JPS58122541A - Projection exposing device - Google Patents

Projection exposing device

Info

Publication number
JPS58122541A
JPS58122541A JP57005052A JP505282A JPS58122541A JP S58122541 A JPS58122541 A JP S58122541A JP 57005052 A JP57005052 A JP 57005052A JP 505282 A JP505282 A JP 505282A JP S58122541 A JPS58122541 A JP S58122541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
optical system
mask pattern
displacement meter
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57005052A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryuichi Funatsu
隆一 船津
Minoru Ikeda
稔 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57005052A priority Critical patent/JPS58122541A/en
Publication of JPS58122541A publication Critical patent/JPS58122541A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make a wafer surface coincide with a surface of a projection image-formation of a mask pattern, by securing the height of plural positions of the wafer surface by disposing a noncontacting displacement meter at the part positioning the wafer surface and controlling so that the approximate plain surface calculated by this data is made to coincide with the desired virtual-plain surface. CONSTITUTION:The height of plural positions on the surface of a wafer 1 placed on a table 13 is measured without contacting by making a reciprocal scanning on a noncontacting displacement meter 21. The table 13 on which the wafer 1 is placed, is provided on 3 layered electrostriction elements 20, and the elements 20 and the displacement meter 21 are interlocked by a controlling circuit of the table consisting of an A/D transducer 28, a computer 29, a D/A transducer 30 and an electrostriction element driver 31, and the degree of balance of the table 13 is adjusted. While, the extent of shift between the wafer surface and the surface of a projection image-formation of a mask pattern is detected optically and is fed back to the meter 21, and further the degree of balance of the table 13 is adjusted.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、・マスクパターンをウェハ表面に投影結像さ
せて、パターン転写を行なう装置の改良に係り、特にマ
スクパターンの投影結像面とウニ八表面とを完全に一致
させ、解像度をよくした投影露光装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to the improvement of an apparatus for performing pattern transfer by projecting and image-forming a mask pattern onto a wafer surface, and in particular, the present invention relates to an improvement in an apparatus that performs pattern transfer by projecting and image-forming a mask pattern onto a wafer surface, and in particular, it is possible to completely separate the projection image-forming plane of the mask pattern and the surface of the wafer. This invention relates to a projection exposure apparatus with improved resolution.

半導体ウェハ(以下単にウェハという)の表面に微細な
回路パターンを加工するために1表面に感光性薄膜が塗
布されたウェハに1マスクパターンを投影結像し転写す
るプロジェクタ1ン・マスクアライメント装置がある。
In order to process fine circuit patterns on the surface of semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as wafers), a projector/mask alignment device is used to project, image, and transfer one mask pattern onto a wafer whose surface is coated with a photosensitive thin film. be.

この装置において、ウェハ表面上にマスクパターンを解
像度よく投影結曹するためには、結像面の焦点深度以内
にウェハ表面を正確に位置決めし、マスクパターンをウ
ェハ表面上へ投影□ するのに高精度の焦点合わせが最
も重要な技術的要素となる。
In order to project and form a mask pattern onto the wafer surface with high resolution in this equipment, the wafer surface must be accurately positioned within the depth of focus of the imaging plane, and the mask pattern must be projected onto the wafer surface at a high height. Accurate focusing is the most important technical element.

さらにまた、ICやLSIの生産面から他の技術との関
連において、高い処理能力も同時に要求される。
Furthermore, in connection with other technologies from the production side of ICs and LSIs, high processing capacity is also required.

先ず、プロジェクシ冒ン・マスクアライメント装置の概
要を第1図によって説明する0図において、ウニノ11
およびマスク2は、それぞれ両者のパターン合せを行な
うために、テーブル3と4に搭載保持されており、さら
にこのテーブル3と4は、エアベアリングガイド(図示
省略)を介して左右に動作可能なように石l定盤5上に
搭載された走行テーブル6上に搭載されている(駆動部
は図示省略)。投影光学系7、アライメント光学系8.
ウニノ・表面位置決め部9も石定盤5上に搭載されてい
るn石定盤6の下部に設けられた愼光光源10より出た
紫外光で、マスク2を下部より照明し、投影光学系フに
よって、ウニノ・1上にマスク2のパターンを結像させ
るものである0アライメント光学系8の対物レンズ11
の先端には、ノ1−7ミラー12が設けられており、と
のノ為−7ミラー12を透過してマスク、パターンがウ
ーエハ1上に結像される。
First, in Figure 0, which explains the outline of the projection mask alignment device using Figure 1,
and mask 2 are mounted and held on tables 3 and 4, respectively, in order to match their patterns, and furthermore, these tables 3 and 4 are movable left and right via air bearing guides (not shown). It is mounted on a traveling table 6 mounted on a stone surface plate 5 (the driving part is not shown). Projection optical system 7, alignment optical system 8.
The surface positioning unit 9 also illuminates the mask 2 from the bottom with ultraviolet light emitted from the UV light source 10 provided at the bottom of the stone surface plate 6 mounted on the stone surface plate 5, and the projection optical system The objective lens 11 of the alignment optical system 8, which images the pattern of the mask 2 on the Uni-No.
A 1-7 mirror 12 is provided at the tip of the wafer 1, and the mask and pattern are imaged onto the wafer 1 by passing through the 7-mirror 12.

従って、アライメント光学系8により、ウェハl上のパ
ターンおよびウェハl上に投影結1されたマスj・パタ
ーンを同時に観察し、パターン合わせを行なう。
Therefore, the alignment optical system 8 simultaneously observes the pattern on the wafer l and the mass j pattern projected onto the wafer l, and performs pattern alignment.

なお、このパターン合わせを行なう際は、露光源lOか
らの光から紫外線成分をフィルターなどで除去しておく
Note that when performing this pattern matching, ultraviolet components are removed from the light from the exposure source 10 using a filter or the like.

従来のウェハの位置決めは、第2図に示すようにして行
なわれていた。
Conventional wafer positioning was performed as shown in FIG.

即ち、前記した走行テーブル6を左方向に移動させ、ウ
ェハ表面位置決め部9の下方にウェハ1を設置する。搭
載台13上に搭載されたウェハlは、空間16に真空圧
を供給することにより吸着固定される。さらにこの搭載
台13は、その下部を球面軸受14で支持され、ウニへ
表間の平行出しができる構造となっている。平行出し終
了後は、球面軸受14の下部空間15に真空圧を供給し
、吸着固定する。
That is, the traveling table 6 described above is moved to the left, and the wafer 1 is placed below the wafer surface positioning section 9. The wafer l mounted on the mounting table 13 is fixed by suction by supplying vacuum pressure to the space 16. Further, this mounting table 13 is supported at its lower part by a spherical bearing 14, and has a structure that allows the surface to be parallel to the sea urchin. After the parallelization is completed, vacuum pressure is supplied to the lower space 15 of the spherical bearing 14 to fix it by suction.

一方、ウニノ・1の上方に設置されるウェア1表面位置
決め部9は、3本のピンlツが取り付けられたプレー)
 1Bと、このプレー) 18の平行度を調整する機構
(図示省略)とより構成されている0 第2図の状態において、ステージ3上に設置された上下
軸19を、ノクルスモータ躯動のボールネジ送り機構(
図示省略)により上昇させ、ウェハ1の表面を3本のビ
ンエフに押し当てる。なおピン17は、ウニノー1の周
辺部3ケ所に当るように配設されているため、ウニノ・
搭1台13下部の球面軸受14の働きによシ、ウニノ・
lの表面と3本のピン1フが形成する平面とを一致させ
る0このようにして、ウニノ・lの表面平行度を調節し
た後、上下軸19を下げ、あらかじめ設定した仮想平面
(マスクパターンの投影結像面)とウェハ表面とを一致
させ、投マスクツくターンをウニノ・表面に転写するよ
うにしていた。
On the other hand, the wear 1 surface positioning part 9 installed above the Unino 1 has three pins attached to it.
In the state shown in Fig. 2, the vertical axis 19 installed on the stage 3 is moved by the ball screw feed of the Noculus motor. mechanism(
(not shown) to press the surface of the wafer 1 against three BIN-Fs. Note that the pins 17 are arranged so as to hit three points around the periphery of the Unino 1, so the
Due to the action of the spherical bearing 14 at the bottom of the tower 13,
Coinciding the surface of l with the plane formed by the three pins 1F After adjusting the surface parallelism of Unino l in this way, lower the vertical axis 19 and align the plane formed by the preset virtual plane (mask pattern). The projection image plane) was made to coincide with the wafer surface, and the projection mask's curves were transferred onto the surface of the wafer.

このように従来技術においては、仮想平面とウェハの表
面とを一致させるいわゆる間接的な焦点合わせであるた
め、マスクパター ン投影結像面の位置の測定誤差や、
投影光学系フやウェハ表面位置決め部9の取シ付位置の
ドリフトによる焦点面のズレなどの影餐を受は易く、安
距した解像度を得ることが困難であるという欠点があっ
た。これに伴なって製品の歩留りが悪いという欠点も有
する。
In this way, in the conventional technology, since the virtual plane and the surface of the wafer are aligned so-called indirect focusing, there is a possibility of measurement errors in the position of the mask pattern projection image plane,
It is easy to suffer from problems such as focal plane deviation due to drift of the mounting position of the projection optical system or the wafer surface positioning section 9, and it has the disadvantage that it is difficult to obtain a low resolution. Along with this, there is also a drawback that the yield of the product is poor.

本発明は、従来の上記欠点を解決した投影露光装置を提
供せんとするものである。
The present invention aims to provide a projection exposure apparatus that solves the above-mentioned conventional drawbacks.

即ち本発明は、ウェハ表面位置決め部に非接触変位計を
設け、この非接触変位針によって、ウニ八表面複数個所
の高さを求め、このデータにより近似平面を算出する。
That is, in the present invention, a non-contact displacement meter is provided in the wafer surface positioning section, the heights of a plurality of locations on the surface of the sea urchin are determined using this non-contact displacement meter, and an approximate plane is calculated from this data.

このようにして求めた平面が、希望する仮想平面(マス
クパターン投影結像面)と一致するように、搭載台と非
1接触変位計とを連係する制御回路によって、ウェハを
搭載した搭載台の平行度を調節し、ウェハと、仮想平面
とを一致させる。このようにし、て位置決めしたウェハ
を、走行テーブルによってアライメント光学系のハーフ
ミラ−の下部に2移行させ、ウェハ表面と、マスクパタ
ーンの投影結像面とのズレ量を光学的に検出して算出し
上記非接触変位計にフィードバックして、制御回路によ
ってさらに搭載台の平行度を調節し、ウェハ表面と、マ
スクパターンの投影結像面との間の直接的な誤差の補正
を行ない、ウェア1表面とマスクパターンの投影結像面
とを完全に一致させたことを特徴とするものである。
A control circuit that links the mounting table and a non-single-contact displacement meter controls the mounting table on which the wafer is mounted so that the plane obtained in this manner coincides with the desired virtual plane (mask pattern projection imaging plane). Adjust the parallelism to align the wafer with the virtual plane. The wafer thus positioned is moved to the lower part of the half mirror of the alignment optical system by the traveling table, and the amount of deviation between the wafer surface and the projection image plane of the mask pattern is optically detected and calculated. Feedback is sent to the non-contact displacement meter, and the control circuit further adjusts the parallelism of the mounting base to correct direct errors between the wafer surface and the projection image plane of the mask pattern. This is characterized in that the projection image plane of the mask pattern and the projection image plane of the mask pattern are completely aligned.

以下図に示した実施例をもとに、その詳細を説明する。The details will be explained below based on the embodiment shown in the figures.

先ず詳細な説明に当って、投影光学系7.アライメント
光学系89石定盤5.走行テーブル6、ウェハlおよび
マスク2のテーブル3.4およびウェハ表面位置決め部
9の構成は第1図で説明したのと同じであるので、ここ
での説明は省略する0 第3図において、ウェア・表面位置決め機構を説明する
。図において、21け、ウェアN1の表面の複数個所の
高さを非接触で計測する非接触変位計であって、第4図
にも示すように、ガイドバー23に対し、直動のローラ
ーガイド24を介して取シ付けられており、駆動部25
によって第4図に示す範囲26を往復走査するようにな
っているO13は搭載台であって、ウェハ1を空間16
に与えられる真空圧によって吸着固定し、周辺3ケ所を
支持する3ケの積層型電歪素子20(2ケのみ図示)を
介して、テーブル3上に設置されている。この積層型電
歪素子20と、非接触変位計21とは、タメ換器28.
コンピュータ29 、D/A変換器30.および電歪素
子ドライバ31とから成る搭載台制御回路によって連係
きれ、非接触変位計21の出力値に基づいて積層型電歪
素子20を駆動し、搭載台13の平行度を調整する。ま
た走行テーブル6は、第4図に示すように、エアーパッ
ド27によってガイドされ、非接触変位計21の移動方
向26にクロスするように(第4図紙面と垂直方向)移
動する。このようにクロスする二つの動作によって、第
5図に示すようにウェハ1の全面における変位を計測す
るように表っている。k!、6図はアライメント光学系
を示したものであって、アライメント光学系8は、ハー
フミラ−12,対物レンズ11.ミラー35.リレーレ
ンズ36.およびリニアイメージセンサ33より構成さ
れ、ウェハの近似平面32上の像が、リニアイメージセ
ンサ33上に結像されるようにこれらの構成要素は、組
まれている。なお平面34け゛投影光学系7により、マ
スクパターンが結像す。
First, for a detailed explanation, the projection optical system 7. Alignment optical system 89 stone surface plate 5. The configurations of the traveling table 6, the table 3.4 of the wafer 1 and the mask 2, and the wafer surface positioning section 9 are the same as those explained in FIG. 1, so their explanations are omitted here. - Explain the surface positioning mechanism. In the figure, number 21 is a non-contact displacement meter that measures heights at multiple locations on the surface of wear N1 in a non-contact manner, and as shown in FIG. 24, and the drive unit 25
O13 is a mounting table which reciprocates the range 26 shown in FIG.
It is installed on the table 3 via three laminated electrostrictive elements 20 (only two are shown) which are fixed by suction by the vacuum pressure applied to the periphery and supported at three positions around the periphery. The laminated electrostrictive element 20 and the non-contact displacement meter 21 are connected to a torque changer 28.
Computer 29, D/A converter 30. and an electrostrictive element driver 31, the laminated electrostrictive element 20 is driven based on the output value of the non-contact displacement meter 21, and the parallelism of the mounting table 13 is adjusted. Further, as shown in FIG. 4, the traveling table 6 is guided by an air pad 27 and moves so as to cross the moving direction 26 of the non-contact displacement meter 21 (in a direction perpendicular to the plane of FIG. 4). As shown in FIG. 5, the displacement of the entire surface of the wafer 1 is measured by these two crossing operations. k! , 6 shows an alignment optical system, and the alignment optical system 8 includes a half mirror 12, an objective lens 11 . Mirror 35. Relay lens 36. and a linear image sensor 33, and these components are assembled so that an image on the approximate plane 32 of the wafer is formed on the linear image sensor 33. Note that the mask pattern is imaged by a flat 34-digit projection optical system 7.

る平面である。It is a flat plane.

以上のように構成した本実施例の作用を以下説明する。The operation of this embodiment configured as above will be explained below.

先ずウェハ表面位置決め部9において、第3図に示すよ
うに、非接触変位21からの出力を、A/D変換器2日
で処理した後、コンピュータ29に取り込み、ウェア・
1の複数個所における高さを求める。このデータを基に
、最小自乗法によってウェハ表面の近似平面32を求め
、これとあらかじめ求めておいたマスクパターン結像平
面との差を計算し、これらを一致させるような各積層電
歪素子20の駆動量を算出する。以上をコンピータ29
で処理し、妬変換器30を。
First, in the wafer surface positioning section 9, as shown in FIG.
Find the height at multiple locations of 1. Based on this data, the approximate plane 32 of the wafer surface is determined by the least squares method, the difference between this and the mask pattern imaging plane determined in advance is calculated, and each laminated electrostrictive element 20 is arranged such that these planes match. Calculate the amount of drive. Computer 29
and the envy converter 30.

介した後、電歪素子ドライバ31に入力し、各積層電歪
素子20を駆動し、ウェハ1の表面と、あらかしめ求め
ておいたマスクパター、ン結倫平面とを一致させる。こ
のようにして、ウェハ表面をあらかじめ求めておいたマ
スクパターン結像面と一致させた後、ウェハlが72イ
メント光学系8のハーフミラ−12の下にくるまで、走
行面 テーブル6を移動させる。この状態を第6吟(α)図と
する。次にウェハの近似平面32がウェハlの表面と一
致するように、アライメント光学系8の焦点位置を移動
させる。この操作は対物レンズ11.またはリレーレン
ズ36を光軸方向に移動させることによって行なうこと
ができる0ζ1ハ の状態を第6ψCb)に示す。
After that, the information is input to the electrostrictive element driver 31 to drive each laminated electrostrictive element 20 to match the surface of the wafer 1 with the previously determined mask pattern and plane. After the wafer surface is made to coincide with the previously determined mask pattern imaging plane in this manner, the traveling surface table 6 is moved until the wafer l is located below the half mirror 12 of the 72-ment optical system 8. This state is referred to as Figure 6 (α). Next, the focal position of the alignment optical system 8 is moved so that the approximate plane 32 of the wafer coincides with the surface of the wafer l. This operation is performed using the objective lens 11. Alternatively, the state of 0ζ1c, which can be achieved by moving the relay lens 36 in the optical axis direction, is shown in 6th ψCb).

次にウェハ1と平面32とを同期させて動かし光学系フ
によシ、マスクパターンか結像されたマスクパターン結
像面34と、ウェハ1の表1i11との一致を検出する
。この面の一致を検出する合焦点の判別方式として、例
えば、試料面の儂)η が、第7+(α)量のようなライン状パターン37の場
合を例に説明する。この場合のリニアイメージセンサ3
3の出力は、第7図+(b)となる。ここで、平面32
または検出すべき像面を光軸方向に動かし、第7図痔(
幻の波高値△がピークとなる点を探る。これを最適焦点
合せ状態という。
Next, the wafer 1 and the plane 32 are moved synchronously and the optical system detects whether the mask pattern imaging surface 34 on which the mask pattern is imaged matches the table 1i11 of the wafer 1. As an example of a focusing point discrimination method for detecting the coincidence of these surfaces, a case will be described in which the sample surface η is a linear pattern 37 such as the seventh +(α) quantity. Linear image sensor 3 in this case
The output of 3 is as shown in FIG. 7+(b). Here, plane 32
Alternatively, move the image plane to be detected in the optical axis direction and
Find the point where the phantom wave height value △ peaks. This is called the optimal focusing state.

この動作をマスクパターン結像面34と、ウェハlの表
面パターンに対して実行し、第6図に示すプロセスで両
者の面の合焦点の判別を行なう。このようにして、合焦
点の判別を行なうことによって、平面34とウェハ1の
表面とのズレ量を求め、ウェハ表面の位置決めを行なう
、搭載台制御回路にフィードバックし、誤差を修正する
This operation is performed on the mask pattern imaging surface 34 and the surface pattern of the wafer I, and the focal point of both surfaces is determined in the process shown in FIG. By determining the focal point in this manner, the amount of deviation between the plane 34 and the surface of the wafer 1 is determined, and this is fed back to the mounting stage control circuit that positions the wafer surface to correct the error.

この誤差修正動作を毎回実行してもよいことは勿論であ
るが、この光学的焦点合わせ動作だけ定期的に実行し、
誤差修正を定期的に行なうことによって、時間の短縮を
計ることも可能である。
Of course, it is possible to perform this error correction operation every time, but it is also possible to perform only this optical focusing operation periodically.
It is also possible to save time by periodically correcting errors.

また、ウェハ表面の計測は、ウェハ表面の複数個所を測
定できればよいのであるから、本実施例のように1ケの
素子で走査計測、するものに限定されるものではなく、
第8図に示すように複数個の素子を取シ付け、固定した
構造であってもよい。
Furthermore, since the measurement of the wafer surface only needs to be able to measure multiple locations on the wafer surface, it is not limited to scanning measurement using one element as in this embodiment.
As shown in FIG. 8, a structure in which a plurality of elements are mounted and fixed may be used.

また、合焦点検出用パターンは、第 t、示す複数本の
平行ラインパターンの方が、一本のラインよシも検出感
度を高くとることができん以上詳述した通シ本発明によ
れば、ウェハ表面位置決め部に非接触変位針を設け、こ
の非接触変位計によってウェハ表面複数個所の高さを求
め、このデータにより近似平面を算出し、との近似平面
と、あらかじめ求めたマスクパターン投影結像面とが一
致するように、制御回路によってウェハ搭載台の平行度
を調節し、さらにアライメント光学系によって、光学的
にマスクパターンの投影結像面とのズレ量を検出して、
制御回路にフィードバックして、誤差修正を行なうよう
にしたので、投影光学系くよって投影されたマスクパタ
ーンの投影結像面と、ウェハ表面とを直接的に一致させ
ることができ、解像度の廃い転写が可能となり、製品の
歩留りを向上させることができた0また、誤差修正動作
を定期的に行なうことにより、ウニノ・の表面調整時間
が短縮され、1つ誤差修正動作を定期的に行なうことに
より、マスクパターンの投影結像面とウェハ表面とを直
接的に一致させることができ、解像度の高い転写を高速
に処理することができるなど、製造面において本多大の
効果を有するものである0
In addition, as for the in-focus point detection pattern, the detection sensitivity of the plurality of parallel line patterns shown in the t-th line cannot be higher than that of a single line.According to the present invention described in detail above, A non-contact displacement needle is provided in the wafer surface positioning section, and the heights of multiple locations on the wafer surface are determined using this non-contact displacement meter. An approximate plane is calculated from this data, and the approximate plane and the mask pattern projection result obtained in advance are calculated. A control circuit adjusts the parallelism of the wafer mounting table so that the image plane is aligned with the image plane, and an alignment optical system optically detects the amount of deviation of the mask pattern from the projection image plane.
Since the error is corrected by feeding back to the control circuit, it is possible to directly match the projection image plane of the mask pattern projected by the projection optical system with the wafer surface, thereby reducing resolution loss. Transfer is now possible and the yield of products can be improved.0 Also, by periodically performing error correction operations, the surface adjustment time of UNINO is shortened, and error correction operations can be performed periodically. This has many advantages in terms of manufacturing, such as allowing the projection image plane of the mask pattern to directly match the wafer surface and enabling high-resolution transfer processing at high speed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、投影露光装置の概略説明用図、第2図は従来
のウニノ・表面位置決め部の断面図、第3図乃至第9図
は本願実施例であって、第3図はウェハ表面位置決め部
の断面図、第4図は第3図をたて断面して示した図、第
6図はウェハ表面の複数個所の高さを走査している状態
を平面図によって示しだ図、第6図はアライメント光学
系の光路図、第1図は焦点合わせに用いるパターンと検
出出力との関係を示す図、第8図はウェハ表面位置決め
部において、非接触変位計を多数設けた他の実施例を、
ま、た第9図は焦点合わせに用いるパターンを多数設け
、この多数のパターンと検出出力との関係を示す他の実
施例をそれぞれ示した図である。 l・・・ウェス 2・・・マスク  )・・・投影光学
系8・・・アライメント光学系 9・・・ウェハ表面位
置決め部 13・・・ウェハ搭載台 21・・・非接触
変位計20・・・積層型電歪素子 28・・・A/、変
換器 29・・・コンピュータ 3o・・・ルう変換器
 31・・・電歪素子ドライバ。 1人弁理士薄田利幸 第4図 −i5  口 オ T 図 (久) v(b) オ 8 図 21 牙   ブ   図 (αン
FIG. 1 is a schematic explanatory diagram of a projection exposure apparatus, FIG. 2 is a sectional view of a conventional surface positioning unit, and FIGS. 3 to 9 are examples of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the positioning unit; FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of FIG. 3; FIG. Figure 6 is an optical path diagram of the alignment optical system, Figure 1 is a diagram showing the relationship between the pattern used for focusing and the detection output, and Figure 8 is another implementation in which a large number of non-contact displacement meters are installed in the wafer surface positioning section. For example,
FIG. 9 is a diagram showing another embodiment in which a large number of patterns used for focusing are provided and the relationship between the large number of patterns and the detection output is shown. l...Waste cloth 2...Mask)...Projection optical system 8...Alignment optical system 9...Wafer surface positioning section 13...Wafer mounting stand 21...Non-contact displacement meter 20... - Laminated electrostrictive element 28... A/, converter 29... Computer 3o... Ru converter 31... Electrostrictive element driver. One Patent Attorney Toshiyuki Usuda Figure 4-i5 Mouth O T Figure (ku) v (b) O 8 Figure 21 Fang B Figure (α)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] テーブルの上に載置されたウェハを、ウェハ表面位置決
め部の下に位置させ、ウェハ表面の位置決めを行なった
後、走査テーブルによってウェハをアライメント光学系
のハーフミラ−下部に移行させ、投影光学系によって、
マスクのパターンをウェハ上に結像させ、アライメント
光学系によってウェハ上のパターンと投影結像されたマ
スクパターンとを合せて、投影転写する装置において、
上記テーブルを高さ方向および平行度を電気的に調整可
能にし、表面位置決め部に非接触変位計を設け、該非接
触変位計とテーブルの高さ方向および平行度を調整する
調整部とを、制御回路で連係し、一方前記アライメント
光学系を検出素子面上に像を結ぶ試料面の位置を光軸方
向K 11 PJ可能なパターン検出光学系となし、骸
光学系によって検出され九像のコントラストより最適な
焦点合わせ状態を検出し、非接触変位針に入力し、ウニ
へ真面とウェハ表面に投影されたマスクパターン結像面
とを−tcさせることを特徴とする投影露光装置。
After positioning the wafer placed on the table under the wafer surface positioning unit and positioning the wafer surface, the wafer is moved to the lower part of the half mirror of the alignment optical system by the scanning table, and the wafer is moved to the lower part of the half mirror of the alignment optical system by the projection optical system. ,
In an apparatus that images a mask pattern onto a wafer, aligns the pattern on the wafer with the projected imaged mask pattern using an alignment optical system, and performs projection transfer.
The height direction and parallelism of the table can be electrically adjusted, a non-contact displacement meter is provided in the surface positioning section, and the non-contact displacement meter and an adjustment section that adjusts the height direction and parallelism of the table are controlled. On the other hand, the alignment optical system is connected to the pattern detection optical system that can focus the image on the detection element surface on the sample surface in the optical axis direction K 11 PJ. A projection exposure apparatus characterized by detecting an optimal focusing state, inputting it to a non-contact displacement needle, and causing -tc between the surface directly to the sea urchin and the mask pattern imaging plane projected onto the wafer surface.
JP57005052A 1982-01-18 1982-01-18 Projection exposing device Pending JPS58122541A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57005052A JPS58122541A (en) 1982-01-18 1982-01-18 Projection exposing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57005052A JPS58122541A (en) 1982-01-18 1982-01-18 Projection exposing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58122541A true JPS58122541A (en) 1983-07-21

Family

ID=11600625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57005052A Pending JPS58122541A (en) 1982-01-18 1982-01-18 Projection exposing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58122541A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60108913A (en) * 1983-11-18 1985-06-14 Canon Inc Electrostriction element control device
JPS6321930U (en) * 1986-07-25 1988-02-13
JP2006345941A (en) * 2005-06-13 2006-12-28 S T Chem Co Ltd Mothproof cover

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60108913A (en) * 1983-11-18 1985-06-14 Canon Inc Electrostriction element control device
JPH057726B2 (en) * 1983-11-18 1993-01-29 Canon Kk
JPS6321930U (en) * 1986-07-25 1988-02-13
JP2006345941A (en) * 2005-06-13 2006-12-28 S T Chem Co Ltd Mothproof cover

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3181050B2 (en) Projection exposure method and apparatus
US5117255A (en) Projection exposure apparatus
US5742067A (en) Exposure method and apparatus therefor
US7423726B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US4538914A (en) Transfer apparatus for compensating for a transfer error
TWI654706B (en) Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method
JPH0945608A (en) Surface position detection method
US7283203B2 (en) Roll printer with decomposed raster scan and X-Y distortion correction
KR20180132104A (en) Projection-type exposure apparatus and method
JP2004071851A (en) Semiconductor exposure method and aligner
KR19990045161A (en) Positioning and Projection Exposure Equipment
JPS58122541A (en) Projection exposing device
JP2000021768A (en) Plane position detector and scanning type projection aligner using the detector
JPH0950955A (en) Scanning aligner and exposure method
JPH10209030A (en) Method and apparatus for projection exposure
JP5901655B2 (en) Imprint apparatus and device manufacturing method
JPH0915872A (en) Projection exposing device
JPH08162391A (en) Projection light exposure device
JPH11168050A (en) Exposure method and exposure system
JPH1064808A (en) Mask aligning method and projection exposing method
JPH0356183B2 (en)
JPH10116781A (en) Plane position detector and fabrication of device using it
JPH0328688B2 (en)
KR900001655B1 (en) Light exposure apparatus
JPH08162393A (en) Aligning device