JPS5811025A - 消石灰スラリ供給方法 - Google Patents
消石灰スラリ供給方法Info
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- JPS5811025A JPS5811025A JP56108092A JP10809281A JPS5811025A JP S5811025 A JPS5811025 A JP S5811025A JP 56108092 A JP56108092 A JP 56108092A JP 10809281 A JP10809281 A JP 10809281A JP S5811025 A JPS5811025 A JP S5811025A
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- JP
- Japan
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- slurry
- slaked lime
- exhaust gas
- rotary disc
- hydrogen chloride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、都市ごみ焼却炉排ガス等の排ガスから塩化水
素ガスを除去するため消石灰スラリ全回転円盤によって
供給する所謂回転円盤方式の半乾式塩化水素除去方法に
おける消石灰スラリ供給方法の改良に関するものであっ
て、回転円盤の噴出孔への消石灰の析ｔ１１付着を防止
し、長時間良好な塩化水素除去効率を維持することを目
的とするものである。
素ガスを除去するため消石灰スラリ全回転円盤によって
供給する所謂回転円盤方式の半乾式塩化水素除去方法に
おける消石灰スラリ供給方法の改良に関するものであっ
て、回転円盤の噴出孔への消石灰の析ｔ１１付着を防止
し、長時間良好な塩化水素除去効率を維持することを目
的とするものである。
都市ごみを焼却すると、ごみ中の包装材料、雑貨等に含
オれるポリ塩化ビニルや食物残滓等から塩化水素ガスを
発生することは知られている。そして、との塩化水素ガ
スが焼却炉の二次公害として問題となり、昭和５２年６
月に大気汚染防止法の改正がなされて塩化水素の排出規
制が法律によって実施されることとなった。
オれるポリ塩化ビニルや食物残滓等から塩化水素ガスを
発生することは知られている。そして、との塩化水素ガ
スが焼却炉の二次公害として問題となり、昭和５２年６
月に大気汚染防止法の改正がなされて塩化水素の排出規
制が法律によって実施されることとなった。
従来の排ガスからの塩化水素ガス除去方法には、大別し
て湿式法、乾式法、半乾式法の３つがあった。この内湿
式法は、苛性ソーダ溶液全所定量噴霧して排ガスと効率
よく接触させ、次の反応式 ％式％ により塩化水素全吸収するものである。この除去方法は
塩化水素除去率が９５〜９６％と高いが、（イ）吸収薬
液として比較的価格の高い苛性ソーダを使用すること、
（ロ）吸収排液は各種型金属を含んでいるので排水処理
設備を設ける必要があること、０９吸収装置出ロガスは
飽和湿度状態で若干の塩化水素を含むので該設備に腐食
対策が必要であること、等の諸問題があり、要するにこ
の湿式法はランニングコスト及び設備費が高くつき、処
理工程も複雑なものとなるという欠点がある。
て湿式法、乾式法、半乾式法の３つがあった。この内湿
式法は、苛性ソーダ溶液全所定量噴霧して排ガスと効率
よく接触させ、次の反応式 ％式％ により塩化水素全吸収するものである。この除去方法は
塩化水素除去率が９５〜９６％と高いが、（イ）吸収薬
液として比較的価格の高い苛性ソーダを使用すること、
（ロ）吸収排液は各種型金属を含んでいるので排水処理
設備を設ける必要があること、０９吸収装置出ロガスは
飽和湿度状態で若干の塩化水素を含むので該設備に腐食
対策が必要であること、等の諸問題があり、要するにこ
の湿式法はランニングコスト及び設備費が高くつき、処
理工程も複雑なものとなるという欠点がある。
父、前記乾式法は、粉状の炭酸カルシウム或いは消石灰
を燃焼室、ボイラ室、ボイラ出口ダクト、反応室に噴射
分数させてガスと固−気接触させ、塩化水素を反応除去
するものである。
を燃焼室、ボイラ室、ボイラ出口ダクト、反応室に噴射
分数させてガスと固−気接触させ、塩化水素を反応除去
するものである。
この除去方法は吸収薬剤の粉体粒度が大きく、このため
塩化水素の除去率が３０〜５０％程度で、高い除去率が
得られないという欠点がある。
塩化水素の除去率が３０〜５０％程度で、高い除去率が
得られないという欠点がある。
次に、前記半乾式法は、排ガスに消石灰スラリヲ接触反
応させて塩化水素を除去するものである。この除去方法
によれば上述の湿式法における如き白煙対策、腐食対策
、排水処理は不要であり、かつ塩化水素除去率も８０％
以上と高いので上述の乾式法の欠点もない。
応させて塩化水素を除去するものである。この除去方法
によれば上述の湿式法における如き白煙対策、腐食対策
、排水処理は不要であり、かつ塩化水素除去率も８０％
以上と高いので上述の乾式法の欠点もない。
併して、従来のとの斗乾式法ＶＣは移動層方式のものと
二がＣ体ノズル方式のものがあり、前者の移動ノ一方式
目リアクタ内■１ｓにボールが充填されており、このボ
ール１ｍ−ｔｚ部」：り吸収スラリを噴霧してボール表
面に分散させ、排ガス成分と反応させる。ボール表面の
反応生成物は排ガスの顕熱により乾燥され、一定の傾斜
で固定されたスクリーン上を移動しながら衝撃で反応生
成物を剥離し循環使用される。しかし、この方式は排ガ
ス量、排ガス温度、塩化水素濃度等の負荷変動に対して
応答性が悪く、一時的に排ガス規制値をオーバーしたシ
、吸収薬剤を過剰に使用しなければならないという欠点
がある。又、後者の二流体ノズル方式は、排ガス全反応
蒸発塔に導き、空気又は蒸気と共に吸収スラｌＪ’を高
圧噴霧させ、排ガスをこれと並流して流しながら有害ガ
ス成分と反応させる。反応生成物は排ガスの熱により乾
燥し、粉体となって排出される。しかし、この方式は高
圧噴霧用の補助設備を必要とし所要動力が大きくなるた
め大容量のものには不向きであり、かつ焼却炉排ガスの
ように負荷変動の激しい排ガスに対して、吸収スラリ債
及び排ガス温度金コントロールすることは各流体圧力の
バランス調整が難しく、安定した塩化水素除去率を得難
い。例えば排ガス中の塩化水素計が変動した場合、これ
に応じて吸収スラリの濃度、′１ｉ！゛ヲ変えると共に
、吸収スラリ噴霧用の空気圧力金変える必要があるが、
この圧力を変えると１ｌｊｌ（霧された吸１１１ｉｊス
２りの液滴分布、粒イ≠が最適のものでなくなり、塩化
水素との反応率即ち除去率が低下する１、従って、吸収
スラリに過剰に噴霧しｌＩければならない等の諸問題が
ある。
二がＣ体ノズル方式のものがあり、前者の移動ノ一方式
目リアクタ内■１ｓにボールが充填されており、このボ
ール１ｍ−ｔｚ部」：り吸収スラリを噴霧してボール表
面に分散させ、排ガス成分と反応させる。ボール表面の
反応生成物は排ガスの顕熱により乾燥され、一定の傾斜
で固定されたスクリーン上を移動しながら衝撃で反応生
成物を剥離し循環使用される。しかし、この方式は排ガ
ス量、排ガス温度、塩化水素濃度等の負荷変動に対して
応答性が悪く、一時的に排ガス規制値をオーバーしたシ
、吸収薬剤を過剰に使用しなければならないという欠点
がある。又、後者の二流体ノズル方式は、排ガス全反応
蒸発塔に導き、空気又は蒸気と共に吸収スラｌＪ’を高
圧噴霧させ、排ガスをこれと並流して流しながら有害ガ
ス成分と反応させる。反応生成物は排ガスの熱により乾
燥し、粉体となって排出される。しかし、この方式は高
圧噴霧用の補助設備を必要とし所要動力が大きくなるた
め大容量のものには不向きであり、かつ焼却炉排ガスの
ように負荷変動の激しい排ガスに対して、吸収スラリ債
及び排ガス温度金コントロールすることは各流体圧力の
バランス調整が難しく、安定した塩化水素除去率を得難
い。例えば排ガス中の塩化水素計が変動した場合、これ
に応じて吸収スラリの濃度、′１ｉ！゛ヲ変えると共に
、吸収スラリ噴霧用の空気圧力金変える必要があるが、
この圧力を変えると１ｌｊｌ（霧された吸１１１ｉｊス
２りの液滴分布、粒イ≠が最適のものでなくなり、塩化
水素との反応率即ち除去率が低下する１、従って、吸収
スラリに過剰に噴霧しｌＩければならない等の諸問題が
ある。
このようなことから、本発明者らは先に特願昭５５−３
１８６６号反び特願昭５５−５１８６７号をもって、吸
収スラリ全回転円盤の噴出孔よす噴霧乾燥装置内に噴霧
するとともに、塩化水素ガスを含む排ガスを吹込んで、
これらを旋回降下させながら反応せしめ、しかる後反応
生成物を噴霧乾燥装置内からりト出し、かつ反応後の排
ガス中のダストを捕渠する方法を提案した。この方法は
、吸収スラリの微粒化及び噴霧特性に優れ、かつ吸収ス
ラリの供給調節範囲が大きく、排ガスの負荷変動に対す
る応答性も良好であるが、吸収剤と１２で消石灰全使用
した場合、噴出孔にスケールが付着し易く、長時間の使
用によシ塩化水素除去効率が低下するばかりでなくメイ
ンテナンスに手間がかかるという問題がある。
１８６６号反び特願昭５５−５１８６７号をもって、吸
収スラリ全回転円盤の噴出孔よす噴霧乾燥装置内に噴霧
するとともに、塩化水素ガスを含む排ガスを吹込んで、
これらを旋回降下させながら反応せしめ、しかる後反応
生成物を噴霧乾燥装置内からりト出し、かつ反応後の排
ガス中のダストを捕渠する方法を提案した。この方法は
、吸収スラリの微粒化及び噴霧特性に優れ、かつ吸収ス
ラリの供給調節範囲が大きく、排ガスの負荷変動に対す
る応答性も良好であるが、吸収剤と１２で消石灰全使用
した場合、噴出孔にスケールが付着し易く、長時間の使
用によシ塩化水素除去効率が低下するばかりでなくメイ
ンテナンスに手間がかかるという問題がある。
本発明者らは、上記の問題に鑑み消石灰スラリを噴霧し
た場合に回転円盤の噴出孔に付着するスケール及びスケ
ールの付着状態について研究した結果、スケールの成分
が消石灰であること、噴霧孔の先端内壁からスケールの
付着が始まりこれが中心部へと漸次進行して全面的に付
着し最後には噴出孔全体が閉塞されること、さらにこの
スケールの付着原因はスラリ温度の上昇による消石灰の
析出であること、が判明した。
た場合に回転円盤の噴出孔に付着するスケール及びスケ
ールの付着状態について研究した結果、スケールの成分
が消石灰であること、噴霧孔の先端内壁からスケールの
付着が始まりこれが中心部へと漸次進行して全面的に付
着し最後には噴出孔全体が閉塞されること、さらにこの
スケールの付着原因はスラリ温度の上昇による消石灰の
析出であること、が判明した。
この消石灰の析出の機構は以下説明する如くであると考
えられる。消石灰スラリの溶液部分は、消石灰の飽和溶
液の状態にある２、消石灰のように温度上昇に伴ない溶
解度の減少する物質の飽和溶液を徐々に昇温すると、始
め溶液濃度は殆んど変化することなく過飽和溶解の状態
にあるが、ある温度に達すると急激に微小な固体全析出
し、溶液濃度が飽和濃度まで低下する。この時に析出す
る固体は溶液中に十分な量の種晶があればこれが成長す
るために消費されるが、種晶が不足する場合には容器壁
等に付着し、いわゆるスケールを形成するようになる。
えられる。消石灰スラリの溶液部分は、消石灰の飽和溶
液の状態にある２、消石灰のように温度上昇に伴ない溶
解度の減少する物質の飽和溶液を徐々に昇温すると、始
め溶液濃度は殆んど変化することなく過飽和溶解の状態
にあるが、ある温度に達すると急激に微小な固体全析出
し、溶液濃度が飽和濃度まで低下する。この時に析出す
る固体は溶液中に十分な量の種晶があればこれが成長す
るために消費されるが、種晶が不足する場合には容器壁
等に付着し、いわゆるスケールを形成するようになる。
このような現象は、晶析装置、熱交換器等においてしば
しば見受けられるものである。
しば見受けられるものである。
本発明は、上記の知見に基づいてなされたもので、その
要旨とするところは、排ガス中の塩化水素ガスを除去す
るため該排ガスに消石灰を回転円盤により供給する方法
において、次式Ｆｘ ｃｌ°２〉Ｄ２°８（但し、Ｆは
消石灰スラリの流量（ＫＰ／ｈｒ〕、Ｃは消石灰スラリ
の濃度〔重量％〕、Ｄは回転円盤の直径（ｍ））’（ｒ
満足する消石灰スラリ供給方法である。
要旨とするところは、排ガス中の塩化水素ガスを除去す
るため該排ガスに消石灰を回転円盤により供給する方法
において、次式Ｆｘ ｃｌ°２〉Ｄ２°８（但し、Ｆは
消石灰スラリの流量（ＫＰ／ｈｒ〕、Ｃは消石灰スラリ
の濃度〔重量％〕、Ｄは回転円盤の直径（ｍ））’（ｒ
満足する消石灰スラリ供給方法である。
本発明において重要なＦＸＣ＞Ｄ ・・・・・・（り
上記（１）式を導出するに当シ、本発明者らは、濃度の
低い、即ち種晶となり得る固体の少ない消石灰スラリを
供給する場合には、スラリ流量を大きくしてスラリ自体
の温度の十列を防ぐ（回転円盤を通して高温の排ガスか
ら消石灰スラリか受ける熱量はスラＩＪ ？＆量に無関
係である）ことにより消石灰の析出を防ぐ、或いはスラ
ＩＪ ｙ。
上記（１）式を導出するに当シ、本発明者らは、濃度の
低い、即ち種晶となり得る固体の少ない消石灰スラリを
供給する場合には、スラリ流量を大きくしてスラリ自体
の温度の十列を防ぐ（回転円盤を通して高温の排ガスか
ら消石灰スラリか受ける熱量はスラＩＪ ？＆量に無関
係である）ことにより消石灰の析出を防ぐ、或いはスラ
ＩＪ ｙ。
それほど大量に供給できない場合即ちスラリ温度の上昇
による消石灰の析出を防げない場合には、スラリ濃度を
高くして種晶となり得る固体全増加することにより析出
した消石灰の固体分が噴出孔に付着することを防ぐ、と
いう原理に基づき回転円盤方式の半乾式塩化水素除去装
置の通常の運転条件である装置入口排ガス温度を２００
〜５００℃、装置出口排ガス温度１８０〜６００℃とい
う範囲において試験を行ない、次の第１表の結果を得た
。
による消石灰の析出を防げない場合には、スラリ濃度を
高くして種晶となり得る固体全増加することにより析出
した消石灰の固体分が噴出孔に付着することを防ぐ、と
いう原理に基づき回転円盤方式の半乾式塩化水素除去装
置の通常の運転条件である装置入口排ガス温度を２００
〜５００℃、装置出口排ガス温度１８０〜６００℃とい
う範囲において試験を行ない、次の第１表の結果を得た
。
第１表
但し、上表中○は噴出孔の閉塞なし、×は噴出孔が閉塞
する。
する。
第１表のデータを整理すると回転円盤の噴出孔が閉塞し
ない条件として、前述の（０式が求丑る。
ない条件として、前述の（０式が求丑る。
次に、本発明の実施例及び比較例を示す。
実施例１
回転円盤方式による半乾式塩化水素除去装置として第１
図に示すものを用いた。この装置は装済゛一本体（１）
内の上部にｊＭ化水素を含む排ガス流入口（２）と回転
円盤（３）とが設けであシ、下部に排ガスの流出口（５
）と反応生成物の排１４′１０（４）とが股・けである
。第２図及び第３図に回転円盤の詳＃Ｉを示す。消石灰
スラリは保護管（７）と回転軸（６）との間全通って回
転円盤（３）内に入り、この円盤史）の回転で生じた遠
心力によりスラリをＩｔ出出孔Ｉｎから微粉化して噴１
］つす。
図に示すものを用いた。この装置は装済゛一本体（１）
内の上部にｊＭ化水素を含む排ガス流入口（２）と回転
円盤（３）とが設けであシ、下部に排ガスの流出口（５
）と反応生成物の排１４′１０（４）とが股・けである
。第２図及び第３図に回転円盤の詳＃Ｉを示す。消石灰
スラリは保護管（７）と回転軸（６）との間全通って回
転円盤（３）内に入り、この円盤史）の回転で生じた遠
心力によりスラリをＩｔ出出孔Ｉｎから微粉化して噴１
］つす。
なお（８）は回転円盤■の底盤であり、（９）は円盤本
体である。実施の諸条件＋：１次の如くであった。
体である。実施の諸条件＋：１次の如くであった。
（１）徘ガス流量１５ Ｉ］ＯＮｙ＋／／Ｈ（１１）装
置入口排ガス温度 ６００℃（１Φ装置出１」排カス
温度 ２００°Ｃ（Ｖ）装置入［コ排ガスｊ豆化水素
＊度７００ ｐｐｍ（ψ消石灰スラリ供給−Ｈ１ スラリ濃度 １０（重層）％ 供給計 ４５ ”Ｐ／ Ｈｒ付）回転円盤 直径 １０ｔｎ 噴出孔の内住 ５穆ｘ８ケ 回転ＫＹ ｉｏ、 ＵＯＯｒ、ｐ、ｍこと
で、？＋’ｉ石灰スラリの供給量および濃１ず、回転円
招夕１住け」二側（１）成金満足している。この＆ｒｉ
果幻１、第４図に示すように１２０時間経過しても町ｉ
出几α（ｊにけなんら閉塞は生じず、７０％の塩化水素
除去効率を維持することができた。
置入口排ガス温度 ６００℃（１Φ装置出１」排カス
温度 ２００°Ｃ（Ｖ）装置入［コ排ガスｊ豆化水素
＊度７００ ｐｐｍ（ψ消石灰スラリ供給−Ｈ１ スラリ濃度 １０（重層）％ 供給計 ４５ ”Ｐ／ Ｈｒ付）回転円盤 直径 １０ｔｎ 噴出孔の内住 ５穆ｘ８ケ 回転ＫＹ ｉｏ、 ＵＯＯｒ、ｐ、ｍこと
で、？＋’ｉ石灰スラリの供給量および濃１ず、回転円
招夕１住け」二側（１）成金満足している。この＆ｒｉ
果幻１、第４図に示すように１２０時間経過しても町ｉ
出几α（ｊにけなんら閉塞は生じず、７０％の塩化水素
除去効率を維持することができた。
実施例２
実施例１と同−製画を用いて下記の諸条件で実施しに３
゜ （ｉ）リドガス流搦 １５ｏｏＮｉ／Ｈ（
１１）装置入口排ガス温度 ３５’Ｄ’Ｃ（ｉｉｉ＋
装置出装置ガロ排ガス温度 ８ Ｄ ’Ｃ（Ｖ）装置入
ロ排ガス塩化水累濃度２０１］１］ｐｐｍ（Ｖ）消石灰
スラリ供給量 スラリ濃度 １５（１１丁量）％供給量９５
＋＜ｙ／ Ｔ■ｒ 付）回転円盤 直径 １６ｔｍｂ 噴出孔の内径 ５−×８ケ 回転数 １０．００Ｏｒ、 Ｉ）、 ｍここ
で、消石灰スラリの供給計および濃度、回転円盤の外径
は上記（１）式をｌ′１１１ｖＪｉｉ−している。
゜ （ｉ）リドガス流搦 １５ｏｏＮｉ／Ｈ（
１１）装置入口排ガス温度 ３５’Ｄ’Ｃ（ｉｉｉ＋
装置出装置ガロ排ガス温度 ８ Ｄ ’Ｃ（Ｖ）装置入
ロ排ガス塩化水累濃度２０１］１］ｐｐｍ（Ｖ）消石灰
スラリ供給量 スラリ濃度 １５（１１丁量）％供給量９５
＋＜ｙ／ Ｔ■ｒ 付）回転円盤 直径 １６ｔｍｂ 噴出孔の内径 ５−×８ケ 回転数 １０．００Ｏｒ、 Ｉ）、 ｍここ
で、消石灰スラリの供給計および濃度、回転円盤の外径
は上記（１）式をｌ′１１１ｖＪｉｉ−している。
この結果は第４図に示すように１２０時間経過しても噴
出孔０（）には何ら閉塞は生じず、８０チの塩化水素除
去効率全維持することができた。
出孔０（）には何ら閉塞は生じず、８０チの塩化水素除
去効率全維持することができた。
比較例１
実施例１と同一装置を用いて下記の諸条件で実施し２だ
。
。
（ｉ）排ガス流１景 １５００ Ｎｉ／Ｈ（
１ｊ）装置入口排ガス温度 屓］０’Ｃ（１１心装
置出ロ排ガス温度 ２１０℃（ｌ♀装置入ロ排ガス
塩化水素濃度７００ｐｐｍ（ゾ消石灰スラリ供給量 スラリ濃度 １０（重量）％供給量
３５Ｋｆ／Ｈｒ（Ｖ）回転円盤 直径 １０溝 噴出孔の内径 ５１×８ケ 回転数 １０．０００ｒ、 ｐｌｍここで
、消石灰スラリの供給量および濃度、回転円盤の外径は
上記（１）式を満足していない。
１ｊ）装置入口排ガス温度 屓］０’Ｃ（１１心装
置出ロ排ガス温度 ２１０℃（ｌ♀装置入ロ排ガス
塩化水素濃度７００ｐｐｍ（ゾ消石灰スラリ供給量 スラリ濃度 １０（重量）％供給量
３５Ｋｆ／Ｈｒ（Ｖ）回転円盤 直径 １０溝 噴出孔の内径 ５１×８ケ 回転数 １０．０００ｒ、 ｐｌｍここで
、消石灰スラリの供給量および濃度、回転円盤の外径は
上記（１）式を満足していない。
この結果、６時間後に噴出孔に閉塞が生じてしまい、塩
化水素除去率も急激に低下した。
化水素除去率も急激に低下した。
以上示した本発明の実施例及び比較例から明らかなよう
に、本発明の消石灰スラリ供給方法によれば、消石灰の
スケールが噴出孔に析出付着し、噴出孔全閉塞させるこ
とがなく、シタがって消石灰スラリか良好に噴霧され、
長時間使用しても塩化水素除去効率が低下せず、併もメ
インテナンスが答易となる効果をもたらす。
に、本発明の消石灰スラリ供給方法によれば、消石灰の
スケールが噴出孔に析出付着し、噴出孔全閉塞させるこ
とがなく、シタがって消石灰スラリか良好に噴霧され、
長時間使用しても塩化水素除去効率が低下せず、併もメ
インテナンスが答易となる効果をもたらす。
第１〜６図は本発明の方法を適用する回転円盤方式の半
乾式塩化水素除去装置の一例を示すもので、第１図は装
置全体の説明図、第２図は回転円盤の縦断面図、第５図
は同平面図、である。第４図は本発明実施例の結果全示
す塩化水素除去率と運転時間の関係を示すグラフ図であ
る。 （り装置本体、（２）排ガス流入口、■回転円盤、（４
）反応生成物排出口、（５）排ガス流出口、（６）回転
軸、（７）保護管、（８）底盤、（９）円盤本体。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 回 同 木村三朗 同 同 佐々木 宗 治 第１図
乾式塩化水素除去装置の一例を示すもので、第１図は装
置全体の説明図、第２図は回転円盤の縦断面図、第５図
は同平面図、である。第４図は本発明実施例の結果全示
す塩化水素除去率と運転時間の関係を示すグラフ図であ
る。 （り装置本体、（２）排ガス流入口、■回転円盤、（４
）反応生成物排出口、（５）排ガス流出口、（６）回転
軸、（７）保護管、（８）底盤、（９）円盤本体。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 回 同 木村三朗 同 同 佐々木 宗 治 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 排ガス中の塩化水素ガスを除去するため該排ガスに消石
灰を回転円盤によシ供給する方法において、次式Ｆ Ｘ
Ｃ”°２＞ Ｄ２．８ （但し、Ｆは消石灰スラリの
流量〔Ｋ）／ ｈｒ ） 、Ｃは消石灰スラリの濃度〔
重量％〕、Ｄは回転円盤の直径〔濡〕）を満足する消石
灰スラリ供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108092A JPS5811025A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 消石灰スラリ供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108092A JPS5811025A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 消石灰スラリ供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5811025A true JPS5811025A (ja) | 1983-01-21 |
Family
ID=14475661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56108092A Pending JPS5811025A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 消石灰スラリ供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811025A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63284468A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 岩盤剪断試験装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5471778A (en) * | 1977-10-31 | 1979-06-08 | Niro Atomizer As | Method of removing hydrogen chloride from waste gas |
-
1981
- 1981-07-13 JP JP56108092A patent/JPS5811025A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5471778A (en) * | 1977-10-31 | 1979-06-08 | Niro Atomizer As | Method of removing hydrogen chloride from waste gas |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63284468A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 岩盤剪断試験装置 |
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