５’ （２６，２６’ ）
にて被包し、連接棒２３．２３’ （２６，２６’ ）
の両端部近傍をステージ２１（２１’）の四隅および固
定ベース２２．２２’ （２５，２５’ ）の両端部と
５１１Ｌ性支点イ９ロ、イ′１ロ′を介し平行リンクα
、ｂで連結した構造となっている。又、電歪素子２４．
２７は固定ベース２２．２５ Ｋ設置されｘｆ−ジ２１
．２１’ｉ微動させる。４対の平行リンクａ、 ｂの作
用によυ、Ｘ方向又はＹ方向のいづれかの方向のみしか
微動できないようになっているため、ヨーイングやピッ
チングが生ずることなく、高精度の位置決めを保征する
ことができる。The linear guide mechanism fixes each opposite side of the rectangular stage 2H21') to a fixed base 22.22' (25, 25
) and connecting rod 25.25'(26,26')
Connecting rod 23.23'(26,26')
Parallel links α are connected near both ends of the stage 21 (21') and both ends of the fixed base 22, 22' (25, 25') through the 511L fulcrums I9 and A'1'.
, b. Further, the electrostrictive element 24.
27 is fixed base 22.25K installed xf-ji 21
．． 21'i Make a slight movement. Due to the action of the four pairs of parallel links a and b, slight movement can only be made in either the υ, X or Y directions, ensuring highly accurate positioning without yawing or pitching. be able to.
ｗ、４図は第５図の側面図でＸ方向およびＹ方向のステ
ージの積電され九状勤が示されている。FIG. 4 is a side view of FIG. 5, showing the stages in the X and Y directions.
なお５図に明示してないがステージ２１と２１′との間
には球が介在し１円滑にＸ、Ｙ方向に微動で龜るように
されている。Although not clearly shown in FIG. 5, a ball is interposed between the stages 21 and 21' so that the stages 21 and 21' can be moved smoothly by slight movement in the X and Y directions.
さて９次にアライメント方法全説明する。Now, in the ninth step, the entire alignment method will be explained.
まづ、粗アライメントステージ５および精アライメント
ステージ６１に：動かして、ウェハ１とマスク２のそれ
ぞれに表示しである２個のアライメントマークのうちの
一方のアライメントマークを光学系４および検出器Ａ５
で検出する。First, move the coarse alignment stage 5 and the fine alignment stage 61 to align one of the two alignment marks displayed on the wafer 1 and mask 2, respectively, with the optical system 4 and the detector A5.
Detect with.
そして、このときの粗アライメントステージ５と精アラ
イメントステージ６の位置をレーザ測＆器７で検出し１
図示していない制御装！ＩＫ記憶する。仄に粗アライメ
ントステージ５および精ア２イメントステージ６を動か
して、ウェハ１とマスク２の他の一方のアライメントマ
ークを光学系９および検出６４８で検出し、同様にレー
ザ測＆ｉ！７によシ制御装置にその位置を記憶させる。Then, the positions of the coarse alignment stage 5 and fine alignment stage 6 at this time are detected by the laser measuring device 7.
Control equipment not shown! IK memorize. The coarse alignment stage 5 and the fine alignment stage 6 are slightly moved to detect the alignment mark on the other side of the wafer 1 and the mask 2 using the optical system 9 and the detection 648, and the laser measurement &i! 7, the position is stored in the control device.
そして制御装置による演算によｐ。Then, p is calculated by the control device.
前記２つのアライメントマークの相対位ａ１娯差を算出
し記憶させる。The relative position a1 difference between the two alignment marks is calculated and stored.
次Ｋ、光学系、１４ 、儂９を・第２図のごと〈退避す
せ、ステップアンドリピート方式にょクマスク２の位置
決めをし、Ｘ線無光をする。すなわち、Ｘ線無光ではウ
ェハ１に較べてマスク２が小さいため、ウェハ１および
マスク２を移動させながらアライメントすることが必要
となる従って、まづ粗アライメントステージ５をステッ
プさせ、その停止位置と正規の位置との誤差分音レーザ
測長器７で測長する。次に、この−差分と、前記の相対
位ｍ駒差の記憶−とを基にし、精アライメントステージ
６ｆ：ステ、ｙプし補正位置決めする０以上の操作によ
シ、ウェハ１とマスク２とは正しい位置にアライメント
され、Ｘ＠によりに光されることになる。以下、同様の
ことを繰返して行う。Next, move the optical system 14 and I 9 away as shown in Figure 2, position the step-and-repeat mask 2, and eliminate X-ray radiation. That is, since the mask 2 is smaller than the wafer 1 in the non-X-ray mode, it is necessary to align the wafer 1 and the mask 2 while moving them. The length is measured using a diagonal laser length measuring device 7 to determine the difference from the normal position. Next, based on this difference and the memory of the above-mentioned relative position m-frame difference, the fine alignment stage 6f: Step, Y step is performed to perform correction positioning operations of 0 or more to align the wafer 1 and mask 2. will be aligned in the correct position and illuminated by X@. Hereafter, the same process is repeated.
本夷例では、粗アライメントステージ５と精アクイメン
トステージがそれぞれ別々に配置され、又、これ等の位
置測長も雛−のレーザ測長 ゛器７で実施してい
るため、従来例のごとき問題が生ずることがなく、正確
のアライメントが可能となる。又、制御装置１［よシ記
憶された補正値で位置補正音自動的に行なうこと、およ
び最後の微細位置決めのみを精アライメントステージ６
にて行なうことにより、迅速なアライメントが可能とな
る。In this example, the coarse alignment stage 5 and the fine alignment stage are arranged separately, and the position and length measurement of these stages is also carried out using the laser length measurement device 7, which is similar to the conventional example. Accurate alignment is possible without any problems. In addition, the controller 1 automatically performs a position correction sound using the stored correction values, and the fine alignment stage 6 performs only the final fine positioning.
By performing the alignment, quick alignment is possible.
以上のＲＥＡＫて明らかのことく、本発Ｑｌよればウェ
ハとマスクの７ライメントが高精ｆにかつ高速にできる
効果を上げることができる。As is clear from the above REAK, according to the Ql of the present invention, it is possible to achieve the effect of performing 7 alignments between the wafer and the mask with high precision f and at high speed.
【図面の簡単な説明】
謝１図は本発明の実施例のアライナ装置の全体構成を示
す構成図、第２図は第１図のアライナ装置によるＸ＠藤
光状Ｕｔ表示する説明図、第５図はマスクを微動する由
縁ガイド機構を示す平面図、第４図は第６図のＡ−Ａ＃
ｌＴ面図である。
１・・・ウェハ ２・・・マスク５・・・検
出器Ｈ４−・・光学、ｖ’ｓ−５・・・粗アライメント
ステージ
６・・・精アフイメントステージ
７・・・レーザ測長器 ８・・・検出１桝９・・・
光学系に） １０・・・Ｘ線源１５・・・ベー
ス １４・・・干渉計１５．１６・・・反射
鏡１７・・・ベリラム窓１８・・・レーザ光
１９・・・発光源２１、２１’・・・ステージ
２２、２２’、 ２５．２５’・・・固定ベース２５、
２５’、 ２６．２６’・・・連接棒２４．２７・・・
電歪素子
Ｙ １ ｇ
第２図
島 ３ 口
メ４図[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] Figure 1 is a block diagram showing the overall configuration of the aligner device according to the embodiment of the present invention, Figure 2 is an explanatory diagram showing the X@Fujiko shape Ut displayed by the aligner device of Figure 1, and Figure 5 The figure is a plan view showing the edge guide mechanism that slightly moves the mask, and Figure 4 is A-A# in Figure 6.
It is an IT view. 1... Wafer 2... Mask 5... Detector H4-... Optical, v's-5... Rough alignment stage 6... Fine alignment stage 7... Laser length measuring device 8 ...Detection 1 square 9...
10...X-ray source 15...Base 14...Interferometer 15.16...Reflector 17...Berylum window 18...Laser beam
19... Light source 21, 21'... Stage 22, 22', 25.25'... Fixed base 25,
25', 26.26'...Connecting rod 24.27...
Electrostrictive element Y 1 g Figure 2 Island 3 Mouth meter Figure 4
Claims (1)
装置し、Ｘ、Ｙ方向に移動するＸおよ（ｉＹステージと
からなる粗アライメントステージと、マスクを取着する
と共に、これをＸ、Ｙ方向に微動させる直線ガイド機構
を有する精アライメ／トステージと全備え、これ等の精
、粗アライメントステージを用いて、ウェハとマスクと
の相対位置斜長を無−の測長器で予め検出し九のち、前
記粗アライメントステージによって位置決めし九ウェハ
とマスクの位置１差を、前記測長器にて測定し、この測
定値と前記した相対位置ｌａ差の検出値とを基にして、
前記精アライメントステージによってウェハとマスクの
アライメントｔし、Ｘ縁藤光をするようにしたＸ線アラ
イナのアライメント方法。A rotating stage on which a wafer is placed and this rotating stage t-
a coarse alignment stage consisting of an Using these precision and coarse alignment stages, the relative positional oblique length of the wafer and mask is detected in advance with a non-linear length measuring device, and then the coarse alignment stage is used to position the wafer and the mask. 1 position difference is measured with the length measuring device, and based on this measurement value and the detected value of the relative position la difference described above,
An alignment method for an X-ray aligner, in which a wafer and a mask are aligned using the fine alignment stage and X-edge alignment is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010005A JPS58128735A (en) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | Alignment of x-ray aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010005A JPS58128735A (en) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | Alignment of x-ray aligner |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128735A true JPS58128735A (en) | 1983-08-01 |
| JPS632137B2 JPS632137B2 (en) | 1988-01-18 |
Family
ID=11738290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57010005A Granted JPS58128735A (en) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | Alignment of x-ray aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128735A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH07209876A (en) * | 1995-01-30 | 1995-08-11 | Canon Inc | X-ray transfer device and method |
| US5443932A (en) * | 1988-09-30 | 1995-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
Families Citing this family (1)
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| JPH01187434A (en) * | 1988-01-22 | 1989-07-26 | Mc Sci:Kk | Thermal machine analyzing device |
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| JPS51111076A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Exposure device |
| JPS541553A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-08 | Toshiba Corp | Group management control method of elevator |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP57010005A patent/JPS58128735A/en active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS632137B2 (en) | 1988-01-18 |
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