JPH1183780A - Selection method of gas sensor - Google Patents

Selection method of gas sensor

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JPH1183780A
JPH1183780A JP25604897A JP25604897A JPH1183780A JP H1183780 A JPH1183780 A JP H1183780A JP 25604897 A JP25604897 A JP 25604897A JP 25604897 A JP25604897 A JP 25604897A JP H1183780 A JPH1183780 A JP H1183780A
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JP
Japan
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temperature
waveform
ppm
gas sensor
concentration
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JP25604897A
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Japanese (ja)
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Akira Shioiri
明 塩入
Toshihiro Uko
利浩 宇高
Kazuya Aranishi
一哉 新西
Kazuko Takamatsu
和子 高松
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Figaro Engineering Inc
Original Assignee
Figaro Engineering Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable selection of a gas sensor with a uniform waveform by selecting the gas sensor based on the analogy between a temperature waveform of a gas sensor signal and a reference waveform when the gas sensor is changed in temperature within a gas to be detected. SOLUTION: A pair of heaters h1 and h2 are arranged at both ends of a metal oxide semiconductor 2 of a gas sensor S. The temperature of the metal oxide semiconductor 2 is changed cyclically by varying the duty ratio of transistors T1 and T2 when they are ON. Then, a temperature waveform of a gas sensor signal is measured when the gas sensor S is changed in temperature within a gas to be detected to select the gas sensor S based on the analogy between the temperature waveform and a reference waveform. Preferably, the temperature waveform employs gas sensor signals at least at four points in the process of changes in the temperature. Preferably, the analogy is determined after the temperature waveform of the gas sensor signals and the reference waveform are both normalized. In the comparison of the temperature waveforms, a Fourier transform may be carried out.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の利用分野】この発明は金属酸化物半導体ガスセ
ンサの選別に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to sorting of metal oxide semiconductor gas sensors.

【0002】[0002]

【従来技術】温度変化を用いた金属酸化物半導体ガスセ
ンサとして、SnO2系のCOセンサTGS203等
(TGS203はフィガロ技研の商品名)がある。この
ガスセンサは150秒周期で動作し、最初の60秒間を
高温域に次の90秒間を低温域に割り当て、高温域での
最終温度は300℃、低温域での最終温度は80℃で、
低温域終了時の金属酸化物半導体の抵抗値からCOを検
出する。センサの抵抗値はCO濃度にほぼ反比例し、水
素とCOとの相対感度は1:10で、例えば水素100
0ppmとCO100ppmとが等価となる。さらに抵抗値の
初期分布は、CO100ppm中で1〜10KΩである。
2. Description of the Related Art As a metal oxide semiconductor gas sensor using a temperature change, there is an SnO2 type CO sensor TGS203 or the like (TGS203 is a trade name of FIGARO GIKEN). This gas sensor operates at a cycle of 150 seconds, assigning the first 60 seconds to the high temperature area and the next 90 seconds to the low temperature area, the final temperature in the high temperature area is 300 ° C, and the final temperature in the low temperature area is 80 ° C.
CO is detected from the resistance value of the metal oxide semiconductor at the end of the low temperature range. The resistance value of the sensor is almost inversely proportional to the CO concentration, and the relative sensitivity between hydrogen and CO is 1:10.
0 ppm and 100 ppm of CO are equivalent. Further, the initial distribution of the resistance value is 1 to 10 KΩ in 100 ppm of CO.

【0003】発明者は、TGS203を用いたCO検出
装置を高精度化し、検出精度を2倍以上向上させること
を検討した。用いた方法論は、TGS203を複雑系と
見なし、ガスセンサ信号の温度波形を用いて信頼性の高
いCO検出信号を得ることであった。この過程で発明者
は、TGS203の経時的ドリフトを除き、また温湿度
依存性を補償することに成功した。
[0003] The inventor has studied to improve the accuracy of the CO detection device using the TGS203 and improve the detection accuracy by a factor of two or more. The methodology used was to consider the TGS 203 as a complex system and obtain a highly reliable CO detection signal using the temperature waveform of the gas sensor signal. In this process, the inventor succeeded in eliminating the drift with time of the TGS 203 and compensating for the temperature and humidity dependence.

【0004】しかし上記の技術のために、金属酸化物半
導体ガスセンサに対する新たな選別方法、即ち出荷時や
CO警報機に組み込む際の新たな検査方法が必要になっ
た。従来のTGS203の選別基準は、低温域の最後の
信号で、COの水素に対する相対感度が10倍以上であ
ること、CO100ppm中の抵抗値が1〜10KΩにあ
ることである。しかしながらこのような選別基準は不十
分である。TGS203は温度変化するので、温度変化
時のセンサ信号の波形を用いれば複数の信号が得られ、
検出精度が向上する。しかし従来の選別基準は低温域の
最後の信号のみに着目している。またCO100ppm中
でのセンサ抵抗の範囲が1〜10KΩにあることは、ガ
スセンサの特性とは余り関係がなく、単に製造収率を低
下させているだけである。
[0004] However, the above technique requires a new sorting method for the metal oxide semiconductor gas sensor, that is, a new inspection method at the time of shipment or when incorporated in a CO alarm. The selection criteria of the conventional TGS203 are that the relative sensitivity of CO to hydrogen in the last signal in the low temperature range is 10 times or more, and the resistance value in 100 ppm of CO is 1 to 10 KΩ. However, such selection criteria are inadequate. Since the temperature of the TGS 203 changes, a plurality of signals can be obtained by using the waveform of the sensor signal when the temperature changes.
The detection accuracy is improved. However, the conventional selection criterion focuses on only the last signal in the low temperature range. Further, the fact that the range of the sensor resistance in 100 ppm of CO is in the range of 1 to 10 KΩ has little relation to the characteristics of the gas sensor and merely lowers the production yield.

【0005】ここで関連する先行技術を示す。ガスセン
サの温度を変化させて、その抵抗値の挙動を温度波形と
見なし、これをフーリエ変換してガスを検出すること
は、吉川らにより提案されている(アナリティカル・ケ
ミストリー VoL68,No.13,2067−2072,
1996)。またガスセンサの高温域の信号と低温域の
信号とを組み合わせることには、多数の研究がある(例
えば、米国特許4896143,同4399684)。
Here, related prior art is shown. It has been proposed by Yoshikawa et al. To change the temperature of a gas sensor and regard the behavior of its resistance value as a temperature waveform and to perform a Fourier transform on this to detect gas (Analytical Chemistry VoL68, No. 13, 2067-2072
1996). In addition, there are many studies on combining a high-temperature signal and a low-temperature signal of a gas sensor (for example, US Pat. Nos. 4,896,143 and 4,399,684).

【0006】[0006]

【発明の課題】この発明の課題は、金属酸化物半導体ガ
スセンサの新たな選別方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a new sorting method for a metal oxide semiconductor gas sensor.

【0007】[0007]

【発明の構成】この発明では、ヒータとガスにより抵抗
値が変化する金属酸化物半導体とを備えたガスセンサを
選別する方法において、ガスセンサを検出対象ガス中で
温度変化させた際のガスセンサ信号の温度波形を測定
し、この温度波形と標準波形との類似度に基づいてガス
センサを選別することを特徴とする。
According to the present invention, in a method for selecting a gas sensor including a heater and a metal oxide semiconductor having a resistance value changed by a gas, the temperature of a gas sensor signal when the temperature of the gas sensor is changed in a gas to be detected. It is characterized in that a waveform is measured and a gas sensor is selected based on the similarity between the temperature waveform and the standard waveform.

【0008】好ましくは、前記温度波形として、温度変
化過程での少なくとも4点のガスセンサ信号を用いる。
また好ましくは、ガスセンサ信号の温度波形と標準波形
とを共に正規化した後に類似度を求める。また好ましく
は、温度波形と標準波形との母関数を求めて、母関数間
の類似度により、ガスセンサの温度波形と標準波形との
類似度を求める。また好ましくは、温度波形と標準波形
との相関関数の値を求めて、相関関数の値によりガスセ
ンサの温度波形と標準波形との類似度を求める。
[0008] Preferably, at least four gas sensor signals in a temperature change process are used as the temperature waveform.
Preferably, the similarity is obtained after normalizing both the temperature waveform and the standard waveform of the gas sensor signal. Preferably, a generating function between the temperature waveform and the standard waveform is obtained, and a similarity between the temperature waveform of the gas sensor and the standard waveform is obtained based on the similarity between the generating functions. Preferably, a value of a correlation function between the temperature waveform and the standard waveform is obtained, and a similarity between the temperature waveform of the gas sensor and the standard waveform is obtained from the value of the correlation function.

【0009】[0009]

【発明の作用と効果】この発明では金属酸化物半導体ガ
スセンサを検出対象ガス中で温度変化させ、好ましくは
4点以上、より好ましくは10点以上でのガスセンサ信
号をサンプリングして、温度波形を求める。求めた温度
波形を、特性を予め確認済みの標準的なガスセンサに対
応する標準波形と比較する。あるいは選別するガスセン
サの集団中の平均波形を標準波形として、これとと比較
する。そして測定した温度波形と標準波形との類似度に
基づき、ガスセンサを選別する。このようにすれば波形
の揃ったガスセンサを選別でき、温度波形を用いてガス
を検出する際に好都合である。
According to the present invention, the temperature of the metal oxide semiconductor gas sensor is changed in the gas to be detected, and the temperature of the gas sensor is sampled at preferably 4 points or more, more preferably 10 points or more to obtain a temperature waveform. . The obtained temperature waveform is compared with a standard waveform corresponding to a standard gas sensor whose characteristics have been confirmed in advance. Alternatively, an average waveform in the group of gas sensors to be selected is set as a standard waveform and compared with the standard waveform. Then, the gas sensor is selected based on the similarity between the measured temperature waveform and the standard waveform. In this way, a gas sensor having a uniform waveform can be selected, which is convenient when detecting a gas using a temperature waveform.

【0010】温度波形を求めるのに必要なサンプリング
ポイントの数は、ガスセンサの情報量と関係する。例え
ば実施例で用いたTGS203は低温域の後期,高温域
の初期,高温域の後期,低温域の初期の4つの種類の異
なる信号を含んでおり、近似的に情報次元を4次元と見
なすことができる。そこで4点でのサンプリングは、T
GS203の温度波形を表現するための条件である。よ
り複雑な温度波形を有するガスセンサでは、必要なサン
プリングポイントの数は増加する。
[0010] The number of sampling points required to determine the temperature waveform is related to the information amount of the gas sensor. For example, the TGS 203 used in the embodiment includes four types of different signals of the late stage of the low-temperature region, the early stage of the high-temperature region, the late stage of the high-temperature region, and the early stage of the low-temperature region. Can be. Therefore, sampling at four points is T
This is a condition for expressing the temperature waveform of the GS 203. For gas sensors with more complex temperature waveforms, the number of required sampling points increases.

【0011】温度波形の比較において、ガスセンサの抵
抗値自体は余り重要ではない。そこで抵抗値の違いをマ
スクして比較するため、好ましくは温度波形も標準波形
も抵抗値に関して正規化を行う。
In comparing the temperature waveforms, the resistance value of the gas sensor itself is not so important. Therefore, in order to mask and compare the difference in resistance value, it is preferable to normalize the resistance value of both the temperature waveform and the standard waveform.

【0012】温度波形の比較では、フーリエ変換やラプ
ラス変換等の母関数に温度波形や標準波形を変換して比
較しても良い。母関数では元の温度波形に比べてデータ
が圧縮されいる。ただし母関数を用いる場合、母関数へ
の変換のために温度波形を多数の点、例えば10点以上
で好ましくは20点以上でサンプリングする必要があ
る。
In the comparison of the temperature waveforms, the temperature waveform or the standard waveform may be converted into a generating function such as Fourier transform or Laplace transform for comparison. In the generating function, the data is compressed as compared with the original temperature waveform. However, when a generating function is used, it is necessary to sample the temperature waveform at many points, for example, at 10 or more points, and preferably at 20 or more points for conversion into the generating function.

【0013】温度波形の比較では、標準波形との相関関
数の値を求めても良い。相関関数の値は測定した温度波
形と標準波形との類似度を表し、例えば4点のサンプリ
ングでは母関数を求めることはできないが、相関関数の
値を求めることはできる。
In the comparison of the temperature waveforms, a value of a correlation function with a standard waveform may be obtained. The value of the correlation function indicates the degree of similarity between the measured temperature waveform and the standard waveform. For example, a generating function cannot be obtained by sampling four points, but a value of the correlation function can be obtained.

【0014】標準波形と温度波形との類似性は、標準の
ガスセンサと、仮にそれがバーチャルなものでも実在の
ものでも、選別対象のガスセンサとの、全体的な特性の
類似性を示している。そこでこの発明では、ガスセンサ
特性の全体的な特徴を選別し、温度波形を用いるガスセ
ンサに適した選別方法を提供することができる。
The similarity between the standard waveform and the temperature waveform indicates the overall similarity of characteristics between the standard gas sensor and the gas sensor to be selected, whether it is virtual or real. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a selection method suitable for a gas sensor using a temperature waveform by selecting overall characteristics of gas sensor characteristics.

【0015】[0015]

【実施例】【Example】

【0016】[0016]

【ガス検出装置の構造】図1〜図36に実施例を示す。
図1に開発したガス検出装置の構造を示すと、Sは金属
酸化物半導体ガスセンサで、ここではTGS203を用
い、SnO2系の金属酸化物半導体2の両端に一対のヒ
ータh1,h2を配置したものである。センサSの種類
や構造,材料,検出対象ガスは任意である。4は直流5
V等の直流電源で、その出力VDDを用いてガス検出装置
を駆動する。ガスセンサSの一対のヒータh1,h2を
共に駆動するため、トランジスタT1,T2を用い、こ
れらを同時にオン/オフさせる。そしてトランジスタT
1,T2が共にオンすると、ヒータh1、h2に電流が
流れ、トランジスタT1,T2のオンのデューティー比
を変えることによって、金属酸化物半導体2の温度を周
期的に変化させる。ここではTGS203の動作条件に
従い、高温域を60秒間、低温域を90秒間とし、ヒー
タ電力の波形は高温域と低温域の2段階で変化する方形
波状で、高温域の最終温度は300℃、低温域の最終温
度は80℃である。また実施例では時刻の表示として、
低温域の終了直前を0秒目とし、0〜60秒目を高温域
として、90〜150秒目(150秒目は0秒目と等し
い)を低温域とする。ただしヒータ波形は方形波に限ら
ず、サイン波や鋸波等でも良い。
[Structure of Gas Detector] FIG. 1 to FIG. 36 show an embodiment.
FIG. 1 shows the structure of the developed gas detecting device. S is a metal oxide semiconductor gas sensor, in which a TGS203 is used and a pair of heaters h1 and h2 are arranged at both ends of a SnO2 based metal oxide semiconductor 2. It is. The type, structure, material, and detection target gas of the sensor S are arbitrary. 4 is DC 5
The gas detection device is driven by the output VDD using a DC power supply such as V. In order to drive the pair of heaters h1 and h2 of the gas sensor S together, transistors T1 and T2 are used, and these are turned on / off at the same time. And the transistor T
When both T1 and T2 are turned on, current flows through the heaters h1 and h2, and the temperature of the metal oxide semiconductor 2 is periodically changed by changing the on duty ratio of the transistors T1 and T2. Here, in accordance with the operating conditions of the TGS 203, the high-temperature range is set to 60 seconds and the low-temperature range is set to 90 seconds. The waveform of the heater power is a square wave that changes in two stages, a high-temperature range and a low-temperature range. The final temperature in the low temperature range is 80 ° C. In the embodiment, the time is displayed as
The 0th second immediately before the end of the low temperature range is defined as the 0th second, the 0th to 60th second is defined as the high temperature range, and the 90th to 150th second (the 150th second is equal to the 0th second) is defined as the low temperature range. However, the heater waveform is not limited to a square wave, but may be a sine wave or a sawtooth wave.

【0017】金属酸化物半導体2には、抵抗ラダー5を
接続し、R1〜Rnはその個別の抵抗である。ここでは
各抵抗R1〜Rnは4倍ずつ変化するものとし、例えば
0.5KΩ,2KΩ,8KΩ,32KΩ,128KΩ,
512KΩの6つの抵抗を用いる。固定抵抗の精度は±
2%程度のものが容易に得られ、抵抗値の切り替えに基
づくAD変換誤差は±2%程度である。そしてトランジ
スタT1,T2をオフすると、電源出力VDD(以下検出
電圧Vcと呼ぶ)は金属酸化物半導体2を介して抵抗ラ
ダー5に流れ、抵抗ラダー5への出力電圧をAD変換し
て処理する。
A resistance ladder 5 is connected to the metal oxide semiconductor 2, and R1 to Rn are individual resistors. Here, it is assumed that each of the resistors R1 to Rn changes four times, for example, 0.5KΩ, 2KΩ, 8KΩ, 32KΩ, 128KΩ,
Six resistors of 512 KΩ are used. The accuracy of the fixed resistor is ±
An AD conversion error of about 2% is easily obtained, and an AD conversion error based on the switching of the resistance value is about ± 2%. When the transistors T1 and T2 are turned off, the power supply output VDD (hereinafter, referred to as a detection voltage Vc) flows to the resistance ladder 5 via the metal oxide semiconductor 2, and the output voltage to the resistance ladder 5 is A / D converted and processed.

【0018】8はマイクロコンピュータで、ここでは4
ビットの1チップマイクロコンピュータを想定する。1
0はそのバスで、12は例えば8ビットのADコンバー
タ、14は抵抗ラダー制御部で、抵抗R1〜Rnの1本
のみをアースし、アースした抵抗を負荷抵抗として用い
る。そして前記のように抵抗ラダーへの出力電圧はAD
コンバータ12でAD変換される。なお抵抗ラダー5へ
の出力電圧をさらに分圧してAD変換しても良いことは
当然で、また抵抗ラダー5側の電圧ではなく、センサS
側の電圧をAD変換しても同じことである。16はヒー
タ制御部で、トランジスタT1,T2のオン/オフを制
御し、60秒の高温域と90秒の低温域からなる温度サ
イクルを発生させる。18はEEPROM制御部で、2
0はEEPROMである。
Reference numeral 8 denotes a microcomputer.
Assume a one-chip microcomputer of bits. 1
Reference numeral 0 denotes the bus, reference numeral 12 denotes, for example, an 8-bit AD converter, reference numeral 14 denotes a resistor ladder control unit, which grounds only one of the resistors R1 to Rn, and uses the grounded resistor as a load resistor. As described above, the output voltage to the resistor ladder is AD
AD conversion is performed by the converter 12. It is natural that the output voltage to the resistance ladder 5 may be further divided and A / D-converted.
The same is true even if the voltage on the side is AD-converted. Reference numeral 16 denotes a heater control unit that controls on / off of the transistors T1 and T2 to generate a temperature cycle including a high-temperature region for 60 seconds and a low-temperature region for 90 seconds. Reference numeral 18 denotes an EEPROM control unit.
0 is an EEPROM.

【0019】EEPROM20の構成を図3に示すと、
例えばここではCOを検出対象とし、検出範囲をCO5
0〜600ppmの約10倍の範囲とする。基準信号とし
てはCO65ppm,200ppm,400ppmの3点を用
い、基準信号として0秒目のセンサ抵抗の対数LnR0,
6秒目のセンサ抵抗の対数LnR6,69秒目(低温域の
初期)のセンサ抵抗の対数LnR69を用いる。なおLnは
自然対数を表し、R0の0等の添え字は0秒基準のタイ
ミングを表す。CO200ppmや400ppmでも、同様に
して0秒目,6秒目,69秒目の3つの基準信号をセン
サ抵抗の対数の形で記憶させる。51〜53は、各濃度
についての基準信号を1枚のカードとして考えた際のカ
ードである。これ以外にカード54にはCO検出装置の
使用経歴を記録させる。即ち経過時間として、延べ使用
時間と過去のCOの警報に関する記録を記憶させる。延
べ使用時間はCO検出装置の電源がオンしている時間の
累積値であり、例えば時間の単位は1日として、累積使
用時間をカード54に記憶させる。警報の記録として
は、後述のブザーが鳴動する毎にその日付を記憶する。
日付としては、延べ使用時間と同じ基準での日付を記憶
させる。このようにすると、ブザーが鳴動した日が判明
する。
FIG. 3 shows the structure of the EEPROM 20.
For example, here, CO is a detection target, and the detection range is CO5.
The range is about 10 times of 0 to 600 ppm. As the reference signal, three points of 65 ppm, 200 ppm, and 400 ppm of CO are used, and the logarithm LnR0,
The logarithm LnR6 of the sensor resistance at the 6th second and the logarithm LnR69 of the sensor resistance at the 69th second (the initial stage of the low temperature range) are used. Ln represents a natural logarithm, and a subscript such as 0 of R0 represents a timing based on 0 seconds. Similarly, at 200 ppm and 400 ppm of CO, the three reference signals at the 0th, 6th and 69th seconds are stored in the form of the logarithm of the sensor resistance. Cards 51 to 53 are used when the reference signal for each density is considered as one card. In addition, the card 54 is used to record the usage history of the CO detection device. That is, a record of the total use time and the past CO warning is stored as the elapsed time. The total usage time is a cumulative value of the time during which the power supply of the CO detection device is turned on. For example, the time unit is one day, and the cumulative usage time is stored in the card 54. As a record of the alarm, the date is stored each time a buzzer described later sounds.
As the date, a date based on the same standard as the total use time is stored. In this way, the day when the buzzer sounds is known.

【0020】22は入出力で、調整スイッチ23とリセ
ットスイッチ24が接続されており、調整スイッチ23
をオンすると、EEPROM制御部18はEEPROM
20への書き込みが可能になり、CO検出装置の調整時
にのみ使用するスイッチである。リセットスイッチ24
はブザー38の鳴動を停止させるためのスイッチであ
る。
Reference numeral 22 denotes an input / output, to which an adjustment switch 23 and a reset switch 24 are connected.
Is turned on, the EEPROM control unit 18
This switch is used only when adjusting the CO detection device. Reset switch 24
Is a switch for stopping the buzzer 38 from sounding.

【0021】マイクロコンピュータ8には4ビットの算
術論理演算ユニット26があり、150秒周期でCO検
出装置を動作させるためのシーケンス制御部28が存在
し、シーケンス制御部28はタイマを内蔵している。3
0はRAMで、揮発性メモリーとして用い、その構成を
図2に示す。RAM30には、LnR0,LnR6,LnR6
9の3つの測定データと、これらに対する2濃度での基
準信号が記憶されている。基準信号は常時は低濃度側の
65ppmと200ppmを使用し、ガス濃度が200ppmを
越えると、65ppmの基準信号を400ppmの基準信号で
置き換える。そしてガス濃度が200ppm以下に低下す
ると、400ppmの基準信号を65ppmの基準信号で置き
換える。ガスの検出範囲は50〜600ppmであり、5
0〜65ppmの範囲は、基準信号65ppmに近い。また4
00〜600ppmの範囲は、基準信号の400ppmに対し
て1.5倍の範囲であり、400ppmの基準信号を用いて
ガス濃度を正確に求めることができる。これらの範囲を
除くと、COが発生している場合、現実のCO濃度の両
側の基準信号を用いて、2つの基準信号間の補間により
ガス濃度を決定する。
The microcomputer 8 has a 4-bit arithmetic and logic operation unit 26, a sequence control unit 28 for operating the CO detection device at a period of 150 seconds, and the sequence control unit 28 has a built-in timer. . 3
Reference numeral 0 denotes a RAM, which is used as a volatile memory, and its configuration is shown in FIG. In the RAM 30, LnR0, LnR6, LnR6
Nine measurement data and reference signals at two concentrations are stored. As the reference signal, 65 ppm and 200 ppm on the low concentration side are always used, and when the gas concentration exceeds 200 ppm, the 65 ppm reference signal is replaced with a 400 ppm reference signal. When the gas concentration drops to 200 ppm or less, the reference signal of 400 ppm is replaced with the reference signal of 65 ppm. The gas detection range is 50-600 ppm and 5
The range of 0 to 65 ppm is close to the reference signal 65 ppm. Also 4
The range of 00 to 600 ppm is 1.5 times the range of 400 ppm of the reference signal, and the gas concentration can be accurately obtained using the 400 ppm reference signal. Excluding these ranges, when CO is generated, the gas concentration is determined by interpolation between the two reference signals using the reference signals on both sides of the actual CO concentration.

【0022】RAM30にはこれ以外に、求めたCO濃
度やCO濃度から換算したCOHb(血中のCOヘモグ
ロビン濃度)やその他の補助信号(例えば1日単位での
タイマを構成するための時刻データ)等を記録する。
The RAM 30 also stores the obtained CO concentration, COHb (CO hemoglobin concentration in blood) converted from the CO concentration, and other auxiliary signals (for example, time data for configuring a timer on a daily basis). And so on.

【0023】図1に戻り、32は警報制御部で、駆動回
路36を介してLED39,40を動作させ、血中CO
ヘモグロビン濃度が例えば5%以上でブザー38を鳴動
させる。ブザー38を鳴動させると、EEPROM制御
部18はカード54に警報の日付を書き込む。34はプ
ログラムメモリーであり、これ以外に温度補正に用いる
様々な常数等のデータも記録させてある。なおこれらの
データは、センサSが変わっても共通の固定データであ
る。そしてセンサ毎のデータは全てEEPROM20に
記録させてある。42はサーミスタで周囲温度を測定
し、44は温湿度補正部である。
Returning to FIG. 1, reference numeral 32 denotes an alarm control unit which operates the LEDs 39 and 40 via the drive circuit 36, and
The buzzer 38 sounds when the hemoglobin concentration is, for example, 5% or more. When the buzzer 38 sounds, the EEPROM control unit 18 writes the date of the alarm on the card 54. Reference numeral 34 denotes a program memory in which various constants and other data used for temperature correction are recorded. These data are common fixed data even when the sensor S changes. All data for each sensor is recorded in the EEPROM 20. 42 is a thermistor for measuring the ambient temperature, and 44 is a temperature / humidity correction unit.

【0024】[0024]

【検出装置でのサンプリングと対数変換】図4に10個
のセンサの平均の温度波形を示す。CO100ppmの波
形に実施例で用いたサンプリングポイントを○で示す
と、150秒目,6秒目及び69秒目でサンプリングを
行う。センサの抵抗値はCO30ppm〜300ppmの範囲
で約10倍変化し、また0秒目と69秒目とでは抵抗値
が約10倍異なる。これ以外にセンサ抵抗のばらつきや
周囲温湿度の変動等を加えると、AD変換の範囲は抵抗
値で約0.5〜500KΩとなる。そこでこの範囲でA
D変換ができるように、抵抗R1〜Rnを0.5KΩ〜
512KΩまで4倍ずつ6段階に変化させ、各サンプリ
ングタイミングの直前に抵抗ラダーへの出力VRlを監視
して、その値に応じて負荷抵抗を切り替える。VRlのA
D変換自体は1秒以内に行うことができ、その時の値に
応じて各サンプリングポイントでどの抵抗を用いるかを
決定すればよい。
[Sampling and Logarithmic Conversion by Detector] FIG. 4 shows an average temperature waveform of ten sensors. If the sampling point used in the embodiment is indicated by a circle in the waveform of CO 100 ppm, sampling is performed at 150 seconds, 6 seconds, and 69 seconds. The resistance value of the sensor changes about 10 times in the range of 30 ppm to 300 ppm of CO, and the resistance value changes about 10 times between 0 second and 69 seconds. If a variation in sensor resistance, a change in ambient temperature and humidity, and the like are added to the above, the range of the AD conversion is about 0.5 to 500 KΩ in resistance value. So in this range A
The resistances R1 to Rn are set to 0.5 KΩ or more so that D conversion can be performed.
The output voltage VRl is changed to a resistance ladder immediately before each sampling timing, and the load resistance is switched according to the value. A of VRl
The D conversion itself can be performed within one second, and it is sufficient to determine which resistor is used at each sampling point according to the value at that time.

【0025】図5は、別の10個のセンサについて高温
域の初期の温度波形を拡大して示したものである。雰囲
気は0℃で相対湿度96%,20℃ 65%,50℃
40%,の3種類で、±2δ(δは標準偏差)の範囲と
平均値とを示してある。ガス濃度はCO100ppmであ
るが、周囲の温度や湿度の変動により抵抗値は各タイミ
ングで10倍弱変化している。また0秒目と6秒目の抵
抗値はほぼ等しく、例えば6秒目には0秒目と同じ負荷
抵抗を用いても良い。しかし好ましくは例えば148秒
目の信号で0秒目(もしくは高温域への移行前のサンプ
リングを確実にするため、149秒目)の抵抗値を決定
し、5秒目の抵抗値から6秒目の負荷抵抗を決定する。
同様に68秒目の抵抗値から69秒目の負荷抵抗を決定
する。
FIG. 5 is an enlarged view of the initial temperature waveform in the high temperature region for another 10 sensors. Atmosphere is 0 ° C, relative humidity 96%, 20 ° C 65%, 50 ° C
40%, the range of ± 2δ (δ is the standard deviation) and the average value are shown. Although the gas concentration is 100 ppm CO, the resistance value changes slightly less than 10 times at each timing due to fluctuations in ambient temperature and humidity. Further, the resistance values at the 0th and 6th seconds are substantially equal. For example, the same load resistance as at the 0th second may be used at the 6th second. However, preferably, for example, a resistance value of 0 second (or 149 second to ensure sampling before shifting to a high temperature region) is determined from a signal of 148 seconds, and a resistance value of 6 seconds from a resistance value of 5 seconds is determined. Determine the load resistance of
Similarly, the load resistance at 69 seconds is determined from the resistance value at 68 seconds.

【0026】図6にサンプリングのアルゴリズムを示
す。時刻が148秒目に達すると、出力電圧をAD変換
し、この値が検出電圧Vc(VDDと同じ)の1/3〜2
/3の範囲内にあることを確認する。この範囲では、セ
ンサ抵抗と負荷抵抗との抵抗値の比は2:1〜1:2の
範囲内にある。出力電圧が正しければそのままで、正し
くない場合には負荷抵抗を切り替え、この範囲に収まる
ようにする。次に0秒目に達すると出力電圧をAD変換
し、AD変換した出力電圧VRlを用いて式(1)により0
秒目でのセンサ抵抗の対数を求める。同様に5秒に負荷
抵抗の値が正しいかどうかをチェックし、6秒目のセン
サ抵抗の対数を求める。さらに68秒目でも負荷抵抗の
値が正しいかどうかをチェックし、69秒目でセンサ抵
抗の対数を求める。
FIG. 6 shows a sampling algorithm. When the time reaches 148 seconds, the output voltage is AD-converted, and this value is 1/3 to 2 of the detection voltage Vc (same as VDD).
Confirm that it is within the range of / 3. In this range, the ratio of the resistance value between the sensor resistance and the load resistance is in the range of 2: 1 to 1: 2. If the output voltage is correct, the output voltage is kept as it is. If the output voltage is not correct, the load resistance is switched so that the output voltage falls within this range. Next, when it reaches the 0th second, the output voltage is AD-converted, and the output voltage VRl obtained by AD conversion is used to obtain 0 according to the equation (1).
Find the logarithm of the sensor resistance at the second. Similarly, at 5 seconds, it is checked whether the value of the load resistance is correct, and the logarithm of the sensor resistance at 6 seconds is obtained. Further, it is checked whether the value of the load resistance is correct at the 68th second, and the logarithm of the sensor resistance is obtained at the 69th second.

【0027】 LnR=2−4VRl/Vc+LnRl (1) 式(1)のようにセンサ抵抗の対数を1次の項まで近似し
た場合、R/Rlが1で誤差が0、R/Rlが1/2また
は2で誤差は2%、R/Rlが1/3または3で誤差は
11%となる。実施例ではCO濃度を±20%以下の誤
差で検出することを目的とするので、±10%の誤差は
大きすぎる。そこでセンサ抵抗と負荷抵抗との比を0秒
目,6秒目,69秒目の3点で2〜1/2の範囲に保つ
ように抵抗ラダー5を制御する。
LnR = 2−4VRl / Vc + LnRl (1) When the logarithm of the sensor resistance is approximated to the first-order term as in the equation (1), R / Rl is 1, the error is 0, and R / Rl is 1 /. 2 or 2, the error is 2%, and R / Rl is 1/3 or 3, the error is 11%. In the embodiment, since the purpose is to detect the CO concentration with an error of ± 20% or less, the error of ± 10% is too large. Therefore, the resistance ladder 5 is controlled so that the ratio between the sensor resistance and the load resistance is maintained in the range of 2 to 1/2 at three points of 0 second, 6 seconds, and 69 seconds.

【0028】式(1)によるVRlからセンサ抵抗の対数へ
の変換は線形変換であり、極めて簡単な変換である。し
かしこれに伴って6個の負荷抵抗が必要であった。負荷
抵抗の数を例えば4個に減少させるには、R/Rlの範
囲を4〜1/4、より好ましくはルート8〜1/ルート
8の範囲に保つようにする。このためには3次の項まで
の変換が必要である。センサ抵抗の対数をVRlで級数展
開すると、2次の項は存在せず、3次の項までを加味し
たものが式(2)、(3)である。式(2),(3)を用いた場合、
R/Rlが1で変換誤差は0%、R/Rlが1/4または
4で変換誤差は4%、Rlが1/3または3で変換誤差
は2%である。そこで例えば抵抗R1〜Rnの値を16
倍ずつ、より好ましくは8倍もしくは9倍ずつ変化させ
る。そして例えば抵抗R1〜Rnの値を1KΩ,8K
Ω,64KΩ,512KΩの4種とする。このようにす
れば0.5〜1MΩの範囲を2%以下の誤差で対数に変
換することができる。 LnR=2x+2/3×x3+LnRl (2) x=1−2VRl/Vc (3)
The conversion from VR1 to the logarithm of the sensor resistance according to equation (1) is a linear conversion, and is a very simple conversion. However, six load resistors were required accordingly. In order to reduce the number of load resistors to, for example, four, the range of R / Rl is maintained in the range of 4 to 1/4, more preferably in the range of route 8 to 1 / route 8. For this purpose, conversion up to the third order term is necessary. When the logarithm of the sensor resistance is series-expanded by VRl, there are no second-order terms, and equations (2) and (3) take into account the third-order terms. When equations (2) and (3) are used,
When R / Rl is 1, the conversion error is 0%, when R / Rl is 1/4 or 4, the conversion error is 4%, and when Rl is 1/3 or 3, the conversion error is 2%. Therefore, for example, the values of the resistors R1 to Rn are set to 16
It is changed by a factor of two, more preferably by a factor of eight or nine. For example, when the values of the resistors R1 to Rn are 1KΩ and 8K
Ω, 64 KΩ, and 512 KΩ. In this way, the range of 0.5 to 1 MΩ can be converted to logarithm with an error of 2% or less. LnR = 2x + 2/3 × x 3 + LnRl (2) x = 1-2VRl / Vc (3)

【0029】[0029]

【ガス検出装置の調整】図1のガス検出装置の調整の手
続を図7に示す。なおこの時調整スイッチ23をオン
し、EEPROM20への基準信号の書き込みを可能に
しておく。CO検出装置を調整槽にセットするものとし
て説明すると、検出装置をセットした後、電源を投入し
て作動させる。そして例えば65ppmのCOを注入す
る。するとマイクロコンピュータ8はRAM30に書き
込むために、LnR0,LnR6,LnR69を発生する。こ
れをEEPROM20のカード51に記入させる。次い
でCO濃度を200ppmに増加し、同様の手順を行う。
さらにCO濃度を400ppmまで増加させる。このよう
に所定の手順でCO濃度を増加させれば、EEPROM
20に基準信号を書き込むことができる。そしてこの結
果、可変抵抗を調整して基準信号を記憶させる必要が無
く、調整作業が簡単になる。
[Adjustment of Gas Detection Device] FIG. 7 shows a procedure for adjusting the gas detection device of FIG. At this time, the adjustment switch 23 is turned on to enable the writing of the reference signal to the EEPROM 20. In the following description, it is assumed that the CO detection device is set in the adjustment tank, and after the detection device is set, the power is turned on to operate. Then, for example, 65 ppm of CO is injected. Then, the microcomputer 8 generates LnR0, LnR6, and LnR69 for writing into the RAM 30. This is written on the card 51 of the EEPROM 20. The same procedure is then followed, increasing the CO concentration to 200 ppm.
Further, the CO concentration is increased to 400 ppm. If the CO concentration is increased in a predetermined procedure as described above, the EEPROM
20 can be written with a reference signal. As a result, there is no need to adjust the variable resistance to store the reference signal, and the adjustment operation is simplified.

【0030】ここではCO検出装置を調整槽にセットす
るものとしたが、センサSのみをセットしても良い。そ
してセンサSの抵抗値を例えば12ビット程度のADコ
ンバータでAD変換し、パーソナルコンピュータ等に記
録させ、これをEEPROM20に書き込んでも良い。
この場合にはセンサSはCO検出装置には組み込まれて
おらず、センサSをEEPROM20とセットにして取
り扱い、これらを別途に組み立てたCO検出装置に組み
付ける。センサSとEEPROM20以外の部分は、通
常の電子回路と全く同様に扱え、ガスセンサについて経
験のないメーカーでもCO検出装置を組み立てることが
できる。
Here, the CO detector is set in the adjustment tank, but only the sensor S may be set. Then, the resistance value of the sensor S may be A / D converted by, for example, an AD converter of about 12 bits, recorded in a personal computer or the like, and written in the EEPROM 20.
In this case, the sensor S is not incorporated in the CO detection device, but the sensor S is handled as a set with the EEPROM 20, and these are assembled into a separately assembled CO detection device. The parts other than the sensor S and the EEPROM 20 can be handled in exactly the same manner as a normal electronic circuit, and even a manufacturer having no experience with a gas sensor can assemble a CO detection device.

【0031】[0031]

【ガスセンサ信号のドリフト】図8〜図12にセンサ抵
抗のドリフト特性を示す。これはTGS203の45個
のデータで、不良品(7個)や良品(20個)、あるい
は2年以上放置したサンプル(8個)、さらにはいった
んCO検出装置にセットした後に回収したサンプル(1
0個)を含んでいる。各図の横軸は0秒目のセンサ抵抗
を対数目盛りで示し、縦軸は6秒目(図8),12秒目
(図9),30秒目(図10),60秒目(図11),
120秒目(図12)のセンサ抵抗を同様に対数目盛り
で示している。そして横軸が1は0秒目のCO100pp
m中での基準信号(通電開始3日目)で、縦軸が1は6
秒目等でのCO100ppmでの基準信号(通電開始3日
目)である。図8〜図12はCO100ppm中での通電
開始3日目の基準信号で正規化してある。
[Drift of Gas Sensor Signal] FIGS. 8 to 12 show drift characteristics of the sensor resistance. This is 45 data of TGS203, including defective (7), good (20), samples left for more than 2 years (8), and samples (1) collected once set in the CO detector.
0). In each figure, the horizontal axis represents the sensor resistance at 0 seconds on a logarithmic scale, and the vertical axes represent the 6th second (FIG. 8), the 12th second (FIG. 9), the 30th second (FIG. 10), and the 60th second (FIG. 11),
The sensor resistance at 120 seconds (FIG. 12) is likewise shown on a logarithmic scale. And 1 on the horizontal axis is CO100pp at 0 second.
In the reference signal in the m (the third day of the start of energization), 1 is 6 on the vertical axis.
This is a reference signal at CO 100 ppm at the second and the like (third day from the start of energization). 8 to 12 are normalized by a reference signal on the third day of energization in CO 100 ppm.

【0032】図の各点は5週間の通電に伴う測定点を示
し、45個のTGS203を5週間使用すると、センサ
は2倍程度高低抵抗化してゆく。図8では、高抵抗化は
6秒目等と0秒目との2次元位相空間で傾きが1の狭い
直線上に集中している。この軸をドリフト軸と呼ぶこと
にする。なおCO30ppm中や300ppm中でドリフト軸
が明瞭でないのは、TGS203の濃度依存性の分散の
ためである。即ち濃度依存性が均一でなく、CO30pp
m中や300ppm中での初期点が1点に揃わないので、初
期点の分散のためドリフト軸が不明瞭である。またCO
30ppm,100ppm,300ppmの3点を結んだ直線を
濃度軸と呼ぶことにする。そしてTGS203の初期の
特性はこの濃度軸上にあり、使用と共に濃度軸はドリフ
ト軸の方向に沿って平行移動していく。
Each point in the figure shows a measurement point associated with 5 weeks of energization. If 45 TGS 203 are used for 5 weeks, the resistance of the sensor is increased or lowered about twice as much. In FIG. 8, the increase in resistance is concentrated on a narrow straight line having a slope of 1 in a two-dimensional phase space of 6 seconds or the like and 0 seconds. This axis is called the drift axis. The reason why the drift axis is not clear at 30 ppm or 300 ppm of CO is due to the dispersion of the concentration dependency of TGS203. That is, the concentration dependency is not uniform, and CO30pp
Since the initial points in m and 300 ppm are not aligned at one point, the drift axis is unclear due to dispersion of the initial points. Also CO
A straight line connecting three points of 30 ppm, 100 ppm, and 300 ppm is called a concentration axis. The initial characteristics of the TGS 203 are on this concentration axis, and the concentration axis moves parallel to the direction of the drift axis with use.

【0033】図9でも同様のドリフト軸が見られるが、
ドリフト軸の周囲の位相点の分布は広がり、これは0秒
目の信号のドリフトと12秒目の信号のドリフトの相関
が、0−6秒目の場合に比べて弱いことを示している。
図10の30−0秒目の特性では、ドリフト軸の周囲の
分布はより広く、CO300ppmでCO100ppmとの区
別が難しい点が生じている。図11の60−0秒目の特
性では、CO300ppm中で最もドリフトしたもので
は、CO100ppmでの基準点にほぼ重なろうとしてい
るものが存在する。図12の120秒目−0秒目の特性
では、0秒目の信号と120秒目の信号が酷似した信号
であるため、ドリフト軸も濃度軸も共通で、かつ全ての
位相点が1本の直線の周囲に集まっている。
A similar drift axis can be seen in FIG.
The distribution of the phase points around the drift axis widens, indicating that the correlation between the drift of the signal at 0 seconds and the drift of the signal at 12 seconds is weaker than in the case of 0-6 seconds.
In the characteristics at the 30th to 0th seconds in FIG. 10, the distribution around the drift axis is wider, and it is difficult to distinguish between 300 ppm CO and 100 ppm CO. In the characteristics at 60-0 seconds in FIG. 11, among the most drifted ones in CO 300 ppm, there is one that is almost overlapping the reference point at CO 100 ppm. In the characteristics from the 120th second to the 0th second in FIG. 12, since the signal at the 0th second and the signal at the 120th second are very similar, both the drift axis and the concentration axis are common, and all the phase points are one. Are gathered around the straight line.

【0034】これらのことからドリフト補正に用いるこ
とができるのは、高温域の初期の信号で例えば4〜20
秒目の信号、好ましくは5〜15秒目の信号である。そ
して組み合わせる相手は低温域の後期の信号で、例えば
90〜150秒目,好ましくは120〜150秒目の信
号である。図8〜図11のいずれでも濃度軸とドリフト
軸は斜交し、直交座標系でCO濃度とドリフトとに対応
する2軸を求めることができない。仮にドリフト軸と直
交する濃度軸を求めることができるとすると、それはド
リフトの影響を受けない軸が存在し、その軸上の座標は
ガス濃度のみで定まることを意味する。しかしながらこ
のような軸を見つけることはできなかった。
From these facts, the initial signal in the high temperature range can be used for drift correction, for example, 4 to 20.
The signal at the second, preferably the signal at the 5th to 15th second. The other party to be combined is a signal in the latter half of the low temperature range, for example, a signal at the 90th to 150th seconds, preferably at the 120th to 150th seconds. In any of FIGS. 8 to 11, the concentration axis and the drift axis are oblique, and two axes corresponding to the CO concentration and the drift cannot be obtained in the orthogonal coordinate system. If a concentration axis orthogonal to the drift axis can be obtained, it means that there is an axis that is not affected by the drift, and the coordinates on that axis are determined only by the gas concentration. However, no such axis could be found.

【0035】実施例ではセンサ抵抗の対数を用いるの
で、濃度軸やドリフト軸は直線となる。しかしセンサ抵
抗そのものを用いれば、濃度軸は放物線に近い曲線軸と
なる。
In the embodiment, since the logarithm of the sensor resistance is used, the concentration axis and the drift axis are linear. However, if the sensor resistance itself is used, the concentration axis becomes a curve axis close to a parabola.

【0036】[0036]

【負の水素感度】各図にはこれ以外にCO100ppmと
水素300ppmの混合ガスの挙動や、水素1000ppm中
での挙動を示した。図8から明らかなように、水素に対
しては感度は僅かに負になっている。例えば図8のCO
100ppm+水素300ppmの各点をドリフト軸に沿って
平行移動させ、濃度軸との交点を求めると、得られる濃
度範囲はCO80ppm〜60ppmである。一方CO100
ppm中での5週間の各点の分布は狭く、ドリフト軸に沿
って平行移動させ、濃度軸との交点を求めると、分布範
囲はCO80〜120ppm程度となる。水素に対する感
度が負になるのは、6秒目の信号の方が0秒目の信号よ
りも水素感度が高いためである。そこでこれを補正する
ため、0秒目と69秒目の信号からなる位相空間を用い
る。
[Negative hydrogen sensitivity] In each figure, the behavior of a mixed gas of 100 ppm of CO and 300 ppm of hydrogen and the behavior in 1000 ppm of hydrogen are also shown. As is clear from FIG. 8, the sensitivity to hydrogen is slightly negative. For example, in FIG.
When each point of 100 ppm + 300 ppm of hydrogen is translated in parallel along the drift axis and the intersection with the concentration axis is determined, the obtained concentration range is 80 ppm to 60 ppm of CO. On the other hand, CO100
The distribution of each point in ppm for 5 weeks is narrow, and the point is cross-translated along the drift axis to find the intersection with the concentration axis. The distribution range is about 80 to 120 ppm CO. The reason why the sensitivity to hydrogen is negative is that the signal at 6 seconds has a higher hydrogen sensitivity than the signal at 0 seconds. Therefore, in order to correct this, a phase space consisting of signals at the 0th and 69th seconds is used.

【0037】この場合の同様の5週間の通電データを図
13に示す。図13から明らかなように、水素が発生す
ると69秒目の抵抗値は著しく減少し、濃度軸から極端
に離れた場所にある。そこで濃度軸から図13の下方向
に下降する距離をもって水素濃度を表す信号とする。
FIG. 13 shows the same 5-week energization data in this case. As is apparent from FIG. 13, when hydrogen is generated, the resistance value at the 69th second is significantly reduced, and is located at a place extremely far from the concentration axis. Therefore, a signal representing the hydrogen concentration is defined as the distance from the concentration axis in the downward direction in FIG.

【0038】このような水素検出信号は正確なものでは
なく、図13では斜交座標系を用いていない。しかし小
さな負の水素感度の補正用なので、定量性のない水素検
出信号でも用いることができる。そして水素感度の補正
では、図8で僅かに負になっている水素感度を0に戻
す、即ちCOのみに極めて選択的なCO検出装置を設計
する、あるいはTGS203の本来の特性のようにCO
対水素の相対感度を10:1となるように補正する、の
2通りが考えられる。これらのいずれを選ぶかは、CO
検出装置の設計方針の問題である。
Such a hydrogen detection signal is not accurate, and FIG. 13 does not use an oblique coordinate system. However, since it is used for correcting a small negative hydrogen sensitivity, even a hydrogen detection signal having no quantitative property can be used. Then, in the correction of the hydrogen sensitivity, the hydrogen sensitivity slightly negative in FIG. 8 is returned to 0, that is, a CO detector that is extremely selective only for CO is designed, or the CO characteristic is changed to the original characteristic of the TGS 203 as shown in FIG.
Correcting the relative sensitivity of hydrogen to 10: 1 can be considered. Which of these to choose depends on the CO
This is a matter of the design policy of the detection device.

【0039】[0039]

【ドリフト補正】図14にドリフト補正の原理を示す。
図の実線は濃度軸、破線はドリフト軸である。そして6
5ppm、200ppm,400ppmの3点での基準信号がE
EPROM20に記録されている。測定により、LnR0
とLnR6の2つの次元での位相空間上の点(a,b)が
定まる。またこの位相空間での各基準信号の座標を図1
4のように定める。そして点(a,b)からドリフト軸
に沿って平行移動させ、濃度軸との交点の座標を(e,
f)とする。座標(e,f)が求まれば、濃度軸上の位
置からCO濃度を求めることができる。そして座標
(a,b)から座標(e,f)への移動は、ドリフト軸
に平行な濃度軸への射影である。
[Drift correction] FIG. 14 shows the principle of drift correction.
The solid line in the figure is the concentration axis, and the broken line is the drift axis. And 6
The reference signal at three points of 5 ppm, 200 ppm and 400 ppm is E
It is recorded in the EPROM 20. By measurement, LnR0
And a point (a, b) on the phase space in two dimensions of LnR6. The coordinates of each reference signal in this phase space are shown in FIG.
Determined as in 4. Then, the object is translated from the point (a, b) along the drift axis, and the coordinates of the intersection with the concentration axis are (e,
f). Once the coordinates (e, f) are obtained, the CO concentration can be obtained from the position on the concentration axis. The movement from the coordinates (a, b) to the coordinates (e, f) is a projection onto the density axis parallel to the drift axis.

【0040】なお射影の手法は任意で、例えば図14の
位相空間上にCO濃度を示すデータを書き込んで2次元
のマップとし、マップ上の位置からCO濃度を求めても
良い。そしてマップが粗く各座標に直接対応するデータ
が無いことは、マップの各点間の補間で処理すれば良
い。あるいは各基準点(l,m),(e,f),(q,
r)からドリフト軸に平行な3本の線を引き、各線上に
CO濃度に対する補正値を書き込み、濃度軸上では補正
値は1とする。そしてドリフトによる高抵抗化を補正す
るように、補正値を定める。そして測定点を通るように
濃度軸を平行移動させ、両側の2つの補正線との交点を
求め、各補正線での補正値を求めて補間する。このよう
にして求めた補正値で0秒目のセンサ抵抗の対数を補正
し、CO濃度に換算する。これらの変形例では、射影の
制限を補正線での補正値やマップの値に反映させること
ができ、射影への微細な操作が容易である。
The projection method may be arbitrarily determined. For example, data indicating the CO concentration may be written in the phase space of FIG. 14 to form a two-dimensional map, and the CO concentration may be obtained from the position on the map. The fact that the map is coarse and there is no data directly corresponding to each coordinate may be processed by interpolation between each point of the map. Alternatively, each reference point (l, m), (e, f), (q,
From r), three lines parallel to the drift axis are drawn, and a correction value for the CO concentration is written on each line, and the correction value is set to 1 on the concentration axis. Then, a correction value is determined so as to correct the increase in resistance due to the drift. Then, the density axis is moved in parallel so as to pass through the measurement point, the intersection point between the two correction lines on both sides is obtained, and the correction value at each correction line is obtained and interpolated. The logarithm of the sensor resistance at the 0th second is corrected by the correction value thus obtained, and is converted into a CO concentration. In these modified examples, the restriction of the projection can be reflected on the correction value of the correction line and the value of the map, and a fine operation on the projection is easy.

【0041】[0041]

【温湿度依存性】図16に別の10個のTGS203に
ついて、CO100ppm中での0℃,相対湿度約96%
と、20℃相対湿度65%との間の抵抗値の比を示す。
横軸は温度変化でのタイミングである。温湿度依存性の
大部分は0秒目と6秒目とのドリフト補正の副作用とし
て補正される。
[Temperature and Humidity Dependence] FIG. 16 shows another 10 TGS203s at 0 ° C. and a relative humidity of about 96% in 100 ppm CO.
And the ratio of the resistance value between 20 ° C. and 65% relative humidity.
The horizontal axis represents the timing of the temperature change. Most of the temperature-humidity dependence is corrected as a side effect of drift correction at the 0th and 6th seconds.

【0042】図17に同じ10個のTGS203につい
て、CO100ppm中での50℃,相対湿度約40%
と、20℃相対湿度65%との間の抵抗値の比を示す。
温湿度依存性の大部分は0秒目と6秒目とのドリフト補
正の副作用として補正される。
Referring to FIG. 17, the same ten TGS203s were measured at 50 ° C. and a relative humidity of about 40% in 100 ppm of CO.
And the ratio of the resistance value between 20 ° C. and 65% relative humidity.
Most of the temperature-humidity dependence is corrected as a side effect of drift correction at the 0th and 6th seconds.

【0043】[0043]

【信号処理】図18〜図23に、CO濃度の算出を示
す。図18はメインループを示し、最初に測定データか
ら、a,b,cの3つの変数を定義する。次に温度補正
のサブルーチン(図19)、ドリフト補正のサブルーチ
ン(図20),水素補正のサブルーチン(図21)によ
りCO濃度を求める。最後にCO濃度から血中COヘモ
グロビン濃度COHbを求める。なおCOHbの初期値
はリセット時には0としておく。この変換自体は既に周
知で、k2,k3,k4は定数で、k4はここでは検出
下限以下のCO30ppm程度に相当する値とし、CO濃
度が30ppm以下では検出を行わないようにする。
[Signal Processing] FIGS. 18 to 23 show the calculation of the CO concentration. FIG. 18 shows a main loop. First, three variables a, b, and c are defined from measurement data. Next, the CO concentration is obtained by a temperature correction subroutine (FIG. 19), a drift correction subroutine (FIG. 20), and a hydrogen correction subroutine (FIG. 21). Finally, the blood CO hemoglobin concentration COHb is determined from the CO concentration. The initial value of COHb is set to 0 at the time of reset. This conversion itself is already known, and k2, k3, and k4 are constants. Here, k4 is a value corresponding to about 30 ppm of CO, which is equal to or less than the lower limit of detection, and detection is not performed when the CO concentration is 30 ppm or less.

【0044】[0044]

【温度補正サブルーチン】図19の温度補正サブルーチ
ンでは、サーミスタ42から周囲温度Tを求める。プロ
グラムメモリー34には、周囲温度からa,b,cに対
する補正常数T1,T2,T3の参照表が用意され、こ
れを読み出してa,b,cに加算する。
[Temperature Correction Subroutine] In the temperature correction subroutine of FIG. A reference table of correction constants T1, T2, and T3 for a, b, and c from the ambient temperature is prepared in the program memory 34, and is read and added to a, b, and c.

【0045】[0045]

【ドリフト補正サブルーチン】図20にドリフト補正サ
ブルーチンを示す。ドリフト軸の傾きは1で、(e−
a)と(f−b)は等しい。このため f=e+(b−
a) が成立する。そこでe,fの2つの未知数の1つ
を消去できる。次に、n−pがa−b以上かどうかチェ
ックする。この条件が不成立の場合、測定点は200pp
mからドリフト軸を延ばした際にドリフト軸の下側にあ
り、検出濃度は200ppm以下である。次に点(e,
f)は65ppmと200ppmの2つの基準信号で定まる線
分を内分している。このことからe,fは65ppmや2
00ppmでの基準信号の座標n,p,q,rと1つの関
係式に拘束され、これらを用いて座標eを解くことがで
きる。
[Drift Correction Subroutine] FIG. 20 shows a drift correction subroutine. The inclination of the drift axis is 1, and (e-
a) and (fb) are equal. Therefore, f = e + (b−
a) is established. Therefore, one of the two unknowns e and f can be deleted. Next, it is checked whether np is equal to or larger than ab. If this condition is not satisfied, the measurement point is 200pp
When the drift axis is extended from m, it is below the drift axis, and the detected concentration is 200 ppm or less. Next, the point (e,
f) internally divides a line segment defined by two reference signals of 65 ppm and 200 ppm. From this, e and f are 65 ppm or 2 ppm.
The coordinates n, p, q, and r of the reference signal at 00 ppm are constrained by one relational expression, and the coordinates e can be solved using these.

【0046】求めたeには射影の制限がなく、濃度軸か
ら極端に離れた点でも、濃度軸の近傍でも同様に射影し
ている。また濃度軸の上下で射影は対称である。これに
対して、濃度軸から高抵抗側へのドリフトが著しいほ
ど、射影を制限してドリフトの一部のみを補正するよう
にすることが好ましい。また濃度軸から低抵抗側にドリ
フトした場合には、高抵抗側へのドリフトよりも補正を
控え目にすることが好ましい。さらにCO30ppm程度
でのドリフト軸の傾きは、100ppm以上でのドリフト
軸の傾きよりも僅かに大きく、濃度毎にドリフト軸の傾
きを変えるのが好ましい。また30ppmのCOは無害で
検出対象に含まれず、このような低濃度域のCOに対し
てドリフト補正を行う必要が無い。そこで図22に示す
ように、濃度軸の上下で補正を非対称にし、かつ濃度軸
からの距離が増すとドリフトを部分的に補正することが
好ましい。
There is no restriction on the projection of the obtained e, and the projection is similarly performed at a point extremely distant from the density axis and in the vicinity of the density axis. The projection is symmetrical above and below the density axis. On the other hand, as the drift from the concentration axis to the high resistance side becomes remarkable, it is preferable to limit the projection and correct only a part of the drift. In addition, when drifting from the concentration axis to the low resistance side, it is preferable to make correction more conservative than drift to the high resistance side. Further, the inclination of the drift axis at about 30 ppm of CO is slightly larger than the inclination of the drift axis at 100 ppm or more, and it is preferable to change the inclination of the drift axis for each concentration. Also, 30 ppm of CO is harmless and is not included in the detection target, and there is no need to perform drift correction on CO in such a low concentration range. Therefore, as shown in FIG. 22, it is preferable to make the correction asymmetric above and below the density axis, and to partially correct the drift as the distance from the density axis increases.

【0047】マップを用いる場合やドリフト軸をCO濃
度毎に複数容易する場合は、上記の処理はマップ内のデ
ータの操作やドリフト軸の傾きの操作で処理できる。し
かし実施例では、eを求めた後にプログラムメモリー3
4に記憶させた2次元の参照表で、上記の処理を行う。
この参照表の見出しは(e−a)とeで、(e−a)は
濃度軸からの距離に比例する。また(e−a)の符号
は、濃度軸の上下で反転する。eの値はCO濃度を示
し、低濃度域の処理か高濃度域の処理かはeの値で判明
する。そこで(e−a)とeに応じて、eの値を参照表
から更新すれば、濃度軸の上下で非対称で、濃度軸から
の距離の大きな領域で補正を控え目にし、低濃度域で補
正を控え目にすることができる。ただし図22に対応す
る処理は行わなくても良い。
When a map is used or when a plurality of drift axes are provided for each CO concentration, the above processing can be performed by manipulating the data in the map or manipulating the inclination of the drift axis. However, in the embodiment, after e is obtained, the program memory 3
The above-described processing is performed using the two-dimensional lookup table stored in step S4.
The headings of this look-up table are (ea) and e, where (ea) is proportional to the distance from the concentration axis. The sign of (ea) is inverted above and below the density axis. The value of e indicates the CO concentration, and the processing of the low concentration area or the processing of the high concentration area is determined by the value of e. Therefore, if the value of e is updated from the look-up table in accordance with (ea) and e, the correction is conservative in an area that is asymmetrical above and below the density axis and large in distance from the density axis, and is corrected in a low density area. Can be modest. However, the processing corresponding to FIG. 22 may not be performed.

【0048】値eが最終的に判明すると、65ppmと2
00ppm間の線分の内分比yを求める。yが0でCO濃
度が200ppm、yが1でCO濃度が65ppmである。こ
の間には約3倍のCO濃度の変化があり、これをそのま
ま解くと、exp(y)の級数展開で2次以上の項が必
要になるので、65ppmと200ppmの中点を考え、これ
よりも200ppm寄りでは、200ppmの濃度を元に級数
展開し、これよりも65ppm寄りでは65ppmの濃度を元
に級数展開する。このようにすればexp(y)=1+
y と近似しても、ほとんど近似誤差は生じない。この
ようにして水素濃度の補正前のCO濃度が定まる。
When the value e is finally found, 65 ppm and 2
The internal division ratio y of the line segment between 00 ppm is determined. When y is 0, the CO concentration is 200 ppm, and when y is 1, the CO concentration is 65 ppm. During this period, there is a change in the CO concentration about three times, and if this is solved as it is, a second-order or higher term is required in the series expansion of exp (y), so consider the midpoint between 65 ppm and 200 ppm. In the vicinity of 200 ppm, the series is developed based on the concentration of 200 ppm, and in the vicinity of 65 ppm, the series is developed based on the concentration of 65 ppm. In this way, exp (y) = 1 +
Even when approximating y, there is almost no approximation error. In this way, the CO concentration before the correction of the hydrogen concentration is determined.

【0049】さて求めた位相点がCO200ppmを通る
ドリフト軸よりも上側にある場合、CO濃度は200pp
mを越えている。そこでこの場合EEPROM20にア
クセスし、CO400ppmの基準信号を読み出す。以下
同様にしてCO濃度を求める。この場合の処理はCO6
5ppmと200ppmの2つの基準信号を用いた場合の処理
と同様で、CO65ppmの基準信号の代わりにCO40
0ppmの基準信号を用いればよい。
If the phase point obtained is above the drift axis passing through 200 ppm of CO, the CO concentration is 200 pp
m is exceeded. Therefore, in this case, the EEPROM 20 is accessed to read the reference signal of 400 ppm of CO. Hereinafter, the CO concentration is determined in the same manner. The processing in this case is CO6
This is the same as the process when two reference signals of 5 ppm and 200 ppm are used.
A reference signal of 0 ppm may be used.

【0050】温湿度依存性には図23のようなガス濃度
依存性があり、低濃度域と高濃度域とでは温湿度依存性
が異なる。しかし温湿度補正サブルーチンの段階ではC
O濃度は不明である。そこでCO濃度を仮に求めた後
に、周囲温度Tと仮に求めたCO濃度とからプログラム
メモリー34に記憶させた2次元の参照表を用い、CO
濃度を再補正する。これは温湿度依存性のCO濃度依存
性を無視して1次近似し、求めた仮のCO濃度を用いて
温湿度依存性のCO濃度依存性を再補正する手法であ
る。参照表には仮のCO濃度と周囲温度とを見出しとし
てCO濃度の増減量を記憶させ、この値を加えて再度C
O濃度を求める。図23に対応する処理は省略可能であ
る。
The temperature / humidity dependence has a gas concentration dependence as shown in FIG. 23, and the temperature / humidity dependence is different between the low concentration region and the high concentration region. However, at the stage of the temperature / humidity correction subroutine, C
O concentration is unknown. Therefore, after temporarily calculating the CO concentration, a two-dimensional look-up table stored in the program memory 34 from the ambient temperature T and the temporarily determined CO concentration is used.
Re-correct the density. This is a method of first-order approximation ignoring the temperature-humidity dependence of the CO concentration, and re-correcting the temperature-humidity dependence of the CO concentration using the obtained temporary CO concentration. In the lookup table, the amount of increase or decrease in the CO concentration is stored using the provisional CO concentration and the ambient temperature as headings.
Obtain the O concentration. The processing corresponding to FIG. 23 can be omitted.

【0051】[0051]

【水素補正サブルーチン】CO濃度が求まると水素補正
を施す。その処理を図21に、その原理を図15に示
す。0秒目の抵抗値の対数と69秒目の抵抗値の対数で
定まる2次元位相空間において、測定点の座標が(a,
c)であるとする。これを65ppm,200ppm,400
ppmの濃度軸へ図15の垂直上方に移動させた際の交点
を(a,g)とする。そしてgとcとの差をhとし、h
によって水素濃度が定まるものとする。この場合aの値
がnを越えるか否かから、基準信号として400ppmの
信号を用いる必要があるか否かを判別し、aがn以下の
場合、EEPROM20にアクセスして400ppmの基
準信号を読み出す。そして点(a,g)が200ppmの
基準信号と400ppmの基準信号を結ぶ線分上にあるこ
とから、座標gについて1つの式が発生し、これからg
を求めることができる。gが求まればhが求まり、例え
ばk1を適当な正の定数として、図12のメインループ
で求めたCO濃度にk1×hを加算する。ここでの加算
の基準としては、例えばCO検出装置の水素濃度依存性
が0となるようにする、あるいはCO対水素の相対感度
が10:1等の適当な値となるようにする。aがnより
も大きい場合、即ち図15で求めた座標点(a,c)が
200ppmの基準信号よりも右側にある場合、65ppmと
200ppmの基準信号を用いる。そして前記と同様にし
てhを求め、水素濃度の補正を行う。
[Hydrogen correction subroutine] When the CO concentration is determined, hydrogen correction is performed. FIG. 21 shows the processing, and FIG. 15 shows the principle. In a two-dimensional phase space defined by the logarithm of the resistance value at 0 seconds and the logarithm of the resistance value at 69 seconds, the coordinates of the measurement point are (a,
c). This is 65ppm, 200ppm, 400
The intersection at the time of moving vertically upward in FIG. 15 to the concentration axis of ppm is defined as (a, g). Then, the difference between g and c is h, and h
The hydrogen concentration is determined by the In this case, it is determined whether or not it is necessary to use a signal of 400 ppm as a reference signal from whether or not the value of a exceeds n. If a is equal to or less than n, the EEPROM 20 is accessed to read the reference signal of 400 ppm. . Since the point (a, g) is on the line connecting the 200 ppm reference signal and the 400 ppm reference signal, one equation is generated for the coordinate g, and g
Can be requested. When g is obtained, h is obtained. For example, k1 × h is added to the CO concentration obtained in the main loop of FIG. 12, for example, using k1 as an appropriate positive constant. As a criterion for the addition, for example, the hydrogen concentration dependency of the CO detector is set to 0, or the relative sensitivity of CO to hydrogen is set to an appropriate value such as 10: 1. When a is larger than n, that is, when the coordinate point (a, c) obtained in FIG. 15 is on the right side of the reference signal of 200 ppm, the reference signals of 65 ppm and 200 ppm are used. Then, h is obtained in the same manner as described above, and the hydrogen concentration is corrected.

【0052】[0052]

【ガスセンサの情報次元】ガスセンサが含む独立した信
号の数を情報次元と呼ぶことにする。情報次元はエント
ロピーを基礎として情報科学で明確に定義された概念で
あるが、ここでは単に独立した信号の数を定性的に求め
て情報次元と呼ぶ。既に述べたように、0秒目の信号と
6秒目の信号との組合せでCO濃度とドリフトの程度と
を知ることができ、0秒目の信号と69秒目の信号の組
合せでH2濃度を知ることができた。
[Information dimension of gas sensor] The number of independent signals included in the gas sensor will be referred to as information dimension. The information dimension is a concept clearly defined in the information science on the basis of entropy, but here, the number of independent signals is simply qualitatively determined and called the information dimension. As described above, the CO concentration and the degree of drift can be known from the combination of the signal at the 0th second and the signal at the 6th second, and the H2 concentration can be determined from the combination of the signal at the 0th second and the signal at the 69th second. I was able to know.

【0053】図24は別の40個のTGS203につい
て、0℃相対湿度96%と20℃,65%,50℃40
%での温湿度依存性を、CO30ppm,100ppm,30
0ppmについて示したものである。0℃では20℃や5
0℃とは別のライン上に位相点が存在し、絶対湿度の低
下を検出することができる。なおTGS203の温湿度
依存性は周知のように、主として絶対湿度依存性であ
る。
FIG. 24 shows another 40 TGS 203 at 0 ° C. relative humidity 96%, 20 ° C., 65%, 50 ° C. 40
% Dependence on temperature and humidity in CO30ppm, 100ppm, 30ppm
This is for 0 ppm. 20 ° C or 5 at 0 ° C
A phase point exists on a line different from 0 ° C., and a decrease in absolute humidity can be detected. As is well known, the TGS 203 mainly depends on the absolute humidity.

【0054】TGS203の温度波形を用いると、C
O,ドリフト,水素,絶対湿度(図24)の4種の信号
を得ることができる。一方TGS203の温度波形の他
者相関データ(サンプリングタイミングを変えた信号を
他者信号と見なした際の相関)からは、低温域の後期,
高温域の初期,高温域の後期,低温域の初期の4つに温
度波形を分類できることが分かる。またTGS203の
特性に影響するのは、CO,水素,絶対湿度,ドリフト
の4者である。これらのことからTGS203の温度波
形はCO,水素,絶対湿度,ドリフトの4つの信号を含
んでおり、TGS203の温度波形の情報次元は4次元
であるといえる。
Using the temperature waveform of TGS203, C
Four kinds of signals of O, drift, hydrogen, and absolute humidity (FIG. 24) can be obtained. On the other hand, from the other correlation data of the temperature waveform of the TGS 203 (correlation when the signal whose sampling timing is changed is regarded as the other signal),
It can be seen that the temperature waveforms can be classified into four stages: an early high-temperature region, a late high-temperature region, and an early low-temperature region. The characteristics of the TGS 203 are affected by four factors: CO, hydrogen, absolute humidity, and drift. From these facts, it can be said that the temperature waveform of the TGS 203 includes four signals of CO, hydrogen, absolute humidity, and drift, and the information dimension of the temperature waveform of the TGS 203 is four-dimensional.

【0055】[0055]

【ガスセンサの選別】[Selection of gas sensor]

【0056】[0056]

【温度波形の分散】図25は、図8のドリフト特性中の
不良品7個の特性を示す。同様に図26は、図8のドリ
フト特性中の2年以上放置したサンプル8個の特性を示
す。図25と図8とを比較するとドリフト軸から離れた
サンプルは図25に表れ、不良品ではドリフト補正の精
度が低いことが分かる。同様に図26と図8とを比較す
ると、2年以上放置したサンプルではドリフトは小さ
く、しかもドリフト軸に集中して、きわめて扱い易いサ
ンプルであることが分かる。
[Dispersion of Temperature Waveform] FIG. 25 shows the characteristics of seven defective products in the drift characteristics of FIG. Similarly, FIG. 26 shows the characteristics of eight samples left for two years or more in the drift characteristics of FIG. A comparison between FIG. 25 and FIG. 8 shows that a sample far from the drift axis appears in FIG. 25, and that the accuracy of drift correction is low for a defective product. Similarly, comparing FIG. 26 with FIG. 8, it can be seen that the sample left undisturbed for two years or more has a small drift and is concentrated on the drift axis and is extremely easy to handle.

【0057】図27〜34は通電開始3日目での図8の
各グループの温度波形を示し、図27,図31は不良品
の波形を、図28,図32は2年以上放置したサンプル
の波形を、図29,図33は良品20個からランダム抽
出した10個の波形を、図30,図34は返却品10個
の波形を示す。図27〜図30では、空気中(最も高抵
抗なライン)、CO30ppm中,100ppm中,300pp
m中のラインを示し、CO100ppmでは抵抗値の最大と
最小の範囲を示した。これ以外に70秒目付近に抵抗値
の谷があるラインは、CO100ppm+H2300ppmの
ラインである。また図の右端の数字の内、正の数字はC
O100ppmの抵抗値の平均で、負の数字はガス濃度依
存性を示している。同様に図31〜図34はCO100
ppm中での個々のセンサの温度波形を示している。
FIGS. 27 to 34 show the temperature waveforms of each group in FIG. 8 on the third day from the start of energization. FIGS. 27 and 31 show the waveforms of defective products, and FIGS. 28 and 32 show the samples left for two years or more. 29 and 33 show 10 waveforms randomly extracted from 20 non-defective products, and FIGS. 30 and 34 show waveforms of 10 returned products. 27 to 30, in air (the line with the highest resistance), in CO 30 ppm, in 100 ppm, 300 pp
The line in m indicates the range of the maximum and minimum resistance values at 100 ppm of CO. In addition, a line having a valley of resistance near the 70th second is a line of 100 ppm of CO + 300 ppm of H2. Positive numbers are C
On the average of the resistance values of 100 ppm of O, negative numbers indicate gas concentration dependence. Similarly, FIG. 31 to FIG.
3 shows temperature waveforms of individual sensors in ppm.

【0058】図27と図28を比べると、図27の不良
品では温度波形の分散が大きく、図28のサンプルは温
度波形の分散が小さく、図29,30のサンプルでは分
散は中程度である。この特徴は図31,図32でも明ら
かで、図31の不良品では温度波形の分散が著しく、図
32の放置サンプルでは分散が4グループ中で最小であ
る。そして図33,図34のサンプルは温度波形の分散
が中程度である。
When comparing FIGS. 27 and 28, the variance of the temperature waveform is large in the defective product of FIG. 27, the variance of the temperature waveform is small in the sample of FIG. 28, and the variance is medium in the samples of FIGS. . This characteristic is also evident in FIGS. 31 and 32. In the defective product shown in FIG. 31, the dispersion of the temperature waveform is remarkable, and in the sample left as shown in FIG. The samples of FIGS. 33 and 34 have a medium temperature waveform dispersion.

【0059】上記のことをまとめると、ドリフト補正の
成否,即ちドリフトが特定のドリフト軸に沿って進行す
るか否かは、温度波形の分散の程度で定まる。そして温
度波形の分散の小さなサンプルを用いると、ドリフトは
ドリフト軸に沿って狭い幅で進行する。このことは、標
準波形、例えば図28の波形に近い波形のサンプル程優
れたセンサであり、図29,30が許容範囲の限界で、
図27のサンプルの内で波形平均からのずれが大きいサ
ンプルを排除する必要があることを示している。なお図
27〜図30から明らかなように、CO100ppm中で
の抵抗値の平均には4グループとも差が無く、不良品中
の最も高抵抗なサンプルを除いては、CO100ppm中
での抵抗値はいずれも1〜10KΩの範囲にある。図2
7のサンプルが不良品とされた原因は、選別を行った日
においてCO100ppm中での抵抗値が10KΩを超え
ていたことで、日を変えて測定すれば(実施例では数カ
月放置した後に再測定)図27の特性が得られるのであ
る。発明者は、図8に用いた4グループに付いて温度波
形の経時的変化を測定したが、不良品のグループが最も
平均波形からの分散が大きく、2年以上放置したサンプ
ルが最も平均波形に近い、分散の小さな分布を示すこと
は変わらなかった。
Summarizing the above, the success or failure of the drift correction, that is, whether or not the drift proceeds along a specific drift axis is determined by the degree of dispersion of the temperature waveform. When a sample having a small variance of the temperature waveform is used, the drift proceeds with a narrow width along the drift axis. This means that a sample having a waveform closer to the standard waveform, for example, the waveform shown in FIG. 28 is a better sensor, and FIGS.
This indicates that it is necessary to exclude a sample having a large deviation from the waveform average among the samples in FIG. As is clear from FIG. 27 to FIG. 30, there is no difference between the four groups in the average of the resistance values at 100 ppm CO, and the resistance value at 100 ppm CO is reduced except for the sample with the highest resistance among the defective products. All are in the range of 1 to 10 KΩ. FIG.
The reason why the sample No. 7 was determined to be defective was that the resistance value in 100 ppm of CO exceeded 10 KΩ on the day of the screening, and if the measurement was performed on a different day (in the example, the measurement was performed after being left for several months and then re-measured). 27) The characteristic shown in FIG. 27 is obtained. The inventor measured the temporal change of the temperature waveforms for the four groups used in FIG. 8, and the group of defective products has the largest variance from the average waveform, and the sample left for two years or longer has the most average waveform. Still showing a close, small distribution of variance.

【0060】図25,図31にセンサ番号を記入した。
図31で平均波形からのずれが大きいのは27,28,
30で、平均波形に近いものは24,25,26,29
である。図25では、CO100ppm中でのドリフト
で、軸からのずれが大きいものに27,30が含まれ、
軸に沿ったデータに24,25,26,29が含まれて
いる。このように平均波形からのずれが大きいサンプル
は、ドリフトでも他のサンプルとは異なった挙動を示
す。
The sensor numbers are shown in FIGS.
The large deviation from the average waveform in FIG.
30 and those close to the average waveform are 24, 25, 26, 29
It is. In FIG. 25, 27 and 30 are included in the drift in the CO of 100 ppm and the deviation from the axis is large.
Data along the axis include 24, 25, 26, and 29. Thus, the sample having a large deviation from the average waveform shows a different behavior from the other samples even in the drift.

【0061】[0061]

【選別方法】図35にフーリエ変換を用いたガスセンサ
の選別方法を示す。ガスセンサを検出対象ガス中で温度
変化させ、例えばここではCO100ppm中で60秒高
温域,90秒低温域で温度変化させる。温度波形の分散
の程度は1つのガス濃度中で測定すれば充分で、選別に
も1つのガス濃度中での温度波形を用いれば充分であ
る。また温度変化の条件は、ガスセンサの実使用時の温
度変化と同じにすることが好ましいが、これに限るもの
ではない。そして温度変化の過程で、例えば10点,こ
こでは60点のガスセンサ信号をサンプリングし、Ln
Rst(Rsはセンサ信号,tはサンプリングポイント
を示す)を求める。
[Selection Method] FIG. 35 shows a method for selecting a gas sensor using the Fourier transform. The temperature of the gas sensor is changed in the gas to be detected. For example, in this case, the temperature is changed in a high temperature range of 60 seconds and a low temperature range of 90 seconds in 100 ppm of CO. It is sufficient to measure the degree of dispersion of the temperature waveform in one gas concentration, and it is sufficient to use the temperature waveform in one gas concentration for selection. The temperature change condition is preferably the same as the temperature change during actual use of the gas sensor, but is not limited to this. In the course of the temperature change, for example, gas sensor signals at 10 points, here 60 points, are sampled, and Ln is sampled.
Rst (Rs indicates a sensor signal and t indicates a sampling point) is obtained.

【0062】求めたセンサ信号の温度波形をフーリエ変
換する。フーリエ変換に変えてラプラス変換等を用いて
もよく、ガスセンサ信号の温度波形の母関数を求める変
換で有れば良い。フーリエ変換で得られた直流成分をD
1,サイン成分をR1〜R15,コサイン成分をD1〜
D15とする。フーリエ変換の基本周波数は、例えば6
0秒と90秒の最小公倍数の180秒とする。ここでR
15やI15までの成分を求めたのは、高温域の初期の
抵抗値の谷が約3秒目に生じ、周期約12秒に対応する
からである。そしてこれは方形波状のヒータ波形を用い
たからで、サイン波や鋸波等のヒータ波形を用いれば、
例えばR4やI4までの変換で充分でサンプリングポイ
ントも例えば10点で充分である。
The Fourier transform is performed on the temperature waveform of the obtained sensor signal. A Laplace transform or the like may be used instead of the Fourier transform, and any transform may be used as long as the transform finds a generating function of the temperature waveform of the gas sensor signal. The DC component obtained by the Fourier transform is D
1, the sine components are R1 to R15, and the cosine components are D1 to
D15. The fundamental frequency of the Fourier transform is, for example, 6
It is 180 seconds, which is the least common multiple of 0 seconds and 90 seconds. Where R
The components 15 and I15 were obtained because a valley of the initial resistance value in the high temperature region occurs at about 3 seconds, corresponding to a cycle of about 12 seconds. And this is because a heater waveform of a square wave was used, and if a heater waveform such as a sine wave or a sawtooth wave is used,
For example, conversion up to R4 or I4 is sufficient, and sampling points, for example, 10 are sufficient.

【0063】次に得られたフーリエ変換の値を正規化
し、ここでは直流成分D1の値で正規化する。正規化に
は比に変えて差等を用いてもよく、またD1,R1〜R
15,I1〜I15等の重み付き平均等で正規化しても
良い。
Next, the value of the obtained Fourier transform is normalized, and here, it is normalized by the value of the DC component D1. For the normalization, a difference or the like may be used instead of the ratio.
15, I1 to I15 and the like may be used for normalization.

【0064】別途に好ましい特性を示すことを確認済み
のサンプルの温度波形、例えば実施例では図32の温度
波形の平均値、を求め、これを同様にフーリエ変換し正
規化して標準波形とする。正規化した標準波形と測定し
た標準波形を比較し、類似度Sを求める。なお正規化は
類似度を求める前に行い、これは抵抗値の大小をマスク
するためである。類似度はR1〜R15,I1〜I15
で定まる30次元空間での距離として定義でき、直流成
分D1は正規化で用いたので類似度には考慮しない。そ
して距離にはトポロジーで知られる様々な距離を用いれ
ばよく、ここでは単純にR1〜R15,I1〜I15の
各次元について、距離の重みAi,Biを用意し、標準
波形でのデータRs1〜Rs15,Is1〜Is15と
の差の絶対値を加算した。このようにして求めた類似度
Sは波形の類似性が高いときに小さくなり、Sが所定値
以下のセンサを良品として選別する。
A temperature waveform of a sample that has been separately confirmed to exhibit preferable characteristics, for example, an average value of the temperature waveform in FIG. 32 in the embodiment, is obtained, and similarly Fourier-transformed and normalized to obtain a standard waveform. The normalized standard waveform is compared with the measured standard waveform to determine the similarity S. Note that the normalization is performed before obtaining the similarity, and this is for masking the magnitude of the resistance value. The similarity is R1 to R15, I1 to I15
Can be defined as a distance in a 30-dimensional space determined by the following equation. Since the DC component D1 is used for normalization, it is not considered in the similarity. Various distances known in the topology may be used for the distance. Here, distance weights Ai and Bi are simply prepared for each dimension of R1 to R15 and I1 to I15, and data Rs1 to Rs15 in a standard waveform are prepared. , Is1 to Is15 are added. The similarity S obtained in this way becomes smaller when the similarity of the waveforms is high, and sensors having S equal to or less than a predetermined value are selected as non-defective products.

【0065】図36に相関関数の値を用いた実施例を示
し、フーリエ変換に変えて相関関数を用いることと、相
関関数を用いるので例えば4点,好ましくは10点以上
のセンサ信号を正規化後に比較すればよく、サンプリン
グポイントが減少すること以外は、同様である。例えば
CO100ppm中で10点でのセンサ信号Rstの対数
を求める。TGS203の情報次元は4次元で、温度波
形の比較には少なくとも4つの信号が必要である。また
例えば高温域の末期と低温域の末期の2点の信号のみを
サンプリングすると、これは温度波形を代表する信号と
しては余りにも粗い。3点の信号では、直流成分に1次
元を割り当て、これ以外の交流成分に2次元を割り当て
たことになり、温度波形を代表する信号を得たことには
ならない。そこで最小限のサンプリングポイントは4点
で、好ましくは10点以上である。
FIG. 36 shows an embodiment using the value of the correlation function. The correlation function is used instead of the Fourier transform, and the sensor signal at, for example, 4 points, preferably 10 points or more is normalized because the correlation function is used. The comparison may be made later, and the same applies except that the number of sampling points decreases. For example, the logarithm of the sensor signal Rst at 10 points in 100 ppm of CO is obtained. The information dimension of the TGS 203 is four-dimensional, and at least four signals are required to compare the temperature waveforms. For example, if only two signals at the end of the high-temperature region and the end of the low-temperature region are sampled, this is too coarse as a signal representing the temperature waveform. In the three-point signal, one dimension is assigned to the DC component, and two dimensions are assigned to the other AC components, and a signal representative of the temperature waveform is not obtained. Therefore, the minimum number of sampling points is four, preferably ten or more.

【0066】サンプリングしたLnRstを例えば0秒
目の信号LnRs0で正規化し、同様に標準波形LnS
tもLnS0で正規化する。次いで相関関数の値Cを、
重み因子Atと測定波形と標準波形の差の絶対値の積和
として求める。Atの定め方は様々で、例えば分散の大
きい成分では寄与を小さくするため、LnRstの分散
の平方根とLnStの分散の平方根の積を用いれば、標
準的な相関関数となる。そして図35と同様に、相関関
数の値が小さいものを良品として選別する。
The sampled LnRst is normalized by, for example, the signal LnRs0 at the 0th second, and the standard waveform LnS
t is also normalized by LnS0. Then, the value C of the correlation function is
It is obtained as the product sum of the weight factor At and the absolute value of the difference between the measured waveform and the standard waveform. There are various ways to determine At. For example, to reduce the contribution of a component having a large variance, a standard correlation function is obtained by using the product of the square root of the variance of LnRst and the square root of the variance of LnSt. Then, similarly to FIG. 35, those having a small correlation function value are selected as non-defective products.

【0067】実施例ではTGS203について測定した
が、ガスセンサの種類は任意で、金属酸化物半導体ガス
センサで有れば良い。実施例ではドリフト特性の揃った
ガスセンサを選別でき、ドリフトを正確に補正できる。
また温度波形が揃っていれば、温湿度の補正(図24)
や水素の検出(図13)でも、優れた結果が得られる。
In the embodiment, the TGS 203 was measured. However, the type of the gas sensor is arbitrary, and it is sufficient that the gas sensor is a metal oxide semiconductor gas sensor. In this embodiment, gas sensors having uniform drift characteristics can be selected, and drift can be accurately corrected.
If the temperature waveforms are uniform, the temperature and humidity are corrected (FIG. 24).
Excellent results are also obtained in the detection of hydrogen and hydrogen (FIG. 13).

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 実施例のガス検出装置のブロック図FIG. 1 is a block diagram of a gas detection device according to an embodiment.

【図2】 実施例のガス検出装置でのRAMの構成を
示す図
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a RAM in the gas detection device of the embodiment.

【図3】 実施例のガス検出装置でのEEPROMの
構成を示す図
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an EEPROM in the gas detection device of the embodiment.

【図4】 実施例で用いたガスセンサの抵抗値の波形
を示す特性図
FIG. 4 is a characteristic diagram showing a waveform of a resistance value of the gas sensor used in the embodiment.

【図5】 実施例で用いたガスセンサの高温域初期の
抵抗値波形を示す特性図
FIG. 5 is a characteristic diagram showing a resistance value waveform of a gas sensor used in an example in an initial high temperature range.

【図6】 実施例のガス検出装置での、サンプリング
アルゴリズムを示すフローチャート
FIG. 6 is a flowchart showing a sampling algorithm in the gas detection device according to the embodiment.

【図7】 実施例のガス検出装置での、調整アルゴリ
ズムを示すフローチャート
FIG. 7 is a flowchart showing an adjustment algorithm in the gas detection device according to the embodiment.

【図8】 実施例での0−6秒平面でのドリフト特性
を示す特性図
FIG. 8 is a characteristic diagram showing a drift characteristic on a 0-6 second plane in the example.

【図9】 実施例での0−12秒平面でのドリフト特
性を示す特性図
FIG. 9 is a characteristic diagram showing a drift characteristic on a 0-12 second plane in the example.

【図10】 実施例での0−30秒平面でのドリフト特
性を示す特性図
FIG. 10 is a characteristic diagram showing a drift characteristic on a 0-30 second plane in the example.

【図11】 実施例での0−60秒平面でのドリフト特
性を示す特性図
FIG. 11 is a characteristic diagram showing a drift characteristic in a 0-60 second plane in the example.

【図12】 実施例での0−120秒平面でのドリフト
特性を示す特性図
FIG. 12 is a characteristic diagram showing a drift characteristic on a 0-120 second plane in the example.

【図13】 実施例での0−69秒平面でのドリフト特
性を示す特性図
FIG. 13 is a characteristic diagram showing a drift characteristic on a 0-69 second plane in the example.

【図14】 実施例でのCO濃度の算出機構を示す特性
FIG. 14 is a characteristic diagram showing a mechanism for calculating the CO concentration in the embodiment.

【図15】 実施例での水素補正を示す特性図FIG. 15 is a characteristic diagram showing hydrogen correction in the embodiment.

【図16】 ガスセンサの20℃−65%RHと0℃間
の温湿度依存性を示す特性図
FIG. 16 is a characteristic diagram showing the temperature / humidity dependency between 20 ° C.-65% RH and 0 ° C. of the gas sensor.

【図17】 ガスセンサの20℃−65%RHと50℃
−40%RH間の温湿度依存性を示す特性図
FIG. 17: 20 ° C.-65% RH and 50 ° C. of the gas sensor
Characteristic diagram showing temperature and humidity dependence between -40% RH

【図18】 実施例での、メインプログラムを示すフロ
ーチャート
FIG. 18 is a flowchart illustrating a main program according to the embodiment.

【図19】 実施例での、温湿度補正を示すフローチャ
ート
FIG. 19 is a flowchart illustrating temperature and humidity correction in the embodiment.

【図20】 実施例での、ドリフト補正を示すフローチ
ャート
FIG. 20 is a flowchart illustrating drift correction in the embodiment.

【図21】 実施例のガス検出装置での、共存水素への
補正を示すフローチャート
FIG. 21 is a flowchart illustrating correction to coexisting hydrogen in the gas detection device according to the embodiment.

【図22】 実施例でのドリフト補正の詳細を示す特性
FIG. 22 is a characteristic diagram showing details of drift correction in the embodiment.

【図23】 実施例での温湿度補正の詳細を示す特性図FIG. 23 is a characteristic diagram showing details of temperature and humidity correction in the embodiment.

【図24】 実施例での9−60秒平面での温湿度特性
を示す特性図
FIG. 24 is a characteristic diagram showing a temperature-humidity characteristic on a 9-60 second plane in the example.

【図25】 不良品7個での0−6秒平面でのドリフト
を示す特性図
FIG. 25 is a characteristic diagram showing drift in a 0-6 second plane in seven defective products.

【図26】 放置サンプル8個での0−6秒平面でのド
リフトを示す特性図
FIG. 26 is a characteristic diagram showing a drift in a plane of 0-6 seconds in eight left samples.

【図27】 不良品7個での、空気中,CO30ppm
中,100ppm中,300ppm中,及びCO100ppm+
H2300ppm中での温度波形を示す特性図
FIG. 27: 30 ppm of CO in air with 7 defective products
Medium, 100ppm, 300ppm, and 100ppm of CO
Characteristic diagram showing temperature waveform in H2 300ppm

【図28】 放置サンプル8個での、空気中,CO30
ppm中,100ppm中,300ppm中,及びCO100ppm
+H2300ppm中での温度波形を示す特性図
FIG. 28: CO30 in air with eight samples left untreated
ppm, 100 ppm, 300 ppm, and 100 ppm CO
Characteristic diagram showing temperature waveform in + H2 300ppm

【図29】 良品10個での、空気中,CO30ppm
中,100ppm中,300ppm中,及びCO100ppm+
H2300ppm中での温度波形を示す特性図
FIG. 29: 10 good products, in air, 30 ppm of CO
Medium, 100ppm, 300ppm, and 100ppm of CO
Characteristic diagram showing temperature waveform in H2 300ppm

【図30】 返却品10個での、空気中,CO30ppm
中,100ppm中,300ppm中,及びCO100ppm+
H2300ppm中での温度波形を示す特性図
FIG. 30: 30 ppm of CO in air with 10 returned products
Medium, 100ppm, 300ppm, and 100ppm of CO
Characteristic diagram showing temperature waveform in H2 300ppm

【図31】 不良品7個でのCO100ppm中での個々
の温度波形を示す特性図
FIG. 31 is a characteristic diagram showing individual temperature waveforms in 100 ppm of CO in seven defective products.

【図32】 放置サンプル8個でのCO100ppm中で
の個々の温度波形を示す特性図
FIG. 32 is a characteristic diagram showing individual temperature waveforms in 100 ppm of CO in eight left samples.

【図33】 良品10個でのCO100ppm中での個々
の温度波形を示す特性図
FIG. 33 is a characteristic diagram showing individual temperature waveforms in 10 good products in 100 ppm of CO.

【図34】 返却品10個でのCO100ppm中での個
々の温度波形を示す特性図
FIG. 34 is a characteristic diagram showing individual temperature waveforms in 100 ppm of CO in 10 returned products.

【図35】 フーリエ変換を用いたガスセンサの選別を
示すフローチャート
FIG. 35 is a flowchart showing selection of a gas sensor using Fourier transform.

【図36】 相関関数の値を用いたガスセンサの選別を
示すフローチャート
FIG. 36 is a flowchart showing selection of a gas sensor using the value of a correlation function.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 金属酸化物半導体 4 直流電源 5 抵抗ラダー 8,48 マイクロコンピュータ 10 バス 12 ADコンバータ 14 抵抗ラダー制御部 16 ヒータ制御部 18 EEPROM制御部 20 EEPROM 22 入出力 23 調整スイッチ 24 リセットスイッチ 26 算術論理演算ユニット 28 シーケンス制御部 30 RAM 32 警報制御部 34 プログラムメモリー 36 駆動回路 38 ブザー 39,40 LED 51〜54 カード 42 サーミスタ 44 温湿度補正部 S 金属酸化物半導体ガスセンサ h1,h2 ヒータ T1,T2 トランジスタ R1〜Rn 抵抗 2 Metal oxide semiconductor 4 DC power supply 5 Resistance ladder 8,48 Microcomputer 10 Bus 12 AD converter 14 Resistance ladder control unit 16 Heater control unit 18 EEPROM control unit 20 EEPROM 22 I / O 23 Adjustment switch 24 Reset switch 26 Arithmetic logic operation unit 28 Sequence control unit 30 RAM 32 Alarm control unit 34 Program memory 36 Drive circuit 38 Buzzer 39, 40 LED 51 to 54 Card 42 Thermistor 44 Temperature / humidity correction unit S Metal oxide semiconductor gas sensor h1, h2 Heater T1, T2 Transistors R1 to Rn resistance

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高松 和子 箕面市船場西1丁目5番3号 フィガロ技 研株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Kazuko Takamatsu 1-3-5 Senba Nishi, Minoh City Inside Figaro Giken Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ヒータとガスにより抵抗値が変化する
金属酸化物半導体とを備えたガスセンサを選別する方法
において、 ガスセンサを検出対象ガス中で温度変化させた際のガス
センサ信号の温度波形を測定し、この温度波形と標準波
形との類似度に基づいてガスセンサを選別することを特
徴とするガスセンサの選別方法。
1. A method for selecting a gas sensor including a heater and a metal oxide semiconductor having a resistance value changed by a gas, comprising: measuring a temperature waveform of a gas sensor signal when the temperature of the gas sensor is changed in a gas to be detected. And selecting a gas sensor based on the similarity between the temperature waveform and the standard waveform.
【請求項2】 前記温度波形として、温度変化過程で
の少なくとも4点のガスセンサ信号を用いることを特徴
とする、請求項1のガスセンサの選別方法。
2. The method according to claim 1, wherein at least four gas sensor signals in a temperature change process are used as the temperature waveform.
【請求項3】 ガスセンサ信号の温度波形と標準波形
とを共に正規化した後に類似度を求めることを特徴とす
る、請求項1のガスセンサの選別方法。
3. The method according to claim 1, wherein the similarity is obtained after normalizing both the temperature waveform and the standard waveform of the gas sensor signal.
【請求項4】 温度波形と標準波形との母関数を求め
て、母関数間の類似度により、ガスセンサの温度波形と
標準波形との類似度を求めることを特徴とする、請求項
1のガスセンサの選別方法。
4. A gas sensor according to claim 1, wherein a generating function between the temperature waveform and the standard waveform is obtained, and a similarity between the temperature waveform and the standard waveform of the gas sensor is obtained based on the similarity between the generating functions. Sorting method.
【請求項5】 温度波形と標準波形との相関関数の値
を求めて、相関関数の値によりガスセンサの温度波形と
標準波形との類似度を求めることを特徴とする、請求項
1のガスセンサの選別方法。
5. The gas sensor according to claim 1, wherein a value of a correlation function between the temperature waveform and the standard waveform is obtained, and a similarity between the temperature waveform and the standard waveform of the gas sensor is obtained from the value of the correlation function. Sorting method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017102132A (en) * 2017-03-09 2017-06-08 富士電機株式会社 Thin film type gas sensor, and checkup method for the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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