JPH1199141A - Individual authentication device and its manufacture - Google Patents

Individual authentication device and its manufacture

Info

Publication number
JPH1199141A
JPH1199141A JP9263608A JP26360897A JPH1199141A JP H1199141 A JPH1199141 A JP H1199141A JP 9263608 A JP9263608 A JP 9263608A JP 26360897 A JP26360897 A JP 26360897A JP H1199141 A JPH1199141 A JP H1199141A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
individual
electrode group
electrode
electrodes
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9263608A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Henmi
和弘 逸見
Shiro Saito
史郎 斉藤
Shigeki Uno
茂樹 宇野
Satoshi Uchida
智 内田
Kenichi Ide
賢一 井手
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP9263608A priority Critical patent/JPH1199141A/en
Publication of JPH1199141A publication Critical patent/JPH1199141A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13Sensors therefor
    • G06V40/1306Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Collating Specific Patterns (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect the irregularity of an individual with high accuracy by providing a first electrode group arranged into an array shape and a second electrode group connected to individual electrodes of it on a substrate detecting irregularities such as the fingerprint of a human being as the difference of electrostatic capacity, and providing an insulating layer on the second electrode group. SOLUTION: A finger 12 is pressed to an insulator film 9 to detect a fingerprint which is irregular data. An analog switch 3 is switched in the longitudinal direction of the finger 12 by the output of a timing pulse generator 5, and the outputs of an oscillator 4 are connected to individual electrodes 1a, 1b in sequence. The outputs of the output electrodes 1a, 1b are received by input electrodes 2a, 2b connected to the output electrodes 1a, 1b by an anisotropic conductive film 10, the potential difference generated between both ends of a terminal resistor 8 is detected by a detecting circuit 6, and the output signal is inputted to a controller 13 via an A/D converter 7. The controller 13 compares and collates the inputted signal on the feature of the finger 12 with the feature information of the finger 12 stored in a memory section in advance for individual authentication.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、指等の個体の特徴
を用いて個体(本人等)の確認を行う個体認証装置及び
その製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an individual authentication apparatus for identifying an individual (person, etc.) using characteristics of the individual, such as a finger, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、人間の指紋等の凹凸を静電容量の
違いとして検出する方式が提案されている。アレイ電極
(1次元の配列や2次元のマトリクス配置等を含む。)
に指を接触あるいは近接させたときの指表面と電極間の
静電容量を順次読み取るもので、静電容量の大きさは指
表面と電極間の距離に反比例し、指が電極に直接接触し
た導通状態のときは静電容量は無限大と見なせる。
2. Description of the Related Art Hitherto, there has been proposed a method of detecting unevenness of a human fingerprint or the like as a difference in capacitance. Array electrodes (including one-dimensional arrangement and two-dimensional matrix arrangement)
The capacitance between the finger surface and the electrode when the finger is touched or brought close to the electrode is sequentially read, and the magnitude of the capacitance is inversely proportional to the distance between the finger surface and the electrode, and the finger directly contacts the electrode When in a conductive state, the capacitance can be regarded as infinite.

【0003】しかし、指が接触したときの導通状態( 表
面抵抗値) は指等の発汗状態に大きく依存するため、露
出電極では高い再現性を得ることは難しい。そのため、
電極表面に薄い絶縁層を形成する構造が用いられる。こ
の場合、容量性結合のみで凹凸を検出しているため指等
の発汗状態に依存せず再現性の高いデータを得ることが
できる。さらに、容量性結合のうち絶縁膜による値は絶
縁膜の厚さに反比例し、絶縁膜が薄いほど指の凹凸を精
度良く検出することができる。
However, since the conduction state (surface resistance value) when a finger comes into contact greatly depends on the sweating state of a finger or the like, it is difficult to obtain high reproducibility with an exposed electrode. for that reason,
A structure in which a thin insulating layer is formed on an electrode surface is used. In this case, since the unevenness is detected only by the capacitive coupling, data with high reproducibility can be obtained without depending on the sweating state of the finger or the like. Furthermore, the value of the capacitive coupling due to the insulating film is inversely proportional to the thickness of the insulating film, and the thinner the insulating film, the more accurately the unevenness of the finger can be detected.

【0004】この薄い絶縁膜は、シリコン集積回路技術
等を用いれば、比較的容易に形成することが可能である
が、検出部を一般的なプリント基板等で製造する場合に
は適用が難しい。この問題点を図9を用いて説明する。
即ち、絶縁膜109を接着することによってその形成を
行うことはできるものの、接着層110を薄くすること
が困難であり、得られる指等の凹凸データの精度が低く
なるという問題があった。なお、この図9において、1
01、102はアレイ状に配列された電極、111はプ
リント基板である。
[0004] This thin insulating film can be formed relatively easily by using a silicon integrated circuit technique or the like, but it is difficult to apply the thin insulating film to a case where the detecting section is manufactured on a general printed board or the like. This problem will be described with reference to FIG.
That is, although the formation can be performed by bonding the insulating film 109, it is difficult to reduce the thickness of the bonding layer 110, and there is a problem in that the accuracy of the obtained unevenness data of a finger or the like is reduced. In FIG. 9, 1
Reference numerals 01 and 102 denote electrodes arranged in an array, and 111 denotes a printed circuit board.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述したように人間の
指紋等の凹凸を静電容量の違いとして検出する方式で、
電極表面に薄い絶縁層を形成する構造においては、絶縁
膜を薄く形成することが困難であり、得られる指等の凹
凸データの精度が低くなるという問題があった。本発明
は、指等の凹凸データの精度を高めることが可能な個体
認証装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
As described above, a method of detecting unevenness of a human fingerprint or the like as a difference in capacitance is used.
In a structure in which a thin insulating layer is formed on an electrode surface, it is difficult to form a thin insulating film, and there has been a problem that the accuracy of data of unevenness of a finger or the like obtained becomes low. An object of the present invention is to provide an individual authentication device capable of improving the accuracy of unevenness data of a finger or the like and a method of manufacturing the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ため本発明の第1は、基体と、この基体上にアレイ状に
配置された第1の電極群と、この第1の電極群に含まれ
る個々の電極と電気的に接続するようにアレイ状に設け
られた個々の電極を有する第2の電極群と、この第2の
電極群上に該電極群表面を被覆するように設けられた絶
縁層と、この絶縁層に個体を押し付けた時における個体
表面と前記第2の電極群に含まれる個々の電極間の静電
容量から、個体の特徴データを抽出する特徴抽出手段
と、あらかじめ被照合用の個体の特徴情報を記憶してい
る記憶手段と、前記特徴抽出手段で抽出された特徴デー
タと前記記憶手段に記憶されている特徴情報とを照合す
る照合手段とを備えたことを特徴とする個体認証装置を
提供する。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention is to provide a base, a first electrode group arranged in an array on the base, and a first electrode group. A second electrode group having individual electrodes arranged in an array so as to be electrically connected to the included individual electrodes; and a second electrode group provided on the second electrode group so as to cover the surface of the electrode group. A characteristic extracting means for extracting characteristic data of the individual from the surface of the individual when the individual is pressed against the insulating layer and the capacitance between the individual electrodes included in the second electrode group; Storage means for storing characteristic information of an individual to be verified, and matching means for comparing the characteristic data extracted by the characteristic extraction means with the characteristic information stored in the storage means. An individual authentication device is provided.

【0007】また本発明の第2は、基体と、この基体上
にアレイ状に配置された第1の電極群と、この第1の電
極群に含まれる個々の電極と電気的に接続するように設
けられた異方性導電層と、この異方性導電層上に該導電
層表面を被覆するように設けられた絶縁層と、この絶縁
層に個体を押し付けた時における個体表面と前記異方性
導電層間の静電容量から、個体の特徴データを抽出する
特徴抽出手段と、あらかじめ被照合用の個体の特徴情報
を記憶している記憶手段と、前記特徴抽出手段で抽出さ
れた特徴データと前記記憶手段に記憶されている特徴情
報とを照合する照合手段とを備えたことを特徴とする個
体認証装置を提供する。
A second aspect of the present invention is to electrically connect a base, a first electrode group arranged on the base in an array, and individual electrodes included in the first electrode group. An anisotropic conductive layer provided on the insulating layer, an insulating layer provided on the anisotropic conductive layer so as to cover the surface of the conductive layer, and the surface of the solid when the solid is pressed against the insulating layer. Feature extracting means for extracting characteristic data of an individual from the capacitance between anisotropic conductive layers, storage means for storing characteristic information of an individual to be compared in advance, and feature data extracted by the characteristic extracting means And a matching unit for checking the characteristic information stored in the storage unit.

【0008】この本発明の第2において、前記異方性導
電層上に設けられ、この異方性導電層を介して前記第1
の電極群に含まれる個々の電極と電気的に接続するよう
にアレイ状に設けられた個々の電極を有する第2の電極
群を具備することが望ましい。
[0008] In the second aspect of the present invention, the first anisotropic conductive layer is provided on the anisotropic conductive layer and the first anisotropic conductive layer is interposed therebetween.
It is preferable to include a second electrode group having individual electrodes provided in an array so as to be electrically connected to the individual electrodes included in the electrode group.

【0009】上記した本発明の第1及び第2において以
下の態様が好ましい。 (1)前記基体には、周辺回路に接続される電極パッド
群が所定間隔で設けられ、前記第1の電極群に含まれる
個々の電極は前記電極パッド群の個々のパッドに接続さ
れていること。
In the first and second aspects of the present invention, the following aspects are preferred. (1) An electrode pad group connected to a peripheral circuit is provided on the base at a predetermined interval, and individual electrodes included in the first electrode group are connected to individual pads of the electrode pad group. thing.

【0010】(2)前記第1の電極群は複数の出力電極
と入力電極とを備え、前記複数の出力電極側には発振手
段が設けられ、前記複数の出力電極には前記発振手段か
らの出力を前記出力電極の個々の電極に切り替える切り
替え手段が接続されており、かつ前記入力電極側には該
入力電極より得られた電気信号を検波する検波手段が設
けられていること。
(2) The first electrode group includes a plurality of output electrodes and an input electrode, and oscillating means is provided on the plurality of output electrodes, and the plurality of output electrodes are provided with a signal from the oscillating means. Switching means for switching an output to each of the output electrodes is connected, and a detection means for detecting an electric signal obtained from the input electrode is provided on the input electrode side.

【0011】(3)前記第1の電極群は複数の出力電極
と入力電極とを備え、前記複数の出力電極の個々の電極
にそれぞれ対応して複数の発振手段が設けられ、この複
数の発振手段には該発振手段からの出力のON/OFFを制御
する出力制御手段が設けられ、前記入力電極側には該入
力電極より得られた電気信号を検波する検波手段が設け
られていること。
(3) The first electrode group includes a plurality of output electrodes and an input electrode, and a plurality of oscillating means are provided corresponding to each of the plurality of output electrodes, respectively. The means is provided with output control means for controlling ON / OFF of an output from the oscillation means, and the input electrode side is provided with detection means for detecting an electric signal obtained from the input electrode.

【0012】(4)前記第1の電極群は出力電極と複数
の入力電極とを備え、前記出力電極側には発振手段が設
けられ、前記複数の入力電極には前記発振手段からの出
力を前記入力電極の個々の電極に切り替える切り替え手
段が接続されており、かつ前記複数の入力電極側には該
入力電極より得られた電気信号を検波する検波手段が設
けられていること。
(4) The first electrode group includes an output electrode and a plurality of input electrodes, an oscillating means is provided on the output electrode side, and an output from the oscillating means is provided to the plurality of input electrodes. Switching means for switching to each of the input electrodes is connected, and a detection means for detecting an electric signal obtained from the input electrode is provided on the plurality of input electrodes.

【0013】(5)前記入力電極より得られた電気信号
の帯域を制限する帯域制限手段を具備し、前記発振手段
の発振周波数が前記帯域制限手段の通過帯域に含まれる
こと。
(5) Band limiting means for limiting the band of the electric signal obtained from the input electrode is provided, and the oscillation frequency of the oscillating means is included in the pass band of the band limiting means.

【0014】(6)前記絶縁層は前記入力電極及び出力
電極上を完全に覆っていること。 (7)前記絶縁層は前記入力電極上において選択的に開
口部が形成され、該部分において被覆されていないこ
と。
(6) The insulating layer completely covers the input electrode and the output electrode. (7) An opening is selectively formed on the input electrode in the insulating layer, and the opening is not covered in the opening.

【0015】(8)前記個体は人間若しくは動物の皮膚
であること。 (9)前記個体は人間若しくは動物の指であること。 また本発明の第3は、基体と、この基体上にアレイ状に
配置された第1の電極群と、この第1の電極群に含まれ
る個々の電極と電気的に接続するようにアレイ状に設け
られた個々の電極を有する第2の電極群と、この第2の
電極群上に該電極群表面を被覆するように設けられた絶
縁層と、この絶縁層に個体を押し付けた時における個体
表面と前記第2の電極群に含まれる個々の電極間の静電
容量から、個体の特徴データを抽出する特徴抽出手段
と、あらかじめ被照合用の個体の特徴情報を記憶してい
る記憶手段と、前記特徴抽出手段で抽出された特徴デー
タと前記記憶手段に記憶されている特徴情報とを照合す
る照合手段とを備えた個体認証装置の製造方法であっ
て、前記基体上にアレイ状に前記第1の電極群を形成す
る工程と、前記絶縁層上にアレイ状に前記第2の電極群
を形成する工程と、前記第1の電極群及び第2の電極群
に含まれる個々の電極をお互いに電気的に接続するよう
に貼り合わせる工程とを具備することを特徴とする個体
認証装置の製造方法を提供する。
(8) The individual is human or animal skin. (9) The individual is a human or animal finger. A third aspect of the present invention is a substrate, a first electrode group arranged on the substrate in an array, and an array formed to be electrically connected to individual electrodes included in the first electrode group. A second electrode group having individual electrodes provided on the second electrode group, an insulating layer provided on the second electrode group so as to cover the surface of the electrode group, and an individual when pressed against the insulating layer. Feature extracting means for extracting characteristic data of the individual from the capacitance between the surface of the individual and the individual electrodes included in the second electrode group, and storage means for storing in advance the characteristic information of the individual to be compared And a collating means for collating the characteristic data extracted by the characteristic extracting means with the characteristic information stored in the storage means, comprising: Forming the first electrode group, the insulating layer Forming the second electrode group in an array, and bonding the individual electrodes included in the first electrode group and the second electrode group so as to be electrically connected to each other. A method for manufacturing an individual authentication device is provided.

【0016】さらにまた本発明の第4は、基体と、この
基体上にアレイ状に配置された第1の電極群と、この第
1の電極群に含まれる個々の電極と電気的に接続するよ
うに設けられた異方性導電層と、この異方性導電層上に
該導電層表面を被覆するように設けられた絶縁層と、こ
の絶縁層に個体を押し付けた時における個体表面と前記
異方性導電層間の静電容量から、個体の特徴データを抽
出する特徴抽出手段と、あらかじめ被照合用の個体の特
徴情報を記憶している記憶手段と、前記特徴抽出手段で
抽出された特徴データと前記記憶手段に記憶されている
特徴情報とを照合する照合手段とを備えた個体認証装置
の製造方法であって、前記基体上にアレイ状に前記第1
の電極群を形成する工程と、前記絶縁層上に前記異方性
導電層を形成する工程と、前記第1の電極群及び前記異
方性導電層をお互いに電気的に接続するように貼り合わ
せる工程とを具備することを特徴とする個体認証装置の
製造方法を提供する。
Still further, according to a fourth aspect of the present invention, a base, a first electrode group arranged in an array on the base, and individual electrodes included in the first electrode group are electrically connected. Anisotropic conductive layer provided as described above, an insulating layer provided on the anisotropic conductive layer so as to cover the conductive layer surface, the solid surface when the solid is pressed against the insulating layer, and Feature extracting means for extracting characteristic data of an individual from the capacitance between the anisotropic conductive layers, storage means for storing characteristic information of the individual to be compared in advance, and features extracted by the characteristic extracting means A method of manufacturing an individual authentication device, comprising: comparing means for comparing data with characteristic information stored in said storage means, wherein the first authentication apparatus is arranged in an array on the base.
Forming the electrode group, forming the anisotropic conductive layer on the insulating layer, and bonding the first electrode group and the anisotropic conductive layer so as to be electrically connected to each other. And providing a method for manufacturing an individual authentication device.

【0017】この本発明の第4において、前記絶縁層上
にアレイ状に第2の電極群を形成する工程と、この第2
の電極群上に前記異方性導電層を形成する工程と、この
異方性導電層を介して前記第1の電極群及び第2の電極
群それぞれに含まれる個々の電極をお互いに電気的に接
続するように貼り合わせる工程とを具備することが望ま
しい。
In the fourth aspect of the present invention, a step of forming a second electrode group in an array on the insulating layer;
Forming the anisotropic conductive layer on the electrode group, and electrically connecting the individual electrodes included in each of the first electrode group and the second electrode group to each other via the anisotropic conductive layer. And a step of bonding to be connected to

【0018】なお、上記したアレイ電極の配置には、1
次元の配列や2次元のマトリクス配置等が含まれる。上
記した本発明によれば、複数の電極(第2の電極群)或
いは異方性導電層表面を被覆する絶縁層を形成するため
に、予め基体上に第1の電極群を形成しておくととも
に、同様に予め前記絶縁層上に複数の電極(第2の電極
群)或いは異方性導電層を形成して薄いシートを作製し
ておく。この複数の電極或いは異方性導電層が形成され
た薄いシートを裏返して用い、この複数の電極或いは異
方性導電層電極を周辺回路に接続されている所定間隔の
電極パッド(第1の電極群)に接続することにより、絶
縁層そのものの厚みが全絶縁膜厚に相当するようにする
ことが可能である。即ち、接着層の厚みによる全絶縁膜
厚の増大を防止することができ、かかる膜厚を小さく抑
えることができる。したがって、指の凹凸データを高精
度に検出可能な個人認証装置を提供することができ、個
人認証装置としての照合精度を向上させることが可能で
ある。
The arrangement of the array electrodes described above includes 1
It includes a two-dimensional array and a two-dimensional matrix arrangement. According to the present invention described above, the first electrode group is previously formed on the base in order to form a plurality of electrodes (second electrode group) or an insulating layer covering the surface of the anisotropic conductive layer. At the same time, a plurality of electrodes (second electrode group) or an anisotropic conductive layer is formed on the insulating layer in advance to prepare a thin sheet. The thin sheet on which the plurality of electrodes or the anisotropic conductive layer is formed is used upside down, and the plurality of electrodes or the anisotropic conductive layer electrodes are connected to a peripheral circuit at predetermined intervals by electrode pads (first electrode By connecting to (group), it is possible to make the thickness of the insulating layer itself correspond to the total insulating film thickness. That is, it is possible to prevent the total thickness of the insulating film from increasing due to the thickness of the adhesive layer, and it is possible to suppress such a thickness. Therefore, it is possible to provide a personal authentication device capable of detecting the unevenness data of the finger with high accuracy, and it is possible to improve the matching accuracy as the personal authentication device.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明に
係る個体認証装置及びその製造方法を詳細に説明する。 (第1の実施形態)図1は、本発明の第1の実施形態に
係る個人認証装置の構成を示す概略図である。図1
(a)、(b)はそれぞれこの個人認証装置の断面図及
び上面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an individual authentication device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a personal authentication device according to a first embodiment of the present invention. FIG.
(A) and (b) are a sectional view and a top view of the personal authentication device, respectively.

【0020】図1において、11はプリント基板、9 は絶
縁体膜であり、この絶縁体膜9 として膜厚が1 〜20μm
程度のPET(ポリエチレンテレフタレート) 、PPS(ポリフ
ェニレンサルファイド) 等のフィルムを用いる。1aは出
力線状電極アレイ、2aは入力電極で、ともに絶縁体膜9
の裏面にお互いに同一面に形成されている。
In FIG. 1, 11 is a printed circuit board, 9 is an insulator film, and the insulator film 9 has a thickness of 1 to 20 μm.
A film such as PET (polyethylene terephthalate) or PPS (polyphenylene sulfide) is used. 1a is an output linear electrode array, 2a is an input electrode, both of which are insulating films 9
Are formed on the same surface with each other on the back surface.

【0021】電極形成は、マスク蒸着等のプロセスを用
いて行う。即ち、所定のパターンに加工されたステンレ
ス製の薄板をプリント基板に固定し、その上に全面に金
属膜を形成して前記ステンレス製薄板を取り外すことに
より、当該薄板の溝パターン部に選択的に金属膜を残存
せしめて電極を形成することができる。また、この方法
のかわりに金属製薄板をプリント基板に貼り合わせた
後、マスクの形成及びウエットエッチング処理により金
属パターンを形成することも可能である。
The electrodes are formed by a process such as mask evaporation. That is, a stainless steel thin plate processed into a predetermined pattern is fixed to a printed circuit board, a metal film is formed on the entire surface thereof, and the stainless steel thin plate is removed. An electrode can be formed by leaving the metal film. Instead of this method, it is also possible to form a metal pattern by bonding a thin metal plate to a printed circuit board and then forming a mask and performing wet etching.

【0022】なおここで、電極同士の間隔は1/10mm程度
とする。電極の数すなわち電極アレイ1aの長手方向の長
さは、通常、指の先端から第二関節を完全に含む長さと
する。
Here, the interval between the electrodes is about 1/10 mm. The number of electrodes, that is, the length of the electrode array 1a in the longitudinal direction is usually set to a length completely including the second joint from the tip of the finger.

【0023】出力電極1bと入力電極2bとは、出力電極1a
と入力電極2aを周辺回路(検出回路)に接続するための
パッドであり、その形状は出力電極1a及び入力電極2aと
それぞれ同一もしくは一部同一とする。出力電極と出力
電極1b、入力電極2aと入力電極2bの間の電気的接続は、
異方性導電フィルム10により行う。
The output electrode 1b and the input electrode 2b are connected to the output electrode 1a
And a pad for connecting the input electrode 2a to a peripheral circuit (detection circuit), the shape of which is the same as or a part of the output electrode 1a and the input electrode 2a. The electrical connection between the output electrode and the output electrode 1b, and between the input electrode 2a and the input electrode 2b,
This is performed using the anisotropic conductive film 10.

【0024】絶縁体膜9 に信号検出すべき指12を電極配
列方向に対して直交方向に押しつける。この時、指12の
長さ方向にアナログスイッチ3 を切り替えて発振器4 の
出力を順次個々の電極1a、1bに接続する。出力電極1a、
1bの出力を入力電極2a、 2bで受け、終端抵抗8 の両端
に発生した電位差を検波回路6 で検波し、A/D 変換器7
によってディジタル信号に変換する。タイミングパルス
発生器5 はアナログスイッチ3 の切換及び、A/D 変換器
7 の標本化タイミングを制御する信号を生成する。13は
制御部であり、タイミングパルス発生器5 の制御信号を
出力したり、A/D 変換器7 からの出力信号を入力する。
A finger 12 whose signal is to be detected is pressed against the insulator film 9 in a direction orthogonal to the electrode arrangement direction. At this time, the output of the oscillator 4 is sequentially connected to the individual electrodes 1a and 1b by switching the analog switch 3 in the length direction of the finger 12. Output electrode 1a,
The output of 1b is received by the input electrodes 2a and 2b, the potential difference generated at both ends of the terminating resistor 8 is detected by the detection circuit 6, and the A / D converter 7
To a digital signal. The timing pulse generator 5 switches the analog switch 3 and the A / D converter
7. Generate a signal to control the sampling timing. Reference numeral 13 denotes a control unit that outputs a control signal of the timing pulse generator 5 and inputs an output signal from the A / D converter 7.

【0025】制御部13は、あらかじめ被照合用の指の特
徴情報を記憶している記憶部を有している。この記憶部
に記憶されている指の特徴情報と、上記A/D 変換器7 か
ら出力された指の特徴に関する信号とは、制御部13内の
照合部によって比較照合される。
The control section 13 has a storage section in which characteristic information of a finger to be verified is stored in advance. The finger characteristic information stored in the storage unit and the signal related to the finger characteristic output from the A / D converter 7 are compared and collated by the collation unit in the control unit 13.

【0026】このようにして得られた信号V(i) は次式
で表せる。 V(i) = R ×Vo/(Z(i)+Zf+Zc+R) (1) 式(1) で、R は終端抵抗8 のインピダンス、Voは発振器
4 の出力電圧の振幅、Z(i)は容量性結合によるi 番目の
出力電極1a、1bと指12との間のインピダンス、Zfは指12
自体のインピダンス、Zcは容量性結合による指12と入力
電極2a、 2b との間のインピダンスである。
The signal V (i) thus obtained can be expressed by the following equation. V (i) = R × Vo / (Z (i) + Zf + Zc + R) (1) In equation (1), R is the impedance of the terminating resistor 8, and Vo is the oscillator.
4, Z (i) is the impedance between the i-th output electrode 1a, 1b and the finger 12 due to the capacitive coupling, and Zf is the finger 12
The impedance itself, Zc, is the impedance between the finger 12 and the input electrodes 2a, 2b due to capacitive coupling.

【0027】図7は、指をおいたときのV(i)を示してい
る。図中でAの部分のように指と電極が接近していると
ころでは、指12と出力電極1aとの間の容量性結合が強く
なり、そのインピダンスZ(i)は小さくなるために、その
部分のV(i)は大きな値をとる。逆に、第1関節付近の横
ジワB、第2関節付近の横ジワCの部分のように、指12
と出力電極1aとが密着していない部分では、指12と出力
電極1aとの間の容量性結合が弱くなり、そのインピダン
スZ(i)は大きくなるために、その部分のV(i)は小さな値
をとる。
FIG. 7 shows V (i) when the finger is put down. In the place where the finger and the electrode are close to each other as shown by the portion A in the figure, the capacitive coupling between the finger 12 and the output electrode 1a becomes strong, and the impedance Z (i) becomes small. V (i) of the portion takes a large value. Conversely, as shown by the horizontal wrinkle B near the first joint and the horizontal wrinkle C near the second joint,
And the output electrode 1a are not in close contact with each other, the capacitive coupling between the finger 12 and the output electrode 1a is weakened, and the impedance Z (i) is increased. Take a small value.

【0028】したがって、その部分でV(i)は急峻な落ち
込みを持つ。すなわち、このV(i)は指の凹凸パターンの
情報を持っていることになる。以下、このV(i)を投影信
号と呼ぶ。誘電体膜9 の存在により、指12と電極1a、2a
間の接触電気抵抗は無限大となり、発汗等の指表面の状
態変化に全く影響されることなくより安定した投影信号
V(i)が得られる。
Therefore, V (i) has a steep drop in that portion. That is, this V (i) has information on the concave and convex pattern of the finger. Hereinafter, V (i) is referred to as a projection signal. Due to the presence of the dielectric film 9, the finger 12 and the electrodes 1a, 2a
The contact electric resistance between them becomes infinite, and the projection signal is more stable without being affected by changes in the state of the finger surface such as sweating.
V (i) is obtained.

【0029】図7中、出力電極1a、入力電極2aはともに
被覆されているが、入力電極2aの部分のみ選択的に被覆
するか、又は逆に出力電極1aの部分のみ選択的に被覆す
るか、あるいは入力電極2a及び出力電極1aの両部分とも
に被覆されないという構成も可能である。
In FIG. 7, the output electrode 1a and the input electrode 2a are both coated, but whether only the input electrode 2a is selectively coated or vice versa. Alternatively, a configuration in which both portions of the input electrode 2a and the output electrode 1a are not covered is also possible.

【0030】これらの中では、出力電極1a、入力電極2a
ともに被覆されている場合が、指等の発汗状態の影響を
取り除くことができる点で好ましい。特に、入力電極2a
上を被覆する絶縁層の厚みを薄くすると、大きな検出信
号を得ることが可能である。この場合、出力電極1a上を
被覆する絶縁層の厚みよりも、入力電極2a上を被覆する
絶縁層の厚みを薄くすることも可能である。大きな検出
信号を得ることに重点を置けば、入力電極2a上の絶縁層
を除去することも可能である。また、後述する第3の実
施形態におけるように、出力電極と入力電極とが入れ代
わった場合も同様である。
Among these, the output electrode 1a and the input electrode 2a
The case where both are covered is preferable in that the influence of the sweating state of the finger or the like can be removed. In particular, the input electrode 2a
When the thickness of the insulating layer covering the upper portion is reduced, a large detection signal can be obtained. In this case, the thickness of the insulating layer covering the input electrode 2a can be smaller than the thickness of the insulating layer covering the output electrode 1a. If emphasis is placed on obtaining a large detection signal, the insulating layer on the input electrode 2a can be removed. The same applies to the case where the output electrode and the input electrode are exchanged as in a third embodiment described later.

【0031】次に、本発明の効果について説明する。指
と出力電極間のインピダンスZ(i)は、絶縁体膜の容量Cf
の逆数と指−絶縁体表面間の空気容量Caの逆数との和に
比例する。Cfは絶縁膜の厚みに反比例する。絶縁膜の存
在は、前述のように指の発汗状態による変動をキャンセ
ルするために必須ではあるが、検出される信号に対して
は不要な成分である。
Next, the effects of the present invention will be described. The impedance Z (i) between the finger and the output electrode is the capacitance Cf of the insulator film.
And the reciprocal of the air capacity Ca between the finger and the insulator surface. Cf is inversely proportional to the thickness of the insulating film. The presence of the insulating film is essential for canceling the fluctuation due to the sweating state of the finger as described above, but is an unnecessary component for the detected signal.

【0032】指紋の凹凸は一般的には50μm 以下と考え
られるが、絶縁膜が厚い場合この成分の方が大きくなっ
てしまう。絶縁膜としては、従来から10μm 以下の材料
はあるものの、電極上に接着する際に接着層が電極−絶
縁層間に形成され、この厚みが15〜25μm となり、トー
タルで25〜35μm と厚くなるため検出信号に大きく影響
していた。
The unevenness of a fingerprint is generally considered to be 50 μm or less, but when the insulating film is thick, this component becomes larger. As the insulating film, although there is a conventional material having a thickness of 10 μm or less, an adhesive layer is formed between the electrode and the insulating layer when bonding on the electrode, and the thickness becomes 15 to 25 μm, which is 25 to 35 μm in total. This greatly affected the detection signal.

【0033】本発明によれば、絶縁体膜の厚みがそのま
ま反映されるため、十分薄い絶縁体層を容易に形成する
ことができる。なお、酸化物スパッタやレジスト樹脂の
スピンコート塗布等、シリコンプロセスで一般的な手法
によれば、薄い絶縁体層は容易に形成できると考えるこ
ともできる。しかし、これら工程はシリコンもしくはガ
ラス基板に適した手法であり、例えばプリント基板でセ
ンサを構成した場合は適用が困難である。
According to the present invention, since the thickness of the insulator film is directly reflected, a sufficiently thin insulator layer can be easily formed. Note that it can be considered that a thin insulator layer can be easily formed by a general method in a silicon process such as oxide sputtering or spin coating of a resist resin. However, these steps are methods suitable for a silicon or glass substrate, and it is difficult to apply them, for example, when a sensor is configured on a printed board.

【0034】本発明では、センサ製造工程の最終工程で
電極が形成された絶縁体膜の接着を行えばよく、センサ
製造工程の前段階において絶縁層側の電極部に対して上
記シリコンプロセス等を用いることができ、シリコン基
板やプリント基板等いかなる回路構成にも対応可能であ
る。
In the present invention, the insulating film on which the electrodes are formed may be bonded in the final step of the sensor manufacturing process, and the silicon process or the like is applied to the electrode portion on the insulating layer side before the sensor manufacturing process. It can be used and can correspond to any circuit configuration such as a silicon substrate or a printed circuit board.

【0035】(第2の実施形態)図2は本発明の個体認
証装置の第2の実施形態に係る指の特徴抽出手段の変形
例の構成を示す概略図である。図2において図1と同一
部分には同一の符号を付して示す。
(Second Embodiment) FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of a modification of the finger feature extracting means according to the second embodiment of the individual authentication device of the present invention. 2, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0036】図2では、複数の出力電極1a、1bと入力電
極2a、2bが設けられるとともに、出力電極1a、1bの各々
の電極にはそれぞれ対応して複数の発振器24が接続さ
れ、また、この発振器24にはそのON/OFFを制御するタイ
ミングパルス発生器5 が設けられている。
In FIG. 2, a plurality of output electrodes 1a and 1b and input electrodes 2a and 2b are provided, and a plurality of oscillators 24 are connected to the respective electrodes of the output electrodes 1a and 1b, respectively. The oscillator 24 is provided with a timing pulse generator 5 for controlling ON / OFF thereof.

【0037】本実施形態によれば、第1の実施形態と同
様な効果が得られるほか、指等の長手方向において異な
る発振器を設けることが可能であり、これにより、指や
環境等の状態に応じて効率良くまた精度良く検出、照合
を行うことが可能である。
According to the present embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and a different oscillator can be provided in the longitudinal direction of the finger or the like. Accordingly, detection and collation can be performed efficiently and accurately.

【0038】(第3の実施形態)図3は本発明の個体認
証装置の第3の実施形態に係る指の特徴抽出手段の変形
例の構成を示す概略図である。図3において図1と同一
部分には同一の符号を付して示す。
(Third Embodiment) FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of a modification of the finger feature extraction means according to the third embodiment of the individual authentication device of the present invention. 3, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0039】図3では、出力電極31a 、31b と複数の入
力電極32a 、32b が設けられるとともに、出力電極31a
、31b に発振器34が接続され、また、複数の入力電極3
2a 、32b を切り替えて接続を行うアナログスイッチ3
に対して、検波回路6 、 A/D変換器7 、及び制御部13が
順に接続されている。本実施形態によっても第1 の実施
形態と同様な効果を得ることが可能である。
In FIG. 3, output electrodes 31a and 31b and a plurality of input electrodes 32a and 32b are provided, and output electrodes 31a and 31b are provided.
, 31b are connected to an oscillator 34, and a plurality of input electrodes 3
Analog switch 3 for switching between 2a and 32b for connection
, A detection circuit 6, an A / D converter 7, and a control unit 13 are sequentially connected. According to this embodiment, it is also possible to obtain the same effects as those of the first embodiment.

【0040】(第4の実施形態)図4は本発明の個体認
証装置の第4の実施形態に係る指の特徴抽出手段の変形
例の構成を示す概略図である。図4において図1と同一
部分には同一の符号を付して示す。
(Fourth Embodiment) FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of a modification of the finger feature extraction means according to the fourth embodiment of the individual authentication device of the present invention. 4, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0041】図4に示す特徴抽出手段における特徴は、
入力電極2a、2bから得られた電気信号の帯域を制限する
バンドパスフィルタ41を検波回路6 の前段に設けたこと
である。バンドパスフィルタ41は、発振器4 の発振周波
数が該フィルタ41の通過帯域に含まれるように設定され
ている。このバンドパスフィルタ41により、さらに精度
の高い検出、照合を行うことが可能である。
The features of the feature extracting means shown in FIG.
The bandpass filter 41 for limiting the band of the electric signal obtained from the input electrodes 2a and 2b is provided before the detection circuit 6. The band-pass filter 41 is set so that the oscillation frequency of the oscillator 4 is included in the pass band of the filter 41. With this bandpass filter 41, detection and collation with higher accuracy can be performed.

【0042】(第5の実施形態)次に、第5の実施形態
として、本発明の個体認証装置の製造プロセスについて
説明する。図8は、本発明の個体認証装置の製造プロセ
スを示す工程断面図である。
(Fifth Embodiment) Next, as a fifth embodiment, a manufacturing process of the individual authentication device of the present invention will be described. FIG. 8 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the individual authentication device of the present invention.

【0043】まず、図8(a)に示すように2 〜10μm
程度のPET 、PPS 絶縁体フィルム9を伸張保持し、スパ
ッタリング法やCVD法等によりフィルム9 上に電極用
金属薄膜1a、2aを形成する。これらのシリコンプロセス
によれば、電極用金属薄膜1a、2aと絶縁体フィルム9 と
の間の結合を強固なものとすることができる。次に、図
8(b)に示すように電極用金属薄膜1a、2aに図示しな
いレジストを塗布し、レジストパターニング後に金属薄
膜1a、2aをエッチングし、出力電極パターン1aと入力電
極パターン2aを形成する。
First, as shown in FIG.
The PET, PPS insulating film 9 is stretched and held, and the metal thin films 1a and 2a for electrodes are formed on the film 9 by a sputtering method, a CVD method or the like. According to these silicon processes, the bond between the electrode metal thin films 1a and 2a and the insulator film 9 can be strengthened. Next, as shown in FIG. 8B, a resist (not shown) is applied to the metal thin films for electrodes 1a and 2a, and after the resist is patterned, the metal thin films 1a and 2a are etched to form an output electrode pattern 1a and an input electrode pattern 2a. I do.

【0044】一方、図8(c)に示すように、回路基板
11にはフィルム9 側と同じもしくは一部が同じ配線パタ
ーン1b、2bを形成する。その形成方法は、第1の実施形
態と同様の方法を用いることができる。次に、図8
(d)に示すようにこの回路基板11側の電極1b、2b上に
異方性導電フィルム10を接着する。最後に図8(e)に
示すように異方性導電フィルム10上に、前記絶縁体フィ
ルム9 の電極パターン1a、2aの形成面を位置合せして置
き、加熱圧着により接着を行う。この時、異方性導電フ
ィルム10は接着剤としての役割を果たす。
On the other hand, as shown in FIG.
On 11, wiring patterns 1 b and 2 b which are the same as or partially the same as the film 9 side are formed. The same forming method as in the first embodiment can be used. Next, FIG.
As shown in (d), the anisotropic conductive film 10 is bonded onto the electrodes 1b and 2b on the circuit board 11 side. Finally, as shown in FIG. 8 (e), the surfaces of the insulating film 9 on which the electrode patterns 1a and 2a are formed are positioned on the anisotropic conductive film 10 and bonded by heating and pressing. At this time, the anisotropic conductive film 10 plays a role as an adhesive.

【0045】以上の工程により、接着剤の厚みを実質的
になくして絶縁体フィルム9 の膜厚のみで絶縁膜厚を決
めることができるようになる。なぜならば、異方性導電
フィルム10は接着剤としての役割を果たすが、同時に導
電性を兼ね備えているからである。したがって、絶縁膜
厚を薄くすることができ、これによって指等の凹凸デー
タの精度を高め、検出、照合の精度を向上させることが
可能である。
Through the above steps, the thickness of the insulating film can be determined only by the film thickness of the insulating film 9 while substantially eliminating the thickness of the adhesive. This is because the anisotropic conductive film 10 plays a role as an adhesive, but also has conductivity. Therefore, it is possible to reduce the thickness of the insulating film, thereby improving the accuracy of unevenness data of a finger or the like, and improving the accuracy of detection and collation.

【0046】(第6の実施形態)図5は本発明の個体認
証装置の第6の実施形態に係る電極接続構造の変形例の
構成を示す断面図である。図5において図1と同一部分
には同一の符号を付して示す。
(Sixth Embodiment) FIG. 5 is a sectional view showing a configuration of a modification of the electrode connection structure according to the sixth embodiment of the individual authentication device of the present invention. 5, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0047】図5に示すように、本実施形態の構造で
は、第1の実施形態の構造のうちの異方性導電フィルム
10が用いられずに、電極1a、2aと電極1b、2bとが直接お
互いに接着されている。51は接着剤であり、電極1a、2a
及び電極1b、2bの隙間を埋めるようにしてこれらの電極
を接着している。
As shown in FIG. 5, in the structure of the present embodiment, the anisotropic conductive film of the structure of the first embodiment is used.
The electrodes 1a, 2a and the electrodes 1b, 2b are directly adhered to each other without using 10. 51 is an adhesive, and the electrodes 1a, 2a
These electrodes are bonded so as to fill the gap between the electrodes 1b and 2b.

【0048】接着方法としては、回路基板11及び絶縁体
フィルム9 のそれぞれの表面に形成された電極パターン
1b、2b及び1a、2aを位置合せした後、加圧、加熱するこ
とにより接着剤51による接着を行う。この手法では、電
極1a、2a及び電極1b、2b間に接着層51が形成されるもの
の、両電極表面はある表面荒さを有しているために、電
極はその一部分でお互いに接触し、導通がとれる。
As the bonding method, an electrode pattern formed on each surface of the circuit board 11 and the insulating film 9 is used.
After the alignment of 1b, 2b and 1a, 2a, bonding by the adhesive 51 is performed by pressing and heating. In this method, although an adhesive layer 51 is formed between the electrodes 1a and 2a and the electrodes 1b and 2b, the electrodes have a certain surface roughness, and the electrodes are partially in contact with each other, and the electrodes are electrically connected. Can be taken.

【0049】本実施形態によっても、接着剤の厚みを実
質的になくして絶縁体フィルム9 の膜厚のみで絶縁膜厚
を決めることができるようになる。したがって、絶縁膜
厚を薄くすることができ、これによって指等の凹凸デー
タの精度を高め、検出、照合の精度を向上させることが
可能である。
According to the present embodiment, the thickness of the insulating film can be determined only by the film thickness of the insulating film 9 without substantially changing the thickness of the adhesive. Therefore, it is possible to reduce the thickness of the insulating film, thereby improving the accuracy of unevenness data of a finger or the like, and improving the accuracy of detection and collation.

【0050】(第7の実施形態)図6は本発明の個体認
証装置の第7の実施形態に係る電極接続構造の変形例の
構成を示す断面図である。図6において図1と同一部分
には同一の符号を付して示す。
(Seventh Embodiment) FIG. 6 is a sectional view showing a configuration of a modification of the electrode connection structure according to the seventh embodiment of the individual authentication apparatus of the present invention. 6, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0051】図6に示すように、本実施形態の構造で
は、第1の実施形態の構造のうちの絶縁体フィルム側の
電極1a、2aが用いられずに、回路基板11上の電極パター
ン1b、2bの上に異方性導電フィルム10が接着され、その
上に絶縁体フィルム9 が加熱圧着により形成されてい
る。
As shown in FIG. 6, in the structure of the present embodiment, the electrodes 1a and 2a on the insulator film side in the structure of the first embodiment are not used, and the electrode pattern 1b on the circuit board 11 is not used. , 2b, an anisotropic conductive film 10 is adhered thereon, and an insulator film 9 is formed thereon by heating and pressing.

【0052】この場合は、回路基板11上の電極パターン
1b、2bがそのまま出力電極、入力電極になる。異方性導
電フィルム10による接着により、この実施形態でも絶縁
膜の厚みは絶縁体フィルム9 の厚みだけとなるため、第
1の実施形態の構造と同様の効果が得られる。
In this case, the electrode pattern on the circuit board 11
1b and 2b become the output electrode and the input electrode as they are. Since the thickness of the insulating film is only the thickness of the insulating film 9 in this embodiment by the adhesion with the anisotropic conductive film 10, the same effect as the structure of the first embodiment can be obtained.

【0053】なお、本発明は上記した実施形態に限られ
るものではない。例えば、以上の実施形態では、電極の
形状は線状で1次元配列がとられているが、電極をマト
リクス状に配列することにより、指紋等の2次元情報も
検出可能である。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiments, the electrodes are linear and one-dimensionally arranged, but by arranging the electrodes in a matrix, two-dimensional information such as fingerprints can be detected.

【0054】また、認証される個体としては、指に限ら
ず、皮膚一般、例えば手のひらであってもよいし、それ
は人間に限らず動物のものであってもよい。その他、本
発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施可能で
ある。
The individual to be authenticated is not limited to a finger, but may be skin in general, for example, a palm, and may be an animal as well as a human. In addition, various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ア
レイ電極(1次元の配列や2次元のマトリクス配置等を
含む。)に指等の個体を接触あるいは近接させたときの
個体表面と電極間の静電容量を順次読み取り個体の特徴
を抽出する場合において、個体の凹凸データを高精度に
検出可能であり、高精度な個人認証装置を実現できる。
As described in detail above, according to the present invention, the surface of an individual when an individual such as a finger contacts or approaches an array electrode (including a one-dimensional arrangement or a two-dimensional matrix arrangement). In the case of sequentially reading the capacitance between the electrodes and the electrodes and extracting the characteristics of the individual, the unevenness data of the individual can be detected with high accuracy, and a highly accurate personal authentication device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態に係る個人認証装置
の構成を示す概略図。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a personal authentication device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第2の実施形態に係る個人認証装置
の構成を示す概略図。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a personal authentication device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第3の実施形態に係る個人認証装置
の構成を示す概略図。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of a personal authentication device according to a third embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第4の実施形態に係る個人認証装置
の構成を示す概略図。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a configuration of a personal authentication device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第6の実施形態に係る個人認証装置
の構成を示す断面図。
FIG. 5 is a sectional view showing a configuration of a personal authentication device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第7の実施形態に係る個人認証装置
の構成を示す断面図。
FIG. 6 is a sectional view showing a configuration of a personal authentication device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図7】 本発明に係る指の特徴信号の説明図。FIG. 7 is an explanatory diagram of a finger characteristic signal according to the present invention.

【図8】 本発明の第5の実施形態に係る個人認証装置
の製造プロセスを示す工程断面図。
FIG. 8 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the personal authentication device according to the fifth embodiment of the present invention.

【図9】 従来の個人認証装置の構成を示す断面図。FIG. 9 is a sectional view showing the configuration of a conventional personal authentication device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a、1b…出力電極 2a、2b…入力電極 3 …アナログスイッチ 4 …発振器 5 …タイミングパルス発生器 6 …検波回路 7 …A/D 変換器 8 …基準抵抗 9 …絶縁体フィルム 10…異方性導電フィルム 11…基板 12…指 41…バンドパスフィルタ 51…接着剤 1a, 1b: Output electrode 2a, 2b: Input electrode 3: Analog switch 4: Oscillator 5: Timing pulse generator 6: Detection circuit 7: A / D converter 8: Reference resistance 9: Insulator film 10: Anisotropic Conductive film 11… Substrate 12… Finger 41… Band pass filter 51… Adhesive

フロントページの続き (72)発明者 内田 智 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 (72)発明者 井手 賢一 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内Continued on the front page (72) Inventor Satoshi Uchida 70 Yanagicho, Yukicho, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Yanagimachi Plant Co., Ltd. (72) Inventor Kenichi Ide 70 Yanagimachi Yuki-cho, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Yanagicho Plant Co., Ltd.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基体と、この基体上にアレイ状に配置さ
れた第1の電極群と、この第1の電極群に含まれる個々
の電極と電気的に接続するようにアレイ状に設けられた
個々の電極を有する第2の電極群と、この第2の電極群
上に該電極群表面を被覆するように設けられた絶縁層
と、この絶縁層に個体を押し付けた時における個体表面
と前記第2の電極群に含まれる個々の電極間の静電容量
から、個体の特徴データを抽出する特徴抽出手段と、あ
らかじめ被照合用の個体の特徴情報を記憶している記憶
手段と、前記特徴抽出手段で抽出された特徴データと前
記記憶手段に記憶されている特徴情報とを照合する照合
手段とを備えたことを特徴とする個体認証装置。
1. A base, a first electrode group arranged on the base in an array, and an array provided so as to be electrically connected to individual electrodes included in the first electrode group. A second electrode group having individual electrodes, an insulating layer provided on the second electrode group so as to cover the surface of the electrode group, and an individual surface when the individual is pressed against the insulating layer. Feature extraction means for extracting individual characteristic data from the capacitance between the individual electrodes included in the second electrode group; storage means for storing in advance the characteristic information of the individual to be compared; An individual authentication device comprising: a matching unit that matches feature data extracted by a feature extracting unit with feature information stored in the storage unit.
【請求項2】 基体と、この基体上にアレイ状に配置さ
れた第1の電極群と、この第1の電極群に含まれる個々
の電極と電気的に接続するように設けられた異方性導電
層と、この異方性導電層上に該導電層表面を被覆するよ
うに設けられた絶縁層と、この絶縁層に個体を押し付け
た時における個体表面と前記異方性導電層間の静電容量
から、個体の特徴データを抽出する特徴抽出手段と、あ
らかじめ被照合用の個体の特徴情報を記憶している記憶
手段と、前記特徴抽出手段で抽出された特徴データと前
記記憶手段に記憶されている特徴情報とを照合する照合
手段とを備えたことを特徴とする個体認証装置。
2. A base, a first electrode group disposed on the base in an array, and an anisotropic member provided to be electrically connected to individual electrodes included in the first electrode group. A conductive layer, an insulating layer provided on the anisotropic conductive layer to cover the surface of the conductive layer, and a static layer between the solid surface and the anisotropic conductive layer when the solid is pressed against the insulating layer. Feature extraction means for extracting individual characteristic data from the capacitance, storage means for storing in advance the characteristic information of the individual to be verified, and characteristic data extracted by the characteristic extraction means and stored in the storage means And a matching means for matching the feature information with the identification information.
【請求項3】 前記異方性導電層上に設けられ、この異
方性導電層を介して前記第1の電極群に含まれる個々の
電極と電気的に接続するようにアレイ状に設けられた個
々の電極を有する第2の電極群を具備することを特徴と
する請求項2記載の個体認証装置。
3. An array provided on the anisotropic conductive layer so as to be electrically connected to individual electrodes included in the first electrode group through the anisotropic conductive layer. The device according to claim 2, further comprising a second electrode group having individual electrodes.
【請求項4】 前記基体には、周辺回路に接続される電
極パッド群が所定間隔で設けられ、前記第1の電極群に
含まれる個々の電極は前記電極パッド群の個々のパッド
に接続されていることを特徴とする請求項1乃至3記載
の個体認証装置。
4. An electrode pad group connected to a peripheral circuit is provided on the base at predetermined intervals, and individual electrodes included in the first electrode group are connected to individual pads of the electrode pad group. 4. The individual authentication device according to claim 1, wherein:
【請求項5】 前記第1の電極群は複数の出力電極と入
力電極とを備え、前記複数の出力電極側には発振手段が
設けられ、前記複数の出力電極には前記発振手段からの
出力を前記出力電極の個々の電極に切り替える切り替え
手段が接続されており、かつ前記入力電極側には該入力
電極より得られた電気信号を検波する検波手段が設けら
れていることを特徴とする請求項1乃至4記載の個体認
証装置。
5. The first electrode group includes a plurality of output electrodes and an input electrode, an oscillating means is provided on the plurality of output electrodes, and an output from the oscillating means is provided on the plurality of output electrodes. Switching means for switching the output electrodes to individual ones of the output electrodes is connected, and a detection means for detecting an electric signal obtained from the input electrode is provided on the input electrode side. Item 5. The individual authentication device according to any one of Items 1 to 4.
【請求項6】 前記第1の電極群は複数の出力電極と入
力電極とを備え、前記複数の出力電極の個々の電極にそ
れぞれ対応して複数の発振手段が設けられ、この複数の
発振手段には該発振手段からの出力のON/OFFを制御する
出力制御手段が設けられ、前記入力電極側には該入力電
極より得られた電気信号を検波する検波手段が設けられ
ていることを特徴とする請求項1乃至4記載の個体認証
装置。
6. The first electrode group includes a plurality of output electrodes and an input electrode, and a plurality of oscillating means are provided corresponding to respective ones of the plurality of output electrodes. Is provided with output control means for controlling ON / OFF of the output from the oscillation means, and the input electrode side is provided with detection means for detecting an electric signal obtained from the input electrode. The individual authentication device according to claim 1, wherein:
【請求項7】 前記第1の電極群は出力電極と複数の入
力電極とを備え、前記出力電極側には発振手段が設けら
れ、前記複数の入力電極には前記発振手段からの出力を
前記入力電極の個々の電極に切り替える切り替え手段が
接続されており、かつ前記複数の入力電極側には該入力
電極より得られた電気信号を検波する検波手段が設けら
れていることを特徴とする請求項1乃至4記載の個体認
証装置。
7. The first electrode group includes an output electrode and a plurality of input electrodes, an oscillating means is provided on the output electrode side, and an output from the oscillating means is provided to the plurality of input electrodes. Switching means for switching to individual ones of the input electrodes is connected, and a detection means for detecting an electric signal obtained from the input electrode is provided on the plurality of input electrodes. Item 5. The individual authentication device according to any one of Items 1 to 4.
【請求項8】 前記入力電極より得られた電気信号の帯
域を制限する帯域制限手段を具備し、前記発振手段の発
振周波数が前記帯域制限手段の通過帯域に含まれること
を特徴とする請求項5乃至7記載の個体認証装置。
8. The apparatus according to claim 1, further comprising a band limiting unit that limits a band of the electric signal obtained from the input electrode, wherein an oscillation frequency of the oscillating unit is included in a pass band of the band limiting unit. 8. The individual authentication device according to 5 to 7.
【請求項9】 前記絶縁層は前記入力電極及び出力電極
上を完全に覆っていることを特徴とする請求項5乃至8
記載の個体認証装置。
9. The device according to claim 5, wherein the insulating layer completely covers the input electrode and the output electrode.
The individual authentication device according to the above.
【請求項10】 前記絶縁層は前記入力電極上において
選択的に開口部が形成され、該部分において被覆されて
いないことを特徴とする請求項5乃至8記載の個体認証
装置。
10. The individual authentication device according to claim 5, wherein the insulating layer has an opening selectively formed on the input electrode and is not covered at the opening.
【請求項11】 前記個体は人間若しくは動物の皮膚で
あることを特徴とする請求項1乃至10記載の個体認証
装置。
11. The individual authentication apparatus according to claim 1, wherein the individual is human or animal skin.
【請求項12】 前記個体は人間若しくは動物の指であ
ることを特徴とする請求項1乃至10記載の個体認証装
置。
12. The individual authentication device according to claim 1, wherein the individual is a finger of a human or an animal.
【請求項13】 基体と、この基体上にアレイ状に配置
された第1の電極群と、この第1の電極群に含まれる個
々の電極と電気的に接続するようにアレイ状に設けられ
た個々の電極を有する第2の電極群と、この第2の電極
群上に該電極群表面を被覆するように設けられた絶縁層
と、この絶縁層に個体を押し付けた時における個体表面
と前記第2の電極群に含まれる個々の電極間の静電容量
から、個体の特徴データを抽出する特徴抽出手段と、あ
らかじめ被照合用の個体の特徴情報を記憶している記憶
手段と、前記特徴抽出手段で抽出された特徴データと前
記記憶手段に記憶されている特徴情報とを照合する照合
手段とを備えた個体認証装置の製造方法であって、前記
基体上にアレイ状に前記第1の電極群を形成する工程
と、前記絶縁層上にアレイ状に前記第2の電極群を形成
する工程と、前記第1の電極群及び第2の電極群に含ま
れる個々の電極をお互いに電気的に接続するように貼り
合わせる工程とを具備することを特徴とする個体認証装
置の製造方法。
13. A base, a first electrode group arranged on the base in an array, and an array provided to be electrically connected to individual electrodes included in the first electrode. A second electrode group having individual electrodes, an insulating layer provided on the second electrode group so as to cover the surface of the electrode group, and an individual surface when the individual is pressed against the insulating layer. Feature extraction means for extracting individual characteristic data from the capacitance between the individual electrodes included in the second electrode group; storage means for storing in advance the characteristic information of the individual to be compared; A method for manufacturing an individual authentication device, comprising: matching means for comparing feature data extracted by a feature extracting means with feature information stored in the storage means, wherein the first device is arranged in an array on the substrate. Forming an electrode group, and forming an electrode group on the insulating layer. A step of forming the second electrode group in a lay shape; and a step of bonding individual electrodes included in the first electrode group and the second electrode group so as to be electrically connected to each other. A method for manufacturing an individual authentication device, comprising:
【請求項14】 基体と、この基体上にアレイ状に配置
された第1の電極群と、この第1の電極群に含まれる個
々の電極と電気的に接続するように設けられた異方性導
電層と、この異方性導電層上に該導電層表面を被覆する
ように設けられた絶縁層と、この絶縁層に個体を押し付
けた時における個体表面と前記異方性導電層間の静電容
量から、個体の特徴データを抽出する特徴抽出手段と、
あらかじめ被照合用の個体の特徴情報を記憶している記
憶手段と、前記特徴抽出手段で抽出された特徴データと
前記記憶手段に記憶されている特徴情報とを照合する照
合手段とを備えた個体認証装置の製造方法であって、前
記基体上にアレイ状に前記第1の電極群を形成する工程
と、前記絶縁層上に前記異方性導電層を形成する工程
と、前記第1の電極群及び前記異方性導電層をお互いに
電気的に接続するように貼り合わせる工程とを具備する
ことを特徴とする個体認証装置の製造方法。
14. A base, a first electrode group arranged on the base in an array, and an anisotropic member provided to be electrically connected to individual electrodes included in the first electrode group. A conductive layer, an insulating layer provided on the anisotropic conductive layer to cover the surface of the conductive layer, and a static layer between the solid surface and the anisotropic conductive layer when the solid is pressed against the insulating layer. Feature extraction means for extracting feature data of an individual from a capacitance;
An individual comprising: a storage unit that stores in advance the characteristic information of the individual to be compared; and a matching unit that compares the characteristic data extracted by the characteristic extraction unit with the characteristic information stored in the storage unit. A method of manufacturing an authentication device, comprising: forming the first electrode group in an array on the base; forming the anisotropic conductive layer on the insulating layer; Bonding the group and the anisotropic conductive layer so as to be electrically connected to each other.
【請求項15】 前記絶縁層上にアレイ状に第2の電極
群を形成する工程と、この第2の電極群上に前記異方性
導電層を形成する工程と、この異方性導電層を介して前
記第1の電極群及び第2の電極群それぞれに含まれる個
々の電極をお互いに電気的に接続するように貼り合わせ
る工程とを具備することを特徴とする請求項14記載の
個体認証装置の製造方法。
15. A step of forming a second electrode group in an array on the insulating layer, a step of forming the anisotropic conductive layer on the second electrode group, and a step of forming the anisotropic conductive layer on the second electrode group. And bonding the individual electrodes included in each of the first electrode group and the second electrode group so as to be electrically connected to each other via the first electrode group and the second electrode group. Manufacturing method of authentication device.
JP9263608A 1997-09-29 1997-09-29 Individual authentication device and its manufacture Pending JPH1199141A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9263608A JPH1199141A (en) 1997-09-29 1997-09-29 Individual authentication device and its manufacture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9263608A JPH1199141A (en) 1997-09-29 1997-09-29 Individual authentication device and its manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1199141A true JPH1199141A (en) 1999-04-13

Family

ID=17391913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9263608A Pending JPH1199141A (en) 1997-09-29 1997-09-29 Individual authentication device and its manufacture

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1199141A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001036905A1 (en) * 1999-11-18 2001-05-25 Asahi Glass Company, Limited Fingerprint reader
EP1772702A1 (en) * 2004-07-23 2007-04-11 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Surface shape recognizing sensor device
JP2012247365A (en) * 2011-05-30 2012-12-13 Three M Innovative Properties Co Film laminate body for pressure sensitive fingerprint sensor, and pressure sensitive fingerprint sensor using such film laminate body
TWI397862B (en) * 2007-06-22 2013-06-01 Mstar Semiconductor Inc Fingerprint sensor
CN103530609A (en) * 2013-10-11 2014-01-22 北京京东方光电科技有限公司 Fingerprint identification element, display screen and display device
WO2020039389A3 (en) * 2018-08-22 2020-04-16 Idex Biometrics Asa Systems and methods for improving image quality in sensors
US10915724B2 (en) 2018-08-22 2021-02-09 Idex Biometrics Asa Systems and methods for improving image quality in sensors

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001036905A1 (en) * 1999-11-18 2001-05-25 Asahi Glass Company, Limited Fingerprint reader
EP1772702A1 (en) * 2004-07-23 2007-04-11 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Surface shape recognizing sensor device
EP1772702A4 (en) * 2004-07-23 2011-10-05 Nippon Telegraph & Telephone Surface shape recognizing sensor device
TWI397862B (en) * 2007-06-22 2013-06-01 Mstar Semiconductor Inc Fingerprint sensor
JP2012247365A (en) * 2011-05-30 2012-12-13 Three M Innovative Properties Co Film laminate body for pressure sensitive fingerprint sensor, and pressure sensitive fingerprint sensor using such film laminate body
CN103530609A (en) * 2013-10-11 2014-01-22 北京京东方光电科技有限公司 Fingerprint identification element, display screen and display device
US9514350B2 (en) 2013-10-11 2016-12-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Fingerprint recognition element, a display screen and a display device
WO2020039389A3 (en) * 2018-08-22 2020-04-16 Idex Biometrics Asa Systems and methods for improving image quality in sensors
US10915724B2 (en) 2018-08-22 2021-02-09 Idex Biometrics Asa Systems and methods for improving image quality in sensors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5778089A (en) Driver circuit for a contact imaging array
US5515738A (en) Piezoelectric surface pressure input panel
JPH0466828A (en) Surface pressure distribution detecting element
EP0983572B1 (en) Fingerprint sensor including an anisotropic dielectric coating and associated methods
KR102614959B1 (en) Fingerprint sensing device with common mode suppression
CN105138988B (en) Mutual-capacitance type fingerprint identification device, preparation method, display panel and display equipment
KR100507986B1 (en) Electric field fingerprint sensor having enhanced features and related methods
JP2000513839A (en) Contact imaging device
US6481294B2 (en) Sensor array for a capacitance measuring fingerprint sensor, and method for producing such a sensor array
KR100393191B1 (en) Fingerprint sensor using piezoelectric membrane
CN104077573B (en) Fingerprint Identification sensor, fingerprint recognition detection components and terminal device
KR20010012633A (en) Fingerprint sensor having filtering and power conserving features and related methods
KR20010012635A (en) Fingerprint sensor with gain control features and associated methods
CN110543262A (en) Touch substrate and display device
TW201901392A (en) Biometric sensing device
JPH1199141A (en) Individual authentication device and its manufacture
CN112633036B (en) Fingerprint identification module manufacturing method, fingerprint identification module and display device
JPH11318864A (en) Sensor for recognizing surface shape and its manufacture
JP3318865B2 (en) Surface shape recognition sensor and method of manufacturing the same
CN110582779A (en) fingerprint sensor package
JP3356401B2 (en) Surface shape recognition sensor
JP3318867B2 (en) Surface shape recognition sensor and method of manufacturing the same
JP3371095B2 (en) Surface shape recognition sensor
JP2000230801A (en) Sensor for surface shape recognition
JP2000005147A (en) Personal authentication device