JPS58111387A - Laser diode - Google Patents

Laser diode

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Publication number
JPS58111387A
JPS58111387A JP56209250A JP20925081A JPS58111387A JP S58111387 A JPS58111387 A JP S58111387A JP 56209250 A JP56209250 A JP 56209250A JP 20925081 A JP20925081 A JP 20925081A JP S58111387 A JPS58111387 A JP S58111387A
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JP
Japan
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chip
laser diode
photosensor
flange
laser
Prior art date
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Pending
Application number
JP56209250A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Nakajima
恵一 中島
Atsushi Sasayama
佐々山 厚
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58111387A publication Critical patent/JPS58111387A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To facilitate the connection work of a photosensor chip, and to improve yield by reducing the angle of inclination of the photosensor chip set up to a flange. CONSTITUTION:A laser diode chip 5 is fixed to the side surface of a stem 3 set up protrusively at the center of the main surface of the flange 2 through a sub- mount 4 while the main surface side of the flange is sealed with a package member with a transparent window 10, and the photosensor chip 7 detecting laser beams 6 emitted from the rear end of the chip 5 is disposed onto the main surface of the flange. The photosensor chip 7 is inclined lest laser beams 6 reflected from the surface of the photosensor chip 7 should reach a transparent window region while a displacement W is formed between an end edge at the light reception side of the photosensor chip 7 and the extension line of a projecting section projecting the laser beams of the laser diode chip 5 in order to decrease the angle of inclination.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレーザーダイオード、%−発振するレーザーt
rモニターするフォトセンサーに有するレーザーダイオ
ードに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a laser diode, a %-oscillating laser t
rRegarding a laser diode included in a photo sensor for monitoring.

、光学式ビデオディスクの元ピックアップ用として、篤
1図に示すように、レーザー元モニタ用のフォトセンサ
ーを同一パッケージ内に組み込んだL/−f−ダイオー
ドが発売されている。このレーザーダイオード1は、同
図に示すように、鵬tih導性の良好な金属からなる7
ランジ2の主面(上向)中央に造設した熱伝導性の良好
な金属からなるステム3の主面(、右1Illv7B)
にバッファ板(サブマウン))It介してレーザーダイ
オードチップ5を固定している。前記バッファ板4はレ
ーザーダイオードチップ(チップ)5とステム3との熱
gs率の違いによる熱応力t−吸収してチップの破損を
防止している。レーザー光6はチップ5の上端および下
端からそれぞれ発振される。箇た、チップ5の下端(後
端)から発振するレーザー光6t−モニターするビンダ
イオードからなるフォトセンサー(フォトセンサーチッ
プ)7がフランジ2上に一定されている。17t17ラ
ンジ2の主面−には金属製の中ヤツプ(パッケージ部材
)8がリングウェルド等によって気密的に!l!を止さ
れている。中ヤツプ8の上部は開口されるとともに、こ
の開口部Kt!a!明なガラス板9が気密的に取シ付け
られ、透明窓10を形成している。また、詳述はしない
が、7ランジ2には3本管7tFia本のり−ド11が
絶縁的(場合によっては1本は導電状1りK貫通固定さ
れ、フランジ2の主面lIK突出したリード端とこれに
91g応するフォトセンナ7およびレーザーダイオード
チップ5の電極部とが図示しないワイヤで電気的に#続
されている。
As shown in Figure 1, an L/-f-diode is on the market for use as a source pickup for optical video discs, in which a photosensor for a laser source monitor is incorporated in the same package. As shown in the figure, this laser diode 1 is made of a metal with good conductivity.
The main surface of the stem 3 made of a metal with good thermal conductivity built in the center of the main surface (upward) of the lunge 2 (right 1Illv7B)
A laser diode chip 5 is fixed to it via a buffer plate (submount) It. The buffer plate 4 absorbs thermal stress t- due to the difference in thermal gs rate between the laser diode chip 5 and the stem 3, thereby preventing damage to the chip. Laser light 6 is emitted from the upper and lower ends of chip 5, respectively. Additionally, a photosensor (photosensor chip) 7 consisting of a bin diode for monitoring a laser beam 6t oscillated from the lower end (rear end) of the chip 5 is fixed on the flange 2. 17T17A metal inner cover (package member) 8 is airtightly attached to the main surface of the flange 2 by ring welding or the like! l! has been stopped. The upper part of the middle yup 8 is opened, and this opening Kt! a! A clear glass plate 9 is attached airtight to form a transparent window 10. In addition, although not described in detail, three 7tFia leads 11 are insulated (in some cases, one conductive one is fixed through the main surface of the flange 2) to the flange 2, and the leads 11 protrude from the main surface of the flange 2. The end is electrically connected to the electrode portion of the photo sensor 7 and laser diode chip 5 corresponding to the end 91g by a wire (not shown).

ところで、このような構造のレーザーダイオードにあっ
ては、透明窓10ρ為らレーザーダイオードチップ5の
上端(先1111)から発振されるレーザー光6が発光
するとともに、レーザーダイオードチップ5の後端から
発振され、かつフォトセンナ−7のtRthiで反射さ
れた反射レーザー−ffi12も発光する。この結果、
レーザーダイオードチップ5〃・らI接発珈したレーザ
ー光6と前方に戻ってきた反射レーザーf、12とが干
渉を起こし、ワアーフィールドパターン(レーザ光の1
方方向出射ビームの強度分布形状)が乱れ、レーザーダ
イオード1tビデオデイスクに組み込む際に光学的結合
調整が欺かしくなる。なお、フォトセンサー7において
は、電極以外にガードリング部分でも反射を起こす。
By the way, in a laser diode having such a structure, the laser light 6 oscillated from the upper end (tip 1111) of the laser diode chip 5 is emitted from the transparent window 10ρ, and the laser light 6 is emitted from the rear end of the laser diode chip 5. The reflected laser -ffi12 reflected by the photosenner 7 at tRthi also emits light. As a result,
The laser beam 6 emitted from the laser diode chip 5 and the reflected laser beams f and 12 that have returned to the front cause interference, resulting in a wave field pattern (laser beam 1).
The intensity distribution shape of the directional output beam is disturbed, and the optical coupling adjustment becomes deceptive when the laser diode is integrated into the video disk. Note that in the photosensor 7, reflection occurs not only at the electrode but also at the guard ring portion.

七〇で、このような欠点¥rM消するために1水出−人
は第2図で示すように、フォトセンサーチップ7Yr傾
斜させることによって、フォトセンサーチップ70表面
で反射した元が前記透#A窓10に到達することなく、
キャップの内壁面に到達するような構造を提案している
In order to eliminate such defects, a person should tilt the photosensor chip 7Yr as shown in FIG. 2 so that the source reflected on the surface of the photosensor chip 70 is Without reaching A window 10,
We are proposing a structure that reaches the inner wall surface of the cap.

ところで、このように反射ft、が透明窓106’C到
遍しなりようにするためには、透明窓10のフランジ面
からの高さや大きさ、レーザーダイオードチップ5のフ
ランジ面からの高さおよび位置等によっても異なるが、
フォトセンサーチップ7の7ランジ2へのm付傾斜角#
は10度種度となる。
By the way, in order to make the reflection ft spread over the transparent window 106'C, the height and size of the transparent window 10 from the flange surface, the height of the laser diode chip 5 from the flange surface, and Although it varies depending on the location etc.
Inclination angle of photo sensor chip 7 to 7 lunge 2 with m #
has a degree of 10 degrees.

−万、フォト竜ンサーチツプ7會自動機等で7ランジに
固定する場合、前記板付−斜角#か10度と大きいこと
から接合がし難くなり、歩留が低くなる新な弊害が発生
する。
- 10,000 Photo Dragon Search Tip 7 When fixing to 7 langes with an automatic machine or the like, since the bevel angle # of the plate is as large as 10 degrees, it becomes difficult to join, resulting in a new problem of low yield.

他方、本発明者は、種々の実験、考案の結果。On the other hand, the present inventors have obtained the results of various experiments and ideas.

フォトセンサーチップ7の取付位置tレーザーダイオー
ドチップ5の真下から遠ざけるにりれて、取付傾斜角は
小さくで婁ること會知った。
I have learned that the farther the photo sensor chip 7 is mounted from directly below the laser diode chip 5, the smaller the mounting angle becomes.

したがって、本発明の目的はフォトセンサーチップの7
ランジへの増付傾斜角!?小さくすることKよって、フ
ォトセンサーチップの接続作業の心易化を図p、歩留O
向上會図ることKToる。
Therefore, the object of the present invention is to
Additional inclination angle to lunge! ? By making it smaller, the connection work of the photosensor chip can be made easier, and the yield rate can be reduced.
KToru aims to improve the society.

このような目的を達成するために本発明は、フランジの
主面中央に突設したステムの1IIiKナプマウントを
介してレーダーダイオードチップを固定するとともに、
7ランジ主面at透明窓を有するパッケージ部材で封止
し、かクフランジ主―上には前記レーザーダイオードチ
ップの後端から発するレーザー光管検出するフォトセン
ナ−チップを配設してなるレーザーダイオードにおいて
、前記フォトセンサーチップのlR面で反射するレーザ
ー光が前記パッケージ部材の透1!jlll1mK達し
ないように、フォトセンサーチップt#斜させるととも
に、この#l斜角管小さくするためにフォトセンサーチ
ップの受元肯端綴とレーザーダイオードチップのレーザ
ー元管出射する出射部の延長−との関にずれWt設けて
おくものであって、以下実mガにより本発明を観明する
In order to achieve such an object, the present invention fixes the radar diode chip via the 1IIiK nap mount of the stem protruding from the center of the main surface of the flange, and
7. In a laser diode, the main surface of the flange is sealed with a package member having a transparent window, and a photosenner chip is disposed on the main surface of the flange to detect a laser beam tube emitted from the rear end of the laser diode chip. , the laser beam reflected on the IR surface of the photosensor chip passes through the package member 1! In order to prevent the photo sensor chip from reaching 1mK, the photo sensor chip T# is tilted, and in order to make the #l bevel tube smaller, the photo sensor chip's receiving end is made smaller and the laser diode chip's laser diode chip's laser main tube is extended. A deviation Wt is provided at the intersection of .

第3図拡本発明の一実施91によるレーザーダイオード
の!!部を示すwfr面図である。このレーザーダイオ
ードは縞2図で示すレーダーダイオードと同様に7ツン
ジ2の主面に垂設したステム3の一111iiにサブマ
ウン)4に介してレーダーダイオ−トチ゛ツブ5を固定
するとともに、レーザーダイオ−トチ゛ツブ5の後端(
下jilt)K対峙するようにフランジの主面にフォト
センサーチップ7に#1M角#を有して固定している。
FIG. 3 Enlargement of a laser diode according to an embodiment 91 of the present invention! ! FIG. Similar to the radar diode shown in stripe 2, this laser diode is sub-mounted on one part (111ii) of the stem 3 which is vertically installed on the main surface of the 7-tune 2. The rear end of 5 (
Lower jilt) K is fixed to the main surface of the flange so as to face each other and have a #1M angle #1.

1次、レーザーダイオードチップ5のレーザー光6を出
納する出射部はナプマクントのチップ散村#Kl!ss
と近接している。また、この冥施ガではフォトセンサー
チップ70受元−〇−鰍と前記レーザーダイオードチッ
プ5の出射部の延長縁との関にはずれWが生じるように
フォトセンナ−チップ7はフランジ2に固定されている
。さらに、7ランジ2の主面霧は天井11Kal明窓1
0t−有する金属キャップ8で気密的K11止されると
ともに、各チップ5.7の所定電極(図示せず)と所定
のリード11とは図示しないワイヤ(導II)で接続さ
れている。
The output section for receiving and receiving the laser beam 6 of the primary laser diode chip 5 is located at Napmakunt's Chip Sanmura #Kl! ss
It is close to. In addition, in this ritual, the photosensor chip 7 is fixed to the flange 2 so that a dislocation W occurs between the receiving part of the photosensor chip 70 and the extended edge of the emitting part of the laser diode chip 5. ing. In addition, the main surface fog of 7 lunge 2 is the ceiling 11 Kal light window 1
The metal cap 8 is airtightly closed by a metal cap K11, and a predetermined electrode (not shown) of each chip 5.7 and a predetermined lead 11 are connected by a wire (conductor II) not shown.

ところで、前記ずれWはたとえば最大0.4シ0.5諷
穆置とする。この場合、フォトセンサーチップ7の取付
傾斜角θはlsfwII!盲で小さくできる。なお、実
mガの主要各部の寸法は下記の表で示すとおりとなって
いる。
By the way, the above-mentioned deviation W is assumed to be, for example, a maximum of 0.4 x 0.5 x. In this case, the mounting inclination angle θ of the photosensor chip 7 is lsfwII! Blind can be made small. In addition, the dimensions of the main parts of the real m moth are as shown in the table below.

表 また、前記ずれWO値は第5図に示すように、レーザー
光出力Poが3淋Wの場合におけるフォトセンサーの検
出電流ニ、が0.2mム以上となる条件下で決定できる
。フォトセンナ−の検出電流が0.2W4ム以下となる
と、レーダーダイオードチップ5のレーザー光出力の制
御精度が低くなるおそれがある。
Further, as shown in FIG. 5, the deviation WO value can be determined under the condition that the detection current N of the photosensor is 0.2 mm or more when the laser light output Po is 3 W. If the detection current of the photosensor is less than 0.2W4m, there is a possibility that the control accuracy of the laser light output of the radar diode chip 5 will be reduced.

また、取付傾斜角θは透明窓10の大きさ、あるいは元
ファイバーとの元III会時の受光領域の大きさKより
ても変化するが、反射角aがたとえば20°よりも大き
くなるように設定する必Il!があp、この場合に、第
4図で示すようK、傾斜角#は最小で5°@度となる。
In addition, the mounting inclination angle θ varies depending on the size of the transparent window 10 or the size K of the light receiving area at the time of the original III meeting with the original fiber, but it is necessary to set the reflection angle a to be larger than 20°, for example. Must be set! In this case, as shown in FIG. 4, the inclination angle # is at least 5 degrees.

なお、jI4図は取付傾斜角度θの違いによる各ずれW
Kおける反射角ぼの関係を示すグラフ、菖5図は各ずれ
W4Cおける7オト竜ンサーの検出電流ニ、(隅ム)と
の関係を示すグラフである・ このような実施ガによれば、モニター用のレーダー元の
フォトセンサーチップ面での反射光は透明窓から外sK
出射することはないので、レーザーダイオードのファー
フィルドパターンは乱れることはなく安定する。
In addition, Figure jI4 shows each deviation W due to the difference in the mounting inclination angle θ.
The graph showing the relationship between the reflection angle and the angle of reflection at K is a graph showing the relationship between the detection current N and (corner) of the 7th angle sensor at each shift W4C.According to this implementation, The light reflected from the photosensor chip surface of the radar source for the monitor is reflected outside through the transparent window.
Since no radiation is emitted, the far-field pattern of the laser diode remains stable without being disturbed.

箇た、仁の実施ガでは、レー望−JJtt出射する出射
部の延長層からフォト七ンt−チップの縁tの結果、フ
ォトセンサーチップの7ランジへの職9付けも容易とな
p%豪会不良を低減で宿る。
In the implementation of the experiment, as a result of the extension layer of the emitting part that emits light from the edge of the photo sensor chip, it is easy to attach the position to the 7 range of the photosensor chip. Reduces the number of defects in Australia.

なお、本発−は前記夷l1lA例に@定されない。すな
わち、フォトセンサーチップのずれW、取付傾斜角−の
籠は限定されない。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned example. In other words, there are no limitations on the cage with respect to the displacement W of the photosensor chip or the mounting angle of inclination.

以上のように、本発明によれはフォトセンサーチップの
取付歩wが向上できることから、コストの軽減が図れる
As described above, according to the present invention, it is possible to improve the installation step w of the photosensor chip, thereby reducing costs.

また、本発明によれば、ファーフィルドパターンか安定
するため品質の高いレーダーダイオードを提供すること
ができる・
Further, according to the present invention, since the far-field pattern is stable, a high quality radar diode can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のレーザーダイオードの*S断面図、第2
図は本出−人が既に提案したレーザーダイオードのlI
部部面面図113図は本発明の一実總1FIKよるレー
ザーダイオードの111断面図、114図および第5図
はずれWに対する反射角αおよび検出電流ニーの相関管
示すグラフである。 2・・・7ランジ、3・・・ステム、4・・・サブマウ
ント、5・・・レーザーダイオードチップ、6・・・レ
ーザー元、7・・・フォトセンサーチップ、10・・・
透明窓、12・・・反射レーダー元。 代理人 弁場士 薄 1)利 *−ニー、1、(j・、
:、−′/
Figure 1 is an *S cross-sectional view of a conventional laser diode, Figure 2 is a cross-sectional view of a conventional laser diode.
The figure shows the lI of a laser diode already proposed by Honde.
FIG. 113 is a cross-sectional view of a laser diode according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 114 and 5 are graphs showing the correlation between the reflection angle α and the detected current knee with respect to the deviation W. 2...7 lunge, 3...stem, 4...submount, 5...laser diode chip, 6...laser source, 7...photo sensor chip, 10...
Transparent window, 12...Reflection radar source. Agent Attorney Susuki 1) Li *-nee, 1, (j・,
:, −′/

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、7ランジの主面中央に突設しにステ^の糊面にサブ
マウントを介してレーザーダイオードチップを固定する
とともに、7ラン一ジ生面貴を透明窓を有するパッケー
ジ部材で對止し、かつフランジ主面上には前記レーダー
ダイオードチップの後端から発するレーザー光會検出す
るフォト七yす一チップ會配設してなるレーザーダイオ
ードにおいて、前記フォトセンサーチップの表面で反射
するレーザー光が前記パッケージ部材のMiass域に
fiLないように、フォトセンサーチップtm*させる
とともに、この傾斜角管小さくするためにフォトセンサ
ーチップの受光1131111縁とレーザーダイオード
チップのレーザー光を出射する出射部の延lI&層との
間にずれwl設けておくこと1−特徴とするレーザーダ
イオード。
A laser diode chip is fixed to the adhesive surface of the stand by protruding from the center of the main surface of the 1 and 7 rungs via a submount, and the raw surface of the 7 rung is fixed with a package member having a transparent window. , and a laser diode is provided with a photo-series chip for detecting the laser light emitted from the rear end of the radar diode chip on the main surface of the flange, and the laser light reflected from the surface of the photosensor chip is In order to avoid fiL in the Miass area of the package member, the photosensor chip tm* is made small, and in order to reduce the angle of inclination, the photosensor chip's light receiving 1131111 edge and the laser diode chip's laser beam emitting part are extended lI& Providing a shift wl between the layers 1-Characteristics of the laser diode.
JP56209250A 1981-12-25 1981-12-25 Laser diode Pending JPS58111387A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4811350A (en) * 1986-08-05 1989-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser apparatus
US4945524A (en) * 1987-04-15 1990-07-31 Pioneer Electronic Corporation Compact optical pickup apparatus for optical disk player
US4953006A (en) * 1989-07-27 1990-08-28 Northern Telecom Limited Packaging method and package for edge-coupled optoelectronic device
JP2001066525A (en) * 1999-08-30 2001-03-16 Ricoh Co Ltd Plural-beam scanner

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