JPH1185096A - Method of driving field emission display element - Google Patents

Method of driving field emission display element

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JPH1185096A
JPH1185096A JP9248888A JP24888897A JPH1185096A JP H1185096 A JPH1185096 A JP H1185096A JP 9248888 A JP9248888 A JP 9248888A JP 24888897 A JP24888897 A JP 24888897A JP H1185096 A JPH1185096 A JP H1185096A
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JP
Japan
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gate electrode
cathode
field emission
potential
getter
Prior art date
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Application number
JP9248888A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Tonegawa
武 利根川
Yuichi Kogure
雄一 小暮
Hitoshi Toki
均 土岐
Shigeo Ito
茂生 伊藤
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Futaba Corp
Original Assignee
Futaba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of driving a field emission display device which efficiently sends off positive gas ions generated in an envelope in a scanning direction and can induce them into a getter room. SOLUTION: A getter room 12 is arranged on one side of a cathode electrode C in the longitudinal direction. An electron discharge area S selected by a gate electrode G and a cathode electrode C discharges electrons e while the area is moving to a getter room 12, by scanning the gate electrode group G in the direction of the getter room 12 and applying a driving voltage to a part or whole of the cathode electrode group C. Positive ions I generated by collisions between the emission electrons e and the residual gas in the envelope 5 are successively induced into the electron discharge area which is moving in the scanning direction of the gate electrode group G and sent off to the getter room 12.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出形表示素
子の駆動方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for driving a field emission display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図11(a)は電界放出形表示素子(Fi
eld Emission Display, FED )の断面図、同(b)は電
界放出形陰極の斜視図、同(c)は電界放出形陰極の断
面図である。
2. Description of the Related Art FIG. 11A shows a field emission display device (Fi
FIG. 2B is a perspective view of a field emission cathode, and FIG. 2C is a cross-sectional view of the field emission cathode.

【0003】電界放出形表示素子1は、図11(a)に
示すように所定間隔を置いて対面する前面板2及び背面
板3と、前面板2と背面板3の外周部の間に設けられた
スペーサ部材4とからなる外囲器5を有している。
As shown in FIG. 11A, a field emission display element 1 is provided between a front plate 2 and a rear plate 3 facing each other at a predetermined interval, and between outer peripheral portions of the front plate 2 and the rear plate 3. And an envelope 5 comprising the spacer member 4 provided.

【0004】図11(b)に示すように、透明な前面板
2の内面には透光性を有するアノード電極Aが一面に被
着されている。その上に蛍光体6が所定の厚さで連続的
に被着され、べた状の発光部7が形成されている。アノ
ード電極Aの電位VA を後述するゲート電極Gの電位V
G に対して正にすると、即ち、VA >VG となるように
アノード電極A−ゲート電極G間の電位差VAGを与えれ
ば、べた状の発光部7が、後述する電界放出形陰極8の
各電子放出領域Sから放出される電子の射突を受けて点
状に発光する。通常、この電位差VAGは100〜400
V程度である。この点状の発光部分を表示単位という。
発光部の表示単位を選択することにより、発光部に任意
の画像等を表示させることができる。
As shown in FIG. 11 (b), an anode electrode A having a light-transmitting property is attached to the entire inner surface of a transparent front plate 2. A phosphor 6 is continuously adhered thereon with a predetermined thickness to form a solid light emitting portion 7. The potential V of the gate electrode G, which will be described later the potential V A of the anode electrode A
If G is set to be positive, that is, if a potential difference V AG between the anode A and the gate electrode G is given so that V A > V G , the solid light emitting unit 7 can be used as a field emission cathode 8 described later. In response to the impact of the electrons emitted from each of the electron emission regions S, the light is emitted in a point-like manner. Usually, this potential difference V AG is 100 to 400
About V. This dot-shaped light emitting portion is called a display unit.
By selecting the display unit of the light emitting unit, an arbitrary image or the like can be displayed on the light emitting unit.

【0005】背面板3の内面には電子源として電界放出
型陰極8が形成されている。図11(b),(c)を参
照して電界放出形陰極8の基本的な構造を説明すると、
まず背面板3の内面にはカソード電極Cが形成されてい
る。カソード電極C及び背面板3の上には、絶縁層9が
形成されている。絶縁層9の上にはゲート電極Gが形成
されている。ゲート電極Gと絶縁層9には、カソード電
極Cに達する孔10がエッチングによって形成されてい
る。孔10内のカソード電極C上には、コーン形状のエ
ミッタ11が形成されている。
On the inner surface of the back plate 3, a field emission cathode 8 is formed as an electron source. 11 (b) and 11 (c), the basic structure of the field emission cathode 8 will be described.
First, a cathode electrode C is formed on the inner surface of the back plate 3. An insulating layer 9 is formed on the cathode electrode C and the back plate 3. A gate electrode G is formed on the insulating layer 9. A hole 10 reaching the cathode electrode C is formed in the gate electrode G and the insulating layer 9 by etching. On the cathode electrode C in the hole 10, a cone-shaped emitter 11 is formed.

【0006】次に、電界放出形陰極8のマトリクス構造
を説明する。前記ゲート電極Gは帯状であり、所定間隔
をおいて多数本が並んでいる。ゲートの長手方向を行方
向と呼ぶ。また、前記カソード電極Cも帯状であり、所
定間隔をおいて多数本が並んでいる。カソード電極Cの
長手方向を列方向と呼ぶ。従って、前記電界放出形陰極
9はゲート電極Gとカソード電極Cの行列構造を有して
いる。
Next, the matrix structure of the field emission cathode 8 will be described. The gate electrodes G are band-shaped, and a large number of the gate electrodes G are arranged at predetermined intervals. The longitudinal direction of the gate is called the row direction. Further, the cathode electrode C is also band-shaped, and a large number of the cathode electrodes C are arranged at predetermined intervals. The longitudinal direction of the cathode electrode C is called a column direction. Accordingly, the field emission cathode 9 has a matrix structure of the gate electrode G and the cathode electrode C.

【0007】そして、ゲート電極Gの電位VG がカソー
ド電極Cの電位VC に対して正になるように、即ち、V
G >VC となるように行を走査して、列に駆動電圧とし
て電位VC を印加することにより、走査したゲート電極
Gと電位VC を印加したカソード電極C間に電位差VGC
を与えれば、両者の交点を電子放出部分として選択でき
る。通常、この電位差VGCは10〜100V程度であ
る。
[0007] Then, as the potential V G of the gate electrode G is positive with respect to the potential V C of the cathode electrode C, that is, V
By scanning a row so that G > V C and applying a potential V C as a driving voltage to a column, a potential difference V GC between the scanned gate electrode G and the cathode electrode C to which the potential V C is applied is applied.
, The intersection of the two can be selected as the electron-emitting portion. Usually, this potential difference V GC is about 10 to 100V.

【0008】同じように、ゲート電極Gの電位VG がカ
ソード電極Cの電位VC に対して正になるように、即
ち、VG >VC となるように列を走査して、行に駆動電
圧として電位VG を印加することにより、走査したカソ
ード電極Cと電位VG を印加したゲート電極G間に電位
差VCGを与えれば、両者の交点を電子放出部分として選
択できる。通常、この電位差VCGは10〜100V程度
である。
[0008] Similarly, as the potential V G of the gate electrode G is positive with respect to the potential V C of the cathode electrode C, that scans the column such that V G> V C, the line by applying a potential V G as the driving voltage, be given a potential difference V CG between the gate electrode G of applying a cathode electrode C and the potential V G was scanned, it can be selected intersections of both the electron emission portion. Normally, this potential difference V CG is about 10~100V.

【0009】ゲート電極Gとカソード電極Cの交点であ
る電子放出領域を電子放出領域Sという。電子放出領域
Sは規則正しく配設されている。各電子放出領域Sは前
記発光部7の表示単位に体面しており、各電子放出領域
SをON/OFFすることによって対面する発光部7の
表示単位の点灯・非点灯を選択し、これによって所望の
画像等を発光部7に表示することができる。
The electron emission region at the intersection of the gate electrode G and the cathode electrode C is called an electron emission region S. The electron emission areas S are regularly arranged. Each electron emission region S faces the display unit of the light emitting unit 7, and by turning on / off each electron emission region S, lighting / non-lighting of the facing display unit of the light emitting unit 7 is selected. A desired image or the like can be displayed on the light emitting unit 7.

【0010】また、前記外囲器5には、外囲器5内部を
高真空状態にするため、ゲッター室12が設けられてい
る。ゲッター室12は外囲器5のいずれか一方の側壁又
は背面板3に連通している。ゲッター室12の内部に
は、リング状の容器内にゲッター物質を充填したゲッタ
ー13が設けられている。また、ゲッター室12には、
排気管14が取り付けられており、外囲器5内部を吸引
する。外部からの高周波誘導加熱によってゲッター13
の容器が加熱し、ゲッター物質が蒸発してゲッター室1
2の内面にゲッターミラー15が作られる。
The envelope 5 is provided with a getter chamber 12 for keeping the interior of the envelope 5 in a high vacuum state. The getter chamber 12 communicates with one of the side walls of the envelope 5 or the back plate 3. Inside the getter chamber 12, there is provided a getter 13 in which a getter substance is filled in a ring-shaped container. In the getter room 12,
An exhaust pipe 14 is attached to suck the inside of the envelope 5. Getter 13 by high frequency induction heating from outside
Is heated and the getter material evaporates and the getter chamber 1
A getter mirror 15 is formed on the inner surface of the second.

【0011】そして、外囲器5中に残されている残留ガ
スは、外囲器5内及び外囲器5と連通しているゲッター
室12内を浮遊し、ゲッターミラー15に捕獲される。
The residual gas remaining in the envelope 5 floats in the envelope 5 and the getter chamber 12 communicating with the envelope 5 and is captured by the getter mirror 15.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、一般
にアノード電極A,ゲート電極G及びカソード電極Cに
印加される電位には、以下のような関係がある。 VA >VG >VC このことから、蛍光面等から放出された残留ガスは、ア
ノード電極A−ゲート電極G間でイオン化され、上述し
た電位差VAG及びVGCによりカソード電極Cの方向へ進
行する。カソード電極Cの方向へ進行したイオンは、エ
ミッタ11近傍において、エミッタ11から放出された
ばかりのまだ十分に加速されていない電子により中和さ
れ、エミッタ11に衝突し付着する。
As described above, the potentials applied to the anode electrode A, the gate electrode G, and the cathode electrode C generally have the following relationship. From V A> V G> V C This residual gas released from the fluorescent screen or the like is ionized between the anode A- gate electrode G, the direction of the cathode electrode C by a potential difference V AG and V GC described above proceed. The ions that have proceeded in the direction of the cathode electrode C are neutralized by electrons that have just been emitted from the emitter 11 and have not yet been sufficiently accelerated, and collide with and adhere to the emitter 11 in the vicinity of the emitter 11.

【0013】しかしながら、電界放出形表示素子1を駆
動させると、電子放出領域Sから放出された電子は、外
囲器5中の残留ガスに衝突し、発生した正ガスイオンが
エミッタ11に付着する。このため、エミッタ11の仕
事関数が大きくなり、エミッタ11のエミッション効率
を悪化させ、その寿命を短させていることは周知の事実
である。
However, when the field emission display element 1 is driven, the electrons emitted from the electron emission region S collide with the residual gas in the envelope 5 and the generated positive gas ions adhere to the emitter 11. . Therefore, it is a well-known fact that the work function of the emitter 11 is increased, the emission efficiency of the emitter 11 is deteriorated, and its life is shortened.

【0014】一方、ゲッター室12は上述したとおり外
囲器5のいずれか一方の側壁又は背面板3に連通してい
るが、この配設位置はゲート電極Gとカソード電極Cの
行列構造とは何ら関係のないものである。
On the other hand, the getter chamber 12 communicates with either one of the side walls of the envelope 5 or the back plate 3 as described above, but this arrangement position is different from the matrix structure of the gate electrode G and the cathode electrode C. It has nothing to do with it.

【0015】このような事実から、本願発明者は、エミ
ッタ11の長寿命化及びゲート電極Gとカソード電極C
の行列構造との関係におけるゲッター室12の配設位置
に着目し、ゲート電極G又はカソード電極Cの走査方向
にゲッター室12を配設することにより、外囲器5内で
発生する正ガスイオンを、前記走査方向に効率よく送り
出し、ゲッター室12に誘引することができる電界放出
形表示素子1の駆動方法を見いだしたのである。
From the above facts, the inventor of the present application proposed that the life of the emitter 11 be extended and the gate electrode G and the cathode electrode C be extended.
Paying attention to the arrangement position of the getter chamber 12 in relation to the matrix structure of the above, and by arranging the getter chamber 12 in the scanning direction of the gate electrode G or the cathode electrode C, positive gas ions generated in the envelope 5 Of the field emission type display element 1 which can be efficiently sent out in the scanning direction and attracted to the getter chamber 12.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】次に、上記の課題を解決
するための手段を、実施の形態に対応する図1乃至図1
0を参照して説明する。
Next, means for solving the above-mentioned problems will be described with reference to FIGS.
0 will be described.

【0017】請求項1記載の発明は、エミッタ11が設
けられている複数の帯状のカソード電極群Cと前記エミ
ッタ11上方で前記カソード電極Cに直交する複数の帯
状のゲート電極群Gを有する電界放出形陰極8と、前記
電界放出形陰極8を囲む外囲器5に連通するゲッター室
12と、前記外囲器5内に発生した残留ガスを前記ゲッ
ター室12内で捕捉するゲッターミラー15とを有する
電界放出形表示素子1を、前記各カソード電極Cと前記
各ゲート電極Gが交差する行列状に配設された複数の電
子放出領域Sをマトリクス駆動することにより、前記電
子放出領域Sから電子eを放出させる電界放出形表示素
子1の駆動方法において、前記ゲッター室12を前記カ
ソード電極Cの長手方向の一方に配設し、前記ゲート電
極群Gを前記ゲッター室12に向けて走査し、前記カソ
ード電極群Cの一部又は全部に駆動電圧Dを与えること
により、前記ゲート電極Gと前記カソード電極Cに選択
された電子放出領域Sが前記ゲッター室12に向かって
移動しながら電子eを放出し、該放出電子eと前記外囲
器5内の残留ガスとの衝突により発生する正ガスイオン
Iを、前記ゲート電極群Gの走査方向に向かって移動す
る電子放出領域Sに順次誘引し、前記ゲッター室12に
送り込むことを特徴としている。
According to the first aspect of the present invention, there is provided an electric field having a plurality of strip-shaped cathode electrode groups C provided with the emitters 11 and a plurality of strip-shaped gate electrode groups G orthogonal to the cathode electrodes C above the emitters 11. An emission cathode 8, a getter chamber 12 communicating with an envelope 5 surrounding the field emission cathode 8, and a getter mirror 15 for capturing residual gas generated in the enclosure 5 in the getter chamber 12. The field emission display element 1 having the above structure is driven from the electron emission region S by driving a plurality of electron emission regions S arranged in a matrix where each of the cathode electrodes C and each of the gate electrodes G intersect. In the method of driving the field emission display element 1 that emits electrons e, the getter chamber 12 is disposed in one longitudinal direction of the cathode C, and the gate electrode group G is connected to the getter. By scanning toward the cathode chamber 12 and applying a drive voltage D to part or all of the cathode electrode group C, the electron emission region S selected for the gate electrode G and the cathode electrode C is moved to the getter chamber 12. The electron e is emitted while moving toward the positive electrode, and positive gas ions I generated by the collision between the emitted electron e and the residual gas in the envelope 5 move toward the scanning direction of the gate electrode group G. The electron emission region S is sequentially attracted and sent to the getter chamber 12.

【0018】請求項2記載の発明は、エミッタ11が設
けられている複数の帯状のカソード電極群Cと前記エミ
ッタ11上方で前記カソード電極Cに直交する複数の帯
状のゲート電極群Gを有する電界放出形陰極8と、前記
電界放出形陰極8を囲む外囲器5に連通するゲッター室
12と、前記外囲器5内に発生した残留ガスを前記ゲッ
ター室12内で捕捉するゲッターミラー15とを有する
電界放出形表示素子1を、前記各カソード電極Cと前記
各ゲート電極Gが交差する行列状に配設された複数の電
子放出領域Sをマトリクス駆動することにより、前記電
子放出領域Sから電子eを放出させる電界放出形表示素
子1の駆動方法において、前記ゲッター室12を前記ゲ
ート電極Gの長手方向の一方に配設し、前記カソード電
極群Cを前記ゲッター室12に向けて走査し、前記ゲー
ト電極群Gの一部又は全部に駆動電圧Dを与えることに
より、前記ゲート電極Gと前記カソード電極Cに選択さ
れた電子放出領域Sが前記ゲッター室12に向かって移
動しながら電子eを放出し、該放出電子eと前記外囲器
5内の残留ガスとの衝突により発生する正ガスイオンI
を、前記カソード電極群Cの走査方向に向かって移動す
る電子放出領域Sに順次誘引し、前記ゲッター室12に
送り込むことを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an electric field having a plurality of strip-shaped cathode electrode groups C provided with the emitters 11 and a plurality of strip-shaped gate electrode groups G orthogonal to the cathode electrodes C above the emitters 11. An emission cathode 8, a getter chamber 12 communicating with an envelope 5 surrounding the field emission cathode 8, and a getter mirror 15 for capturing residual gas generated in the enclosure 5 in the getter chamber 12. The field emission display element 1 having the above structure is driven from the electron emission region S by driving a plurality of electron emission regions S arranged in a matrix where each of the cathode electrodes C and each of the gate electrodes G intersect. In the method of driving the field emission display element 1 for emitting electrons e, the getter chamber 12 is disposed in one of the longitudinal directions of the gate electrode G, and the cathode electrode group C is connected to the getter chamber. By scanning toward the gate chamber 12 and applying a drive voltage D to a part or the entirety of the gate electrode group G, the electron emission region S selected for the gate electrode G and the cathode electrode C is moved to the getter chamber 12. The positive gas ions I generated by the collision of the emitted electrons e with the residual gas in the envelope 5
Are sequentially attracted to the electron emission region S which moves in the scanning direction of the cathode electrode group C, and are sent to the getter chamber 12.

【0019】請求項3記載の発明は、請求項1記載の電
界放出形表示素子1の駆動方法において、隣接する2本
のゲート電極Gi ,Gi+1 を、他のゲート電極Gよりも
電位差を設けて前記ゲッター室12に向けて走査するこ
とを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, in the method of driving the field emission display element 1 according to the first aspect, two adjacent gate electrodes G i and G i + 1 are set to be smaller than the other gate electrodes G. Scanning is performed toward the getter chamber 12 with a potential difference provided.

【0020】請求項4記載の発明は、請求項2記載の電
界放出形表示素子1の駆動方法において、隣接する2本
のカソード電極Cj ,Cj+1 を、他のカソード電極より
も電位差を設けて前記ゲッター室に向けて走査すること
を特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of driving the field emission display device 1 according to the second aspect, the two adjacent cathode electrodes C j and C j + 1 are set to have a potential difference higher than that of the other cathode electrodes. And scanning is performed toward the getter chamber.

【0021】請求項5記載の発明は、請求項1記載の電
界放出形表示素子1の駆動方法において、前記走査する
ゲート電極Gi と同時に、前記走査するゲート電極Gi
の走査方向と反対側に隣接するゲート電極Gi-1 に、前
記他のゲート電極Gの電位V G0より高く前記走査するゲ
ート電極Gi の電位VG よりも低い範囲で前記エミッタ
11から電子eを放出させない電位VG-を与えて走査す
ることにより、前記正ガスイオンIを前記反対側に隣接
するゲート電極Gi-1 から走査方向へ押し出すことを特
徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the electronic device of the first aspect.
In the method for driving the field emission display element 1, the scanning is performed.
Gate electrode GiAt the same time, the scanning gate electrode Gi
Gate electrode G adjacent to the side opposite to the scanning direction ofi-1Before
The potential V of the other gate electrode G G0Higher scanning gate
Gate electrode GiPotential VGThe emitter in a lower range than
Potential V at which no electron e is emitted fromG-Scan
The positive gas ion I is adjacent to the opposite side.
Gate electrode Gi-1It extrudes in the scanning direction from
It is a sign.

【0022】請求項6記載の発明は、請求項2記載の電
界放出形表示素子1の駆動方法において、前記走査する
カソード電極Ci と同時に、前記走査するカソード電極
iの走査方向と反対側に隣接するカソード電極Ci-1
に、前記他のカソード電極Cの電位VC0より高く前記走
査するカソード電極の電位Ci-1 よりも低い範囲で前記
エミッタ11から電子を放出させない電位VC-を与えて
走査することにより、前記正ガスイオンIを前記反対側
に隣接するカソード電極Ci-1 から走査方向へ押し出す
ことを特徴としている。
[0022] According to a sixth aspect of the invention, according to claim 2 driving method of a field emission type display device 1 according simultaneously with the cathode electrode C i to the scanning, opposite to the scanning direction of the cathode electrode C i to the scanning Cathode electrode C i-1 adjacent to
In addition, scanning is performed by applying a potential V C− that does not emit electrons from the emitter 11 in a range higher than the potential V C0 of the other cathode electrode C and lower than the potential C i−1 of the cathode electrode to be scanned. It is characterized in that the positive gas ions I are pushed out in the scanning direction from the cathode electrode Ci -1 adjacent on the opposite side.

【0023】請求項7記載の発明は、請求項1に記載の
電界放出形表示素子1の駆動方法において、前記走査す
るゲート電極Gi と同時に、前記走査するゲート電極G
i の走査方向に隣接するゲート電極Gi+1 に、前記他の
ゲート電極Gの電位VG0より低い電位VG+を与えて走査
することにより、前記正ガスイオンIを前記走査するゲ
ート電極Gi から前記走査方向に隣接するゲート電極G
i+1 に誘引することを特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method of driving the field emission display element 1 according to the first aspect, the scanning gate electrode G i is simultaneously scanned with the scanning gate electrode Gi.
By scanning the gate electrode G i + 1 adjacent to the scanning direction i by applying a potential VG + lower than the potential VG0 of the other gate electrode G to scan the gate electrode G i with the positive gas ions I a gate electrode G adjacent in the scanning direction from i
The feature is to attract to i + 1 .

【0024】請求項8記載の発明は、請求項1〜7のい
ずれかに記載の電界放出形表示素子1の駆動方法におい
て、前記ゲッターミラー12は、負の電位が与えられて
いることを特徴としている。
According to an eighth aspect of the present invention, in the method of driving the field emission display device 1 according to any one of the first to seventh aspects, the getter mirror 12 is given a negative potential. And

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】まず、第1実施の形態である本発
明による電界放出形表示素子1の駆動方法について、図
1〜図6を用いて説明する。なお、図11と同符号で示
す部分は同一符号で示すこととし、その説明は省略す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a method for driving a field emission display device 1 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The same reference numerals as in FIG. 11 denote the same parts, and a description thereof will be omitted.

【0026】図1は、電界放出形陰極のマトリクス構造
を示した図である。ゲート電極Gは帯状であり、所定間
隔をおいてm本が並んでいる。また、カソード電極Cも
帯状であり、所定間隔をおいてn本が並んでいる。従っ
て、前記電界放出形陰極8はゲート電極Gとカソード電
極Cの行列構造を有している。
FIG. 1 is a diagram showing a matrix structure of a field emission cathode. The gate electrodes G are band-shaped, and m gate electrodes G are arranged at predetermined intervals. Further, the cathode electrodes C are also band-shaped, and n are arranged at predetermined intervals. Accordingly, the field emission cathode 8 has a matrix structure of the gate electrode G and the cathode electrode C.

【0027】図6に示したように、ゲッター室12がカ
ソード電極Cの長手方向に設けられているときは、ゲー
ト電極群Gを、ゲート電極G1 から順次ゲート電極Gm
まで周期Tの凸型のパルス電圧P1 を与えて、ゲッター
室12に向けて走査する。パルス電圧P1 の電位はVG
とする。また、隣接するゲート電極Gi ,Gi+1 (i=
1,2,3,....m−1,m)間におけるパルス電
圧P1 の周期Tは、パルス幅tp とブランキング時間t
b 分だけずれている。
[0027] As shown in FIG. 6, when the getter compartment 12 is provided in the longitudinal direction of the cathode electrode C is the gate electrodes G, sequentially gate electrode from the gate electrode G 1 G m
A convex pulse voltage P 1 having a period T is given until the getter chamber 12 is scanned. The potential of the pulse voltage P 1 is V G
And Further, neighboring gate electrodes G i, G i + 1 ( i =
1, 2, 3,. . . . m-1, m) is the period T of the pulse voltage P 1 between the pulse width t p and a blanking time t
It is shifted by b minutes.

【0028】そして、ゲート走査と同時に、カソード電
極Cの一部又は全部に駆動電圧Dを与えると、両者の交
点を電子放出領域Sijとして選択できる。駆動電圧Dの
電位はVC とする。即ち、走査されたゲート電極G1
電位VC が与えられたカソードCとの間に電位差VGC
生じる。これにより、図2のように、まず走査されたゲ
ート電極G1 と電位VC が与えられたカソードCの交差
した電子放出領域S1jのエミッタ11から電子eが放出
される。放出された電子eは、外囲器5内の残留ガス
(H2 ,H2 O,CO,N2 ,CO2 等)に衝突し、残
留ガスはイオン化され、正のガスイオンI(H2 + ,H
2 + ,CO+ ,N2 + ,CO2 + 等)になる。
When a drive voltage D is applied to part or all of the cathode electrode C at the same time as the gate scanning, the intersection between the two can be selected as the electron emission region Sij . The potential of the drive voltage D is set to V C. That is, a potential difference V GC occurs between the scanned gate electrode G 1 and the cathode C to which the potential V C is applied. As a result, as shown in FIG. 2, first, electrons e are emitted from the emitter 11 of the electron emission region S 1j where the scanned gate electrode G 1 and the cathode C to which the potential V C is applied intersect. The emitted electrons e collide with the residual gas (H 2 , H 2 O, CO, N 2 , CO 2, etc.) in the envelope 5, and the residual gas is ionized, and the positive gas ions I (H 2 + , H
2 O + , CO + , N 2 + , CO 2 +, etc.).

【0029】また、ゲート電極Gは順次走査されている
ため、図3に示したとおり、走査されたゲート電極G2
と電位VC が与えられたカソードCの交差した電子放出
領域S2jのエミッタ11から電子eが放出される。換言
すれば、電子eが放出される電子放出領域Sはゲッター
室12の方向に移動する。これにより、先に発生した正
ガスイオンIは、ゲート走査により移動した電子放出領
域S2jの方向に引き寄せられる。
Further, since the gate electrode G is sequentially scanned, as shown in FIG. 3, the scanned gate electrode G 2
The electron e is emitted from the emitter 11 in the electron emission region S 2j where the cathode C intersects with the potential V C. In other words, the electron emission region S from which the electrons e are emitted moves toward the getter chamber 12. As a result, the previously generated positive gas ions I are attracted in the direction of the electron emission region S 2j moved by the gate scanning.

【0030】次に、ゲート電極G3 が走査されると、図
4に示したとおり、ゲート電極G3と電位VC が与えら
れたカソードCの交差した電子放出領域S3jのエミッタ
11から電子eが放出される。これにより、先に発生し
た正ガスイオンIは、ゲート走査により移動した電子放
出領域S3jの方向に引き寄せられる。
Next, when the gate electrode G 3 is scanned, as shown in FIG. 4, electrons are emitted from the emitter 11 of the electron emission region S 3j where the gate electrode G 3 and the cathode C to which the potential V C is applied intersect. e is released. Thus, the previously generated positive gas ions I are attracted in the direction of the electron emission region S 3j moved by the gate scanning.

【0031】この引き寄せられた正ガスイオンIは、移
動先の新たな電子放出領域S4jにおいて、エミッタ11
から放出される電子eの衝突により、新たに発生した正
ガスイオンIと相まって、更にゲート電極Gの走査方向
に移動した電子放出領域S4jに引き寄せられる。
The attracted positive gas ions I are transferred to the emitter 11 in the new electron emission region S 4j at the destination.
Due to the collision of the electrons e emitted from the gate electrode G with the newly generated positive gas ions I, the electrons e are further drawn to the electron emission region S 4j moved in the scanning direction of the gate electrode G.

【0032】このゲート走査をゲッター室に向けてG1
から順次Gm まで周期Tで繰り返し行うと同時に、カソ
ード電極Cの一部又は全部に電位VC の駆動電圧Dを与
えることにより、正ガスイオンIは確率的にゲート電極
Gの走査方向に移動し、図5のように、効果的にゲッタ
ー室12に送り込まれ、ゲッターミラー15に吸着され
る。
This gate scan is directed to the getter chamber to G 1
At the same time repeated sequentially G m to the period T from the mobile, to a part or the whole of the cathode electrode C by applying a driving voltage D of the potential V C, the positive gas ions I in the scanning direction of stochastically gate electrode G Then, as shown in FIG. 5, the light is effectively sent into the getter chamber 12 and is attracted to the getter mirror 15.

【0033】次に、第2実施の形態について、図7,8
を用いて説明する。第1実施の形態では、ゲート電極G
に周期Tで繰り返す凸型のパルス電圧P1 を与えて順次
走査する例について述べたが、本実施の形態では、図8
のように、ゲート電極Gi に周期Tで繰り返す凸型のパ
ルス電圧P1 を与えて順次走査すると同時に、走査方向
と反対側に隣接するゲート電極Gi-1 に順次凸型のパル
ス電圧P2 を与えて走査する。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. In the first embodiment, the gate electrode G
The example has been described sequentially scanning by applying a pulse voltage P 1 convex repeated in period T, in this embodiment, FIG. 8
As in, at the same time sequentially scans by applying a pulse voltage P 1 convex repeated with a period T to the gate electrode G i, sequential convex to the gate electrode G i-1 which is adjacent to the side opposite to the scanning direction pulse voltage P Scan by giving 2 .

【0034】この場合、パルス電圧P2 が与えられてい
るゲート電極Gi-1 の電位VG-は、パルス電圧が印加さ
れていない他のゲート電極の電位VG0より高くパルス電
圧P 1 の電位VG より低い範囲(VG0<VG-<VG
で、ゲート電極Gi-1 から望んでいるエミッタ11から
電子eを放出しないレベルに設定されているものとす
る。
In this case, the pulse voltage PTwoIs given
Gate electrode Gi-1Potential VG-Is the pulse voltage applied
Potential V of other gate electrodes that are notG0Higher pulse power
Pressure P 1Potential VGLower range (VG0<VG-<VG)
And the gate electrode Gi-1From the emitter 11 you want from
It shall be set to a level that does not emit electrons e.
You.

【0035】本実施の形態の作用は以下のようになる。
まず、上述したように、ゲート電極Gi にパルス電圧P
1 を与えて走査すると同時に、ゲート電極Gi-1 に電位
G-のパルス電圧P2 を与えて走査する。そして、カソ
ード電極Cの一部又は全部に電位VC の駆動電圧Dを与
える。これにより、パルス電圧P1 が与えられているゲ
ート電極Gi と駆動電圧Dが与えられているカソード電
極Cj の間に電位差V GCを生じ、ゲート電極Gi とカソ
ード電極Cj の交差する電子放出領域Sijから電子eが
放出され、放出電子eと残留ガスの衝突により正ガスイ
オンIが発生する。ところで、パルス電圧P2 が与えら
れているゲート電極Gi-1 は、周辺の走査されていない
ゲート電極Gよりも電位が高い。このため、正ガスイオ
ンIはパルス電圧P2 が与えられているゲート電極G
i-1 よりも走査方向のゲート電極G i+1 に効果的に誘引
されることとなる。換言すれば、正ガスイオンIがゲー
ト電極Gi-1 によって後押しされていることとなる。
The operation of this embodiment is as follows.
First, as described above, the gate electrode GiPulse voltage P
1And scanning at the same time, the gate electrode Gi-1Potential
VG-Pulse voltage PTwoAnd scan. And Caso
The potential V is applied to part or all of theCDrive voltage D
I can. Thereby, the pulse voltage P1Is given
Gate electrode GiAnd the cathode voltage to which the drive voltage D is applied.
Pole CjPotential difference V GCAnd the gate electrode GiAnd Caso
Lead electrode CjCrossing electron emission region SijFrom e
Is emitted and the positive gas ion
On-I occurs. By the way, the pulse voltage PTwoGiven
Gate electrode Gi-1Is not scanned around
The potential is higher than the gate electrode G. Therefore, positive gas
I is the pulse voltage PTwoGate electrode G provided with
i-1Than the gate electrode G in the scanning direction i + 1Effectively attract
Will be done. In other words, the positive gas ions I
Electrode Gi-1Will be boosted by

【0036】次に、第3実施の形態について、図9,1
0を用いて説明する。第1実施の形態では、ゲート電極
Gに周期Tで繰り返す凸型のパルス電圧P1 を与えて順
次走査する例について述べたが、本実施の形態では、図
10に示すように、ゲート電極Gi に周期Tで繰り返す
凸型のパルス電圧P1 を与えて順次走査すると同時に、
走査方向に隣接するゲート電極Gi+1 に順次凹型のパル
ス電圧P3 を与えて順次走査する。パルス電圧P3 は、
周辺の走査されていないゲート電極Gの電位V G0よりも
低く設定されている。
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS.
Explanation will be made using 0. In the first embodiment, the gate electrode
A convex pulse voltage P that repeats at a period T in G1Give the order
Although the example of performing the next scan has been described, in the present embodiment, FIG.
As shown in FIG.iRepeats at cycle T
Convex pulse voltage P1And scan sequentially,
Gate electrode G adjacent in the scanning directioni + 1To successively concave pal
Voltage PThreeAnd scan sequentially. Pulse voltage PThreeIs
The potential V of the gate electrode G that has not been scanned around G0than
It is set low.

【0037】このとき、カソード電極Cの一部又は全部
に電位VC の駆動電圧Dを与えると、パルス電圧P1
与えられているゲート電極Gi と駆動電圧Dが与えられ
ているカソード電極Cj の間に電位差VGCを生じ、ゲー
ト電極Gi とカソード電極C j の交差する電子放出領域
ijから電子eが放出される。そして、放出電子eと残
留ガスの衝突により正ガスイオンIが発生する。ところ
で、パルス電圧P3 が与えられているゲート電極Gi+1
の電位VG+は、周辺の走査されていないゲート電極Gの
電位VG0より低い。このため、正ガスイオンIは、パル
ス電圧P3 が与えられているゲート電極Gi+1 の方向、
即ちゲートの走査方向に効果的に誘引されることとな
る。
At this time, part or all of the cathode electrode C
Potential VCIs applied, the pulse voltage P1But
The given gate electrode GiAnd the drive voltage D
Cathode electrode CjPotential difference VGCThe game
Electrode GiAnd cathode electrode C jCrossing electron emission region
SijEmits electrons e. Then, the emitted electrons e and the remaining
Positive gas ions I are generated by the collision of the residual gas. Place
And the pulse voltage PThreeGate electrode G provided withi + 1
Potential VG +Of the gate electrode G that is not scanned around
Potential VG0Lower. Therefore, the positive gas ions I
Voltage PThreeGate electrode G provided withi + 1Direction,
That is, it is effectively induced in the gate scanning direction.
You.

【0038】また、上述した第1〜第3実施の形態で
は、ゲッター室12をカソード電極Cの長手方向に設
け、ゲート電極Gをゲッター室12に向けて走査した
が、ゲッター室12をゲート電極Gの長手方向に設け、
カソード電極Cをゲッター室12に向けて走査してもよ
い。
In the first to third embodiments described above, the getter chamber 12 is provided in the longitudinal direction of the cathode electrode C, and the gate electrode G is scanned toward the getter chamber 12. Provided in the longitudinal direction of G,
The cathode electrode C may be scanned toward the getter chamber 12.

【0039】なお、いずれの実施の形態であっても、ゲ
ッターミラー16にマイナスの電位VGBを与えておけ
ば、ゲッター室12付近にまで誘引された正ガスイオン
Iを更に効果的にゲッター室12に送り込むことができ
る。
In any of the embodiments, if the negative potential V GB is applied to the getter mirror 16, the positive gas ions I attracted to the vicinity of the getter chamber 12 can be more effectively reduced. 12 can be sent.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように本発明による電界放
出形表示素子の駆動方法では、外囲器内で発生した正ガ
スイオンをゲッター室へ効果的に誘引でき、ゲッターミ
ラーで確実に捕捉することができ、外囲器内を高真空雰
囲気にすることができる。
As described above, in the method of driving a field emission display according to the present invention, positive gas ions generated in the envelope can be effectively attracted to the getter chamber, and can be reliably captured by the getter mirror. And the inside of the envelope can be made a high vacuum atmosphere.

【0041】また、正ガスイオンがゲッター室に誘引さ
れるため、正ガスイオンがエミッタコーンに吸着する割
合が減り、電界放出形表示素子の寿命特性を改善するこ
とができる。
Further, since the positive gas ions are attracted to the getter chamber, the ratio of the positive gas ions adsorbed on the emitter cone is reduced, and the life characteristics of the field emission display device can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】電界放出形陰極のマトリクス構成図である。FIG. 1 is a diagram showing a matrix configuration of a field emission cathode.

【図2】本発明による電界放出形表示素子の駆動状態を
示した断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a driving state of the field emission display device according to the present invention.

【図3】本発明の第1実施の形態における電界放出形表
示素子の駆動状態を示した断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a driving state of the field emission display device according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施の形態における電界放出形表
示素子の駆動状態を示した断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a driving state of the field emission display device according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1実施の形態における電界放出形表
示素子の駆動状態を示した断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a driving state of the field emission display device according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1実施の形態における電界放出形表
示素子の走査状態を示したタイミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart showing a scanning state of the field emission display device according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2実施の形態における電界放出形表
示素子の駆動状態を示した断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a driving state of a field emission display device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2実施の形態における電界放出形表
示素子の走査状態を示したタイミングチャートである。
FIG. 8 is a timing chart showing a scanning state of the field emission display device according to the second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3実施の形態における電界放出形表
示素子の駆動状態を示した断面図である。
FIG. 9 is a sectional view showing a driving state of a field emission display device according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第3実施の形態における電界放出形
表示素子の走査状態を示したタイミングチャートであ
る。
FIG. 10 is a timing chart showing a scanning state of the field emission display device according to the third embodiment of the present invention.

【図11】(a) 電界放出形蛍光表示素子の断面図で
ある。 (b) 電界放出形陰極の斜視図である。 (c) 電界放出形陰極の断面図である。
FIG. 11A is a cross-sectional view of a field emission fluorescent display device. (B) It is a perspective view of a field emission type cathode. (C) It is sectional drawing of a field emission type cathode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電界放出形表示素子 5…外囲器 8…電界放出形陰極 11…エミッタ 12…ゲッター室 15…ゲッターミラー e…電子 S…電子放出領域 C…カソード電極 G…ゲート電極 I…正ガスイオン D…駆動電圧 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Field emission type display element 5 ... Enclosure 8 ... Field emission type cathode 11 ... Emitter 12 ... Getter chamber 15 ... Getter mirror e ... Electron S ... Electron emission area C ... Cathode electrode G ... Gate electrode I ... Positive gas ion D: Drive voltage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 茂生 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (72) Inventor Shigeo Ito 629 Oshiba, Mobara-shi, Chiba Futaba Electronics Corporation

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 エミッタが設けられている複数の帯状の
カソード電極群と前記エミッタ上方で前記カソード電極
に直交する複数の帯状のゲート電極群を有する電界放出
形陰極と、前記電界放出形陰極を囲む外囲器に連通する
ゲッター室と、前記外囲器内に発生した残留ガスを前記
ゲッター室内で捕捉するゲッターミラーとを有する電界
放出形表示素子を、 前記各カソード電極と前記各ゲート電極が交差する行列
状に配設された複数の電子放出領域をマトリクス駆動す
ることにより、前記電子放出領域から電子を放出させる
電界放出形表示素子の駆動方法において、 前記ゲッター室を前記カソード電極の長手方向の一方に
配設し、 前記ゲート電極群を前記ゲッター室に向けて走査し、 前記カソード電極群の一部又は全部に駆動電圧を与える
ことにより、 前記ゲート電極と前記カソード電極に選択された電子放
出領域が前記ゲッター室に向かって移動しながら電子を
放出し、 該放出電子と前記外囲器内の残留ガスとの衝突により発
生する正ガスイオンを、前記ゲート電極群の走査方向に
向かって移動する電子放出領域に順次誘引し、前記ゲッ
ター室に送り込むことを特徴とする電界放出形表示素子
の駆動方法。
1. A field emission cathode having a plurality of strip-shaped cathode electrode groups provided with an emitter, a plurality of strip-shaped gate electrode groups orthogonal to the cathode electrode above the emitter, and the field emission cathode. A field emission display device having a getter chamber communicating with the surrounding envelope and a getter mirror capturing the residual gas generated in the envelope in the getter chamber, wherein each of the cathode electrodes and each of the gate electrodes are A method of driving a field emission display element in which a plurality of electron emission regions arranged in a matrix that intersect is driven in a matrix to emit electrons from the electron emission regions, wherein the getter chamber is disposed in a longitudinal direction of the cathode electrode. And scanning the gate electrode group toward the getter chamber, and applying a drive voltage to a part or all of the cathode electrode group. As a result, the electron emission region selected for the gate electrode and the cathode electrode emits electrons while moving toward the getter chamber, and the electron emission region generated by the collision of the emitted electrons with the residual gas in the envelope. A method of driving a field emission display device, wherein gas ions are sequentially attracted to an electron emission region moving in a scanning direction of the gate electrode group and are sent to the getter chamber.
【請求項2】 エミッタが設けられている複数の帯状の
カソード電極群と前記エミッタ上方で前記カソード電極
に直交する複数の帯状のゲート電極群を有する電界放出
形陰極と、前記電界放出形陰極を囲む外囲器に連通する
ゲッター室と、前記外囲器内に発生した残留ガスを前記
ゲッター室内で捕捉するゲッターミラーとを有する電界
放出形表示素子を、 前記各カソード電極と前記各ゲート電極が交差する行列
状に配設された複数の電子放出領域をマトリクス駆動す
ることにより、前記電子放出領域から電子を放出させる
電界放出形表示素子の駆動方法において、 前記ゲッター室を前記ゲート電極の長手方向の一方に配
設し、 前記カソード電極群を前記ゲッター室に向けて走査し、 前記ゲート電極群の一部又は全部に駆動電圧を与えるこ
とにより、 前記ゲート電極と前記カソード電極に選択された電子放
出領域が前記ゲッター室に向かって移動しながら電子を
放出し、 該放出電子と前記外囲器内の残留ガスとの衝突により発
生する正ガスイオンを、前記カソード電極群の走査方向
に向かって移動する電子放出領域に順次誘引し、前記ゲ
ッター室に送り込むことを特徴とする電界放出形表示素
子の駆動方法。
2. A field emission cathode having a plurality of strip-shaped cathode electrode groups provided with emitters, a plurality of strip-shaped gate electrode groups orthogonal to the cathode electrode above the emitter, and the field emission cathode. A field emission display device having a getter chamber communicating with the surrounding envelope and a getter mirror capturing the residual gas generated in the envelope in the getter chamber, wherein each of the cathode electrodes and each of the gate electrodes are In a method of driving a field emission display element in which a plurality of electron emission regions arranged in a crossing matrix are driven in a matrix to emit electrons from the electron emission regions, the getter chamber is disposed in a longitudinal direction of the gate electrode. And scanning the cathode electrode group toward the getter chamber, and applying a drive voltage to part or all of the gate electrode group. Accordingly, the electron emission region selected for the gate electrode and the cathode electrode emits electrons while moving toward the getter chamber, and a positive electrode generated by collision between the emitted electrons and a residual gas in the envelope. A method of driving a field emission display device, wherein gas ions are sequentially attracted to an electron emission region moving in a scanning direction of the cathode electrode group and are sent to the getter chamber.
【請求項3】 隣接する2本のゲート電極を、他のゲー
ト電極よりも電位差を設けて前記ゲッター室に向けて走
査する請求項1記載の電界放出形表示素子の駆動方法。
3. The method of driving a field emission display device according to claim 1, wherein two adjacent gate electrodes are scanned toward the getter chamber with a potential difference greater than the other gate electrodes.
【請求項4】 隣接する2本のカソード電極を、他のカ
ソード電極よりも電位差を設けて前記ゲッター室に向け
て走査する請求項2記載の電界放出形表示素子の駆動方
法。
4. The method of driving a field emission display device according to claim 2, wherein two adjacent cathode electrodes are scanned toward the getter chamber with a potential difference being set higher than the other cathode electrodes.
【請求項5】 前記走査するゲート電極と同時に、前記
走査するゲート電極の走査方向と反対側に隣接するゲー
ト電極に、前記他のゲート電極の電位より高く前記走査
するゲート電極の電位よりも低い範囲で前記エミッタか
ら電子を放出させない電位を与えて走査することによ
り、前記正ガスイオンを前記反対側に隣接するゲート電
極から走査方向へ押し出す請求項1記載の電界放出形表
示素子の駆動方法。
5. A potential higher than the potential of the other gate electrode and lower than the potential of the gate electrode to be scanned, at the same time as the gate electrode to be scanned, to a gate electrode adjacent to the scanning gate electrode on the side opposite to the scanning direction. 2. The method of driving a field emission display device according to claim 1, wherein the positive gas ions are pushed out from the gate electrode adjacent to the opposite side in a scanning direction by applying a potential that does not cause electrons to be emitted from the emitter in a range.
【請求項6】 前記走査するカソード電極と同時に、前
記走査するカソード電極の走査方向と反対側に隣接する
カソード電極に、前記他のカソード電極の電位より高く
前記走査するカソード電極の電位よりも低い範囲で前記
エミッタから電子を放出させない電位を与えて走査する
ことにより、前記正ガスイオンを前記反対側に隣接する
カソード電極から走査方向へ押し出す請求項1記載の電
界放出形表示素子の駆動方法。
6. A potential higher than the potential of the other cathode electrode and lower than the potential of the cathode electrode to be scanned is simultaneously applied to the cathode electrode to be scanned and to a cathode electrode adjacent to a side opposite to the scanning direction of the cathode electrode to be scanned. 2. The method of driving a field emission display device according to claim 1, wherein the positive gas ions are pushed out from a cathode electrode adjacent to the opposite side in a scanning direction by applying a potential at which electrons are not emitted from the emitter in a range.
【請求項7】 前記走査するゲート電極と同時に、前記
走査するゲート電極の走査方向に隣接するゲート電極
に、前記他のゲート電極の電位より低い電位を与えて走
査することにより、前記正ガスイオンを前記走査するゲ
ート電極から前記走査方向に隣接するゲート電極に誘引
する請求項1記載の電界放出形表示素子の駆動方法。
7. The method according to claim 7, wherein the scanning is performed by applying a lower potential than a potential of the other gate electrode to a gate electrode adjacent to the scanning gate electrode in a scanning direction at the same time as the scanning gate electrode. 2. The method of driving a field emission display device according to claim 1, wherein the voltage is induced from the scanning gate electrode to a gate electrode adjacent in the scanning direction.
【請求項8】 前記ゲッターミラーは、負の電位が与え
られている請求項1〜7のいずれかに記載の電界放出形
表示素子の駆動方法。
8. The method according to claim 1, wherein the getter mirror is supplied with a negative potential.
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