JPS58124202A - 抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents

抵抗素子及びその製造方法

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JPS58124202A
JPS58124202A JP57007928A JP792882A JPS58124202A JP S58124202 A JPS58124202 A JP S58124202A JP 57007928 A JP57007928 A JP 57007928A JP 792882 A JP792882 A JP 792882A JP S58124202 A JPS58124202 A JP S58124202A
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JP
Japan
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resistor
resin
layer
wear
resistance element
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Pending
Application number
JP57007928A
Other languages
English (en)
Inventor
長島 健二
博 松本
洋 大平
岩瀬 暢男
博光 竹田
英一 馬場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 この発明はプラズマ溶射によシ形成される抵抗素子及び
その製造方法に関する。
発明の技術的背景 従来、電子回路の小型化金目的として印刷技術を駆使し
た抵抗体が広く使われている。その代表的なものとして
、高温焼成(760℃)によるRuO系の抵抗体、低温
焼成(650℃)によるRu02系の抵抗体、レジンを
ベースにした低温焼成(150℃)によるカー?ン抵抗
体、プラズマ溶射による抵抗体がある。′これらの抵抗
体には、それぞれ長所、短所があり使用目的によυ使い
分けられている。高温焼成によるものは、焼成源一度が
高いので、抵抗経時変化が少なく安定性に優れているが
、貴金属の導体と組合せて形成するので高価格になる。
低温焼成によるものは、主としてホーロー基板の耐熱に
合せた温度で焼成できるガラスフリットを入れておシ、
高温焼成によるものに準する安定性を有しているが、こ
れもやはり貴金属と組合せて形成するので高価格になる
また、レジンをペースとしたカーボン抵抗は、フェノー
ル板やガラスエポキシ板等の耐熱温度の低い基板上に形
成するあに使用されるもので、低価格であるが安定性に
問題がある。
プラズマ溶射による抵抗体は、大きな基板でも処理が可
能で、量産性があり、なおかつ材料としてはNi Cr
 、MoS 12等、導体としてはCuIN++八を等
の卑金属で形成するので低価格となる。
このプラズマ溶射による抵抗体を形成する支持基板とし
ては、プラスチック、ガラス、セラミック等の絶縁体で
あれば良い訳であるが、溶射抵抗体の基板への接着強度
の点から考えると、いずれの場合でも10〜30μ?n
の粗さが必要である。基板上に熱損失の大きな素子が組
込まれ放熱を必要とする場合には、例えば金属基板上に
At206(アルミナ)、MgO、スピネル等のセラミ
ックを溶射して絶縁層を設け、この絶縁層上に溶射によ
る抵抗体を形成することもできる。
このようにして形成された溶射抵抗体は、一般に10チ
程度の連結した穿孔が存在する上にファインクラックが
発生しており、経時変化が大きくなってし捷う・。そこ
で、樹脂を溶射抵抗体に含浸させると経時変化を小さく
押えることが可能となる。溶射抵抗体の電極や導体配線
は、抵抗体と同様に溶射で形成すると、材料はCu。
Ni  等の卑金属でよい上に量産性のある製造方法が
とられる。このように、抵抗体、導体共にプラズマ溶射
で形成するとプロセス的にも好都合である。
背景技術の問題点 第1図(a)は樹脂金没前の抵抗素子の断面を示すもの
で、1は支持基板、2は抵抗体、3はこの抵抗体2の電
極である。この抵抗素子に前述のように樹脂4を含浸さ
せると、第1図(b)に示すように抵抗体2と同時に電
極3にも樹脂4が含浸される。それは、抵抗体2の表面
が樹脂4により滑らかになるので、抵抗体2のみ先に樹
脂含浸してから電極3を溶射により形成できないからで
ある。
樹脂を含浸し硬化させた後の電極30表面には樹脂4が
残っているためぬれ性が悪い。従って、この電極3に例
えばリード線を接続させようとしても、半田付けができ
ない。このため、半田付けの前工程としてザンドペーパ
等による研摩工程が必要である。
5− しかしながら、この研摩の際に抵抗体20表面本同時に
削シ取られ、抵抗値が変ってしまうことがある。
発明の目的 この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、研摩の際に抵抗体表面が削り取られることがなく、
抵抗値の安定した抵抗素子及びその製造方法を提供する
ことにある。
発明の概要 この発明は、抵抗体及び導電体層をプラズマ溶射により
形成した後、さらにこの抵抗体上に耐摩耗性のセラミッ
ク層を同じくプラズマ溶射によ多形成し、これら各層に
熱硬化性樹脂を含浸し硬化させた後、表面を研摩するも
のである。
発明の実施例 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
先ず、第2図(a)に示すように、4 Q X 50”
を厚さ=25″l+11 のアルミニウム板11の表面
をサンドブラストで20〜30μの凸凹で荒らし、粒径
5〜50μmのアルミナ粉末をプラズマ溶射て100〜
l 50 ttm 堆積させる。しかる後、NiCr粉
末を金属マスクを通してプラズマ溶射し、厚さ20μm
の抵抗体12を形成する。同様に、Cuをプラズマ溶射
し、厚さ100μmの電極13をその端部が抵抗体12
の端部と接続するように形成する。次に、プラズマ溶射
によシ抵抗体12上に耐摩耗性のあるセラミック、例え
ばアルミナ粉末を金属マスクを通してプラズマ溶射し、
厚さ50μmのセラミ、り層14を形成する。
次に、第2図(b)に示すように、抵抗体12、電極1
3及びセラミック層14の形成されたアルミニウム板1
ノを100℃で加熱し、熱硬化性樹脂、例えばエポキシ
樹脂15を含浸し、5〜10分間放置する。しかる後、
電極13及びセラミック層14の表面に残った樹脂15
を拭き4yす、200℃で1時間硬化させる。
硬化の後、第2図(c)に示すように、電極13及びセ
ラミック層140表面をサンドペーパで研摩し、樹脂1
5を完全に除去する。その後、第2図(d)に示すよう
に電極13上に、例えば他の電極に接続するリード線1
6の一端を半田17付は接続する。なお、この接続はリ
ード線16の他にデンディングワイヤ等であってもよい
。すなわち、この抵抗素子においては、研摩の際に、抵
抗体12は耐摩耗性のセラミック層14で覆われている
ため、抵抗体12自体は削り取られることがなく、抵抗
値の変化は起らない。
尚、上記実施例においては、熱硬化性樹脂としてエポキ
シ樹脂15を用いて説明したが、これに限らず、その他
アクリル樹脂、フェノール樹脂等であってもよいことは
勿論である。
発明の効果 以上のようにこの発明によれば、抵抗体を耐摩耗性層で
保護した後、樹脂を含浸し硬化させ、しかる後表面研摩
を行うようにしたので、抵抗体が削シ取られることがす
く、抵抗値の安定した抵抗素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) (b)は従来の抵抗素子製造工程を示す
断面図、第2図(、)〜(d)はこの発明の一実施例に
係る断面図である。 11・・・アルミニウム板、12・・・抵抗体、13・
・・電極、14・・・セラミック層、15・・・熱硬化
性エポキシ樹脂、16・・・リード線、17・・・半田
。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦9− 第7図 第2図 4 第2図 1ム 川崎市幸区小向東芝町1番地東 京芝浦電気株式会社総合研究所 内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)支持基板と、この支持基板上に形成された抵抗体
    と、端部が前記抵抗体の端部と接続するように前記支持
    基板上に形成された導電体層と、前記抵抗体を覆うよう
    に形成された耐摩耗性層とを具備し、前記抵抗体、導電
    体層及び前記耐摩耗性層に樹脂が含浸されていることを
    特徴とする抵抗素子。
  2. (2)前記耐摩耗性層は:セラミック層であシ、このセ
    ラミック層と前記抵抗体とはそれぞれプラズマ溶射で形
    成されている特許請求の範囲第1項記載の抵抗素子。
  3. (3)前記樹脂は熱硬化性樹脂である特許請求の範囲第
    1項又は第2項記載の抵抗素子。
  4. (4)プラズマ溶射によシ、支持基板上−に抵抗体を形
    成すると共に、この抵抗体とその端部同志が接続するよ
    うに同支持基板上に導電体層を1− 形成し、さらに同抵抗体を覆うように耐摩耗性層を形成
    する工程と、前記抵抗体、導電体層及び耐摩耗性層にそ
    れぞれ樹脂を含浸させ、硬化させる工程と、前記樹脂を
    硬化させた後、前記導電体層及び前記耐摩耗性層の表面
    を研摩する工程と、前記研摩の後、前記導電体層と他の
    導電体層とを電気的接続手段によシ接続させる工程とを
    具備したことを特徴とする抵抗素子の製造方法。
  5. (5)  前記耐摩耗性層はセラミック層である特許請
    求の範囲第4項記載の抵抗素子の製造方法。
  6. (6)前記樹脂は熱硬化性樹脂でおる特許請求の範囲第
    4項又は5項記載の抵抗素子の製造方法。
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