JPH1192947A - 半導体ウエハのメッキ方法及び装置 - Google Patents
半導体ウエハのメッキ方法及び装置Info
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- JPH1192947A JPH1192947A JP26785397A JP26785397A JPH1192947A JP H1192947 A JPH1192947 A JP H1192947A JP 26785397 A JP26785397 A JP 26785397A JP 26785397 A JP26785397 A JP 26785397A JP H1192947 A JPH1192947 A JP H1192947A
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- plating
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハに設けた微細溝や微細孔内を確
実にメッキで埋めることが出来る半導体ウエハのメッキ
方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 メッキ処理槽１０内に浸漬した半導体ウ
エハ１００表面のメッキ成長を無電解メッキによって行
なうとともに、間歇的にマイナス電極板３０を用いて半
導体ウエハ１００に逆電解メッキを行なうことで微細溝
や微細孔の入口部分のメッキの一部を再溶解する。
実にメッキで埋めることが出来る半導体ウエハのメッキ
方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 メッキ処理槽１０内に浸漬した半導体ウ
エハ１００表面のメッキ成長を無電解メッキによって行
なうとともに、間歇的にマイナス電極板３０を用いて半
導体ウエハ１００に逆電解メッキを行なうことで微細溝
や微細孔の入口部分のメッキの一部を再溶解する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ表面に
設けた微細溝や微細孔中へメッキ処理を施すのに好適な
半導体ウエハのメッキ方法及び装置に関するものであ
る。
設けた微細溝や微細孔中へメッキ処理を施すのに好適な
半導体ウエハのメッキ方法及び装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスの配線形成は、ア
ルミニウムスパッタにエッチバックを用いるにしても、
配線部分に銅材を埋めたものに化学機械研摩（ＣＭＰ）
を用いるにしても、スパッタが多く行なわれていた。
ルミニウムスパッタにエッチバックを用いるにしても、
配線部分に銅材を埋めたものに化学機械研摩（ＣＭＰ）
を用いるにしても、スパッタが多く行なわれていた。
【０００３】しかしながら半導体デバイスが微細化しそ
の配線の幅が更に小さくなって例えば０．１８μｍから
０．１３μｍ程度の幅のものが要求されて、ステップカ
バレッジが大きくなるに従い、従来行なわれていたスパ
ッタによる配線用の微細溝や微細孔へのメタル埋込は困
難になり、空孔が出来易くなっていた。
の配線の幅が更に小さくなって例えば０．１８μｍから
０．１３μｍ程度の幅のものが要求されて、ステップカ
バレッジが大きくなるに従い、従来行なわれていたスパ
ッタによる配線用の微細溝や微細孔へのメタル埋込は困
難になり、空孔が出来易くなっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこでスパッタの代わ
りに半導体ウエハをメッキ液に浸漬してその表面及び配
線用の微細溝や微細孔内に電解メッキ又は無電解メッキ
を施すことが考えられている。しかしながら半導体ウエ
ハを電解メッキすることでその微細溝や微細孔内のメッ
キを行なおうとすると、微細溝や微細孔の奥の方に比べ
て入口付近に電流が集中するため該入口付近のメッキ膜
厚がその内部のメッキ膜厚に比べて厚くなってしまい、
さらには内部が完全にメッキで埋められる前に入口がメ
ッキで塞がれてしまい、内部が空孔のまま残ってしまう
という問題点があった。
りに半導体ウエハをメッキ液に浸漬してその表面及び配
線用の微細溝や微細孔内に電解メッキ又は無電解メッキ
を施すことが考えられている。しかしながら半導体ウエ
ハを電解メッキすることでその微細溝や微細孔内のメッ
キを行なおうとすると、微細溝や微細孔の奥の方に比べ
て入口付近に電流が集中するため該入口付近のメッキ膜
厚がその内部のメッキ膜厚に比べて厚くなってしまい、
さらには内部が完全にメッキで埋められる前に入口がメ
ッキで塞がれてしまい、内部が空孔のまま残ってしまう
という問題点があった。
【０００５】この点、無電解メッキの場合は微細溝や微
細孔の各部におけるメッキの成長速度が均一なので空孔
はできにくいが、それでも微細溝や微細孔の入口部分の
メッキの方が多少でも速く成長するとやはり内部に空孔
ができたままでその入口が塞がれてしまう恐れがあっ
た。
細孔の各部におけるメッキの成長速度が均一なので空孔
はできにくいが、それでも微細溝や微細孔の入口部分の
メッキの方が多少でも速く成長するとやはり内部に空孔
ができたままでその入口が塞がれてしまう恐れがあっ
た。
【０００６】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
ありその目的は、半導体ウエハに設けた微細溝や微細孔
内を確実にメッキで埋めることが出来る半導体ウエハの
メッキ方法及び装置を提供することにある。
ありその目的は、半導体ウエハに設けた微細溝や微細孔
内を確実にメッキで埋めることが出来る半導体ウエハの
メッキ方法及び装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明は、被メッキ面が導電性部材で形成されている
半導体ウエハ表面の微細溝や微細孔中へメッキ処理を施
す半導体ウエハのメッキ方法において、前記半導体ウエ
ハ表面のメッキ成長を無電解メッキによって行なうとと
もに、間歇的に半導体ウエハに逆電解メッキを行なうこ
とで微細溝や微細孔の入口部分のメッキの一部を再溶解
せしめることとした。また本発明は、被メッキ面が導電
性部材で形成されている半導体ウエハ表面の微細溝や微
細孔中へメッキ処理を施す半導体ウエハのメッキ装置に
おいて、前記半導体ウエハを無電解メッキによってメッ
キ成長せしめるメッキ処理槽と、該メッキ処理槽内に収
納されて前記無電解メッキ中の半導体ウエハに間歇的に
逆電解メッキを行わしめるマイナス電極部材とを具備し
て構成した。
め本発明は、被メッキ面が導電性部材で形成されている
半導体ウエハ表面の微細溝や微細孔中へメッキ処理を施
す半導体ウエハのメッキ方法において、前記半導体ウエ
ハ表面のメッキ成長を無電解メッキによって行なうとと
もに、間歇的に半導体ウエハに逆電解メッキを行なうこ
とで微細溝や微細孔の入口部分のメッキの一部を再溶解
せしめることとした。また本発明は、被メッキ面が導電
性部材で形成されている半導体ウエハ表面の微細溝や微
細孔中へメッキ処理を施す半導体ウエハのメッキ装置に
おいて、前記半導体ウエハを無電解メッキによってメッ
キ成長せしめるメッキ処理槽と、該メッキ処理槽内に収
納されて前記無電解メッキ中の半導体ウエハに間歇的に
逆電解メッキを行わしめるマイナス電極部材とを具備し
て構成した。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に
かかる半導体ウエハのメッキ装置を示す全体概略構成図
である。同図に示すようにこのメッキ装置は、メッキ処
理槽１０内に半導体ウエハ１００と、ウエハ固定台２０
と、マイナス電極板３０とを収納して構成されている。
以下各構成部材について説明する。なおこの実施形態で
は半導体ウエハ１００表面に設けた複数の微細溝や微細
孔内を銅メッキで埋める例を説明する。
基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に
かかる半導体ウエハのメッキ装置を示す全体概略構成図
である。同図に示すようにこのメッキ装置は、メッキ処
理槽１０内に半導体ウエハ１００と、ウエハ固定台２０
と、マイナス電極板３０とを収納して構成されている。
以下各構成部材について説明する。なおこの実施形態で
は半導体ウエハ１００表面に設けた複数の微細溝や微細
孔内を銅メッキで埋める例を説明する。
【０００９】メッキ処理槽１０はその内部にメッキ液１
１を満たしている。メッキ液１１としては、無電解メッ
キ液を用い、例えばＣｕＳＯ4・５Ｈ2ＯとＥＤＴＡ・４
Ｎａ（エチレンジアミン四酢酸ナトリウム）とＴＭＡＨ
（テトラメチルアンモニウムハイドライドオキサイド）
とホルマリンとを含む水溶液を用いる。
１を満たしている。メッキ液１１としては、無電解メッ
キ液を用い、例えばＣｕＳＯ4・５Ｈ2ＯとＥＤＴＡ・４
Ｎａ（エチレンジアミン四酢酸ナトリウム）とＴＭＡＨ
（テトラメチルアンモニウムハイドライドオキサイド）
とホルマリンとを含む水溶液を用いる。
【００１０】ウエハ固定台２０は円板状の半導体ウエハ
１００の下面を載置して外周を把持することで該半導体
ウエハ１００の上面をメッキ液１１中に露出して保持す
る構造に構成されている。またウエハ固定台２０には陽
極側からの電気回路によってウエハ電気接点２１が取り
付けられており、ウエハ固定台２０に半導体ウエハ１０
０をセットした状態で半導体ウエハ１００の表面にプラ
スの電圧を印加できるように構成されている。
１００の下面を載置して外周を把持することで該半導体
ウエハ１００の上面をメッキ液１１中に露出して保持す
る構造に構成されている。またウエハ固定台２０には陽
極側からの電気回路によってウエハ電気接点２１が取り
付けられており、ウエハ固定台２０に半導体ウエハ１０
０をセットした状態で半導体ウエハ１００の表面にプラ
スの電圧を印加できるように構成されている。
【００１１】次にマイナス電極板３０は図２に示すよう
に、回転軸３１の下端から多数枚の扇状の羽根部３３を
放射状に突出し、羽根部３３全体で半導体ウエハ１００
と同一形状寸法の略円板を形成するようにして構成され
ている。各羽根部３３は回転軸３１が矢印Ａ方向に回転
することでメッキ液１１を下向き（矢印Ｂ方向）に押し
流す形状に形成されている。
に、回転軸３１の下端から多数枚の扇状の羽根部３３を
放射状に突出し、羽根部３３全体で半導体ウエハ１００
と同一形状寸法の略円板を形成するようにして構成され
ている。各羽根部３３は回転軸３１が矢印Ａ方向に回転
することでメッキ液１１を下向き（矢印Ｂ方向）に押し
流す形状に形成されている。
【００１２】次に図１に示す半導体ウエハ１００の露出
している上面のメッキしようとする被メッキ面には導電
性部材となるバリア層が形成されており、且つ該被メッ
キ面中には微細溝や微細孔が設けられている。即ち例え
ば、図５（ａ）に示すように、その表面に配線用の溝２
０３やコンタクトホール２０１等（これらが微細溝や微
細孔に相当する）が形成され、且つその表面がバリア層
２０５という導電性部材（例えばＴｉＮ製）で覆われて
いる半導体ウエハ１００である（もちろん他の構造の半
導体ウエハであっても良い）。
している上面のメッキしようとする被メッキ面には導電
性部材となるバリア層が形成されており、且つ該被メッ
キ面中には微細溝や微細孔が設けられている。即ち例え
ば、図５（ａ）に示すように、その表面に配線用の溝２
０３やコンタクトホール２０１等（これらが微細溝や微
細孔に相当する）が形成され、且つその表面がバリア層
２０５という導電性部材（例えばＴｉＮ製）で覆われて
いる半導体ウエハ１００である（もちろん他の構造の半
導体ウエハであっても良い）。
【００１３】次にこのメッキ装置の操作手順を説明す
る。まず図１に示すようにウエハ固定台２０上に半導体
ウエハ１００を把持して固定したものをメッキ液１１中
に浸漬すると同時に、この半導体ウエハ１００の真上に
マイナス電極板３０を移動してきてその面を半導体ウエ
ハ１００の面と平行に配置する。このとき半導体ウエハ
１００とマイナス電極板３０間には電圧を印加しない。
また回転軸３１を図示しない駆動手段によって駆動する
ことでマイナス電極板３０を矢印Ａ方向に回転してお
く。
る。まず図１に示すようにウエハ固定台２０上に半導体
ウエハ１００を把持して固定したものをメッキ液１１中
に浸漬すると同時に、この半導体ウエハ１００の真上に
マイナス電極板３０を移動してきてその面を半導体ウエ
ハ１００の面と平行に配置する。このとき半導体ウエハ
１００とマイナス電極板３０間には電圧を印加しない。
また回転軸３１を図示しない駆動手段によって駆動する
ことでマイナス電極板３０を矢印Ａ方向に回転してお
く。
【００１４】これによって半導体ウエハ１００の表面に
は無電解メッキが開始され、銅メッキが始まる。
は無電解メッキが開始され、銅メッキが始まる。
【００１５】そのとき半導体ウエハ１００表面に設けた
微細溝や微細孔内にも無電解メッキが成長するが無電解
メッキなので、図３（ａ）に示すように微細溝や微細孔
１０１の入り口部分もその内部も略同一速度でメッキが
成長していく。なお図３に示す微細溝や微細孔１０１は
図５に示す溝２０３やコンタクトホール２０１に相当す
るものであるが、図５に示すバリア層２０５に相当する
層の記載は省略している。
微細溝や微細孔内にも無電解メッキが成長するが無電解
メッキなので、図３（ａ）に示すように微細溝や微細孔
１０１の入り口部分もその内部も略同一速度でメッキが
成長していく。なお図３に示す微細溝や微細孔１０１は
図５に示す溝２０３やコンタクトホール２０１に相当す
るものであるが、図５に示すバリア層２０５に相当する
層の記載は省略している。
【００１６】次にメッキが所定の厚みだけ成長した段階
で、図１に示す半導体ウエハ１００とマイナス電極板３
０間に電圧を印加することで逆電解メッキを瞬間的な短
い時間だけ行なう。その際流れる電流は微細溝や微細孔
１０１の奥の方に比べて入口付近に集中するため、微細
溝や微細孔１０１の入口付近のメッキほどより多く溶解
し、奥になるほど溶解しない（図３（ｂ）の黒く塗りつ
ぶした部分が溶解した部分を示している）。
で、図１に示す半導体ウエハ１００とマイナス電極板３
０間に電圧を印加することで逆電解メッキを瞬間的な短
い時間だけ行なう。その際流れる電流は微細溝や微細孔
１０１の奥の方に比べて入口付近に集中するため、微細
溝や微細孔１０１の入口付近のメッキほどより多く溶解
し、奥になるほど溶解しない（図３（ｂ）の黒く塗りつ
ぶした部分が溶解した部分を示している）。
【００１７】そして逆電解メッキ終了後は再び前記無電
解メッキをそのまま継続するが、所定時間メッキが成長
する毎に間歇的に瞬間的な逆電解メッキを繰り返す。
解メッキをそのまま継続するが、所定時間メッキが成長
する毎に間歇的に瞬間的な逆電解メッキを繰り返す。
【００１８】つまり半導体ウエハ１００へのメッキ成長
は無電解メッキで行なうが、間歇的に半導体ウエハ１０
０を逆電解メッキすることで微細溝や微細孔１０１の入
口部分に成長したメッキを内部に成長したメッキよりも
より多く溶解し、これによって微細溝や微細孔１０１の
内部が奥の方からメッキで完全に埋められて行き、入口
部分が先にメッキで塞がれることで内部に空孔が残るこ
とを確実に防止しているのである。なお逆電解メッキの
際はマイナス電極板３０には銅が付着する。
は無電解メッキで行なうが、間歇的に半導体ウエハ１０
０を逆電解メッキすることで微細溝や微細孔１０１の入
口部分に成長したメッキを内部に成長したメッキよりも
より多く溶解し、これによって微細溝や微細孔１０１の
内部が奥の方からメッキで完全に埋められて行き、入口
部分が先にメッキで塞がれることで内部に空孔が残るこ
とを確実に防止しているのである。なお逆電解メッキの
際はマイナス電極板３０には銅が付着する。
【００１９】なおマイナス電極板３０の面を半導体ウエ
ハ１００の面と平行に対峙せしめて回転させたのは、半
導体ウエハ１００全面にわたる逆電解メッキの条件を同
じにして逆電解メッキ時のメッキ溶解量を均一にするた
めである。
ハ１００の面と平行に対峙せしめて回転させたのは、半
導体ウエハ１００全面にわたる逆電解メッキの条件を同
じにして逆電解メッキ時のメッキ溶解量を均一にするた
めである。
【００２０】またマイナス電極板３０を回転することで
羽根部３３によって半導体ウエハ１００表面に向けてメ
ッキ液が吹き付けられるが、このように構成したのは、
逆電解によってメッキ液１１中の還元剤が酸化され易く
なるため、半導体ウエハ１００表面のメッキ液１１の入
れ換えを促進するためである。
羽根部３３によって半導体ウエハ１００表面に向けてメ
ッキ液が吹き付けられるが、このように構成したのは、
逆電解によってメッキ液１１中の還元剤が酸化され易く
なるため、半導体ウエハ１００表面のメッキ液１１の入
れ換えを促進するためである。
【００２１】図４は他の構造のマイナス電極板３０−２
を示す斜視図である。このマイナス電極板３０−２は、
長方形状の板であってその内部に平行に多数本の直線状
の孔３５−２を設け、各孔３５−２内に下方向に折れ曲
げてなる羽根部３３−２を設けて構成されている。
を示す斜視図である。このマイナス電極板３０−２は、
長方形状の板であってその内部に平行に多数本の直線状
の孔３５−２を設け、各孔３５−２内に下方向に折れ曲
げてなる羽根部３３−２を設けて構成されている。
【００２２】このマイナス電極板３０−２の場合も前記
マイナス電極板３０と同様に半導体ウエハ１００の上部
にこれと平行に対峙して設置される。そしてこの状態で
矢印Ｃ方向に往復動するように動作させることでメッキ
液を上下方向に移動せしめ、半導体ウエハ１００表面の
メッキ液１１の入れ換えを促進する。
マイナス電極板３０と同様に半導体ウエハ１００の上部
にこれと平行に対峙して設置される。そしてこの状態で
矢印Ｃ方向に往復動するように動作させることでメッキ
液を上下方向に移動せしめ、半導体ウエハ１００表面の
メッキ液１１の入れ換えを促進する。
【００２３】以上の実施形態によって図５（ａ）に示す
半導体ウエハ１００をメッキすると、図５（ｂ）に示す
ように半導体ウエハ１００表面と溝２０３やコンタクト
ホール２０１（微細溝や微細孔）内に銅メッキ２０７が
形成されるが、さらに溝２０３やコンタクトホール２０
１内に埋め込んだメッキを残してそれ以外の半導体ウエ
ハ１００表面の銅メッキ２０７を化学機械研摩によって
除去することで図５（ｃ）に示すように配線２１１やプ
ラグ２１３が形成される。なお２０２はＳｉＯ2絶縁
層、２２１は導電層である。
半導体ウエハ１００をメッキすると、図５（ｂ）に示す
ように半導体ウエハ１００表面と溝２０３やコンタクト
ホール２０１（微細溝や微細孔）内に銅メッキ２０７が
形成されるが、さらに溝２０３やコンタクトホール２０
１内に埋め込んだメッキを残してそれ以外の半導体ウエ
ハ１００表面の銅メッキ２０７を化学機械研摩によって
除去することで図５（ｃ）に示すように配線２１１やプ
ラグ２１３が形成される。なお２０２はＳｉＯ2絶縁
層、２２１は導電層である。
【００２４】なお上記実施形態では半導体ウエハに銅メ
ッキを施す例を示したが、本発明は銅メッキに限られ
ず、他の種々の材質によるメッキにも利用できる。
ッキを施す例を示したが、本発明は銅メッキに限られ
ず、他の種々の材質によるメッキにも利用できる。
【００２５】また本メッキ装置を構成する各部材の形
状、構造、動作に種々の変更が可能であることは言うま
でもない。
状、構造、動作に種々の変更が可能であることは言うま
でもない。
【００２６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、無電解メッキ中の半導体ウエハに対して間歇的に逆
電解メッキを行なうことで微細溝や微細孔の入口部分の
メッキをその内部よりもより多く溶解して微細溝や微細
孔の奥の方からメッキを完全に埋めるように構成したの
で、該微細溝や微細孔内を確実にメッキで埋めることが
出来るという優れた効果を有する。
ば、無電解メッキ中の半導体ウエハに対して間歇的に逆
電解メッキを行なうことで微細溝や微細孔の入口部分の
メッキをその内部よりもより多く溶解して微細溝や微細
孔の奥の方からメッキを完全に埋めるように構成したの
で、該微細溝や微細孔内を確実にメッキで埋めることが
出来るという優れた効果を有する。
【図１】本発明の一実施形態にかかる半導体ウエハのメ
ッキ装置を示す全体概略構成図である。
ッキ装置を示す全体概略構成図である。
【図２】マイナス電極板３０を示す斜視図である。
【図３】半導体ウエハ１００表面に設けた微細溝や微細
孔１０１のメッキの成長状態を示す図である。
孔１０１のメッキの成長状態を示す図である。
【図４】他の構造のマイナス電極板３０−２を示す斜視
図である。
図である。
【図５】半導体ウエハ１００表面に配線２１１とプラグ
２１３を絶縁層の穴埋めと化学機械研摩法の組合せで形
成する方法を示す図である。
２１３を絶縁層の穴埋めと化学機械研摩法の組合せで形
成する方法を示す図である。
１０ メッキ処理槽 １１ メッキ液 ２０ ウエハ固定台 ３０ マイナス電極板（マイナス電極部材） ３３，３３−２ 羽根部 １００ 半導体ウエハ １０１ 微細溝や微細孔 ２０１ コンタクトホール２０１（微細孔） ２０３ 溝（微細溝） ２０５ バリア層（導電性部材）
Claims (4)
- 【請求項１】 被メッキ面が導電性部材で形成されてい
る半導体ウエハ表面の微細溝や微細孔中へメッキ処理を
施す半導体ウエハのメッキ方法において、 前記半導体ウエハ表面のメッキ成長を無電解メッキによ
って行なうとともに、間歇的に半導体ウエハに逆電解メ
ッキを行なうことで微細溝や微細孔の入口部分のメッキ
の一部を再溶解せしめることを特徴とする半導体ウエハ
のメッキ方法。 - 【請求項２】 前記メッキされた半導体ウエハの表面を
化学機械研摩することで微細溝や微細孔内のメッキを残
して半導体ウエハ表面のメッキを除去することを特徴と
する請求項１記載の半導体ウエハのメッキ方法。 - 【請求項３】 被メッキ面が導電性部材で形成されてい
る半導体ウエハ表面の微細溝や微細孔中へメッキ処理を
施す半導体ウエハのメッキ装置において、 前記半導体ウエハを無電解メッキによってメッキ成長せ
しめるメッキ処理槽と、 該メッキ処理槽内に収納されて前記無電解メッキ中の半
導体ウエハに間歇的に逆電解メッキを行わしめるマイナ
ス電極部材とを具備することを特徴とする半導体ウエハ
のメッキ装置。 - 【請求項４】 前記マイナス電極部材は板状であって、
半導体ウエハの被メッキ面に平行に対峙するように設置
され、さらに該マイナス電極部材は回転又は往復運動す
ることでメッキ液の撹拌を行なう羽根部を備えているこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハのメッキ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26785397A JPH1192947A (ja) | 1997-09-12 | 1997-09-12 | 半導体ウエハのメッキ方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26785397A JPH1192947A (ja) | 1997-09-12 | 1997-09-12 | 半導体ウエハのメッキ方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192947A true JPH1192947A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17450550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26785397A Pending JPH1192947A (ja) | 1997-09-12 | 1997-09-12 | 半導体ウエハのメッキ方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1192947A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000353675A (ja) * | 1999-05-03 | 2000-12-19 | Motorola Inc | 半導体ウェハ上に銅層を形成する方法 |
| US6875333B2 (en) | 2002-02-14 | 2005-04-05 | Electroplating Engineers Of Japan Limited | Plating apparatus for wafer |
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