JPS58107518A - Production of electrochromic display element - Google Patents

Production of electrochromic display element

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JPS58107518A
JPS58107518A JP20673181A JP20673181A JPS58107518A JP S58107518 A JPS58107518 A JP S58107518A JP 20673181 A JP20673181 A JP 20673181A JP 20673181 A JP20673181 A JP 20673181A JP S58107518 A JPS58107518 A JP S58107518A
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JP
Japan
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layer
electrode
display element
deposited
mask
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Application number
JP20673181A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshikatsu Komizu
香水 敏勝
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Nippon Kogaku KK
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Publication date
Application filed by Nikon Corp, Nippon Kogaku KK filed Critical Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153Constructional details
    • G02F1/1533Constructional details structural features not otherwise provided for

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To ensure a display of a long lifetime and high durability, by forming previously an insulator layer on the lower electrode of a substrate of a full solid state EC display element and therefore preventing a short circuit although there occurs a contact between the upper and lower electrodes due to the breakdown of contour in case the upper electrode pattern is vapor-deposited. CONSTITUTION:A full solid state EC display element is formed by laminating a lower electrode A, an ion insulator layer Z, a reductive EC layer B, an oxidative EC layer D, an ion conductive layer C and an upper electrode E on a substrate S. In this case, the layer Z is vapor-deposited with a mask on the electrode A to assure the insulation to the electrode E. As the layer Z is provided at the region where a contact may occur between the electrodes A and A owing to the breakdown of the contour when the pattern of the electrode E is vapor-deposited with a mask, no short circuit occurs. As a result, the durability is improved for an EC display.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気化学的着消色現象即ちエレクト−クロミッ
ク(以下、ECと略称する)現象を応用した表示室子の
製造法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a display panel using an electrochemical coloring/decoloring phenomenon, that is, an electrochromic (hereinafter abbreviated as EC) phenomenon.

このような現象を示すEC物質を用いて、電圧加除操作
により着消色を繰り返す表示素子を作り、この表示素子
により時計の数字や電子計算機の数字を表示しようとの
試入は、15年以上前から行なわれている。例えば、ガ
ラス基板の上に透明電極膜(陰極)、三酸化タングステ
ン薄膜、二酸化ケイ素のような絶縁膜、電極膜(陽極)
を順次積層してなる全固体型EC表示素子が既に知られ
ている。この表示素子に電圧を印加すると三酸化タング
ステン(WOs)Illが青色に着色する。その後、こ
の表示素子に逆の電圧を印加すると、WO3薄膜の青色
が消えて無色になる。この着消色する機構は詳しくは解
明されていないがWO,薄膜及び絶縁膜中に含まれる微
量の水分が、WO,の着消色を支配していることか知ら
れている。着色の反応式は下記のように推定されている
It has been more than 15 years since we attempted to create display elements that repeatedly change color and fade by applying and removing voltage using EC substances that exhibit this phenomenon, and to use these display elements to display numbers on clocks and computers. It has been done before. For example, a transparent electrode film (cathode), a tungsten trioxide thin film, an insulating film such as silicon dioxide, and an electrode film (anode) are placed on a glass substrate.
All-solid-state EC display elements are already known, which are formed by sequentially laminating the following layers. When a voltage is applied to this display element, tungsten trioxide (WOs) Ill is colored blue. Thereafter, when a reverse voltage is applied to this display element, the blue color of the WO3 thin film disappears and it becomes colorless. Although the mechanism of this coloring and decoloring has not been elucidated in detail, it is known that a trace amount of water contained in the WO, thin film, and insulating film controls the coloring and decoloring of the WO. The reaction formula for coloring is estimated as follows.

H鵞0−  H+  0H− (W Os膜=陰極側) (絶縁膜=陽極側) 20H−□  1(、o  + −!−0,↑+e−従
って、このような表示素子の欠点は、■着色反応の際、
酸素ガス発生という好ましくない副反応により含有水分
が消費されること、及び■逆の消色反応によって水が生
成されないので、着色の繰り返しには大気中からの水の
補給が必要なことである。特に後者■の理由により、こ
のタイプの表示素子には、着色の再現性が大気中の水分
の影響を受ける欠点がある。
H+ 0- H+ 0H- (WOs film=cathode side) (Insulating film=anode side) 20H-□ 1(, o + -!-0, ↑+e- Therefore, the drawbacks of such a display element are ■ During the coloring reaction,
The water content is consumed by an undesirable side reaction of oxygen gas generation, and (1) water is not produced by the reverse decoloring reaction, so water needs to be replenished from the atmosphere for repeated coloring. Particularly because of the latter reason (2), this type of display element has the drawback that the reproducibility of coloring is affected by moisture in the atmosphere.

最近、着色反応により消費される水、の量と同じ量の水
が消色反応により生成され、従って外界からの水分の補
給を必要とせずに着消色を繰り返すことができ、しかも
繰り返される着色濃度が外界の影響を受けない全固体型
EC表示素子が提案された(特開昭52−73749号
公報参照)。この表示素子は、基本的には透明電極、電
解還元発色性薄膜例えばW OS 、電解酸化性薄膜例
えばCr20B及び対向電極を順次積層してなるもので
ある。前記公報の開示によれば、電圧印加による着色後
、電圧を解除した場合、着色が自然放電により次第に消
色する現象が見られ、電圧解除後も着色が保存される性
質(これをメそリー性と・言う)をこの表示素子に与え
るためには、透明電極と対向電極との間の任意の位置に
絶縁膜例えば二酸化ケイ素、7ツ化マグネシウムなどの
薄膜を設けることが必要であると言う。なお、この絶縁
膜は本発明者唇の推察によ+ れば、電子絶縁性であるが、プロトン(H)及びとドル
キシイオン(OH−)の移動は自由にできるイオン導電
性であり、また絶縁膜は電解還元発色性薄膜と電解酸化
性薄膜との間に設ける必要がある。
Recently, the same amount of water as consumed by the coloring reaction is produced by the decoloring reaction, and therefore coloring and decoloring can be repeated without the need for water supply from the outside world, and the coloring can be repeated repeatedly. An all-solid-state EC display element whose concentration is not affected by the outside world has been proposed (see Japanese Patent Laid-Open No. 73749/1983). This display element is basically formed by sequentially laminating a transparent electrode, an electrolytic reduction color forming thin film such as W OS, an electrolytic oxidizing thin film such as Cr20B, and a counter electrode. According to the disclosure in the above-mentioned publication, when the voltage is removed after being colored by applying a voltage, a phenomenon in which the coloring gradually disappears due to spontaneous discharge is observed, and the property that the coloring is preserved even after the voltage is removed (this is called meso In order to provide this display element with the desired properties (referred to as "transparent"), it is necessary to provide an insulating film, such as a thin film of silicon dioxide, magnesium heptadide, etc., at any position between the transparent electrode and the counter electrode. . According to the inventor's speculation, this insulating film is electronically insulating, but it is ionic conductive, allowing free movement of protons (H) and doroxy ions (OH-), and is also insulating. The membrane must be provided between the electrolytic reduction color forming thin film and the electrolytic oxidizing thin film.

ところで゛このような全固体型のEC表示素子は、各層
とも薄くする必要があり、そのため層の形成には真空蒸
着のような薄膜形成技術が利用される。
Incidentally, in such an all-solid-state EC display element, each layer must be made thin, so a thin film forming technique such as vacuum evaporation is used to form the layers.

電極層も素子全体を薄くするため、また透明性を上げる
ため同じように薄くしなければならない。そのため、も
し下部電極パターンと上部電極パターンとを全く重なる
ように作ると、下部電極を引き出すことが不可能になる
。従って、下部電極パターンと上部電極パターンとは、
多少ずらす必要があり、そのため上部電極パターンの外
部線の少なくとも一部が下部電極パターンを横切ること
になる。
The electrode layer must also be made thinner in order to make the entire device thinner and to increase transparency. Therefore, if the lower electrode pattern and the upper electrode pattern are made to overlap completely, it becomes impossible to draw out the lower electrode. Therefore, the lower electrode pattern and the upper electrode pattern are
It is necessary to shift it somewhat, so that at least a part of the outer line of the upper electrode pattern crosses the lower electrode pattern.

特定パターン状の上部電極を蒸着するには、1スフ蒸着
が簡単であり、使用したいところであるが、マスク蒸着
は輪郭がくずれて所定位置より広がる(ぼけるとも表現
される)傾向があり、そのため広がり位置に於いて予期
せぬ下部電極と上部電極との接触(短絡)という不幸な
結果を招くことがある。
To deposit the upper electrode in a specific pattern, one-sphere deposition is easy and desirable to use, but mask deposition tends to distort the outline and spread out (also referred to as blurring) from the predetermined position. This can have the unfortunate result of unexpected contact (short circuit) between the lower and upper electrodes at certain positions.

従って、本発明の目的はこのような上部電極パターンの
マスク蒸着によるEC表示素子製造の際に上部電極が上
部電極に接幻するという製法を改良することにある。
Therefore, an object of the present invention is to improve the manufacturing method in which the upper electrode is in contact with the upper electrode when manufacturing an EC display element by mask vapor deposition of such an upper electrode pattern.

しかして、本発明は全固体型エレクトシクtsiツク表
示素子の製造法に於いて、上部電極パターンを1スフ蒸
着した場合に輪郭がくずれて下部電極と接触するか又は
そのおそれのある領域について予め下部電極の上に、絶
縁体層を形成しておき、上部電極パターンをマスク蒸着
することを特徴とする方法を提供する。
Therefore, in the method of manufacturing an all-solid-state electric TSI display element, the present invention provides a method for manufacturing an all-solid-state electric TSI display element. Provided is a method characterized in that an insulating layer is formed on an electrode, and an upper electrode pattern is deposited using a mask.

次いで図面を引用して実施例により本発明を具体的に説
明する。
Next, the present invention will be specifically explained by examples with reference to the drawings.

第1図(1)〜(8)は平面図であり、図(1つ〜(7
“)は図(1)〜(7)のX−Y矢視断面端面図である
Figures 1 (1) to (8) are plan views, and figures (1 to (7)
") is a cross-sectional end view taken along the line X-Y in FIGS. (1) to (7).

先ず、ガラス板、セラミック板、硬質プラスチック板の
ような基板(S)を用意し、この上に図(1)、(1つ
の如く下部電極(Nを真空蒸着する。下部電極もパター
ン化してもよく、それにはマスク蒸着法あるいは全面的
に均一に蒸着した後、必要部分の上にレジスト層を形成
し、露出した電極をエツチングにより除去する方法で下
部電極パターンを形成してもよい。
First, a substrate (S) such as a glass plate, a ceramic plate, or a hard plastic plate is prepared, and a lower electrode (N) is vacuum-deposited on it as shown in Figure (1).The lower electrode can also be patterned. For this purpose, the lower electrode pattern may be formed by a mask vapor deposition method or by a method in which after uniform vapor deposition over the entire surface, a resist layer is formed on the required portion and the exposed electrode is removed by etching.

下部電極囚としては、例えばネサ(Snow ) 、酸
化インジウム、ITO(5’1程度の5nO1が混入し
た酸化インジウム)、ヨウ化銅、金などが使用される。
As the lower electrode material, for example, Snow, indium oxide, ITO (indium oxide mixed with about 5'1 of 5nO1), copper iodide, gold, etc. are used.

この電極層(A)の厚さは0.01〜0.5μm で十
分である。
A thickness of 0.01 to 0.5 μm is sufficient for this electrode layer (A).

第1図(2)には予定する上部電極パターンを斜線で示
す。
In FIG. 1(2), the planned upper electrode pattern is indicated by diagonal lines.

次いで、本発明の特徴とするところに従い、図(2)の
上部電極パターンをマスク蒸着するときに輪郭がだれて
下部電極との接触が想定される領域(図(3)、(3’
)に細かい斜線で示す)に対して、電子及びイオンの絶
縁体層(匂を積層する。(Z)層の積層には、その材料
に応じて、真空蒸着、塗布、流延、浸漬などの方法が用
いられる。(Z)層のパターニング方法としては、その
材料及び積層の方法に応じて、マスク法、写真蝕刻法、
ホトレジストを利用する方法、スクリーン印刷法などが
用いられる。
Next, in accordance with the characteristics of the present invention, when mask-depositing the upper electrode pattern shown in FIG.
)), and an electronic and ionic insulator layer (indicated by fine diagonal lines in Methods for patterning the (Z) layer include mask method, photo-etching method,
A method using photoresist, a screen printing method, etc. are used.

(Z)層の厚さは、絶縁の目的が達成されさえすれば薄
いほど良いが、通常100〜500μmで十分である。
The thickness of the (Z) layer is preferably as thin as possible as long as the purpose of insulation is achieved, but 100 to 500 μm is usually sufficient.

また使用可能な絶縁体層0)としては、例えば酸化シリ
コン5top、酸化チタンTlO2、酸化ジルコンZr
O雪、酸化ビスマスBi2O3、酸化ハフニウムHfO
2、五酸化タンタル7’a20@ %酸化イツトリウム
YtOs。
Insulator layers 0) that can be used include, for example, silicon oxide 5top, titanium oxide TlO2, zircon oxide Zr
O snow, bismuth oxide Bi2O3, hafnium oxide HfO
2. Tantalum pentoxide 7'a20@% yttrium oxide YtOs.

酸化アルi Al2O3%酸化マグネシウムMgOs 
酸化セリウムCeO2、酸化クロムCr!03、酸化ニ
オブN〜03、酸化カルシウムCaO、酸化アンチモン
5−03、フッ化マグネシウムMgF1.7ツ化リチウ
ム目F、フッ化カルシウムCaFx、フッ化ネオジウム
NdF、、フッ化セリウムCeF31 フッ化ランタン
La5s 、窒化シリコンSi3N4 、エボキン樹シ 脂、EVA、  レジスト、パリレン(キシレン樹脂の
一種)、その他の各種高分子絶縁材料などが挙げられる
Aluminum oxide Al2O3% magnesium oxide MgOs
Cerium oxide CeO2, chromium oxide Cr! 03, Niobium oxide N~03, Calcium oxide CaO, Antimony oxide 5-03, Magnesium fluoride MgF1.7 Lithium fluoride F, Calcium fluoride CaFx, Neodymium fluoride NdF, Cerium fluoride CeF31 Lanthanum fluoride La5s, Examples include silicon nitride Si3N4, Evokin resin, EVA, resist, parylene (a type of xylene resin), and various other polymer insulating materials.

次いで、図(4)%(4°)に示すように大小2つの三
角形状の還元性EC層(B)又は酸化性EC層(ロ)を
マスク蒸着する。パターニングにはマスク蒸着ではなく
、パターンが正確に出る写真蝕刻法を利用することもで
きる。これらの三角形がEC表示素子の表示部(着消色
部)になる。(四層及びの)層の厚さは、通常0. O
O1〜数μm位で十分である。
Next, as shown in Figure (4)% (4°), two large and small triangular reducing EC layers (B) or oxidizing EC layers (B) are deposited using a mask. For patterning, instead of mask deposition, a photolithography method that produces an accurate pattern can also be used. These triangles become the display part (coloring/decoloring part) of the EC display element. The thickness of the (4 and 4) layers is usually 0. O
O1 to several μm is sufficient.

ここで還元性EC層(B)としては、例えば酸化タング
ステン、酸化モリブデンまたはこれらの混合物が挙げら
れる。これらの例示物質は電解還元反応により着色する
Here, examples of the reducible EC layer (B) include tungsten oxide, molybdenum oxide, or a mixture thereof. These exemplified substances are colored by electrolytic reduction reaction.

他方、酸化性EC・層(ハ)には、例えば水酸化ニッケ
ル、水酸化イリジウム、水酸化ルテニウム、水酸化クロ
ム、水酸化pジウムなどが挙げられる。
On the other hand, examples of the oxidizing EC layer (c) include nickel hydroxide, iridium hydroxide, ruthenium hydroxide, chromium hydroxide, pdium hydroxide, and the like.

これらの水酸化物は直接真空蒸着することは困難である
ので、先ず相当する金属を蒸着し、蒸着後若しくはバタ
ーニング後に酸又はアルカリ水溶液中で陽極酸化するご
とにより水酸化物(EC物質)に変えるか、または(E
)上部電極の積層後に大気中で交流電圧を印加すること
により陽極酸化して水酸化物(EC物質)に変える。
Since it is difficult to vacuum-deposit these hydroxides directly, the corresponding metal is first vapor-deposited, and then the hydroxides (EC substances) are anodized in an acid or alkaline aqueous solution after vapor deposition or buttering. or (E
) After laminating the upper electrode, it is anodized by applying an alternating current voltage in the atmosphere to convert it into hydroxide (EC material).

次いで、表示部の(B)又は(D)層を完全に覆い、か
つ下部電極に接触しない領域で、図(5)%  (5’
)に示スようにイオン導電体層(C)をマスク蒸着スル
Next, in a region that completely covers layer (B) or (D) of the display part and does not contact the lower electrode,
), the ion conductor layer (C) was deposited using a mask.

このイオン導電体層←)としては、少量の水を含み、そ
のためイオン導電性を示す例えば酸化タンクk (Ta
g Os )、酸化ニオブ(Nb宏Os )、酸化ジル
コニウム(Zr(% )、酸化チタン(Ti01 )、
酸化ハフニウム(Hf02)、酸化イツトリウム(Y!
03)、酸化ランクy (La*Os )、酸化珪素(
Stow ) 、フッ化マグネシウム、リン酸化セリウ
ムのような無機物質が使用される。これらの物質は、電
子に対して絶縁体であるが、プロトノ(H)及びヒドロ
キシイオンに対しては良導体である。イオン導電体層(
C)の膜厚は、表示のメモリ一時間及び透明性を考慮し
て0.001〜100μmから選択される。
This ionic conductor layer ←) contains a small amount of water and exhibits ionic conductivity, for example, in an oxidation tank k (Ta
gOs), niobium oxide (NbHiroOs), zirconium oxide (Zr(%)), titanium oxide (Ti01),
Hafnium oxide (Hf02), yttrium oxide (Y!
03), oxidation rank y (La*Os), silicon oxide (
Inorganic materials such as Stow), magnesium fluoride, and cerium phosphate are used. These materials are insulators for electrons, but good conductors for proton (H) and hydroxy ions. Ionic conductor layer (
The film thickness of C) is selected from 0.001 to 100 μm in consideration of display memory time and transparency.

次いで(B)層又はυ)層の残りの一方をここで図(6
)、(6つに示すようにマスク蒸着する。
Next, the remaining one of the (B) layer or the υ) layer is shown in Figure (6).
), (mask deposition as shown in 6).

次いで図(7)、(7’)に示すように上部電極(E)
をマスク蒸着する。しかしながら、本発明によれば、下
部電極との接触が想定される領域には予め絶縁体層(乃
が形成されているので、マスク蒸着の結果所定の輪郭線
がくずれて広がっても上部電極が下部電極と直接接触(
短絡)することがないO 上部電極(鴫としては蒸着可能な下部電極囚と同じよう
なネサ、I T Os IntOs、ヨウ化鋼、金など
が使用される。
Next, as shown in Figures (7) and (7'), the upper electrode (E)
is deposited using a mask. However, according to the present invention, since an insulating layer is formed in advance in the area where contact with the lower electrode is expected, even if the predetermined contour line collapses and spreads as a result of mask deposition, the upper electrode will remain intact. Direct contact with the bottom electrode (
The upper electrode, which does not cause short circuits, is made of the same materials as the lower electrode that can be deposited, such as IntOs, iodized steel, and gold.

次いで第1図(8)に示すように両電極に各々リード線
(L+、L意)を取り付ける。
Next, as shown in FIG. 1 (8), lead wires (L+, L) are attached to both electrodes.

こうして得られた表示素子に、第2図に示すような透明
な窓(6)を有する遮へい保護板(p)をエポキシ樹脂
のような透明な封止樹脂(9)を介して表示素子の上に
接着する。その結果を第3図(断面図)に示す。
A shielding protection plate (p) having a transparent window (6) as shown in FIG. 2 is placed over the display element thus obtained through a transparent sealing resin (9) such as epoxy resin. Glue to. The results are shown in FIG. 3 (cross-sectional view).

こうして装飾された表示素子にリード線Lh14を通じ
て1〜2ボルト程度の電圧を印加すると、素子は100
〜200 m5ec、程度で例えば青色に着色する。こ
の着色した様子を第4図(平面図)に示すが、着色部は
三角形のメツシュ部分である。着色状態は電圧印加を止
めても保持される。
When a voltage of about 1 to 2 volts is applied to the display element decorated in this way through the lead wire Lh14, the element becomes 100 volts.
~200 m5ec, for example, is colored blue. This colored state is shown in FIG. 4 (plan view), and the colored portion is a triangular mesh portion. The colored state is maintained even if the voltage application is stopped.

次いで、0.5〜2ポルト程度の逆電圧を印加すると、
素子は50〜100 m5ec、程度で消色し、元の無
色透明に戻る(第5図参照)。
Next, when a reverse voltage of about 0.5 to 2 ports is applied,
The element loses its color in about 50 to 100 m5ec and returns to its original colorless and transparent state (see Fig. 5).

本発明によれば、上部電極パターンをマスク蒸着したと
き輪郭がくずれて下部電極と接触するか又はその恐れの
ある領域について予め下部電極の上に、絶縁体層を設け
ておくことにより、上部電極パターンをマスク蒸着とい
う簡単な手段で形成しても下部電極と短絡することがな
い。
According to the present invention, when the upper electrode pattern is deposited using a mask, an insulating layer is provided in advance on the lower electrode in areas where the contour is distorted and comes into contact with the lower electrode, or where there is a risk of contacting the lower electrode. Even if the pattern is formed by a simple method of mask vapor deposition, there will be no short circuit with the lower electrode.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例にかかわるEC表示素子の製
法を説明するものであり、図(1)〜(8)は平面図で
、図(1つ〜(71)ハ図(1) 〜(7)ノx −Y
矢視断面の端面図である。 第2図はEC表示素子の上に保護及び装飾のために載置
してもよい保護板の平面図であり、第3図は第1図(7
つのものに封止樹脂を介して第2図の保護板を接着した
ものの断面端面図である。 第4図は第3図のEC表示素子の平面図で着色した様子
を、第5図は同じく消色した様子を表わす。 〔主要部分の符号の説明〕 S・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・基板^・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・ 下部電極Z・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
 絶縁体層B・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・ 還元性EC層C・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 
イオン導電体層D・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ 酸化性EC層E・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ 上部電極P・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ 保護板W・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 透明
窓R・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・ 封止樹脂L1%  t、・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ リード線出願人  
日本光学工業株式会社 代理人  渡 辺 隆 男 /+−IA図 (1)         (1’) (2) ;A−2図    第3図 74図    第5図 手  続  補  正  書  (自 発)昭和57年
5月120 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1、事件の表示 昭和56年 特許願第206731号 2、発明の名称 エレクトロクロミック表示素子の製造法3、補正をする
者 事件との関係   特許出顧入 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 (411)日本光学工業株式会社 4、代理人 〒140東京部品川区西大井1丁目6番3号明細書の「
発明の詳細な説明」の欄 6補正の内容 (1)明細書第6頁第5行の「(1)〜(8)」を、[
1a)〜(8a)jと訂正し、同行の[(1°)〜(7
’ )Jを、It(1tl)〜(7’t))jと訂正す
る。 (2)同第6頁第6行の「(1)〜(7)」を、lr(
1a ”)〜(7a)、jと訂正する。 (3)同第6頁8〜9行の「図(1) 、 (1’) 
Jを、1図(1a)、(1b)、jと訂正する。 (4)同第7頁第1行及び第3〜4行の1図(2)」を
、それぞれ「図(2a)」と訂正する。 (5)  同第7頁第6行の[図(3)、(3°月を、
1図(6a)、(3b1と訂正する。 (6)同第8頁第11行の「図(4) 、 (4’)J
を、「図(4a)、(、41) )Jと訂正する。 (7)  同第9頁下から第6行の1図(5)、(5’
)Jを、■(5a)、(5b)」と訂正する。 (8)  同第101頁第10y11行の「図(6)、
(6°)」を、1図(6a) 、 (6b)」と訂正す
る。 (9)同第10頁第12行の[図(7)、(7’)Jを
、1図(7a)、(7b)」と訂正する。 01  同第11頁第2行の「第1図(8)」を、「第
1図(8a)、IIと訂正する。 手  続  補  正  書  (方 式)1、事件の
表示 昭和56年 特許願第206731号 2、発明の名称 エレクトロクロミック表示素子の製造法3、補正をする
者 事件との関係   特許出願人 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 (411)日本光学工業株式会社 4、代理人 〒140東京部品川区西大井1丁目6番3号5、補正命
令の日付 7、    − 昭和57年4月9日(発送日:昭和57年4月27日)
6、補正の対象 O明細書の「図面の簡単な説明」の欄 0図面 (1)  明細書第12頁第7行の「図(1)〜(荀」
を、1図(1a)〜(8a)J  と訂正する。 (2)  同第12頁第8行の「図(1′)〜(7’ 
) J を。 1図(1b)−(7kl )Jと訂正する。 (゛)、同第127頁I行0「図0)〜(7)」を・ 
1図(1a)〜(71Jと訂正する。 (4)  同第12′買llK12行の「第1図(7’
)Jを。 r第1図(7m))Jと訂正する。 (!9 図面の第1ム図及び第1B図を別紙のとお抄忙
訂正する。 a添付書類の目録 (1)  訂正した第1ム図及び第1B図・・・・・・
1通;+IA (1α) (2cL) 図 (1b) ) (5し) (,4b) αコ α〕
FIG. 1 is for explaining the manufacturing method of an EC display element according to an embodiment of the present invention, and FIGS. (1) to (8) are plan views, and FIGS. 〜(7)ノx −Y
FIG. FIG. 2 is a plan view of a protection plate that may be placed on the EC display element for protection and decoration, and FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional end view of a structure in which the protection plate of FIG. 2 is adhered to two objects via a sealing resin. FIG. 4 is a plan view of the EC display element shown in FIG. 3, showing a colored state, and FIG. 5 showing a similarly decolored state. [Explanation of symbols of main parts] S・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・Board ^・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ Lower electrode Z・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
Insulator layer B・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・Reducing EC layer C・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
Ion conductor layer D・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ Oxidizing EC layer E・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ Upper electrode P・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ Protective plate W・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Transparent window R・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
...... Sealing resin L1% t, ......
・・・・・・・・・・・・・・・ Lead wire applicant
Takao Watanabe, Agent for Nippon Kogaku Kogyo Co., Ltd. / +-IA Diagram (1) (1') (2); A-2 Figure 3 Figure 74 Figure 5 Procedure Amendment (Spontaneous) 1982 May 120, 2006, Commissioner of the Japan Patent Office Shima 1) Haruki Tono1, Indication of the case 1982 Patent Application No. 2067312, Name of the invention Method for manufacturing electrochromic display elements 3, Relationship with the amended person case Patent publication Client: Nippon Kogaku Kogyo Co., Ltd. 4, 3-2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo (411), Agent: 1-6-3 Nishi-Oi, Honbunagawa-ku, Tokyo 140
Contents of amendment in Column 6 “Detailed Description of the Invention” (1) “(1) to (8)” in page 6, line 5 of the specification have been changed to [
1a) ~ (8a) j, and the accompanying [(1°) ~ (7
')J is corrected as It(1tl)~(7't))j. (2) Change “(1) to (7)” on page 6, line 6 of the same page to lr(
1a") to (7a), j. (3) "Figures (1), (1') on page 6, lines 8 to 9.
Correct J to Figure 1 (1a), (1b), and j. (4) "Figure 1 (2)" in the 1st line and 3rd to 4th lines of page 7 is corrected to ``Figure (2a).'' (5) Page 7, line 6 [Figure (3), (3° moon,
1 (6a), (3b1). (6) "Figure (4), (4')J" on page 8, line 11.
should be corrected as ``Figure (4a), (,41)) J. (7) Figure 1 (5), (5') on the 6th line from the bottom of page 9
) J should be corrected as ■ (5a), (5b). (8) “Figure (6),” on page 101, line 10y11,
(6°)" should be corrected to "(6a), (6b)" in Figure 1. (9) On page 10, line 12, correct [Figures (7) and (7') J to 1 (7a) and (7b).'' 01 "Figure 1 (8)" in the second line of page 11 is corrected as "Figure 1 (8a), II. Procedural Amendment (Method) 1, Indication of Case 1982 Patent Application No. 206731 2, Name of the invention: Method for manufacturing electrochromic display elements 3, Relationship with the amended party case Patent applicant: Nippon Kogaku Kogyo Co., Ltd., 3-2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo (411) 4; Agent Address: 1-6-3-5 Nishi-Oi, Honbunagawa-ku, Tokyo 140 Date of Amendment Order: 7 - April 9, 1980 (Shipping date: April 27, 1980)
6. Subject of amendment: O Description, "Brief explanation of drawings" column 0 Drawing (1) "Drawings (1) to (Xun)" on page 12, line 7 of the specification
is corrected as Figure 1 (1a) to (8a)J. (2) "Figures (1') to (7') on page 12, line 8.
) J. Figure 1 (1b)-(7kl) Corrected as J. (゛), page 127, line I, 0 “Figures 0) to (7)”
Figure 1 (1a) to (71J) are corrected. (4) Figure 1 (7'
) J. rFigure 1 (7m)) Correct as J. (!9 Correct the attached drawings in Figure 1 and Figure 1B. a List of attached documents (1) Corrected Figure 1 and Figure 1B...
1 letter; +IA (1α) (2cL) Figure (1b) ) (5shi) (,4b) αkoα]

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 全固体型エレクトロクーミック表示素子の製造法に於い
て、上部電極パターンをマスク蒸着した場合に輪郭がく
ずれて下部電極と接触するか又はそのおそれのある領域
について予め下部電極の上に、絶縁体層を形成しておき
、上記電極パターンをマスク蒸着することを特徴とする
方法。
In the manufacturing method of an all-solid-state electrocoumic display element, an insulator is applied in advance on the lower electrode in areas where the contour of the upper electrode pattern is distorted and comes into contact with the lower electrode, or where there is a risk of contacting the lower electrode when the upper electrode pattern is vapor-deposited using a mask. A method characterized in that a layer is formed in advance, and the electrode pattern is deposited using a mask.
JP20673181A 1981-12-21 1981-12-21 Production of electrochromic display element Pending JPS58107518A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6150120A (en) * 1984-08-18 1986-03-12 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Production of dazzle preventing mirror
WO1995019588A3 (en) * 1994-01-13 1995-09-21 Isoclima Spa Electrochromic edge isolation-interconnect system, process and device for its manufacture

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51110995A (en) * 1975-03-25 1976-09-30 Suwa Seikosha Kk HYOJITAI

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51110995A (en) * 1975-03-25 1976-09-30 Suwa Seikosha Kk HYOJITAI

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6150120A (en) * 1984-08-18 1986-03-12 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Production of dazzle preventing mirror
JPH0525099B2 (en) * 1984-08-18 1993-04-09 Nippon Kogaku Kk
WO1995019588A3 (en) * 1994-01-13 1995-09-21 Isoclima Spa Electrochromic edge isolation-interconnect system, process and device for its manufacture

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