JPS58125246U - 磁気抵抗ヘツドを有する装置 - Google Patents

磁気抵抗ヘツドを有する装置

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JPS58125246U
JPS58125246U JP2158182U JP2158182U JPS58125246U JP S58125246 U JPS58125246 U JP S58125246U JP 2158182 U JP2158182 U JP 2158182U JP 2158182 U JP2158182 U JP 2158182U JP S58125246 U JPS58125246 U JP S58125246U
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JP
Japan
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magnetic field
magnetoresistive
magnetoresistive element
magnetoresistive head
medium
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Application number
JP2158182U
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English (en)
Inventor
竹浦　亨
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す磁気抵抗素子部め構造
図、第２図は本考案の一実施例を示す磁気ヘッド断面図
、第３図は本考案の原理を示す磁気抵抗素子の抵抗変化
ΔＲと磁場Ｈの関係を表した磁気抵抗効果特性を示した
説明図、第４図は本考案の原理を示す出力波形図、第５
図は本考案の他の実施例を示す磁気抵抗素子部の構造図
である。 １、　２．　９．　１０・・・・・・磁気抵抗素子、３
，４゜１１．１２・・・・・・磁気抵抗ヘッド出力電極
、５，６゜７、　１３．　１４．　１５．　１６．　１
７・・・・・・バイアス手段を与える電極、８・・・・
・・媒体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 磁気記録媒体上の情報を表わす磁界を検出するための磁
    気抵抗素子と検出用導体からなり、該素子に情報トラッ
    クの中央部で互いにバイアス磁界が補角となるようにバ
    イアス磁界を与える手段とＨｋの異なる２つの磁気抵抗
    素子を設け、媒体からのもれ磁界が片方の磁気抵抗素子
    の飽和磁界より小さく、他方の磁気抵抗素子の飽和磁界
    より大きいことを特徴とする磁気抵抗ヘッドを有する装
    置。
JP2158182U 1982-02-19 1982-02-19 磁気抵抗ヘツドを有する装置 Pending JPS58125246U (ja)

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JPS58125246U true JPS58125246U (ja) 1983-08-25

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ID=30033699

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