JPH1195436A - Pattern forming method - Google Patents

Pattern forming method

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JPH1195436A
JPH1195436A JP9253608A JP25360897A JPH1195436A JP H1195436 A JPH1195436 A JP H1195436A JP 9253608 A JP9253608 A JP 9253608A JP 25360897 A JP25360897 A JP 25360897A JP H1195436 A JPH1195436 A JP H1195436A
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photosensitive layer
acid
forming method
irradiation
electron beam
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原 尚 子 木
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藤 聡 斎
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瀬 真 中
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high throughput and excellent photosensitive stability and dimensional stability by including a process to bake a photosensitive layer, a process to expose the photosensitive layer to electron beams or ion beams according to a prescribed pattern, a process to develop the photosensitive layer after exposure, etc. SOLUTION: A photosensitive material described below is prepared. The photosensitive material has a photosensitive layer containing a polymer compd. the main chain of which is cut by irradiation of electron beams or ion beams, a compd. having substituents which decompose by acid catalytic reaction and produces polar groups, and a compd. which produces an acid by irradiation of chemical radiation of 150 to 450 nm wavelength, in one layer. The photosensitive layer is exposed to chemical radiation of 150 to 450 nm wavelength according to a prescribed pattern and then baked. Further, the photosensitive layer is irradiated with electron beams or ion beams according to the prescribed pattern. The photosensitive layer after exposed is developed to produce a fine pattern with a high throughput.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などの
製造工程における微細加工に用いられるパターン形成方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern forming method used for fine processing in a manufacturing process of a semiconductor device or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】以前よりLSIを始めとする電子部品の
製造プロセスでは、フォトリソグラフィーを利用した微
細加工技術が採用されている。すなわち、まずレジスト
液を基板などの上に塗布してレジスト膜を形成させ、次
いで得られたレジスト膜に対してパターン光、またはビ
ームの走査などで露光を行った後、アルカリ現像液など
で現像処理してレジストパターンを形成させる。続いて
このレジストパターンをマスクとして基板などをエッチ
ングすることで、微細な線や開口部の形成を行い、最後
にレジスト除去をする。
2. Description of the Related Art Microfabrication technology using photolithography has been employed in the manufacturing process of electronic components such as LSIs. That is, first, a resist solution is applied on a substrate or the like to form a resist film, and then the obtained resist film is exposed by pattern light or beam scanning, and then developed with an alkali developing solution or the like. Process to form a resist pattern. Subsequently, the substrate or the like is etched using the resist pattern as a mask to form fine lines and openings, and finally, the resist is removed.

【0003】高集積化に伴い、サブクォーターミクロン
以下のパターンを精度良く作成する方法として、電子ビ
ーム直描のマスプロダクションへの適用も検討されてき
ているが、一般に電子ビームによる描画は通常の光によ
る一括露光方式と比べてスループットが悪いという欠点
があった。これを克服するために、電子ビームに対する
感度が高いレジスト、特に化学増感型レジスト、が検討
されている。
With the increase in integration, application of direct electron beam writing to mass production has been studied as a method of accurately forming a pattern of sub-quarter micron or less. However, there is a drawback that the throughput is lower than that of the batch exposure method. To overcome this, resists with high sensitivity to electron beams, particularly chemically sensitized resists, have been studied.

【0004】一方、露光方式からスループットを確保
し、かつ微細なパターンを形成させるための方法とし
て、フォトレジスト層に通常の光によるマスク露光によ
ってラフパターンを露光し、その後同一の層に電子ビー
ムにより微細なパターンを描画し、さらに現像およびエ
ッチングを行う方法が提案されている。ここで、スルー
プットを大きくするために従来の化学増感型フォトレジ
ストを用いると、光露光および電子ビーム照射を行った
後に露光後ベーキング(以下PEBという)を行うこと
になるが、電子ビーム照射後だけにPEBを行うと1回
目の露光からPEBまでの経過時間が長くなって、1回
目に露光された部分に対しては感度安定性や寸法安定性
が劣化しやすく、また2種類の露光の終了後に、それぞ
れPEBを行うと、1回目に露光された部分に対しては
2回のPEBを行うことになり、寸法安定性が影響を受
けるという問題点があった。
On the other hand, as a method for securing a throughput and forming a fine pattern from the exposure method, a rough pattern is exposed to a photoresist layer by mask exposure with ordinary light, and then the same layer is exposed to an electron beam. A method of drawing a fine pattern, and further performing development and etching has been proposed. Here, if a conventional chemically sensitized photoresist is used to increase the throughput, post-exposure baking (hereinafter referred to as PEB) is performed after light exposure and electron beam irradiation. When only PEB is performed, the elapsed time from the first exposure to the PEB becomes longer, and the sensitivity and dimensional stability of the first exposed portion are likely to be deteriorated. When the PEB is performed after the completion, the PEB is performed twice for the first exposed portion, and the dimensional stability is affected.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の化
学増幅型レジストを光と電子ビームの両方で露光しよう
とすると、光露光と電子ビーム照射の各々の感度安定性
を保つにはプロセス的に無理があり、また露光からPE
Bまでの時間変動の影響を受けやすかった。このために
スループットが大きく、感度安定性および寸法安定性に
優れたパターン形成方法が望まれていた。本発明は上記
を考慮してなされたもので、スループットが大きく、感
度安定性および寸法安定性に優れたパターン形成方法を
提供することを目的とする。
As described above, when a conventional chemically amplified resist is to be exposed with both light and an electron beam, it is necessary to use a process method in order to maintain the sensitivity stability of each of the light exposure and the electron beam irradiation. It is impossible to do
It was susceptible to time fluctuations up to B. For this reason, there has been a demand for a pattern forming method which has a high throughput and is excellent in sensitivity stability and dimensional stability. The present invention has been made in view of the above, and has as its object to provide a pattern forming method which has a high throughput, and is excellent in sensitivity stability and dimensional stability.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

[発明の概要] <要旨>本発明のパターン形成方法は、下記の工程を含
んでなること、を特徴とするものである。 (1)電子ビームまたはイオンビームの照射により主鎖
が切断される高分子化合物、酸触媒反応により分解して
極性基を生じる置換基を有する化合物、および波長が1
50〜450nmの化学放射線の照射により酸を発生す
る化合物を単一の層に含んでなる感光性層を具備する感
光材料を準備する工程、(2)波長が150〜450n
mの化学放射線により前記感光性層を所定のパターンで
露光する工程、(3)引き続いて前記感光性層をベーキ
ングする工程、(4)さらに電子ビームまたはイオンビ
ームにより前記感光性層を所定のパターンで照射する工
程、および(5)露光済みの前記感光性層を現像する工
程。
[Summary of the Invention] <Summary> The pattern forming method of the present invention is characterized by comprising the following steps. (1) a polymer compound whose main chain is broken by irradiation with an electron beam or an ion beam, a compound having a substituent which is decomposed by an acid-catalyzed reaction to produce a polar group, and
Preparing a photosensitive material having a photosensitive layer comprising a single layer of a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic radiation of 50 to 450 nm; (2) a wavelength of 150 to 450 n
exposing the photosensitive layer in a predetermined pattern with actinic radiation of m, (3) subsequently baking the photosensitive layer, and (4) further exposing the photosensitive layer to a predetermined pattern by an electron beam or an ion beam. And (5) developing the exposed photosensitive layer.

【0007】<効果>本発明の方法によれば、微細なパ
ターンを感度安定性および寸法安定性を保ちながら、高
いスループットで製造することができる。
<Effect> According to the method of the present invention, a fine pattern can be manufactured with high throughput while maintaining sensitivity stability and dimensional stability.

【0008】[発明の具体的説明] <感光性材料>本発明のパターン形成方法に用いる感光
材料は、下記の各成分を単一の層に含んでなる感光性層
を具備するものである。 (a)電子ビームまたはイオンビームの照射により主鎖
が切断される高分子化合物、(b)酸触媒反応により分
解して極性基を生じる置換基を有する化合物、および、
(c)波長が150〜450nmの化学放射線の照射に
より酸を発生する化合物。ここで、電子ビームまたはイ
オンビームの照射により主鎖が切断される高分子化合物
(a)には、合目的的な任意の化合物を用いることがで
きる。このような化合物の例としては、スルフォンとオ
レフィン誘導体との共重合体、α位にハロゲンまたはシ
アノ基を有するアクリレート誘導体とオレフィン誘導体
との共重合体、メチルメタクリレートを含む共重合体、
およびその他が挙げられる。なお、この高分子成分は、
現像時の溶解コントラストを大きくするために、アルカ
リ可溶性基を有していることが好ましい。
[Specific description of the invention] <Photosensitive material> The photosensitive material used in the pattern forming method of the present invention has a photosensitive layer comprising the following components in a single layer. (A) a polymer compound whose main chain is broken by irradiation with an electron beam or an ion beam, (b) a compound having a substituent which is decomposed by an acid-catalyzed reaction to generate a polar group, and
(C) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic radiation having a wavelength of 150 to 450 nm. Here, as the polymer compound (a) whose main chain is cut by irradiation with an electron beam or an ion beam, any suitable compound can be used. Examples of such a compound include a copolymer of a sulfone and an olefin derivative, a copolymer of an acrylate derivative having a halogen or a cyano group at the α-position and an olefin derivative, a copolymer containing methyl methacrylate,
And others. In addition, this polymer component
In order to increase the dissolution contrast at the time of development, it preferably has an alkali-soluble group.

【0009】また、酸触媒反応により分解して極性基を
生じる置換基を有する化合物(b)にも任意の化合物を
用いることができる。ここでいう酸触媒反応により分解
する置換基は、当該分野で知られている任意の基を用い
ることができる。具体的には、(イ)エステル基、例え
ば、t−ブチルエステル、イソプロピルエステル、エチ
ルエステル、メチルエステル、およびその他、(ロ)エ
ーテル基、例えばt−ブチルエーテル、(ハ)アセター
ル基、例えばテトラヒドロピラニルエーテル、エトキシ
エチルエーテル、テトラヒドロフラニルエーテル、エチ
ルビニルエーテル、およびその他、(ニ)オキシカルボ
ニル基、例えばt−ブトキシカルボニル(以下、t−B
ocという)、メトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、およびその他、(ホ)アルキルシリル基、例えばト
リメチルシリル、(ヘ)シリルエーテル基、例えばトリ
メチルシリルエーテル、トリエチルシリルエーテル、お
よびその他、が挙げられる。また、これらの置換基を有
する化合物の骨格化合物も任意であるが、通常、これは
感光性組成物の樹脂成分として配合される化合物であ
り、各種の共重合体、例えばノボラック樹脂、およびそ
の他、が挙げられる。
Also, any compound can be used as the compound (b) having a substituent which is decomposed by an acid-catalyzed reaction to produce a polar group. As the substituent decomposed by the acid-catalyzed reaction, any group known in the art can be used. Specifically, (a) an ester group, for example, t-butyl ester, isopropyl ester, ethyl ester, methyl ester, and others, (b) an ether group, for example, t-butyl ether, (c) an acetal group, for example, tetrahydropyrani Ether, ethoxyethyl ether, tetrahydrofuranyl ether, ethyl vinyl ether, and (d) oxycarbonyl groups such as t-butoxycarbonyl (hereinafter, tB
oc), methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, and others, (e) alkylsilyl groups such as trimethylsilyl, (he) silylether groups such as trimethylsilylether, triethylsilylether, and others. Further, the skeleton compound of the compound having these substituents is also arbitrary, but usually, this is a compound to be blended as a resin component of the photosensitive composition, various copolymers, for example, a novolak resin, and other, Is mentioned.

【0010】ここで、高分子化合物(a)および化合物
(b)は、それぞれ独立した化合物であってもよいが、
本発明においては、(a)および(b)の両方の機能を
有する高分子化合物を用いることが好ましい。すなわ
ち、本発明のパターン形成方法に用いる感光性材料は、
電子ビームまたはイオンビームの照射により主鎖が切断
されるものであって、その側鎖として酸触媒反応により
分解して極性基を生じる置換基を有する高分子化合物を
含んでなることが好ましい。本発明の方法にこのような
(a)および(b)の両方の機能を有する高分子化合物
を用いる場合には、その他に高分子化合物(a)または
化合物(b)は必要ない。このような化合物のうち、好
ましいものは下記一般式(I)または(II)のもので
ある。
The polymer compound (a) and the compound (b) may be independent compounds,
In the present invention, it is preferable to use a polymer compound having both functions (a) and (b). That is, the photosensitive material used in the pattern forming method of the present invention is:
It is preferable that the main chain is broken by irradiation with an electron beam or an ion beam, and the side chain contains a high molecular compound having a substituent which generates a polar group by being decomposed by an acid catalyst reaction. When a polymer compound having both functions (a) and (b) is used in the method of the present invention, no other polymer compound (a) or compound (b) is required. Among such compounds, preferred are those represented by the following general formula (I) or (II).

【化2】 Embedded image

【0011】ここで、R1は、酸触媒反応により分解し
て極性基を生成する置換基を有する2価の有機基であ
り、具体的には前記した酸触媒反応により分解して極性
基を生成する置換基を有する、アルキレン基、またはア
リーレン基などが挙げられる。また、R2は、アルカリ
可溶性基、例えば−OH、−COOH、−OC−CH2
−COOH、−CF2OH、−C64OH、およびその
他を有する2価の有機基である。また、l、mおよびn
は、それぞれの単量体成分のモル比を表す数である。一
方、一般式(II)において、OR3は、酸触媒反応に
より分解して極性基、好ましくは水酸基、を生成する置
換基、例えば前記した置換基である。また、R4は、置
換または非置換の芳香族基(例えばフェニル、ナフチ
ル、およびその他)、または置換または非置換の脂肪族
基(例えばシクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチ
ル、およびその他)である。また、X1、X2およびX3
は1価の置換基、例えば−H、−CH3、−CH2
3、−CN、またはハロゲン、であり、X1、X2およ
びX3のうちの少なくとも一つが−CNまたはハロゲン
である。また、p、qおよびrは、それぞれの単量体成
分のモル比を表す数である。
Here, R 1 is a divalent organic group having a substituent which is decomposed by an acid-catalyzed reaction to form a polar group. Specifically, R 1 is decomposed by the acid-catalyzed reaction to form a polar group. Examples include an alkylene group or an arylene group having a generated substituent. R 2 is an alkali-soluble group, for example, —OH, —COOH, —OC—CH 2
It is a divalent organic group having —COOH, —CF 2 OH, —C 6 H 4 OH, and others. Also, l, m and n
Is a number representing the molar ratio of each monomer component. On the other hand, in the general formula (II), OR 3 is a substituent which is decomposed by an acid-catalyzed reaction to form a polar group, preferably a hydroxyl group, for example, the above-mentioned substituent. R 4 is a substituted or unsubstituted aromatic group (for example, phenyl, naphthyl, and others) or a substituted or unsubstituted aliphatic group (for example, cyclohexyl, norbornyl, adamantyl, and others). X 1 , X 2 and X 3
The monovalent substituent, for example -H, -CH 3, -CH 2 C
H 3 , —CN, or halogen, and at least one of X 1 , X 2, and X 3 is —CN or halogen. P, q and r are numbers representing the molar ratio of each monomer component.

【0012】これらの高分子化合物(a)、化合物
(b)、または(a)および(b)の両方の機能を有す
る高分子化合物は、必要に応じて2種類以上を組み合わ
せて用いることができる。
The polymer compound (a), the compound (b), or the polymer compound having the functions of both (a) and (b) can be used in combination of two or more as necessary. .

【0013】波長が150〜450nmの化学放射線の
照射により酸を発生する化合物(c)には、当該分野で
一般的に用いられる光酸発生剤を用いることができる。
このような化合物の具体例は以下のものである。
As the compound (c) that generates an acid upon irradiation with actinic radiation having a wavelength of 150 to 450 nm, a photoacid generator generally used in the art can be used.
Specific examples of such compounds are as follows.

【0014】[0014]

【化3】 Embedded image

【0015】[0015]

【化4】 Embedded image

【0016】[0016]

【化5】 Embedded image

【0017】[0017]

【化6】 Embedded image

【0018】[0018]

【化7】 Embedded image

【0019】[0019]

【化8】 Embedded image

【0020】[0020]

【化9】 Embedded image

【0021】[0021]

【化10】 ここでxは、各単量体成分の配合比を表すものであり、
0〜1の任意の数である。
Embedded image Here, x represents the mixing ratio of each monomer component,
It is any number from 0 to 1.

【0022】[0022]

【化11】 ここでxは、各単量体成分の配合比を表すものであり、
0〜1の任意の数である。
Embedded image Here, x represents the mixing ratio of each monomer component,
It is any number from 0 to 1.

【0023】[0023]

【化12】 ここでZは、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲ
ン、などの任意の置換基であり、X+−は任意のカチオ
ン基である。
Embedded image Here, Z is any substituent such as alkyl, alkoxy, aryl, halogen, etc., and X + -is any cationic group.

【0024】[0024]

【化13】 これらの光酸発生剤は、本発明のパターン形成方法に用
いる感光材料が含むポリマー成分の重量を基準として、
0.1〜30重量部、好ましくは0.3〜15重量部、
の量で配合される。この光酸発生剤の添加量が、前記の
量よりも少ないと十分な感度を得られないことがあり、
また前記の量よりも多いと、光酸発生剤そのものの光吸
収により露光波長におけるフォトレジスト組成物の光透
過性が損なわれることがある。
Embedded image These photoacid generators, based on the weight of the polymer component contained in the photosensitive material used in the pattern forming method of the present invention,
0.1 to 30 parts by weight, preferably 0.3 to 15 parts by weight,
In an amount of If the amount of the photoacid generator is less than the above amount, sufficient sensitivity may not be obtained,
If the amount is larger than the above-mentioned amount, the light transmittance of the photoresist composition at the exposure wavelength may be impaired due to the light absorption of the photoacid generator itself.

【0025】また、本発明のパターン形成方法に用いる
感光性材料には、酸触媒反応によって分解してアルカリ
可溶性を示す基を有する化合物を溶解抑止剤として、さ
らに添加することができる。ここでいう酸触媒反応によ
り分解してアルカリ可溶性を示す基としては、前記した
一般式(I)の化合物のRを置換する保護基と同じもの
を挙げることができる。このように用いられる溶解抑止
剤は、当該分野で知られている任意のものを用いること
ができるが、具体的には下記のものを挙げることができ
る。
The photosensitive material used in the pattern forming method of the present invention may further contain, as a dissolution inhibitor, a compound having a group which is decomposed by an acid-catalyzed reaction and shows alkali solubility. Examples of the group which is decomposed by the acid-catalyzed reaction and exhibits alkali solubility include the same protective groups as those described above for substituting R in the compound of the general formula (I). As the dissolution inhibitor used in this manner, any one known in the art can be used, and specific examples include the following.

【0026】[0026]

【化14】 Embedded image

【0027】[0027]

【化15】 Embedded image

【0028】[0028]

【化16】 Embedded image

【0029】[0029]

【化17】 ここでnは重合度を表す任意の数である。Embedded image Here, n is an arbitrary number representing the degree of polymerization.

【0030】[0030]

【化18】 Embedded image

【0031】[0031]

【化19】 Embedded image

【0032】[0032]

【化20】 Embedded image

【0033】[0033]

【化21】 Embedded image

【0034】[0034]

【化22】 Embedded image

【0035】[0035]

【化23】 Embedded image

【0036】本発明の感光性組成物を化学増幅型レジス
トに用いる場合、化学増幅型レジストが環境中の塩基性
化合物を吸着することによりレジスト特性が影響を受け
るのを防止するために、感光性組成物中に微量の塩基性
化合物を添加することができる。このような塩基性化合
物としては、本発明の効果を損なわない限り任意のもの
を用いることができるが、具体的には、(イ)ピリジン
誘導体、例えばt−ブチルピリジン、ベンジルピリジ
ン、各種のピリジニウム塩、およびその他、(ロ)アニ
リン誘導体、例えばメチルアニリン、N−エチルアニリ
ン、N,N−ジメチルアニリン、(ハ)アミン化合物、
例えばジフェニルアミン、N−メチルジフェニルアミ
ン、およびその他、(ホ)インデン誘導体、ならびにそ
の他、が挙げられる。これらの塩基性化合物の添加量
は、一般に光酸発生剤のモル数を基準にして、0.1〜
50モル%、好ましくは1〜15モル%、である。塩基
性化合物の添加量がこれよりも少ないと塩基性化合物を
添加する効果が現れにくく、また多すぎると感光性組成
物の感度が低下することがある。
When the photosensitive composition of the present invention is used for a chemically amplified resist, it is necessary to prevent the chemically amplified resist from adsorbing a basic compound in the environment, thereby affecting the resist properties. A trace amount of a basic compound can be added to the composition. As such a basic compound, any compound can be used as long as the effects of the present invention are not impaired. Specifically, (a) pyridine derivatives, for example, t-butylpyridine, benzylpyridine, various pyridiniums Salts and other (ii) aniline derivatives such as methylaniline, N-ethylaniline, N, N-dimethylaniline, (c) amine compounds,
For example, diphenylamine, N-methyldiphenylamine, and others, (ho) indene derivatives, and others. The amount of these basic compounds to be added is generally 0.1 to 10% based on the number of moles of the photoacid generator.
It is 50 mol%, preferably 1 to 15 mol%. If the amount of the basic compound is less than this, the effect of adding the basic compound is less likely to be exhibited, and if the amount is too large, the sensitivity of the photosensitive composition may decrease.

【0037】本発明の感光性組成物は、前記した各成分
を、一般に有機溶媒に溶解し、必要に応じてメンブレン
フィルターなどにより濾過することにより調製される。
ここで用いられる有機溶媒は、当該分野で一般的に用い
られるものが用いられるが、具体的には(イ)ケトン、
例えばシクロヘキサノン、アセトン、エチルメチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、およびその他、(ロ)セ
ロソルブル類、例えばメチルセロソルブ、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチル
セロソルブアセテート、およびその他、ならびに(ハ)
エステル類、例えば酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソ
アミル、γ−ブチロラクトン、3−メトキシプロピオン
酸メチル、およびその他、を挙げることができる。ま
た、感光性組成物の種類により、溶解性を向上させるた
めにジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N−メチルピロリジノン、およびその他が用いる
こともできる。さらには、低毒性溶媒として乳酸エチル
などの乳酸エステル、プロピレングリコールモノエチル
アセテートなどを用いることもできる。
The photosensitive composition of the present invention is prepared by generally dissolving each of the above-mentioned components in an organic solvent and, if necessary, filtering the solution with a membrane filter or the like.
As the organic solvent used here, those generally used in the art are used. Specifically, (a) ketone,
For example, cyclohexanone, acetone, ethyl methyl ketone, methyl isobutyl ketone, and others, (b) cellosolves such as methyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, and others;
Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, isoamyl acetate, γ-butyrolactone, methyl 3-methoxypropionate, and others. In addition, depending on the type of the photosensitive composition, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidinone, and others can be used to improve solubility. Further, a lactic acid ester such as ethyl lactate, propylene glycol monoethyl acetate, or the like can be used as the low toxicity solvent.

【0038】なお、感光性組成物の成分として前記した
高分子化合物(a)、化合物(b)、(a)および
(b)の両方の機能を有する高分子化合物、光酸発生剤
(c)、溶解抑止剤、有機溶媒、およびその他は、必要
に応じて2種類以上を組み合わせて用いることができ
る。
As the components of the photosensitive composition, the polymer compound (a), the compound (b), the polymer compound having both functions of (a) and (b), the photoacid generator (c) , A dissolution inhibitor, an organic solvent, and others can be used in combination of two or more as necessary.

【0039】本発明のパターン形成方法は、前記の感光
性組成物を基板などの上に塗布して、感光性層を設けた
感光材料を用いる。感光性組成物を塗布する基板として
は、当該分野で知られている任意のものを用いることが
できる。このような基板としては具体的には、シリコン
ウェハ、ドーピングされたシリコンウェハ、表面に各種
の絶縁膜、電極、または配線が形成されたシリコンウェ
ハ、マスクブランクス、GaAsまたはAlGaAsな
どのIII−V族化合物半導体ウェハ、およびその他を
挙げることができる。クロムまたは酸化クロム蒸着基
板、アルミニウム蒸着基板、IBSPGコート基板、S
OGコート基板、SiNコート基板も用いることができ
る。
In the pattern forming method of the present invention, a photosensitive material provided with a photosensitive layer by applying the above photosensitive composition on a substrate or the like is used. As the substrate on which the photosensitive composition is applied, any substrate known in the art can be used. Specific examples of such a substrate include a silicon wafer, a doped silicon wafer, a silicon wafer having various insulating films, electrodes, or wirings formed on its surface, a mask blank, and a III-V group such as GaAs or AlGaAs. Compound semiconductor wafers, and others. Chromium or chromium oxide deposited substrate, aluminum deposited substrate, IBSPG coated substrate, S
An OG coated substrate and a SiN coated substrate can also be used.

【0040】基板に感光性組成物を塗布する方法も任意
であり、スピンコーティング、ディップコーティング、
ドクターブレード法、カーテンコーティング、およびそ
の他の方法が用いられる。
The method of applying the photosensitive composition to the substrate is also optional, and includes spin coating, dip coating,
Doctor blade methods, curtain coating, and other methods are used.

【0041】塗布された感光性組成物は、通常170℃
以下、好ましくは70〜120℃、で加熱乾燥され、感
光性層が形成される。
The applied photosensitive composition is usually at 170 ° C.
Thereafter, the photosensitive layer is dried by heating at preferably 70 to 120 ° C. to form a photosensitive layer.

【0042】<パターン形成方法>本発明のパターン形
成方法は、前記の感光材料を用いて、特定の処理をする
ことによるものである。
<Pattern Forming Method> The pattern forming method of the present invention is based on a specific treatment using the above-mentioned photosensitive material.

【0043】すなわち、本発明のパターン形成方法は以
下の各工程を含んでなるものである。 (1)前記の感光材料を準備する工程、(2)波長が1
50〜450nmの化学放射線により感光性層を所定の
パターンで露光する工程、(3)引き続いて感光性層を
ベーキングする工程、(4)さらに電子ビームまたはイ
オンビームにより感光性層を所定のパターンで照射する
工程、(5)露光済みの感光性層を現像する工程。
That is, the pattern forming method of the present invention comprises the following steps. (1) a step of preparing the above-mentioned photosensitive material; (2) a wavelength of 1
Exposing the photosensitive layer in a predetermined pattern with actinic radiation of 50 to 450 nm, (3) subsequently baking the photosensitive layer, and (4) further exposing the photosensitive layer in a predetermined pattern by an electron beam or an ion beam. Irradiating, and (5) developing the exposed photosensitive layer.

【0044】まず、前記の通りに準備された感光材料を
波長が150〜450nmの光によりに像様にパターン
露光する。露光の方法は、所定のマスクパターンを介し
て露光を行うものであっても、感光性層に化学放射線を
直接走査させて露光を行うものであってもよい。露光に
用いる化学放射線は、波長が150〜450nmのもの
であって、光酸発生剤(c)から酸を放出させることの
できるものであれば任意のものを用いることができる。
具体的には、紫外線、水銀ランプのi線、h線、または
g線、キセノンランプ光、ディープUV光(例えばKr
FまたはArFなどのエキシマーレーザー光)、および
その他を用いることができる。
First, the photosensitive material prepared as described above is imagewise exposed to light having a wavelength of 150 to 450 nm. The method of exposure may be a method of performing exposure through a predetermined mask pattern or a method of performing exposure by directly scanning the photosensitive layer with actinic radiation. The actinic radiation used for exposure has a wavelength of 150 to 450 nm, and any one can be used as long as it can release an acid from the photoacid generator (c).
Specifically, ultraviolet light, i-line, h-line, or g-line of a mercury lamp, xenon lamp light, deep UV light (for example, Kr
Excimer laser light such as F or ArF), and others.

【0045】続いて、ベーキング処理を行う。ベーキン
グ処理は、当該分野で知られている任意の方法で行うこ
とができるが、一般的には熱板上や加熱炉中での加熱、
または赤外線照射などにより行う。このベーキング処理
は、化学増幅型レジスト組成物における酸触媒反応を促
進させるために行うが、酸の過剰な拡散を抑えるため
に、通常、150℃以下で加熱処理を行う。
Subsequently, a baking process is performed. The baking treatment can be performed by any method known in the art, but generally, heating on a hot plate or in a heating furnace,
Alternatively, it is performed by infrared irradiation or the like. This baking treatment is performed in order to promote an acid-catalyzed reaction in the chemically amplified resist composition, but heat treatment is usually performed at 150 ° C. or lower to suppress excessive diffusion of acid.

【0046】さらに、電子ビームまたはイオンビームに
より微細なパターンを照射する。露光装置には、当該分
野で知られている任意の装置を用いることができるが、
一般的には電子ビーム描画装置やイオンビーム描画装置
が用いられる。電子ビーム描画装置には任意のものを用
いることができ、それに用いられるビーム形式(例えば
円形ビーム、固定矩形ビーム、可変成形ビームおよびそ
の他)、ビーム走査方式(例えばベクター走査方式、ラ
スター走査方式、およびその他)など、用いる感光材料
やパターンの使用目的などにより適当なものを選ぶこと
ができる。
Further, a fine pattern is irradiated by an electron beam or an ion beam. As the exposure device, any device known in the art can be used,
Generally, an electron beam writing apparatus or an ion beam writing apparatus is used. Any type of electron beam writing apparatus can be used, and the beam format (for example, a circular beam, a fixed rectangular beam, a variable shaped beam and others) used for the electron beam writing apparatus, a beam scanning method (for example, a vector scanning method, a raster scanning method, and Other materials can be selected depending on the photosensitive material to be used and the purpose of use of the pattern.

【0047】イオンビーム装置にも任意のものを用いる
ことができる。イオン源となる元素や、装置のイオン引
き出し部、ビーム収束装置、ビーム偏向装置、およびそ
の他が種々検討されているが、これらの中から合目的的
な任意のものを用いることができる。
Any type of ion beam device can be used. Various elements such as an element serving as an ion source, an ion extraction portion of the device, a beam converging device, a beam deflecting device, and others have been studied, and any suitable one can be used.

【0048】続いて、感光性層をアルカリ現像液により
現像する。用いる現像液は、当該分野で知られている任
意のものを用いることができるが、具体的には、(イ)
有機アルカリ水溶液、例えばテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液、コリン水溶液、およびその他、ならびに
(ロ)無機アルカリ水溶液、例えば水酸化カリウム水溶
液、水酸化ナトリウム水溶液、およびその他、が挙げら
れる。アルカリ現像液の濃度は限定されないが、感光性
層の露光部と未露光部の溶解速度差を大きくする、すな
わち溶解コントラストを大きくする、ために15モル%
以下の濃度であることが好ましい。また、電子ビームま
たはイオンビーム照射を照射することにより、高分子化
合物は主鎖が切断されて低分子量化するが、これを利用
したパターンの現像には有機溶媒が適しているため、本
発明のパターン形成方法において用いる現像液は、有機
溶媒を含むことが好ましい。用いることのできる有機溶
媒は、例えば、(イ)アルコール、例えばメタノール、
イソプロパノール、ブタノール、およびその他、(ロ)
ケトン、例えばメチルイソブチルケトン、アセトン、お
よびその他、(ハ)芳香族溶媒、例えばトルエン、キシ
レン、およびその他、(ニ)N−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、
およびその他、が挙げられる。これらのアルカリ水溶液
および有機溶媒は任意の2種類以上を組み合わせて用い
ることもできる。
Subsequently, the photosensitive layer is developed with an alkaline developer. As the developer used, any one known in the art can be used. Specifically, (a)
Organic alkali aqueous solutions such as tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, tetraethylammonium hydroxide aqueous solution, choline aqueous solution and others, and (ii) inorganic alkali aqueous solutions such as potassium hydroxide aqueous solution, sodium hydroxide aqueous solution and others. The concentration of the alkali developing solution is not limited, but is 15 mol% in order to increase the dissolution rate difference between the exposed part and the unexposed part of the photosensitive layer, that is, to increase the dissolution contrast.
The following concentrations are preferred. In addition, by irradiation with an electron beam or an ion beam, the high molecular compound is cut in the main chain to reduce the molecular weight. However, since an organic solvent is suitable for developing a pattern using the same, the present invention The developer used in the pattern forming method preferably contains an organic solvent. Organic solvents that can be used include, for example, (a) alcohols such as methanol,
Isopropanol, butanol, and others (b)
Ketones, such as methyl isobutyl ketone, acetone, and others; (c) aromatic solvents, such as toluene, xylene, and others; (d) N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide;
And others. These alkaline aqueous solutions and organic solvents can be used in combination of any two or more kinds.

【0049】このような本発明の方法によるパターン形
成のメカニズムは次のように考えられる。まず、150
〜450nmの化学放射線で露光された光酸発生剤
(c)が酸を放出する。放出された酸は、引き続き行わ
れるベーキング処理により拡散して、化合物(b)の酸
触媒反応により分解して極性基となる置換基と反応し、
化合物(b)をアルカリ可溶性にする。さらに、高分子
化合物(a)の主鎖が電子ビームまたはイオンビームを
照射されることによって切断されて、高分子化合物
(a)が低分子量化して、現像液に対する溶解性があが
る。この電子ビームまたはイオンビームによる高分子化
合物(a)の主鎖切断は、化学増幅作用によるものでは
ないのでベーキングが不要であり、先の150〜450
nmの化学放射線により露光された部分は影響を受けな
いので、150〜450nmの化学放射線、および電子
ビームまたはイオンビームにより露光されたパターンが
精度良く再現される。
The mechanism of pattern formation according to the method of the present invention is considered as follows. First, 150
The photoacid generator (c) exposed to actinic radiation at ~ 450 nm releases the acid. The released acid is diffused by a subsequent baking treatment, and is decomposed by an acid-catalyzed reaction of the compound (b) to react with a substituent that becomes a polar group.
Compound (b) is made alkali-soluble. Further, the main chain of the polymer compound (a) is cut by being irradiated with an electron beam or an ion beam, so that the polymer compound (a) has a low molecular weight and the solubility in a developing solution is increased. The scission of the main chain of the polymer compound (a) by the electron beam or the ion beam is not due to the chemical amplification action, so that baking is unnecessary, and the aforementioned 150 to 450
Since the part exposed by the actinic radiation of nm is not affected, the pattern exposed by the actinic radiation of 150 to 450 nm and the electron beam or the ion beam is accurately reproduced.

【0050】本発明のパターンの形成方法は前記の
(1)〜(5)の工程からなるものであるが、必要に応
じて更なる工程を加えることもできる。例えば、基板上
に感光性層を塗設する前に平坦化層形成させる工程、露
光光の反射を低減させるための反射防止層を形成させる
工程、現像処理後の基板を水などで洗浄して、現像液な
どを除去するリンス工程、ドライエッチング前に紫外線
を再度照射する工程、およびその他を前記の工程に組み
合わせることができる。
The method for forming a pattern according to the present invention comprises the above-mentioned steps (1) to (5), but further steps may be added if necessary. For example, a step of forming a flattening layer before coating a photosensitive layer on a substrate, a step of forming an anti-reflection layer to reduce the reflection of exposure light, and washing the substrate after development with water or the like A rinsing step for removing a developer and the like, a step of irradiating ultraviolet rays again before dry etching, and the like can be combined with the above steps.

【0051】[0051]

【発明の実施の形態】実施例1 下記の共重合体(III)5.8g、および酸発生剤で
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート(以下TP
S−OTfという)0.04gをメトキシメチルプロピ
オネート94gに溶解し、続いて0.2μmのメンブレ
ンフィルターを用いて濾過してレジスト溶液を調製し
た。
EXAMPLE 1 5.8 g of the following copolymer (III) and triphenylsulfonium triflate (hereinafter TP) as an acid generator
0.04 g (referred to as S-OTf) was dissolved in 94 g of methoxymethyl propionate, followed by filtration using a 0.2 μm membrane filter to prepare a resist solution.

【化24】 Embedded image

【0052】得られたレジスト溶液をスピンコーティン
グによりシリコンウェハ上に塗布し、100℃で90秒
加熱することにより、厚さ0.16μmのレジスト層を
形成させた。
The obtained resist solution was applied on a silicon wafer by spin coating, and heated at 100 ° C. for 90 seconds to form a resist layer having a thickness of 0.16 μm.

【0053】次いで、レジスト層表面に波長248nm
のKrFエキシマーレーザー光を光源としたステッパー
を使用して、露光量20mJ/cm2で所定のパターン
光を露光し、引き続いて100℃で2分間のベーキング
処理を施した。さらに、レジスト層表面に3keVの電
子ビーム描画装置を用い、露光量5μC/cm2で所定
のパターン光を露光した。
Next, a wavelength of 248 nm is applied to the surface of the resist layer.
A predetermined pattern light was exposed at an exposure amount of 20 mJ / cm 2 using a stepper using KrF excimer laser light as a light source, followed by baking at 100 ° C. for 2 minutes. Further, a predetermined pattern light was exposed on the surface of the resist layer at an exposure amount of 5 μC / cm 2 using an electron beam drawing apparatus of 3 keV.

【0054】露光済みのレジストを、0.27Nのテト
ラヒドロアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液
とイソプロピルアルコールの1:1混合液を用いて、露
光部を選択的に溶解除去して、ポジ型レジストパターン
を形成させた。ここで、KrFエキシマーレーザー光に
よる露光から電子ビーム描画までの時間(TE)を10
分、1時間、または2時間とした場合の、KrFエキシ
マーレーザー光露光パターン(0.25μmL&S)お
よび電子ビーム描画パターン(0.15μmL&S)の
それぞれの寸法変動を調べた。得られた結果は表1に示
すとおりである。
The exposed resist is selectively dissolved and removed using a 1: 1 mixture of a 0.27N aqueous solution of tetrahydroammonium hydroxide (TMAH) and isopropyl alcohol to form a positive resist pattern. Formed. Here, the time (T E ) from exposure with a KrF excimer laser beam to electron beam drawing is set to 10
The dimensional variations of the KrF excimer laser light exposure pattern (0.25 μmL & S) and the electron beam writing pattern (0.15 μmL & S) were examined for minutes, 1 hour, or 2 hours. The results obtained are shown in Table 1.

【0055】 [0055]

【0056】実施例2 下記の共重合体(IV)5.8g、および酸発生剤であ
るTPS−OTf0.04gをシクロヘキサノン94g
に溶解し、続いて0.2μmのメンブレンフィルターを
用いて濾過してレジスト溶液を調製した。
Example 2 5.8 g of the following copolymer (IV) and 0.04 g of TPS-OTf as an acid generator were mixed with 94 g of cyclohexanone.
And filtered using a 0.2 μm membrane filter to prepare a resist solution.

【化25】 Embedded image

【0057】得られたレジスト溶液をスピンコーティン
グによりシリコンウェハ上に塗布し、100℃で90秒
加熱することにより、厚さ0.16μmのレジスト層を
形成させた。
The obtained resist solution was applied on a silicon wafer by spin coating, and heated at 100 ° C. for 90 seconds to form a resist layer having a thickness of 0.16 μm.

【0058】次いで、レジスト層表面に波長248nm
のKrFエキシマーレーザー光を光源としたステッパー
を使用して、露光量22mJ/cm2で所定のパターン
光を露光し、引き続いて10分以内にラインベーカーに
より100℃で2分間のベーキング処理を施した。さら
に、レジスト層表面に3keVの電子ビーム描画装置を
用い、露光量1μC/cm2で所定のパターン光を露光
した。
Next, a wavelength of 248 nm is applied to the surface of the resist layer.
Using a KrF excimer laser light source as a light source, a predetermined pattern light was exposed at an exposure amount of 22 mJ / cm 2 , followed by baking at 100 ° C. for 2 minutes by a line baker within 10 minutes. . Further, the surface of the resist layer was exposed to a predetermined pattern light at an exposure amount of 1 μC / cm 2 using an electron beam drawing apparatus of 3 keV.

【0059】露光済みのレジストを、0.108NのT
MAH水溶液とイソプロピルアルコールの1:1混合液
を用いて、露光部を選択的に溶解除去して、ポジ型レジ
ストパターンを形成させた。
The exposed resist is subjected to 0.108N T
The exposed portion was selectively dissolved and removed using a 1: 1 mixed solution of MAH aqueous solution and isopropyl alcohol to form a positive resist pattern.

【0060】ここで、TEを10分、1時間、または2
時間とした場合の、KrFエキシマーレーザー光露光パ
ターン(0.25μmL&S)および電子ビーム描画パ
ターン(0.15μmL&S)のそれぞれの寸法変動を
調べた。得られた結果は表2に示すとおりである。
[0060] Here, 10 minutes T E, 1 hour, or 2
With respect to time, the dimensional variations of the KrF excimer laser light exposure pattern (0.25 μmL & S) and the electron beam writing pattern (0.15 μmL & S) were examined. The results obtained are shown in Table 2.

【0061】 [0061]

【0062】比較例1 分子量12,000のポリヒドロキシスチレンの水酸基
のうち30%をt−Bocで置換したポリマー100重
量部、および酸発生剤であるTPS−OTf1重量部を
PGMEAに溶解してレジスト溶液を調製した。得られ
たレジスト溶液をスピンコーティングによりシリコンウ
ェハ上に塗布して、厚さ0.16μmのレジスト層を形
成させた。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 100 parts by weight of a polymer in which 30% of the hydroxyl groups of polyhydroxystyrene having a molecular weight of 12,000 were substituted with t-Boc, and 1 part by weight of an acid generator, TPS-OTf, were dissolved in PGMEA to form a resist. A solution was prepared. The obtained resist solution was applied on a silicon wafer by spin coating to form a resist layer having a thickness of 0.16 μm.

【0063】次いで、レジスト層表面に波長248nm
のKrFエキシマーレーザー光を光源としたステッパー
を使用して、露光量25mJ/cm2で所定のパターン
光を露光し、さらに、レジスト層表面に3keVの電子
ビーム描画装置を用い、露光量1μC/cm2で所定の
パターン光を露光した。露光済みのレジストに引き続い
て100℃で2分間のベーキング処理を施した。
Next, a wavelength of 248 nm is applied to the surface of the resist layer.
Using a stepper with a KrF excimer laser beam as a light source, a predetermined pattern light is exposed at an exposure amount of 25 mJ / cm 2 , and further, an exposure amount of 1 μC / cm is applied to the surface of the resist layer using a 3 keV electron beam drawing apparatus. In step 2 , a predetermined pattern light was exposed. The exposed resist was baked at 100 ° C. for 2 minutes.

【0064】このレジストを、0.21NのTMAH水
溶液を用いて、露光部を選択的に溶解除去して、ポジ型
レジストパターンを形成させた。
The resist was selectively dissolved and removed using a 0.21N aqueous TMAH solution to form a positive resist pattern.

【0065】ここで、TEを10分、1時間、または2
時間とした場合の、KrFエキシマーレーザー光露光パ
ターン(0.25μmL&S)および電子ビーム描画パ
ターン(0.15μmL&S)のそれぞれの寸法変動を
調べた。得られた結果は表3に示すとおりである。
[0065] Here, 10 minutes T E, 1 hour, or 2
With respect to time, the dimensional variations of the KrF excimer laser light exposure pattern (0.25 μmL & S) and the electron beam writing pattern (0.15 μmL & S) were examined. The results obtained are shown in Table 3.

【0066】 [0066]

【0067】比較例2 電子ビーム描画の後でのベーキングを行う代わりに、K
rFエキシマーレーザー光による露光のあと、10分間
以内にラインベーカーにより100℃で2分間のベーキ
ングを行った他は、比較例1と同様にしてポジ型レジス
トパターンを形成させた。TEを変動させたときの寸法
変動を調べたところ、得られた結果は表4に示すとおり
であった。
Comparative Example 2 Instead of performing baking after electron beam writing, K
After exposure with rF excimer laser light, a positive resist pattern was formed in the same manner as in Comparative Example 1, except that baking was performed at 100 ° C. for 2 minutes using a line baker within 10 minutes. Examination of the dimensional variations when varying the T E, the results obtained were as shown in Table 4.

【0068】 [0068]

【0069】[0069]

【発明の効果】本発明のパターン形成方法によれば、微
細なパターンを感度安定性および寸法安定性を保ちなが
ら、高いスループットで製造することができる。
According to the pattern forming method of the present invention, a fine pattern can be manufactured with high throughput while maintaining sensitivity stability and dimensional stability.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記の工程を含んでなることを特徴とす
る、パターン形成方法。 (1)電子ビームまたはイオンビームの照射により主鎖
が切断される高分子化合物、酸触媒反応により分解して
極性基を生じる置換基を有する化合物、および波長が1
50〜450nmの化学放射線の照射により酸を発生す
る化合物を単一の層に含んでなる感光性層を具備する感
光材料を準備する工程、(2)波長が150〜450n
mの化学放射線により前記感光性層を所定のパターンで
露光する工程、(3)引き続いて前記感光性層をベーキ
ングする工程、(4)さらに電子ビームまたはイオンビ
ームにより前記感光性層を所定のパターンで露光する工
程、および(5)露光済みの前記感光性層を現像する工
程。
1. A pattern forming method comprising the following steps. (1) a polymer compound whose main chain is broken by irradiation with an electron beam or an ion beam, a compound having a substituent which is decomposed by an acid-catalyzed reaction to produce a polar group, and
Preparing a photosensitive material having a photosensitive layer comprising a single layer of a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic radiation of 50 to 450 nm; (2) a wavelength of 150 to 450 n
exposing the photosensitive layer in a predetermined pattern with actinic radiation of m, (3) subsequently baking the photosensitive layer, and (4) further exposing the photosensitive layer to a predetermined pattern by an electron beam or an ion beam. And (5) developing the exposed photosensitive layer.
【請求項2】電子ビームまたはイオンビームの照射によ
り主鎖が切断される高分子化合物が、アルカリ可溶性基
を有するものである、請求項1に記載のパターン形成方
法。
2. The pattern forming method according to claim 1, wherein the polymer compound whose main chain is cut by irradiation with an electron beam or an ion beam has an alkali-soluble group.
【請求項3】波長150〜450nmの化学放射線がK
rFエキシマーレーザー光またはArFエキシマーレー
ザー光である、請求項1または2のいずれか1項に記載
のパターン形成方法。
3. The method according to claim 1, wherein actinic radiation having a wavelength of 150 to 450 nm is K
The pattern forming method according to claim 1, wherein the pattern forming method is rF excimer laser light or ArF excimer laser light.
【請求項4】電子ビームまたはイオンビームの照射によ
り主鎖が切断される高分子化合物が、酸触媒反応により
分解して極性基を生じる置換基を有する化合物と同一で
ある、請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン形
成方法。
4. The polymer compound whose main chain is broken by irradiation with an electron beam or an ion beam is the same as a compound having a substituent which is decomposed by an acid-catalyzed reaction to produce a polar group. The pattern forming method according to any one of the above.
【請求項5】電子ビームまたはイオンビームの照射によ
り主鎖が切断される高分子化合物が、下記一般式(I)
または(II)の化合物である、請求項1〜4のいずれ
か1項に記載のパターン形成方法。 【化1】 (ここで、R1は、酸触媒反応により分解して極性基を
生成する置換基を有する2価の有機基であり、R2は、
アルカリ可溶性基を有する2価の有機基であり、l、m
およびnは、それぞれの単量体成分のモル比を表す数で
あり、OR3は、酸触媒反応により分解して極性基を生
成する置換基であり、R4は、置換または非置換の芳香
族基、または置換または非置換の脂肪族基であり、
1、X2およびX3は1価の置換基であり、X1、X2
よびX3のうちの少なくとも一つが−CNまたはハロゲ
ンであり、p、qおよびrは、それぞれの単量体成分の
モル比を表す数である。)
5. A polymer compound whose main chain is cut by irradiation with an electron beam or an ion beam is represented by the following general formula (I):
5. The pattern forming method according to claim 1, which is a compound of (II). Embedded image (Where R 1 is a divalent organic group having a substituent that decomposes by an acid-catalyzed reaction to form a polar group, and R 2 is
A divalent organic group having an alkali-soluble group,
And n are numbers representing the molar ratio of the respective monomer components, OR 3 is a substituent which is decomposed by an acid-catalyzed reaction to form a polar group, and R 4 is a substituted or unsubstituted aromatic An aliphatic group, or a substituted or unsubstituted aliphatic group,
X 1 , X 2 and X 3 are monovalent substituents, at least one of X 1 , X 2 and X 3 is —CN or halogen, and p, q and r are the respective monomers It is a number representing the molar ratio of the components. )
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