JPS58105120A - Plzt optical switching array - Google Patents

Plzt optical switching array

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JPS58105120A
JPS58105120A JP56203964A JP20396481A JPS58105120A JP S58105120 A JPS58105120 A JP S58105120A JP 56203964 A JP56203964 A JP 56203964A JP 20396481 A JP20396481 A JP 20396481A JP S58105120 A JPS58105120 A JP S58105120A
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JP
Japan
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plzt
switching
optical switching
switching array
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP56203964A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Shibakuchi
芝口 孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58105120A publication Critical patent/JPS58105120A/en
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/03Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
    • G02F1/055Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic

Abstract

PURPOSE:To perform high-resolution, high-contrast switching by providing discretely plural switching electrodes on one surface of a PLZT base plate and a reflector 26 on the opposite surface. CONSTITUTION:A PLZT optical switching array 21 has a PLZT22 base plate. whose opposite surfaces 22a and 22b are polished optically to obtain an about 200mum thickness. On one surface 22a, plural switching electrodes 23 and 24 formed of Ni, Cr-Au, etc., by photoetching technique are provided discretely. An electric field E is produced in an optical switch area 25 when a voltage is applied between switching electrodes 23 and 24 scarcely as deep as a distance between the electrodes, but a reflector 26 made of metal is provided on the reverse surface 22b to retard light in a returning travelling and to compensate a decrease in contrast accompanied with high resolution.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はPLZT光スイッチングアレイ、特に高解像
度でかつコントラストが十分に得られるPLZT光スイ
ッチングアレイに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a PLZT optical switching array, and particularly to a PLZT optical switching array that can provide high resolution and sufficient contrast.

従来のPLZT光スイッチングアレイとしては、例えば
第1図または第2図に示すようなものがある。PLzT
光スイッチングアレイlは、PbZrO3(ジルコン酸
鉛)とpbTiod(チタン酸鉛)と少量のLa2O5
とからなる透明で強!il電性を示すPLZT基板−の
一方の而、2a上にフォトエツチング技術を用いてNi
−Cr−Au等からなるスイッチング′jIf極3、グ
を設けた構成となっている。第1図に示すように、スイ
ッチング化$i3およびグは交叉指状に交互に複数個平
行に配されるか、あるいは第一図に示すように、スイッ
チングw、極μは被数個はltf直線上に離間して配さ
れ、一方、スイッチング電極3は複数個互いに平行に配
されるとともにスイッチング電極μに対して直交かつ離
間して配される。PLZT光スイッチングアレイ/は、
スイッチング電極3.μに印加される電圧を制御するこ
とにより、スイッチングを極3.4’に挾まれる鎮域j
を透過する光をON、OFFする。
Examples of conventional PLZT optical switching arrays include those shown in FIG. 1 or 2. PLzT
The optical switching array l is made of PbZrO3 (lead zirconate), pbTiod (lead titanate) and a small amount of La2O5.
Transparent and strong! On one side of the PLZT substrate 2a, which exhibits il conductivity, a photoetching technique was used to deposit Ni.
The structure is such that a switching pole 3 made of -Cr-Au or the like is provided. As shown in FIG. 1, switching $i3 and g are alternately arranged in parallel in a cross-finger pattern, or as shown in FIG. 1, switching w and pole μ are ltf On the other hand, a plurality of switching electrodes 3 are arranged parallel to each other and are arranged perpendicular to and spaced apart from the switching electrode μ. PLZT optical switching array/
Switching electrode 3. By controlling the voltage applied to μ, switching can be controlled between poles 3 and 4'.
Turns on and off the light that passes through.

第3図は、従来のPLZT光スイッチングアレイ/を光
プリンターに応用したものである。PLZT光スイッチ
ングアレイ/を、偏光子tと偏光子6と直交配置された
検光子7との間におき、水銀ランプtの光を平行光束に
して偏光子を側から照射−j−ル。Pi、ZT光スイッ
チングアレイlのスイッチング電極3.グは駆動回路り
で制御され、PLZT光スイッチングアレイlを透過し
た光は検光子7で検光され、感光紙10に照射する。
FIG. 3 shows a conventional PLZT optical switching array applied to an optical printer. A PLZT optical switching array is placed between a polarizer t and an analyzer 7 disposed perpendicular to the polarizer 6, and the light from the mercury lamp t is converted into a parallel beam of light and the polarizer is irradiated from the side. Switching electrodes of Pi, ZT optical switching array l3. The light transmitted through the PLZT optical switching array l is analyzed by an analyzer 7 and irradiated onto a photosensitive paper 10.

ところで、PLZT光スイッチングアレイ/の解像力は
、スイッチング成極3.≠の′嵯極ピッチによって決ま
ってくる。現在のフォトエツチングの技術を用いれば5
′0μピッチ程1式のt極形成は容易であシ、このピッ
チでスイッチング電4M3.’lを形成すると解像力は
20ドツト/朋となる。さらに、これ以上に高密度にス
イッチング電極を形成することが可能であり、より高解
像のPLZT光スイッチングアレイが実現できる。
By the way, the resolution of the PLZT optical switching array/3. It is determined by the polar pitch of ≠. Using current photoetching technology, 5
It is easy to form one set of t-poles with a pitch of 0μ, and with this pitch the switching electrodes 4M3. When 'l is formed, the resolution becomes 20 dots/h. Furthermore, it is possible to form switching electrodes at a higher density than this, and a PLZT optical switching array with higher resolution can be realized.

しかしながら、従来のPLZT光スイッチングアレイl
にあっては、高解像を得るために、電極ピッチを不透<
シてスイッチング電極3.≠を−」密藺に形成すると、
第μ図に示した如く、スイッチング電極3.を間の゛′
−極間隔lが小さくなる。一方・スイッチング[極3.
μ間の領域jの゛電界Eのかかる有効縁さdは、はぼj
と同程度であるため、スイッチング電極3.ダを都密度
に形成すればするほど有効深さdは小さくなる。PLZ
T光スイッチングアレイlのコントラスト(ON/′O
FF比)は、電界強1丈を一定にすると有効深さdに1
バ存する。したがって、従来のPLZT光スイッチング
アレイ/では、高解像を得るためにスイッチング電極3
.グを高密度に形成した場合、有効深さdが小さくなり
、コントラストが小さくなるという欠点を有していた。
However, the conventional PLZT optical switching array l
In order to obtain high resolution, the electrode pitch is made opaque.
Switching electrode 3. If you form ≠ into a −”,
As shown in FIG. μ, the switching electrode 3. between ゛′
- The pole spacing l becomes smaller. On the other hand, switching [pole 3.
The effective edge d of the electric field E in the region j between μ is approximately j
Since switching electrode 3. The more densely the holes are formed, the smaller the effective depth d becomes. PLZ
Contrast of T optical switching array l (ON/'O
FF ratio) is 1 for the effective depth d when the electric field strength 1 length is constant.
There is a bar. Therefore, in the conventional PLZT optical switching array, the switching electrode 3 is
.. When the layers are formed in a high density, the effective depth d becomes small and the contrast becomes small.

この発明の目的は、高解像でかつコントラストが十分に
得られるPLZT光スイッチングアレイを提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide a PLZT optical switching array with high resolution and sufficient contrast.

この発明のPLZT光スイッチングプレイは、PLZT
基板の一方の面にスイッチング電極を複数個離間して形
成するとともに、一方の面と対面する他の面に反射体を
形成する構成i有する。
The PLZT optical switching play of this invention is a PLZT optical switching play.
The present invention has a configuration i in which a plurality of switching electrodes are formed spaced apart on one surface of the substrate, and a reflector is formed on the other surface facing the one surface.

以下、この発明を図面を参照して説明する。Hereinafter, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第j図tよ、この発明の一実施例にかかるPLZT光ス
イッチングアレイおよび光学系の一部を示すものである
。まず、構成を説明する。2/はPI、ZT光スイッチ
ングアレイを示す。PLZT光スイッチングアレイ2/
は、PbZr05(ジルコン酸鉛)とPb Ti05(
チタン酸鉛)と少量のLa205とからなる透明で強誘
電性を示すPLZT基板(その組成はりAV35である
。(PLZTの組成は一般に(Pb1−xLax)(Z
rt−y ’rty) 03であるが、略号としてC1
00x/100−100y/100y’)が使用される
。))22を有する。PLZT基板nは、互いに対面す
るλつの面ユコ&、、22bが光学研摩されており、は
ば−00μの厚さを有する。PLZT基板二の一方の面
22h上には、フォトエツチング技術によりNしCr−
Au等からなるスイッチング電極力、コダが複数個離間
して設けられている。第5図には、図示の便宜上1つの
画素を構成する一組のスイッチング電4=7x3.2t
aのみを示している。スイッチング電’423 、20
に挾゛止れるPLZT基板22の領域コ5は、スイッチ
ング電極;23.lの電圧を図外の駆動回路で制御する
ことにより、通過する光がON、 OFFされる光スイ
ツチ領域となる。Eは、スイッチング電悦コJ、Jに電
圧が印加される時に光スイッチ領域易に生ずる電界を示
す。PLZT基板22の一方の面、22aと反対側の面
、’!、2 b上には、金属からなる反射体26が設け
られている。、27は偏光子である。Uは検光子であシ
、偏光子、27に対して直交配置されている。29は千
芭鋭である。偏光子、27、検光子−5、平面鏡コ9は
光学系の一部をなす。30は例えば図外の水銀ランプ等
から照射される入射光である。3/はPLZT光スイッ
チングアレイコ/で制御され検光子、2gで検光された
出射光である。
FIG. j, t shows a part of a PLZT optical switching array and optical system according to an embodiment of the present invention. First, the configuration will be explained. 2/ indicates a PI, ZT optical switching array. PLZT optical switching array 2/
are PbZr05 (lead zirconate) and PbTi05 (
A transparent ferroelectric PLZT substrate (its composition is AV35) consisting of lead titanate) and a small amount of La205. (The composition of PLZT is generally (Pb1-xLax) (Z
rt-y 'rty) 03, but as an abbreviation C1
00x/100-100y/100y') is used. )) has 22. The PLZT substrate n has two λ surfaces facing each other, which are optically polished, and has a thickness of −00μ. On one side 22h of the PLZT substrate 2, N and Cr- are etched by photo-etching technology.
A plurality of switching electrodes made of Au or the like are provided spaced apart. For convenience of illustration, FIG. 5 shows a set of switching voltages 4=7x3.2t constituting one pixel
Only a is shown. Switching electric '423, 20
23. The area 5 of the PLZT substrate 22 that is clamped is a switching electrode; 23. By controlling the voltage of l with a drive circuit (not shown), it becomes a light switch region where passing light is turned on and off. E indicates the electric field generated in the optical switch region when a voltage is applied to the switching electric currents J, J. One surface of the PLZT substrate 22, the surface opposite to 22a,'! , 2b, a reflector 26 made of metal is provided. , 27 are polarizers. U is an analyzer and is arranged perpendicular to the polarizer 27. 29 is Chibanei. The polarizer 27, the analyzer 5, and the plane mirror 9 form part of the optical system. Reference numeral 30 denotes incident light emitted from, for example, a mercury lamp (not shown). 3/ is the output light controlled by the PLZT optical switching array co/ and analyzed by the analyzer 2g.

次に、作用を説明する。Next, the effect will be explained.

PLzT光スイッチングアレイ2/のスイッチ領域Jに
、入射光30を、偏光子27で電界Eの方向に対して粘
度の方向に直線偏光させ平面鏡29で反射させて入射さ
せると、スイッチ領域易°が電界Eによる電気光学効果
により電界Eの強度の2乗に比例した屈折率変化を生じ
ているため、リタデション波長、万:屈折率変化=了η
3 B R2,η:屈折率、R1定数、E:電界強度、
d : PLZT基板、22ノ有効厚(電界が存在して
いる有効深さと同じ))である。このリタデーションr
を受けた光は、反射体易で反射されスイッチ領域、25
の同じ電界Eの中を逆向きに進み再度リタテーションr
を受けてPLZT光スイッチングプレイ21から出射し
、偏光子、27に対して直交配置された検光予調′で検
光されて出射光3/となる。出射光3ハすなわち、検光
子dを通過した後の光の強度■0は、PLZT光スイッ
チングアレイ2/に入射した光の強度をIiとすると、
光が光スイツチ領域jを反射体26で反射されて往復し
リタナーションを2回受けるため、Io = II 5
in22X −= It 5in2r  ・=−(II
コ となる。かくして、PLZT光スイッチングアレイ2/
の各画素を構成するスイッチング電極、2.? 、 2
’/−に、あらかじめ与えられた情報信号にしたがって
電圧をON、OFFすれは′、′電圧、すなわち、電界
Eが印加された光スイツチ領域25を通過した光は検光
子−ケ通過しく1)式に示す強1froの出射光3/と
なり、゛−界Eが印加されない光スイツチ領域25を通
過した光リタテーションを受けず偏光状)ルが変化しな
いため、偏光子27に対して直交配置された検光子28
゛で遮断され出射光3/の強度は零となる。この結果、
光のON、OFFが得られることになる。
When the incident light 30 is linearly polarized in the direction of viscosity with respect to the direction of the electric field E by the polarizer 27 and reflected by the plane mirror 29, the switch region J is incident on the switch region J of the PLzT optical switching array 2/. Since the electro-optic effect caused by the electric field E causes a change in the refractive index proportional to the square of the intensity of the electric field E, the retardation wavelength, 10,000: refractive index change = η
3 B R2, η: refractive index, R1 constant, E: electric field strength,
d: PLZT substrate, effective thickness (same as the effective depth where the electric field is present) of 22 mm. This retardation r
The received light is reflected by the reflector and passes through the switch area, 25
goes in the opposite direction in the same electric field E and gets retardation r again.
In response to this, the light is emitted from the PLZT optical switching play 21, and is analyzed by a pre-analyzer arranged orthogonally to the polarizer 27 to become emitted light 3/. The intensity of the emitted light 3c, that is, the intensity of the light after passing through the analyzer d;
Since the light travels back and forth through the optical switch area j by being reflected by the reflector 26 and undergoes returnation twice, Io = II 5
in22X −= It 5in2r ・=−(II
Becomes Ko. Thus, the PLZT optical switching array 2/
a switching electrode constituting each pixel; 2. ? , 2
'/-, the voltage is turned on and off according to the information signal given in advance. In other words, the light that passes through the optical switch area 25 to which the electric field E is applied passes through the analyzer.1) The output light 3/ has a strong intensity of 1fro as shown in the equation, and the light that passes through the optical switch region 25 to which no field E is applied does not undergo retardation and the polarization state does not change. Analyzer 28
The intensity of the emitted light 3/ becomes zero. As a result,
This means that the light can be turned on and off.

この実施例のPLZT光スイッチングアレイ2/にあっ
ては、光が反射体コロで反射されて光スイツチ領域25
を往復して実質的に有効な有効厚が2dとなり、リタテ
ーションが一倍となって従来の透過形に比較して一倍の
リタデーションを受けるため、出射光3/の強11JI
oは大きくなり、コントラストが増大する。
In the PLZT optical switching array 2/ of this embodiment, light is reflected by the reflector rollers and reaches the optical switch area 25.
The effective thickness becomes 2d by going back and forth, and the retardation is twice that of the conventional transmission type, so the intensity of the emitted light is 3/11JI.
o becomes larger and the contrast increases.

第2図は、この発明によるPLZT光スイッチングアレ
イ2/を光プリンターに適用した応用実施例を示したも
のである。図において長手方向(紙面に垂直な方向)に
伸びた光源toは、ハロゲンランプまたは緑色螢火灯か
らなり反射板17.7によって反射鏡仙側に照射する。
FIG. 2 shows an application example in which the PLZT optical switching array 2/ according to the present invention is applied to an optical printer. In the figure, the light source to extending in the longitudinal direction (direction perpendicular to the plane of the paper) is a halogen lamp or a green fluorescent lamp and irradiates the sac side of the reflecting mirror through a reflecting plate 17.7.

反射鋭〜で反射された入射光は偏光子、27全通過した
後スリット弘3で長手方向に伸びた線状の1(へ明と7
より、同様に長手方向に沖ヒfC,PLZT光スイッチ
ングアレイ、2/に入射する。
The incident light reflected by the reflective sharp 27 passes through the polarizer 27, and then passes through the slit 3, where it forms a linear 1 (bright and 7) extending in the longitudinal direction.
Similarly, the light enters Okihi fC, PLZT optical switching array, 2/ in the longitudinal direction.

この線状に照明された入射光は、長手方向に配ちれ7t
PLZT光スイツチングアレイ2/の各々のスイッチン
グ電極(第6図には図示せず)によって制御される。つ
まり、電圧が印加されたスイッチング電極間の光スイツ
チ領域では電気光学効呆により電界の強度の2乗に比例
した屈折率変化が生じ、往路および反射体26で反射さ
れた復路でそ7Lぞれrのリタテーションが生じること
になり、検光子Uを通過した出射光は(11式で表わさ
れる強度ioを持つ。電圧が印加されない電極間の光ス
イツチ領域ではリタデーシ日ンは受けず、したがって入
射光は何ら変化を受けないため偏光子、27に対して直
交配置された検光子Jδ゛で遮断され出射光の強度は零
となる。これらの出射光を反射mlを介し例えば集束性
光伝送体アレイQを使用して感光ドラム侘に投射する。
This linearly illuminated incident light is distributed in the longitudinal direction and 7t
It is controlled by each switching electrode (not shown in FIG. 6) of the PLZT optical switching array 2/. In other words, in the optical switch region between the switching electrodes to which a voltage is applied, a refractive index change proportional to the square of the electric field intensity occurs due to the electro-optic effect, and the refractive index changes in the forward path and in the return path reflected by the reflector 26, respectively. Retardation r will occur, and the output light that has passed through the analyzer U has an intensity io expressed by equation 11.In the optical switch region between the electrodes where no voltage is applied, no retardation occurs, and therefore the incident light Since the light does not undergo any change, it is blocked by the analyzer Jδ゛ arranged orthogonally to the polarizer 27, and the intensity of the emitted light becomes zero.These emitted lights are reflected by a convergent light transmitter, for example. The array Q is used to project onto the photosensitive drum.

この光プリンターにおいては、この発明による反射形の
PLZT光スイッチングアレイ2/を使用しているため
高コントラストのハードコピーが得られた。
In this optical printer, a high-contrast hard copy was obtained because the reflective PLZT optical switching array 2/ according to the present invention was used.

なお、この発明によるPLZT光スイッチングアレイを
空間変調器に使用することもできる。
Note that the PLZT optical switching array according to the present invention can also be used as a spatial modulator.

以上説明してきたように、この発明によれば、PbZr
O3とPbTi o5とLa205とからなるPLZ’
l’基板の一方の面に後数個の離間したスイッチング電
極を設け、1) L Z T基板の一方の面と反対側の
面に反射体を設け1PLZT光スイツチングアレイの構
成としたため、光がPLZT基板内を往復し有効厚が一
倍となる。したがって、スイッチング電極間の間隔を小
さくしてPLZT光スイッチングアレイの解饋邸を上げ
てもコントラストを十分得ることができる。すなわち、
この発明のPLZT光スイッチングアレイによnば、高
解像度と高コントラストがともに得ら九るという効果を
奏する。
As explained above, according to this invention, PbZr
PLZ' consisting of O3, PbTi o5 and La205
Several spaced apart switching electrodes were provided on one surface of the L' substrate, and a reflector was provided on the opposite surface of the L Z T substrate to form a 1PLZT optical switching array. moves back and forth within the PLZT substrate, and the effective thickness is doubled. Therefore, even if the resolution of the PLZT optical switching array is increased by reducing the interval between the switching electrodes, sufficient contrast can be obtained. That is,
The PLZT optical switching array of the present invention has the advantage of providing both high resolution and high contrast.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のPLZT光スイッチングアレイを示す平
面図、第2図は従来の他のPLZT光スイッチングアレ
イ葡示す平面図、第3図は従来のPLZT光スイッチン
グアレイを用いた光プリンターの例を示す概略斜視図、
第1図は従来のPLZT光スイッチングアレイを示す断
面図、Mj図はこの発明の一実施例によるPLZT光ス
イッチングアレイの断+frと光学系の一部を示す材略
図、第を図はこの発明のPLZT光スイッチングプレイ
を用いた光プリンターの例を示す顧略図である。 2/・・・PLZT光スイッチングアレイ、Ω・・・P
LZT基板1.zj 、 、24L・・・スイッチング
電・鷹、2A・・・反射体。 出顧人代理人  猪 股   清 (//) 第?閏
Fig. 1 is a plan view showing a conventional PLZT optical switching array, Fig. 2 is a plan view showing another conventional PLZT optical switching array, and Fig. 3 is an example of an optical printer using a conventional PLZT optical switching array. A schematic perspective view showing,
Fig. 1 is a cross-sectional view showing a conventional PLZT optical switching array, Fig. Mj is a schematic diagram showing a section +fr of a PLZT optical switching array according to an embodiment of the present invention and a part of the optical system, and Fig. 1 is a schematic diagram showing an example of an optical printer using a PLZT optical switching play. 2/...PLZT optical switching array, Ω...P
LZT substrate 1. zz, , 24L...Switching electric hawk, 2A...Reflector. Client agent Kiyoshi Inomata (//) No.? Leap

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] Pb Zr 05とPb Ti 05とLa2O5とか
らなるPLZT基板と、このPLZT基板の一方の面に
設けられる複数個の離間したスイッチング電極と、前記
PLZT基板の前記一方の面と反対側の面に設けられる
反射体と、を有することを特徴とするPLZT光スイッ
チングアレイ。
A PLZT substrate made of Pb Zr 05, Pb Ti 05 and La2O5, a plurality of spaced apart switching electrodes provided on one surface of the PLZT substrate, and a plurality of switching electrodes provided on a surface opposite to the one surface of the PLZT substrate. 1. A PLZT optical switching array, comprising: a reflector which is a reflector;
JP56203964A 1981-12-17 1981-12-17 Plzt optical switching array Pending JPS58105120A (en)

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JP (1) JPS58105120A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4990943A (en) * 1989-07-03 1991-02-05 Motorola, Inc. PLZT Laser modulator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4990943A (en) * 1989-07-03 1991-02-05 Motorola, Inc. PLZT Laser modulator

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