JPH117050A - Laser device and projecting method for laser light using the device - Google Patents
Laser device and projecting method for laser light using the deviceInfo
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- JPH117050A JPH117050A JP9958298A JP9958298A JPH117050A JP H117050 A JPH117050 A JP H117050A JP 9958298 A JP9958298 A JP 9958298A JP 9958298 A JP9958298 A JP 9958298A JP H117050 A JPH117050 A JP H117050A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー装置の技
術分野に属する。詳しくは、波長変換されかつ強度変調
されたレーザー光を出射し得るレーザー装置、および該
レーザー光を出射する方法に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention belongs to the technical field of laser devices. More specifically, the present invention relates to a laser device capable of emitting laser light whose wavelength has been converted and intensity-modulated, and a method of emitting the laser light.
【０００２】[0002]
【従来の技術】強度変調されたレーザー光、例えばパル
ス状に強度変調されたレーザー光は、光通信、レーザー
加工、デジタルビデオディスク、距離や形状の計測など
の光源としてその需要が益々増大している。従来、かか
る強度変調されたレーザー光は、レーザーダイオードや
波長変換レーザー装置から連続的に出力されるレーザー
光を、外部に設けられた各種の強度変調器によりパルス
などに強度変調する方法によって得られていた。2. Description of the Related Art Intensity-modulated laser light, for example, pulse-like intensity-modulated laser light, is increasingly demanded as a light source for optical communications, laser processing, digital video discs, distance and shape measurement, and the like. I have. Conventionally, such intensity-modulated laser light is obtained by a method in which laser light continuously output from a laser diode or a wavelength conversion laser device is intensity-modulated into pulses by various intensity modulators provided outside. I was
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、外部に設けら
れた従来の強度変調器は、一般に大がかりで且つ高価で
ある。また課電手段を有する波長変換結晶からなる強度
変調器は、強度変調を行うために該波長変換結晶に±
２，０００〜±２０，０００Ｖ／ｃｍ程度もの大きな電
界強度で変調駆動電圧を課電する必要がある。かかる大
きな電界強度を課電する必要があるために、駆動電源の
小型化、所要電力の低減などの改善が困難となってお
り、また課電に対する種々の保護手段が必要となる問題
がある。However, conventional externally provided intensity modulators are generally bulky and expensive. In addition, an intensity modulator made of a wavelength conversion crystal having a power application means is required to apply ±± to the wavelength conversion crystal in order to perform intensity modulation.
It is necessary to apply a modulation drive voltage with an electric field strength as large as about 2,000 to ± 20,000 V / cm. Since it is necessary to apply such a large electric field strength, it is difficult to improve the drive power supply in size and to reduce the required power, and there is a problem that various protection means for applying the electric power are required.
【０００４】本発明の目的は、上記問題を解決し、自体
の共振器内でレーザー発振したレーザー光を波長変換
し、かつ、従来より低い変調電圧の印加であっても効果
的に強度変調し出射し得るレーザー装置およびそのレー
ザー光の出射方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to convert the wavelength of laser light oscillated by laser within its own resonator, and to effectively modulate the intensity even when a lower modulation voltage is applied than before. An object of the present invention is to provide a laser device capable of emitting light and a method of emitting the laser light.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】通常の波長変換結晶を用
いて強度変調を行うには、該波長変換結晶に前記したよ
うな大きな電界強度を課電する必要があるが、本発明者
らは通常の波長変換結晶および位相変調結晶を、レーザ
ー装置の共振器内に設置した場合には、驚くべき程の低
電界強度の課電にて十分な強度変調が達成される事実を
発見した。本発明は、つぎの特徴を有する。In order to perform intensity modulation using a normal wavelength conversion crystal, it is necessary to apply a large electric field intensity to the wavelength conversion crystal as described above. When ordinary wavelength conversion crystals and phase modulation crystals are installed in the resonator of a laser device, it has been found that sufficient intensity modulation can be achieved by applying a surprisingly low electric field. The present invention has the following features.
【０００６】（１）半導体発光素子を発光部とし、また
はレーザー活性媒体を発光部とし、該発光部と、これを
レーザー発振可能に挟んで設けられる共振器とを、基本
波発振手段として有するレーザー装置であって、前記共
振器の内部には、その基本のレーザー発振波長光を非線
形光学効果により波長変換する機能と、電気光学効果に
より位相変調する機能とを有する変調−変換手段がさら
に設けられ、該変調−変換手段のうち位相変調する機能
を有する変調部位に、変調電圧を印加し得るよう電極が
設けられた構成を有することを特徴とする、波長変換さ
れかつ強度変調されたレーザー光を出射し得るレーザー
装置。(1) A laser having a semiconductor light emitting element as a light emitting portion or a laser active medium as a light emitting portion, and having the light emitting portion and a resonator provided so as to be capable of laser oscillation as fundamental wave oscillation means. The apparatus further includes a modulation-conversion unit having a function of wavelength-converting the fundamental laser oscillation wavelength light by a non-linear optical effect and a function of performing phase modulation by an electro-optical effect inside the resonator. A modulation portion having a function of performing phase modulation in the modulation-conversion means, wherein an electrode is provided so that a modulation voltage can be applied, wherein the wavelength-converted and intensity-modulated laser light is A laser device that can emit light.
【０００７】（２）基本波発振手段で発振したレーザ
ー光を電気光学効果により位相変調する機能と非線形光
学効果により波長変換する機能とを有し且つ該基本波発
振手段の共振器内に設置された変調−変換手段と、該
変調−変換手段の位相変調する機能を有する変調部位に
上記電極を通じて±１〜±１０００Ｖ／ｃｍの変調電界
強度を付与し得る課電手段と、を有する上記（１）記載
のレーザー装置。ここで、±１〜±１０００Ｖ／ｃｍの
変調電界強度を付与するとは、±１〜±１０００Ｖ／ｃ
ｍの電界（変調電界）が作用するように変調電圧を印加
することをいう。(2) It has a function of phase-modulating the laser light oscillated by the fundamental wave oscillating means by an electro-optic effect and a function of wavelength conversion by a non-linear optical effect, and is installed in a resonator of the fundamental wave oscillating means. (1) modulating / converting means, and a power applying means capable of applying a modulating electric field intensity of ± 1 to ± 1000 V / cm to the modulation portion having a function of modulating the phase of the modulating / converting means through the electrode. The laser device according to (1). Here, providing a modulation electric field strength of ± 1 to ± 1000 V / cm means ± 1 to ± 1000 V / c.
This means that a modulation voltage is applied so that an m electric field (modulation electric field) acts.
【０００８】（３）変調−変換手段が、電気光学効果に
より位相変調する機能と、非線形光学効果により波長変
換する機能の、両機能を有する結晶からなるものであ
り、該結晶の少なくとも一部に上記電極が設けられてい
る上記（１）記載のレーザー装置。(3) The modulation-conversion means comprises a crystal having both functions of phase modulation by an electro-optic effect and wavelength conversion by a non-linear optical effect. The laser device according to (1), wherein the electrode is provided.
【０００９】（４）上記結晶が、分極反転結晶である上
記（３）記載のレーザー装置。(4) The laser device according to (3), wherein the crystal is a domain-inverted crystal.
【００１０】（５）変調−変換手段が、電気光学効果に
より位相変調する機能を有する位相変調用結晶と、非線
形光学効果により波長変換する機能を有する波長変換用
結晶とからなるものであり、位相変調用結晶に上記電極
が設けられている上記（１）記載のレーザー装置。(5) The modulation-conversion means comprises a phase modulation crystal having a function of modulating phase by an electro-optic effect, and a wavelength conversion crystal having a function of converting wavelength by a non-linear optical effect. The laser device according to (1), wherein the modulation crystal is provided with the electrode.
【００１１】（６）位相変調用結晶と波長変換用結晶の
いずれもが、分極反転結晶である上記（５）記載のレー
ザー装置。(6) The laser device according to the above (5), wherein both the phase modulation crystal and the wavelength conversion crystal are domain-inverted crystals.
【００１２】（７）波長変換用結晶が、反転周期の互い
に異なる二以上の分極反転結晶からなるものである上記
（６）記載のレーザー装置。(7) The laser device according to the above (6), wherein the wavelength conversion crystal comprises two or more domain-inverted crystals having different inversion periods.
【００１３】（８）課電手段が、集中定数型電極または
進行波型電極を有する上記（１）〜（７）のいずれかに
記載のレーザー装置。(8) The laser device according to any one of the above (1) to (7), wherein the power application means has a lumped constant type electrode or a traveling wave type electrode.
【００１４】本発明によるレーザー光の出射方法は、上
記（１）〜（８）のいずれかに記載のレーザー装置を用
い、該装置の共振器内に設けられた変調−変換手段の位
相変調機能を有する変調部位に、変調電圧を±１〜±１
０００Ｖ／ｃｍの電界強度で課電することによって、波
長変換されかつ強度変調されたレーザー光を出射する方
法である。A method for emitting laser light according to the present invention uses the laser device according to any one of the above (1) to (8), and uses a phase modulation function of a modulation-conversion means provided in a resonator of the device. Modulation voltage ± 1 to ± 1
In this method, a wavelength-converted and intensity-modulated laser beam is emitted by applying an electric field with an electric field intensity of 000 V / cm.
【００１５】以下、変調−変換手段のうち、波長変換す
る機能を有する部位を、「波長変換部位」とも呼んで説
明する。また、本発明で言う「電気光学効果により位相
変調する機能」は、電気光学効果を示す機能、即ち、電
圧を印加することによって屈折率が変化する性質を示す
機能が重要な点であって、基本波を位相変調すること
は、その屈折率の変化の結果現れる現象の１つである。
以下、「波長変換部位」に対して、「電気光学効果によ
って位相変調する機能を有する変調部位」を「位相変調
部位」とも呼んで説明するが、前記説明のように「位相
変調部位」は電気光学効果を示すことが重要である。Hereinafter, of the modulation-conversion means, a portion having a function of performing wavelength conversion will be described as a "wavelength conversion portion". In addition, the function of performing phase modulation by the electro-optical effect referred to in the present invention is a function that exhibits an electro-optical effect, that is, a function that exhibits a property of changing the refractive index by applying a voltage, is an important point. Phase modulation of a fundamental wave is one of the phenomena that occurs as a result of the change in the refractive index.
Hereinafter, with respect to the “wavelength conversion portion”, the “modulation portion having a function of performing phase modulation by an electro-optic effect” will be referred to as “phase modulation portion”, but as described above, the “phase modulation portion” It is important to show optical effects.
【００１６】[0016]
【作用】本発明では、レーザー装置におけるレーザー活
性媒体とこれを挟んで設けられる共振器とを基本波発振
手段と呼ぶ。その基本波発振手段において発振したレー
ザー光を、電気光学効果により位相変調する機能と、非
線形光学効果により波長変換する機能とを有する変調−
変換手段を、共振器の外ではなく内に設置する構成とし
ている。この構成によって、位相変調部位に対して、±
１〜±１０００Ｖ／ｃｍ程度の小電界強度が作用するよ
うな電圧を印加するだけで、当該レーザー装置から、波
長変換され強度変調されたレーザー光を出射させること
が可能となる。本発明によって達成し得た前記のような
小電界強度は、従来の強度変調器の駆動に必要であった
電界強度±２，０００〜±２０，０００Ｖ／ｃｍと比較
すると驚くほど小さい。しかも、その小電界強度で良好
に強度変調されたレーザー光を得ることができる。According to the present invention, the laser active medium in the laser device and the resonator provided with the medium are referred to as fundamental wave oscillating means. Modulation having a function of phase-modulating the laser light oscillated by the fundamental wave oscillating means by an electro-optic effect and a function of wavelength-converting by a non-linear optical effect.
The conversion means is provided not inside the resonator but inside. With this configuration, ±
Only by applying a voltage at which a small electric field intensity of about 1 to ± 1000 V / cm acts, it becomes possible to emit laser light whose wavelength has been converted and intensity modulated from the laser device. The above-mentioned small electric field intensity achieved by the present invention is surprisingly small as compared with the electric field intensity of ± 2,000 to ± 20,000 V / cm required for driving the conventional intensity modulator. In addition, laser light whose intensity is well modulated by the small electric field intensity can be obtained.
【００１７】上記のように、本発明のレーザー装置は、
従来にはなかった低い変調電圧でありながら、波長変換
され強度変調されたレーザー光を高い効率にて出射でき
るものである。その理由は、次の幾つかの要因の複合に
よると推定される。As described above, the laser device of the present invention
The laser light whose wavelength has been converted and the intensity of which has been modulated can be emitted with high efficiency while having a low modulation voltage which has not existed conventionally. The reason is presumed to be a combination of the following several factors.
【００１８】（１）波長変換部位の波長変換の特性の変
化に着目した場合の要因 例えば強誘電体の結晶のように、変調−変換手段が波長
変換機能と位相変調機能とを両方同時に有する１つの物
質である場合が該当する。該結晶の波長変換の特性を、
中心波長λc 、波長変換許容幅Δλとし、該結晶が、Δ
λの範囲内にある基本波レーザー光を波長変換している
とする。このとき、該結晶に対して変調電圧を印加する
と、電気光学効果によって屈折率が変化し、波長変換機
能にも影響が現れる。即ち、基本波レーザー光に対し
て、波長変換の特性（λc 、Δλ）が変化するので、変
換効率が変化し、波長変換される光の強度が変化するこ
とになるのである。ただし、ここでは波長変換の特性変
化だけに着目しているが、下記（２）で述べるように、
基本波レーザー光の波長の方も変化している。また、波
長変換機能と位相変調機能とを両方同時に有する１つの
物質として分極反転結晶を用いると、電圧印加による電
気光学効果によって分極反転周期と反転比率とが変化す
る。分極反転周期が変化すると中心波長λc が変化し、
結果的に変換効率が変化する。また、反転比率が変化す
ると直接的に変換効率が変化する。(1) Factors when attention is paid to the change in the wavelength conversion characteristics of the wavelength conversion portion. For example, like a ferroelectric crystal, the modulation-conversion means has both the wavelength conversion function and the phase modulation function simultaneously. This is the case for two substances. The wavelength conversion characteristics of the crystal,
The center wavelength λc and the wavelength conversion allowable width Δλ, and the crystal is Δ
It is assumed that the fundamental laser light within the range of λ is wavelength-converted. At this time, when a modulation voltage is applied to the crystal, the refractive index changes due to the electro-optic effect, and the wavelength conversion function is also affected. That is, since the wavelength conversion characteristics (λc, Δλ) change with respect to the fundamental laser light, the conversion efficiency changes and the intensity of the wavelength-converted light changes. Here, only the characteristic change of the wavelength conversion is focused, but as described in (2) below,
The wavelength of the fundamental laser light is also changing. Further, when a domain-inverted crystal is used as one substance having both the wavelength conversion function and the phase modulation function at the same time, the domain-inverted period and the domain-inverted ratio change due to the electro-optic effect caused by voltage application. When the polarization inversion period changes, the center wavelength λc changes,
As a result, the conversion efficiency changes. When the inversion ratio changes, the conversion efficiency changes directly.
【００１９】（２）共振器の特性の変化に着目した場合
の要因 波長変換機能と位相変調機能とが両方同時に１つの物質
にある場合、または波長変換機能と位相変調機能とが互
いに別々の物質にある場合など、本発明における全ての
態様が該当する。共振器内の位相変調機能を有する部位
に対して変調電圧を印加すると、電気光学効果によって
印加された部位の屈折率が変化し、共振器の光学的な長
さ（＝基本波レーザー光の波長）が変化する。即ち、基
本波レーザー光の位相も変化する。その結果、物質の波
長変換の上記特性（λc 、Δλ）が変わらない場合で
も、基本波レーザー光の波長の方が変化するために、変
換効率が変化し、波長変換される光の強度が変化するこ
とになる。(2) Factors when attention is paid to changes in the characteristics of the resonator When the wavelength conversion function and the phase modulation function are both in one material at the same time, or when the wavelength conversion function and the phase modulation function are different from each other. , Etc., all the aspects of the present invention correspond. When a modulation voltage is applied to a portion having a phase modulation function in the resonator, the refractive index of the applied portion changes due to the electro-optic effect, and the optical length of the resonator (= the wavelength of the fundamental laser light) ) Changes. That is, the phase of the fundamental laser light also changes. As a result, even when the above characteristics (λc, Δλ) of the wavelength conversion of the substance do not change, the wavelength of the fundamental laser beam changes, so that the conversion efficiency changes and the intensity of the wavelength-converted light changes. Will do.
【００２０】（３）基本波レーザー光の発振特性の変化
に着目した場合の要因 上記（１）、（２）のいずれの場合であっても、変調電
圧を印加すると波長変換の変換効率が変化する。基本波
を波長変換することは、共振器内の基本波にとっては一
種の損失である。一方、基本波レーザー光の発振のため
の安定状態は、共振器内の基本波の損失とレーザー利得
との釣り合いで保たれている。従って、変換効率が変化
すると、基本波の損失量が変動し、基本波レーザー光の
発振のための安定状態が乱され、大きな出力変化を生む
原因となる。以上（１）〜（３）が、推定される主な要
因である。(3) Factor when focusing on change in oscillation characteristics of fundamental laser light In any of the above cases (1) and (2), the conversion efficiency of wavelength conversion changes when a modulation voltage is applied. I do. Converting the wavelength of the fundamental wave is a kind of loss for the fundamental wave in the resonator. On the other hand, the stable state for the oscillation of the fundamental laser light is maintained by the balance between the loss of the fundamental wave in the resonator and the laser gain. Therefore, when the conversion efficiency changes, the loss amount of the fundamental wave fluctuates, and the stable state for oscillation of the fundamental laser light is disturbed, which causes a large output change. The above (1) to (3) are the main factors to be estimated.
【００２１】ここで、特開平６−２６５９５６号公報に
ついて述べる。該公報には、本発明と一見類似する構成
の開示がある。しかしこの文献に記載の発明は、非線形
光学材料の結晶の耐光損傷性を改善することを目的とす
るものであって、本発明とは異なる発明である。光損傷
とは、短波長の光が結晶に当たることにより、結晶の屈
折率が変化し、結果として結晶の性質が改変されてしま
うことをいう。その原因は、光エネルギーが照射される
ことで結晶内にキャリアが発生し（エネルギーが大とな
る程、キャリアは増加する）、該キャリアが結晶の特定
部位に集合してしまうことにあり、これにより屈折率が
変化する。Here, JP-A-6-265596 will be described. The publication discloses a configuration that is seemingly similar to the present invention. However, the invention described in this document aims at improving the light damage resistance of the crystal of the nonlinear optical material, and is different from the present invention. Optical damage refers to the fact that the light having a short wavelength impinges on the crystal, thereby changing the refractive index of the crystal and consequently altering the properties of the crystal. The reason for this is that carriers are generated in the crystal by the irradiation of light energy (the more the energy, the more the carriers increase), and the carriers gather at a specific portion of the crystal. Changes the refractive index.
【００２２】該公報の発明では、このようなキャリアの
集中が発生しないようにするために、交流電圧を印加す
るのであり、それによってキャリアを結晶内に拡散させ
ている。そして、キャリアの拡散効果を得るには、４０
００Ｖ／ｃｍもの高電圧が必要となるのである。また、
該公報の発明では、直流電圧を印加しても、結晶温度を
高温としても良いとしている。それらの手段を講じて
も、キャリアの拡散効果が得られるからである。即ち、
該公報の発明では、交流電圧の印加、直流電圧の印加、
結晶を加熱することが、全て同じ効果を奏するための手
段として同等に扱われている。このことからも、上記公
報の発明が、本発明と相違していることは明確である。In the invention of this publication, an AC voltage is applied in order to prevent such concentration of carriers from occurring, whereby the carriers are diffused into the crystal. To obtain the carrier diffusion effect, 40
A voltage as high as 00 V / cm is required. Also,
According to the invention of this publication, it is possible to apply a DC voltage or set the crystal temperature to a high temperature. This is because even if such measures are taken, the effect of diffusing carriers can be obtained. That is,
In the invention of the publication, application of an AC voltage, application of a DC voltage,
Heating the crystals is all treated equally as a means to achieve the same effect. From this, it is clear that the invention of the above publication is different from the present invention.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】本発明のレーザー装置は、レーザ
ー活性媒体を発光部とするか、または、半導体発光素子
を発光部とする。図１に示すように、レーザー活性媒体
３は、外部からの励起光Ｌ１によって励起され発光する
物質である。また、本発明でいう半導体発光素子は、電
流注入でき、それによって光を発するものであって、後
述するように、共振器に関する構成以外は半導体レーザ
ー素子と同じものである。ここでは図１の態様を用いて
説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In a laser device according to the present invention, a laser active medium is used as a light emitting portion, or a semiconductor light emitting element is used as a light emitting portion. As shown in FIG. 1, the laser active medium 3 is a substance that emits light when excited by external excitation light L1. The semiconductor light emitting device according to the present invention is capable of injecting a current and emitting light by the current injection. As described later, the semiconductor light emitting device is the same as the semiconductor laser device except for the configuration related to the resonator. Here, description will be made using the embodiment of FIG.
【００２４】本発明のレーザー装置は、この発光部と、
これをレーザー発振可能に挟んで設けられる共振器（ミ
ラー２、ミラー６とからなる）とを、基本波発振手段と
して有するものである。この共振器の内側に、変調−変
換手段４をさらに設ける。変調−変換手段４は、基本波
発振手段によって基本の波長光として発生させたレーザ
ー光を、非線形光学効果により波長変換する機能と、電
気光学効果により位相変調する機能とを有するものであ
る。この変調−変換手段４に、電極５２、５３が設けら
れており、該電極を含む課電手段によって変調電圧を印
加し得る構成となっている。The laser device according to the present invention comprises:
A resonator (composed of a mirror 2 and a mirror 6) which is provided so as to be capable of laser oscillation is provided as a fundamental wave oscillation means. Modulation-conversion means 4 is further provided inside this resonator. The modulation / conversion means 4 has a function of converting the wavelength of the laser light generated as the fundamental wavelength light by the fundamental wave oscillating means by a non-linear optical effect and a function of performing a phase modulation by an electro-optical effect. The modulation-conversion means 4 is provided with electrodes 52 and 53, so that a modulation voltage can be applied by a power supply means including the electrodes.
【００２５】図１に示す構成とすることによって、先
ず、発光部（レーザー活性媒体３）から放出された光
は、共振器によって基本の波長のレーザー光として発振
する。このレーザー光は、変調−変換手段４の波長変換
機能によって波長変換される。この波長変換は、例え
ば、第２高調波発生では短波長側への変換である。この
とき、変調−変換手段４の位相変調機能（即ち、電気光
学効果を示す機能）が、波長変換に大きな影響を与え
る。例えば、波長変換の変換効率の変動や、波長変換が
不能となること等である。しかも、従来にはなかった低
い変調電圧で、波長変換される光の量に充分な影響を与
えることができる。即ち、従来よりも低い変調電圧によ
って、波長変換される光を強度変調し出力することがで
きるのである。With the configuration shown in FIG. 1, first, the light emitted from the light emitting section (laser active medium 3) oscillates as laser light of a fundamental wavelength by the resonator. This laser light is wavelength-converted by the wavelength conversion function of the modulation-conversion means 4. This wavelength conversion is, for example, conversion to the short wavelength side in the second harmonic generation. At this time, the phase modulation function of the modulation-conversion means 4 (that is, the function showing the electro-optic effect) has a great influence on the wavelength conversion. For example, the conversion efficiency of wavelength conversion may fluctuate, or wavelength conversion may not be possible. In addition, a low modulation voltage, which has never existed in the past, can sufficiently affect the amount of wavelength-converted light. That is, the light to be wavelength-converted can be intensity-modulated and output by a modulation voltage lower than in the related art.
【００２６】従来の波長変換レーザーは、基本波発振手
段、発振された基本波に対する共振器、および波長変換
手段とからなるのが一般的である。これに対して本発明
は、共振器内に設置される従来の波長変換手段に代わっ
て変調−変換手段を採用すること、および該変調−変換
手段の位相変調部位に、例えば、±１〜±１０００Ｖ／
ｃｍの強度の電界を作用させ得る課電手段を有するこ
と、の２点において異なる。A conventional wavelength conversion laser generally comprises a fundamental wave oscillation means, a resonator for the oscillated fundamental wave, and a wavelength conversion means. On the other hand, the present invention employs a modulation-conversion means instead of the conventional wavelength conversion means installed in the resonator, and a phase modulation portion of the modulation-conversion means, for example, ± 1 ±±. 1000V /
and a power application means capable of applying an electric field having an intensity of about 2 cm.
【００２７】基本波発振手段、共振器については、従来
の波長変換レーザーの分野において周知あるいは実用さ
れているものであってよい。例えば、基本波発振手段の
発光部は、外部からの励起光によって励起されて発光す
るレーザー活性媒体としては、固体レーザー結晶が好ま
しいものとして挙げられる。また電流注入が可能なよう
に構成された半導体発光素子としては、ＬＤ（レーザー
ダイオード、半導体レーザー素子）の発光部分などが挙
げられる。なお基本波たるレーザー光は、本発明におい
ては位相変調され且つ波長変換されるが、可及的に安定
した変調−変換光を得る観点から、基本波もその波長が
可及的に安定していることが望まれる。かかる理由か
ら、基本波発振手段としては外部からの励起光によって
励起されて発光するレーザー活性媒体と、共振器との構
成が好ましく、励起光源には半導体レーザー素子を、レ
ーザー活性媒体には固体レーザー結晶を用いる組み合わ
せが特に好ましい。The fundamental wave oscillating means and the resonator may be those known or put to practical use in the field of conventional wavelength conversion lasers. For example, a solid-state laser crystal is preferable as a laser active medium which emits light when excited by external excitation light in the light emitting portion of the fundamental wave oscillation means. Examples of the semiconductor light emitting element configured to allow current injection include a light emitting portion of an LD (laser diode, semiconductor laser element). In the present invention, a laser beam as a fundamental wave is phase-modulated and wavelength-converted in the present invention. From the viewpoint of obtaining a modulation-converted light as stable as possible, the fundamental wave also has a wavelength as stable as possible. Is desired. For this reason, the fundamental wave oscillating means is preferably composed of a laser active medium that emits light by being excited by an external excitation light, and a resonator. A semiconductor laser element is used as the excitation light source, and a solid-state laser is used as the laser active medium. Combinations using crystals are particularly preferred.
【００２８】変調−変換手段は、基本波発振手段で発振
したレーザー光を電気光学効果により位相変調する機能
と非線形光学効果による波長変換機能とを有する。多く
の非線形光学材料（例えばニオブ酸リチウム、タンタル
酸リチウム、ＫＴｉＯＰＯ4 ）のバルク結晶や分極反転
結晶は、非線形光学効果による波長変換機能を有する材
料でありながら、電気光学効果による位相変調機能を有
する。従って、本発明で用いる変調−変換手段として
は、非線形光学材料からなる一つの分極反転結晶のみ、
あるいはかかる分極反転結晶の二つ以上を光軸方向に縦
続配列したものなどからなっていてもよい。また、波長
変換機能を有しない電気光学材料を位相変調部位専用と
し、分極反転結晶を波長変換部位専用とするなど、自由
に組み合わせてよい。The modulation-conversion means has a function of phase-modulating the laser light oscillated by the fundamental wave oscillation means by an electro-optic effect and a function of wavelength conversion by a non-linear optical effect. Many nonlinear optical materials (eg, lithium niobate, lithium tantalate, KTiOPO 4 ) bulk crystals and domain-inverted crystals have a wavelength conversion function by a nonlinear optical effect, but also have a phase modulation function by an electro-optical effect. . Therefore, as the modulation-conversion means used in the present invention, only one domain-inverted crystal made of a nonlinear optical material,
Alternatively, two or more such domain-inverted crystals may be arranged in cascade in the optical axis direction. In addition, the electro-optic material having no wavelength conversion function may be used exclusively for the phase modulation portion, and the domain-inverted crystal may be used exclusively for the wavelength conversion portion.
【００２９】上記分極反転結晶は、その反転周期が一種
であるものに限らず、一つの分極反転結晶内に反転周期
が互いに異なる二以上の部分からなっている多反転周期
型のものであってもよい。また、分極反転は一定の周期
で反転するものだけでなく、一定の周期でない反転の態
様であってもよい。多反転周期型の波長変換用結晶を使
用すると、図５を用いて後述するように、多数の波長変
換光を出力し得る利点がある。The above-mentioned domain-inverted crystal is not limited to a type having a single reversal period, but is a multi-inversion-period type in which one domain-inverted crystal includes two or more portions having different reversal periods. Is also good. In addition, the polarization inversion is not limited to the inversion at a fixed cycle, but may be a mode of inversion that is not a fixed cycle. The use of a multi-inversion periodic wavelength conversion crystal has the advantage that a large number of wavelength-converted lights can be output, as described later with reference to FIG.
【００３０】位相変調部位には、変調電圧を印加し得る
よう、課電手段を設ける。課電とは、変調電界が作用す
るように電圧を印加することである。また、課電手段と
は、変調電圧を印加するための構成全体であって、位相
変調部位に設けられる電極と、その電極を通じて変調電
圧を印加し得る外部電源とを含むものである。本発明の
構成によって印加される変調電圧は、±１〜±１０００
Ｖ／ｃｍの電界を付与する程度の小さい電圧であって
も、有効に強度変調された出力が得られる。A power applying means is provided at the phase modulation portion so that a modulation voltage can be applied. Applying a voltage means applying a voltage so that a modulated electric field acts. The power application means is an entire configuration for applying a modulation voltage, and includes an electrode provided at a phase modulation portion and an external power supply capable of applying a modulation voltage through the electrode. The modulation voltage applied by the configuration of the present invention is ± 1 to ± 1000.
Even if the voltage is small enough to give an electric field of V / cm, an intensity-modulated output can be obtained effectively.
【００３１】分極反転結晶上に電極を形成する場合、結
晶表面全面に形成するのみでなく、極性の等しい反転領
域の部分だけを選んでその部分だけに効果的に電圧が加
わるように形成してもよく、また所望する特性によって
は、極性の異なる反転領域の部分を必要な割合で取り混
ぜて選び、それらの部分に電圧が加わるように形成して
もよい。When an electrode is formed on a domain-inverted crystal, it is formed not only on the entire surface of the crystal but also on a portion of an inversion region having the same polarity so that a voltage is effectively applied only to that portion. Alternatively, depending on the desired characteristics, portions of the inversion regions having different polarities may be mixed and selected at a required ratio, and a voltage may be applied to those portions.
【００３２】変調−変換手段が、非線形光学材料からな
る分極反転結晶のような位相変調機能と、波長変換機能
との両機能を有する結晶からなる場合には、該結晶の少
なくとも任意の一部の個所に、あるいは図１に示すよう
に、結晶の全長にわたり課電手段の電極を設置してよ
い。一方、変調−変換手段が、位相変調部位と波長変換
部位とを別個に有する場合には、課電手段の電極は、図
３に示すように、位相変調部位のみまたは該部位と波長
変換部位との両方に設置してよい。When the modulation-conversion means is composed of a crystal having both a phase modulation function such as a domain-inverted crystal made of a non-linear optical material and a wavelength conversion function, at least a part of the crystal is provided. The electrode of the power application means may be provided at a location or as shown in FIG. 1 over the entire length of the crystal. On the other hand, when the modulation-conversion means has a phase modulation part and a wavelength conversion part separately, as shown in FIG. 3, the electrode of the power application means only has the phase modulation part or the part and the wavelength conversion part. May be installed in both.
【００３３】課電手段に含まれる一対の電極は、基本波
の位相を変調し得るように変調−変換手段に設置され
る。該一対の電極は、図６に示すような集中定数型電極
であってもよく、また図７に示すような進行波型電極で
あってもよい。課電手段により課電される変調電界強度
が過少であると、強度変調の程度が乏しくなる。一方、
変調電界強度が過大であると、高電圧の使用に対する電
気絶縁対策のために機器が大きくなってコスト高となる
不都合が生じる。従って、変調電圧による電界強度とし
ては、±１〜±１０００Ｖ／ｃｍのうち好ましくは±１
〜±５００Ｖ／ｃｍ程度、特に±５〜±１５０Ｖ／ｃｍ
程度がより好ましい。課電手段により上記の電界強度が
付与される変調−変換手段の厚み（光軸に垂直な方向）
は、特に制限はないが、１００〜２０００μｍ程度、特
に２００〜１０００μｍ程度が適当である。[0033] The pair of electrodes included in the power application means are installed in the modulation-conversion means so as to modulate the phase of the fundamental wave. The pair of electrodes may be lumped constant type electrodes as shown in FIG. 6 or traveling wave type electrodes as shown in FIG. If the intensity of the modulated electric field applied by the power applying means is too small, the degree of intensity modulation becomes poor. on the other hand,
If the intensity of the modulated electric field is excessively large, the size of the equipment is increased due to electrical insulation measures against the use of a high voltage, which causes a disadvantage that the cost is increased. Accordingly, the electric field intensity by the modulation voltage is preferably ± 1 of ± 1 to ± 1000 V / cm.
About ± 500 V / cm, especially ± 5 ± 150 V / cm
The degree is more preferred. The thickness of the modulation-conversion means to which the electric field intensity is applied by the power application means (in the direction perpendicular to the optical axis)
Is not particularly limited, but is suitably about 100 to 2000 μm, particularly about 200 to 1000 μm.
【００３４】変調−変換手段に印加される変調電圧の周
波数に追随して、基本波の位相は、変調される。よっ
て、高周波の変調電圧を用いることで、高周波での位相
変調が達成される。本発明は、前記した低い電界強度で
作動する効果に加えて、１０6〜１０10Ｈｚもの超高周
波の変調電圧に対しても追随して基本波の位相を変調す
ることができる。このような超高周波で強度変調された
レーザー光の波長変換光を出力し得るということが、本
発明のもう１つの大きな効果である。なお、超高周波の
変調電圧は、図７に示すような進行波型電極を使用する
ことにより得ることができる。The phase of the fundamental wave is modulated following the frequency of the modulation voltage applied to the modulation-conversion means. Therefore, by using a high-frequency modulation voltage, high-frequency phase modulation is achieved. According to the present invention, in addition to the above-described effect of operating at a low electric field intensity, the phase of a fundamental wave can be modulated by following a modulation voltage of an ultra-high frequency of 10 6 to 10 10 Hz. The ability to output the wavelength-converted light of the laser light that is intensity-modulated at such an ultra-high frequency is another great effect of the present invention. It should be noted that an ultra-high frequency modulation voltage can be obtained by using a traveling-wave-type electrode as shown in FIG.
【００３５】以下、本発明によるレーザー装置の態様の
バリエーションを図を用いて説明する。なお、装置の構
成を示す全ての図において、図１と同様の部分には同じ
符号を用いている。図１に示す態様では、外部に励起光
源１を有する固体レーザー装置を構成している。変調−
変換手段４には、位相変調と波長変換との両機能を有す
る分極反転結晶）を用いている。分極反転結晶は、所定
の繰り返しにて分極反転された強誘電体結晶であって、
第２高調波の発生、光パラメトリック発振による波長変
換を可能とするものである。図中の変調−変換手段４の
上下全面には、電極５２、５３が設けられており、光の
進行方向に対して垂直の方向に必要な電界強度が付与さ
れる構成となっている。図１の例では、変調−変換手段
４全体が、波長変換する機能を示し、また全体が位相変
調する機能を示す。従って、変調電圧を印加するための
電極５２、５３は変調−変換手段４全体に設けられてい
る。５１は、課電手段に含まれる電源である。Hereinafter, variations of the laser device according to the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings showing the configuration of the apparatus, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In the embodiment shown in FIG. 1, a solid-state laser device having an excitation light source 1 outside is configured. Modulation
As the conversion means 4, a domain-inverted crystal having both functions of phase modulation and wavelength conversion is used. The domain-inverted crystal is a ferroelectric crystal that has been domain-inverted by predetermined repetition,
It enables generation of a second harmonic and wavelength conversion by optical parametric oscillation. Electrodes 52 and 53 are provided on the entire upper and lower surfaces of the modulation-conversion means 4 in the figure, and a required electric field strength is provided in a direction perpendicular to the light traveling direction. In the example of FIG. 1, the entire modulation-conversion means 4 shows a function of wavelength conversion, and the whole shows a function of phase modulation. Therefore, the electrodes 52 and 53 for applying the modulation voltage are provided on the entire modulation-conversion means 4. Reference numeral 51 denotes a power supply included in the power application unit.
【００３６】図１に示す態様では、外部の励起光源１と
して半導体レーザー１を用い、コリメートレンズｐ１、
フォーカスレンズｐ２を通してレーザー活性媒体（固体
レーザー結晶）３に入射させている。固体レーザー結晶
３の、励起光Ｌ１が入射する側の面には、共振器のうち
の一方のミラー（入射側ミラー）２が形成されている。
共振器のうちの他方のミラー（出力側ミラー）６と入射
側ミラー２は、固体レーザー結晶３と変調−変換手段４
とを、レーザー発振可能に挟んでいる。In the embodiment shown in FIG. 1, a semiconductor laser 1 is used as an external excitation light source 1, and a collimating lens p1,
The light is incident on a laser active medium (solid laser crystal) 3 through a focus lens p2. On the surface of the solid-state laser crystal 3 on the side where the excitation light L1 is incident, one mirror (incident-side mirror) 2 of the resonator is formed.
The other mirror (output side mirror) 6 and the incident side mirror 2 of the resonator are composed of the solid-state laser crystal 3 and the modulation-conversion means 4.
Are sandwiched between them so that laser oscillation is possible.
【００３７】図１の態様では、光軸方向に長尺の分極反
転結晶を使用するなどして変調−変換手段４の長さを長
くすれば、超短パルス光を出力することができる。また
分極反転結晶における反転周期を種々変えることで、任
意の出力波形を得ることが可能である。例えば、分極反
転結晶の反転周期を光の進行方向に連続的に変化させれ
ば、ブロードパルス光を出力し得る。In the embodiment shown in FIG. 1, if the length of the modulation-conversion means 4 is increased by using a long domain-inverted crystal in the direction of the optical axis, an ultrashort pulsed light can be output. Also, by changing the reversal period of the domain-inverted crystal variously, it is possible to obtain an arbitrary output waveform. For example, if the reversal period of the domain-inverted crystal is continuously changed in the light traveling direction, broad pulse light can be output.
【００３８】通常の波長変換用結晶の波長変換における
波長許容度は、該波長変換用結晶の長さに反比例し、結
晶の長さが長い程波長許容度が減少することが知られて
いる。共振器内ではレーザー光は、両反射鏡間を絶えず
往復するので、その度に波長変換用結晶中を通過するこ
とになる。今、使用している波長変換用結晶の長さをＬ
とすると、共振器内のレーザー光は、一往復する度に２
Ｌの長さの波長変換用結晶中を通過したのと同じ条件に
置かれることになる。この往復を繰り返すことにより波
長変換用結晶の実効長さは２Ｌ、４Ｌ、８Ｌ、．．．と
増大し、該波長変換用結晶の実効波長許容度は、漸次減
少しやがて極めて狭隘となる。It is known that the wavelength tolerance of a normal wavelength conversion crystal in wavelength conversion is inversely proportional to the length of the wavelength conversion crystal, and the longer the crystal, the lower the wavelength tolerance. In the resonator, the laser light constantly reciprocates between the two reflecting mirrors, and passes through the wavelength conversion crystal each time. The length of the wavelength conversion crystal used now is L
Then, the laser light in the resonator becomes 2 per round trip.
The condition is the same as when the light has passed through the wavelength conversion crystal having the length of L. By repeating this reciprocation, the effective length of the wavelength conversion crystal becomes 2L, 4L, 8L,. . . The effective wavelength tolerance of the wavelength conversion crystal gradually decreases, and eventually becomes extremely narrow.
【００３９】電気光学効果による位相変調機能を有する
電気的結晶部分への変調課電により共振器内のレーザー
光の波長は、課電した変調電圧の周波数に追随する変化
をなす。よって、変調電圧の周波数に追随して変化する
レーザー光の波長が、上記の狭隘な実効波長許容範囲に
入ったときのみが位相整合して第二高調波を発生し、そ
れ以外の全波長では第二高調波を発生しない。この結
果、レーザー光の特定波長のみが第二高調波を発生する
強度変調が生じる。The wavelength of the laser light in the resonator changes in accordance with the frequency of the applied modulation voltage due to the modulation applied to the electric crystal portion having the phase modulation function by the electro-optic effect. Therefore, only when the wavelength of the laser light that changes following the frequency of the modulation voltage falls within the narrow effective wavelength allowable range described above, phase matching is performed to generate a second harmonic, and at all other wavelengths, Does not generate second harmonics. As a result, intensity modulation occurs in which only the specific wavelength of the laser light generates the second harmonic.
【００４０】なお分極反転結晶として、長尺のもの、結
晶の少なくとも１面に凹部を有するものなどを使用する
と、より低い電界強度にて必要な変調動作が得られる。
上記の分極反転結晶に設けられる凹部は、例えば、光軸
方向に平行な側面に設けられる溝が挙げられる。該溝
は、互いに対向する２つの側面のうちの片面または両面
の光軸方向全長にわたって光通路に隣接するように設け
られる。When a long crystal or a crystal having a concave portion on at least one surface of the crystal is used as a domain-inverted crystal, a necessary modulation operation can be obtained with a lower electric field intensity.
Examples of the concave portion provided in the domain-inverted crystal include a groove provided on a side surface parallel to the optical axis direction. The groove is provided so as to be adjacent to the optical path over the entire length in the optical axis direction of one or both of the two side surfaces facing each other.
【００４１】図２に示す態様は、図１と同様の構成とし
た固体レーザー装置である。変調−変換手段４には、位
相変調と波長変換との両機能を有する長尺の分極反転結
晶が用いられている。図１と異なる点は、変調−変換手
段４の入射側半分が位相変調部位（位相変調用結晶）４
１として、残る半分が波長変換部位（波長変換用結晶）
４２として、それぞれ機能することである。電極５２、
５３は、位相変調部位４１にのみ設けられている。The embodiment shown in FIG. 2 is a solid-state laser device having the same configuration as that of FIG. As the modulation-conversion means 4, a long domain-inverted crystal having both functions of phase modulation and wavelength conversion is used. The difference from FIG. 1 is that the half of the input side of the modulation-conversion means 4 is a phase modulation portion (phase modulation crystal) 4.
The other half is the wavelength conversion site (crystal for wavelength conversion) as 1.
42, respectively. Electrode 52,
53 is provided only in the phase modulation portion 41.
【００４２】図３に示す態様は、図１と同様の固体レー
ザー装置である。変調−変換手段４は、位相変調部位
（位相変調用結晶）４１と波長変換部位（波長変換用結
晶）４２とが２つに分離し、光軸上に少し離れて直列的
に配置された態様となっている。位相変調部位４１は、
ニオブ酸リチウムなどの、バルク結晶・分極反転結晶か
らなる。また、波長変換部位４２は、分極反転結晶から
なる。電極５２、５３は、位相変調部位４１にのみ設け
られている。The embodiment shown in FIG. 3 is a solid-state laser device similar to that of FIG. The modulation-conversion means 4 has a mode in which a phase modulation portion (phase modulation crystal) 41 and a wavelength conversion portion (wavelength conversion crystal) 42 are separated into two, and are arranged in series with a slight distance on the optical axis. It has become. The phase modulation part 41 is
It consists of bulk crystals and domain-inverted crystals such as lithium niobate. The wavelength conversion part 42 is made of a domain-inverted crystal. The electrodes 52 and 53 are provided only on the phase modulation portion 41.
【００４３】図４に示す態様では、図１〜３の構成とは
異なり、共振器内に設けられる発光部が、半導体発光素
子３ａとなっている。この半導体発光素子３ａは、光を
効果的に閉じ込める構造や光を素子外に出射する方向な
どの点では、半導体レーザー素子と同じ構造を有する。
しかし、該素子には、１対の共振器ミラーのうち少なく
とも片側のミラーが無い。その片側のミラーは、変調−
変換手段が共振器内に設けられるように、外部部品とし
て別途設けられる。図４に示す態様では、半導体発光素
子３ａは、片側のミラー２だけを有する構造となってい
る。このミラー２と、出力側ミラー６とによって共振器
が構成され、該共振器内に、図１の態様と同様の変調−
変換手段４が設けられている。In the embodiment shown in FIG. 4, unlike the configuration shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting section provided in the resonator is a semiconductor light emitting element 3a. The semiconductor light emitting device 3a has the same structure as a semiconductor laser device in terms of a structure for effectively confining light and a direction for emitting light out of the device.
However, the element does not have at least one of the pair of resonator mirrors. The mirror on one side is modulated-
It is provided separately as an external component so that the conversion means is provided in the resonator. In the embodiment shown in FIG. 4, the semiconductor light emitting element 3a has a structure having only one mirror 2 on one side. A resonator is constituted by the mirror 2 and the output-side mirror 6, and the same modulation-mode as in the embodiment of FIG.
Conversion means 4 is provided.
【００４４】図５に示す態様は、レーザー装置の基本的
な構成は図１と同様であるが、変調−変換手段４の分極
反転の周期が一様でない点が異なる。即ち、固有の反転
周期で形成された４Ａ部、４Ｂ部、４Ｃ部、４Ｄ部（こ
れらの反転周期は互いに異なる）が光軸上に直列的に連
続した分極反転結晶が用いられている。また入射側ミラ
ー２と出力側ミラー６とで構成された共振器は、固体レ
ーザー結晶３から発せられる基本波に対しては閉じ込め
作用を示すが、４Ａ部〜４Ｄ部の各々によって波長変換
された４種類の波長のレーザー光は放出するように設計
されている。このような構成によって、一つの変調−変
換手段４で、４種類の波長に変換されかつ強度変調され
たレーザー光ＬA 、ＬB 、ＬC 、ＬD を出力光Ｌ２とし
て得ることができる。The mode shown in FIG. 5 is the same as that of FIG. 1 except that the period of the polarization inversion of the modulation-conversion means 4 is not uniform. That is, a domain-inverted crystal in which the 4A portion, 4B portion, 4C portion, and 4D portion (the inversion periods are different from each other) formed with a unique inversion period is serially continuous on the optical axis is used. The resonator constituted by the incident-side mirror 2 and the output-side mirror 6 exhibits a confinement effect on the fundamental wave emitted from the solid-state laser crystal 3, but the wavelength is converted by each of the 4A to 4D portions. Laser light of four wavelengths is designed to emit. With such a configuration, the laser light L A , L B , L C , and L D that has been converted into four wavelengths and intensity-modulated can be obtained as output light L 2 by one modulation-conversion unit 4.
【００４５】図６に示す態様は、レーザー装置の基本的
な構成は図１と同様であるが、変調−変換手段４に設け
られた電極の態様が集中定数型電極である点で異なる。
即ち、変調−変換手段４に対向して設けられた電極の一
方は、図６の紙面に向かって結晶４の手前側の面にスト
ライプ状の電極５２として設けられている。他方の電極
は、図６の紙面に向かって結晶４の向こう側の面全面に
広板状の電極として設けられている（変調−変換手段４
の向こう側に隠れている）。５４は、電極５２に接続さ
れたリード線である。電極５２をストライプ状として集
中定数型電極とすると、基本波レーザーの通過する部分
に電界を集中させることが可能となり、必要な変調電圧
を低くでき、また、位相変調部位としての静電容量が低
減できて高速変調が容易となるなどの利点がある。The mode shown in FIG. 6 is the same as that of FIG. 1 in the basic configuration of the laser apparatus, except that the mode of the electrodes provided in the modulation-conversion means 4 is a lumped-constant type electrode.
That is, one of the electrodes provided to face the modulation-conversion means 4 is provided as a stripe-shaped electrode 52 on the front side of the crystal 4 as viewed in the plane of FIG. The other electrode is provided as a wide plate-like electrode on the entire surface on the other side of the crystal 4 toward the paper surface of FIG.
Is hidden behind). Numeral 54 is a lead wire connected to the electrode 52. If the electrode 52 is formed as a lumped-constant electrode in the form of a stripe, it is possible to concentrate an electric field in a portion where the fundamental laser passes, thereby reducing the required modulation voltage and reducing the capacitance as a phase modulation portion. There is an advantage that high-speed modulation can be easily performed.
【００４６】図７に示す態様は、レーザー装置の基本的
な構成、変調−変換手段４に設けられた電極の表示方向
は図６と同様であるが、電極の態様が進行波型電極であ
る点で図６と異なる。即ち、図７の紙面に向かって結晶
４の手前側の面に設けられた電極５２が、ストリップ線
路構造の電極となっている。これに対向する側の電極
は、紙面に向かって結晶４の向こう側の面全面に広板状
の電極として設けられている。進行波型電極とすること
によって、周波数１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ程度のマイクロ
波を電極５２の入口５２１から導入し、出口５２２から
導出することで、対向する両電極間に周波数１ＧＨｚ〜
１０ＧＨｚ程度の変調電圧を印加することによって、実
効的に周波数１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ程度の変調が可能と
なる。In the embodiment shown in FIG. 7, the basic configuration of the laser device and the display direction of the electrodes provided in the modulation / conversion means 4 are the same as those in FIG. 6, but the embodiment of the electrodes is a traveling wave type electrode. This is different from FIG. That is, the electrode 52 provided on the surface on the near side of the crystal 4 as viewed in the drawing of FIG. 7 is an electrode having a strip line structure. The electrode on the opposite side is provided as a wide plate-shaped electrode on the entire surface on the other side of the crystal 4 toward the paper surface. By using a traveling-wave-type electrode, a microwave having a frequency of about 1 GHz to 10 GHz is introduced from the inlet 521 of the electrode 52 and is derived from the outlet 522, so that a frequency of 1 GHz to
By applying a modulation voltage of about 10 GHz, modulation of a frequency of about 1 GHz to about 10 GHz can be effectively performed.
【００４７】[0047]
実施例１ 本実施例では、図１の構成を有するレーザー装置を実際
に製作した。ただし、電極の態様は、図６に示す集中定
数型電極である。図１に示すように、励起光源には、波
長８１０ｎｍのレーザー光を出射する半導体レーザー素
子１を用いた。固体レーザー結晶３には、光軸方向の厚
さ０．５ｍｍ、Ｎｄ濃度３at％のＹＶＯ4 結晶を用い
た。Example 1 In this example, a laser device having the configuration shown in FIG. 1 was actually manufactured. However, the electrode is a lumped-constant electrode shown in FIG. As shown in FIG. 1, a semiconductor laser device 1 that emits laser light having a wavelength of 810 nm was used as an excitation light source. As the solid laser crystal 3, a YVO 4 crystal having a thickness of 0.5 mm in the optical axis direction and an Nd concentration of 3 at% was used.
【００４８】固体レーザー結晶３の片面には、共振器を
構成するための入射側ミラー２を形成した。入射側ミラ
ー２は、基本の発振波長光（１０６４ｎｍ波長光）に対
して高反射性を示し、半導体レーザー素子１からの励起
光（８１０ｎｍ波長光）Ｌ１に対しては無反射性を示す
コーティングを施した。また、固体レーザー結晶３の他
方の面には、１０６４ｎｍに対して無反射性のコーティ
ングを施した。On one surface of the solid-state laser crystal 3, an incident-side mirror 2 for forming a resonator was formed. The incident side mirror 2 has a coating that shows high reflectivity for the fundamental oscillation wavelength light (1064 nm wavelength light) and shows no reflection for the excitation light (810 nm wavelength light) L1 from the semiconductor laser element 1. gave. The other surface of the solid-state laser crystal 3 was provided with a non-reflective coating for 1064 nm.
【００４９】出力側ミラー６には、１０６４ｎｍ波長光
に対して高反射性を示し、第二高調波発生（ＳＨＧ）に
よって５３２ｎｍに波長変換されるレーザ光（ＳＨＧレ
ーザ光）に対しては無反射性を示すコーティングを施し
た。The output side mirror 6 has high reflectivity for the 1064 nm wavelength light, and has no reflection for the laser light (SHG laser light) whose wavelength is converted to 532 nm by the second harmonic generation (SHG). A coating showing the properties was applied.
【００５０】変調−変換手段４として、ニオブ酸リチウ
ムからなり、光軸方向の長さが５ｍｍの分極反転結晶を
用い、共振器内の光路に設けた。この分極反転結晶の常
態での波長変換における波長許容度は、約０．１ｎｍで
あった。また、分極反転結晶に設置した集中定数型電極
の電極間距離は３００μｍであった。As the modulation-conversion means 4, a domain-inverted crystal made of lithium niobate and having a length in the optical axis direction of 5 mm was used, and provided on the optical path in the resonator. The wavelength tolerance of the domain-inverted crystal in wavelength conversion in a normal state was about 0.1 nm. The distance between the lumped-constant electrodes placed on the domain-inverted crystal was 300 μm.
【００５１】半導体レーザー素子１から、波長８１０ｎ
ｍのレーザー光を励起光として連続入射させ、かつ、ニ
オブ酸リチウムの分極反転結晶に１ｋＨｚ、±４０Ｖの
変調電圧を印加したところ、図８に示す通り、約＋２０
Ｖ即ち約＋６５０Ｖ／ｃｍの低い電界強度において、波
長５３２ｎｍの第二高調波をパルス状で出力させ得るこ
とを確認した。From the semiconductor laser device 1, a wavelength of 810n
When a laser beam of m was continuously incident as excitation light and a modulation voltage of 1 kHz and ± 40 V was applied to the domain-inverted crystal of lithium niobate, as shown in FIG.
It was confirmed that the second harmonic having a wavelength of 532 nm could be output in a pulsed form at a low electric field strength of V, that is, about +650 V / cm.
【００５２】実施例２ 本実施例では、出力の安定性を向上させるための構成を
さらに付与した態様を示す。レーザー装置の基本的な構
成は、図１に示すとおりである。また、コリメートレン
ズやフォーカスレンズなどの光学系を含めたより具体的
な構成は、図９、図１０に示している。Embodiment 2 In this embodiment, an embodiment in which a configuration for improving output stability is further provided will be described. The basic configuration of the laser device is as shown in FIG. 9 and 10 show more specific configurations including optical systems such as a collimator lens and a focus lens.
【００５３】図１、図９、図１０に示すように、励起光
源には、出力１５０ｍＷ、発振波長８１０ｎｍの半導体
レーザー素子１を用いた。励起光Ｌ１は、コリメートレ
ンズｐ１、フォーカスレンズｐ２によって、固体レーザ
ー結晶３に入射する構成とした。固体レーザー結晶３に
は、Ｎｄを３at％ドープしたＹＶＯ4 結晶（光軸方向の
厚さ０．５ｍｍ）を用いた。As shown in FIGS. 1, 9, and 10, a semiconductor laser device 1 having an output of 150 mW and an oscillation wavelength of 810 nm was used as an excitation light source. The excitation light L1 is configured to be incident on the solid-state laser crystal 3 by the collimator lens p1 and the focus lens p2. As the solid laser crystal 3, a YVO 4 crystal (thickness in the optical axis direction 0.5 mm) doped with 3 at% of Nd was used.
【００５４】実施例１と同様に、固体レーザー結晶３の
片面には、入射側ミラー２を形成し、他方の面には無反
射コーティングを施した。入射側ミラー２の反射の特
性、および他方の面のコーティング特性は、実施例１と
同様である。As in the first embodiment, the incident side mirror 2 was formed on one side of the solid-state laser crystal 3, and the antireflection coating was applied on the other side. The reflection characteristics of the incident side mirror 2 and the coating characteristics of the other surface are the same as in the first embodiment.
【００５５】出力側ミラー６は、合成石英製、鏡面の曲
率半径５０ｍｍの平凹型ミラーとした。鏡面には、実施
例１と同様に、１０６４ｎｍ波長光に対して高反射性を
示し、そのＳＨＧレーザ光に対しては無反射性を示すコ
ーティングを施した。The output side mirror 6 was a plano-concave mirror made of synthetic quartz and having a mirror surface with a curvature radius of 50 mm. As in Example 1, the mirror surface was provided with a coating that exhibited high reflectivity to light having a wavelength of 1064 nm and non-reflectivity to the SHG laser light.
【００５６】図１０に示すように、半導体レーザー素子
１から出力側ミラー６に至るまでの各部品の保持具ｈ１
には、熱膨張係数が非常に小さいスーパーインバー材を
採用し、周囲や装置自体等の温度変化に対する安定性を
高めた。As shown in FIG. 10, the holder h1 for each component from the semiconductor laser element 1 to the output side mirror 6
Adopts a super-invar material having a very small coefficient of thermal expansion to enhance stability against temperature changes in the surroundings and the device itself.
【００５７】変調−変換手段４として、分極反転を形成
したＬｉＴａＯ3 結晶（厚さ０．５ｍｍ、光軸方向の長
さ５ｍｍ）を用いた。分極反転の周期は、上記ＹＶＯ4
レーザーの基本波１０６４ｎｍをＳＨＧ変換できる周期
７．８μｍとした。図１に示すように、結晶の上下に電
極を形成し、共振器内の光路に設けた。As the modulation-conversion means 4, a LiTaO 3 crystal (0.5 mm thick, 5 mm long in the optical axis direction) having domain inversion was used. The period of the polarization reversal is determined by the above YVO 4
The period at which the fundamental wave of the laser, 1064 nm, can be SHG-converted is 7.8 μm. As shown in FIG. 1, electrodes were formed above and below the crystal, and provided on the optical path in the resonator.
【００５８】上記結晶は、裏面の電気伝導を確保するた
めに、図１０に示すように、しんちゅう製の保持具ｈ４
を電極とし、これに導電性接着剤で固定した。さらに、
結晶を位相整合し得る温度に保つために、しんちゅう製
の保持具ｈ４ごとペルチェ素子ｈ３で温度調整する形と
した。ペルチェ素子下部の保持具ｈ２は、アルミで作製
した。As shown in FIG. 10, the above-mentioned crystal is used as a holder h4 made of brass to secure electric conduction on the back surface.
Was used as an electrode and fixed to the electrode with a conductive adhesive. further,
In order to maintain the temperature at which the crystal can be phase-matched, the temperature is adjusted by the Peltier element h3 together with the brass holder h4. The holder h2 below the Peltier element was made of aluminum.
【００５９】変調−変換手段４（上記結晶）に変調電圧
を印加するために、しんちゅう製の保持具ｈ４に導線
（アース側）を接続し、対向する電極（図１０の上方側
の電極）に導線を導電性接着剤で接続し、これら導線を
コネクターＳ１に接続し、これを通じて外部に設けられ
た強度変調用の高周波電圧を印加するための高周波電源
（図示せず）と接続した。In order to apply a modulation voltage to the modulation-conversion means 4 (the above-mentioned crystal), a lead wire (ground side) is connected to a brass holder h4, and opposing electrodes (upper electrodes in FIG. 10). Were connected with a conductive adhesive, and these wires were connected to the connector S1, through which a high-frequency power supply (not shown) for applying a high-frequency voltage for intensity modulation was provided.
【００６０】レーザー装置全体のその他の構成として、
図９、１０に示すように、共振器内から漏れ出てくる基
本波を除去するフィルターｐ３を、出力側ミラー６より
もさらに出力側に設置した。また、さらにその出力側に
ビームスプリッターｐ４を設け、出力されるレーザー光
の一部が光検出器Ｓ２に入射する構成とした。光検出器
Ｓ２は、強度変調された出力光の平均強度を計測するた
めの変換素子である。光検出器Ｓ２による計測結果をも
とに出力光の平均強度の変動を演算し、該変動が小さく
なるように、即ち、出力光が一定の値に安定するよう
に、励起光源への電流量をフィードバック制御する制御
回路を構成し、一種のＡＰＣ（Auto PowerControl) と
した。ただし、制御のためのフィードバック先を励起光
源とした点において、従来のＡＰＣとは全く異なり、個
々の要素の安定性に捕らわれることなく、装置全体の安
定性を向上させる構成となっている。As another configuration of the entire laser device,
As shown in FIGS. 9 and 10, a filter p3 for removing a fundamental wave leaking from the inside of the resonator is provided on the output side further than the output side mirror 6. Further, a beam splitter p4 is further provided on the output side, and a part of the output laser light is incident on the photodetector S2. The photodetector S2 is a conversion element for measuring the average intensity of the output light whose intensity has been modulated. The variation of the average intensity of the output light is calculated based on the measurement result by the photodetector S2, and the amount of current supplied to the excitation light source is reduced so that the variation is reduced, that is, the output light is stabilized at a constant value. A control circuit for feedback control of APC (Auto Power Control) was constructed. However, unlike the conventional APC in that the feedback destination for control is an excitation light source, the configuration is such that the stability of the entire apparatus is improved without being caught by the stability of individual elements.
【００６１】フィルターｐ３、ビームスプリッターｐ４
などの部品は、アルミ性の保持具ｈ２で固定した。ま
た、レーザー全体の安定性を保つために、全ての保持具
ｈ１、ｈ２等を１つのベース板Ｂ１上に固定した。さら
に、そのベース板Ｂ１の下に２個のペルチェ素子Ｂ２を
設け、ベース板Ｂ１下面から装置全体を温調する構成と
した。ベース板Ｂ１には、スーパーインバー材を使用し
た。さらに、ペルチェ素子Ｂ２の下にはアルミ製のベー
ス板Ｂ３を設けた。Filter p3, beam splitter p4
Such parts were fixed with an aluminum holder h2. Further, in order to maintain the stability of the whole laser, all the holders h1, h2, etc. were fixed on one base plate B1. Further, two Peltier elements B2 are provided under the base plate B1, and the whole apparatus is controlled in temperature from the lower surface of the base plate B1. Super Invar material was used for the base plate B1. Furthermore, a base plate B3 made of aluminum was provided below the Peltier element B2.
【００６２】〔装置の運転〕ベース板Ｂ１の下のペルチ
ェ素子Ｂ２の温度を２５．０℃とし、変調−変換手段４
（結晶）の下のペルチェ素子ｈ４の温度を、位相整合の
ための条件温度である４６．６℃に温調し、装置を運転
するための条件温度とした。[Operation of the Apparatus] The temperature of the Peltier element B2 below the base plate B1 was set to 25.0 ° C.
The temperature of the Peltier element h4 under (crystal) was adjusted to 46.6 ° C., which is the condition temperature for phase matching, and was set as the condition temperature for operating the device.
【００６３】先ず、変調−変換手段４に対する変調電圧
は印加せずに、励起光源１から固体レーザー結晶３へ励
起光を入射させて、基本波を発振させ、そのＳＨＧレー
ザー光を出力側ミラー６から出射させた。光検出器Ｓ２
による計測では、ＳＨＧレーザー光Ｌ２の出力は、励起
光の出力が１５０ｍＷの時に、約５ｍＷであった。First, without applying a modulation voltage to the modulation-conversion means 4, excitation light is applied from the excitation light source 1 to the solid-state laser crystal 3 to oscillate a fundamental wave, and the SHG laser light is output to the output side mirror 6. From the surface. Photodetector S2
The output of the SHG laser light L2 was about 5 mW when the output of the excitation light was 150 mW.
【００６４】次に、変調−変換手段４に設けた両電極間
に、８０ＭＨｚ（変調周波数）、２５Ｖｐ−ｐの高周波
電圧を印加したところ、出射されるＳＨＧレーザー光の
強度が変調周波数に同期して変調された。この様子を図
１１のグラフに示す。この結果から、本発明による装置
が、基本の発振波長光をＳＨＧによって波長変換し、さ
らにこのＳＨＧレーザー光に対して、低い変調電圧で、
高い変調度の強度変調をかけ得ることがわかった。Next, when a high frequency voltage of 80 MHz (modulation frequency) and 25 Vp-p is applied between the two electrodes provided in the modulation-conversion means 4, the intensity of the emitted SHG laser light is synchronized with the modulation frequency. Was modulated. This is shown in the graph of FIG. From this result, the device according to the present invention converts the wavelength of the fundamental oscillation wavelength light by SHG, and further, with respect to this SHG laser light, with a low modulation voltage,
It has been found that intensity modulation with a high modulation degree can be applied.
【００６５】[0065]
【発明の効果】本発明のレーザー装置は、従来と比較し
て極めて小型にして簡単な構造でありながら、発生させ
た基本の発振波長光を波長変換するとともに、より低い
変調電圧で、より高い変調周波数にて、またより高い変
調度にて、強度変調し出射できる。またその使用方法も
非常に簡単である。本発明は、光通信、レーザー加工、
デジタルビデオディスク、距離や形状の計測などの光源
として需要が益々増大しつつある現在の要求に応えるこ
とができる。The laser device of the present invention has a very small size and a simple structure as compared with the conventional laser device, converts the wavelength of the generated fundamental oscillation wavelength light, and uses a lower modulation voltage and a higher modulation voltage. The intensity can be modulated and emitted at the modulation frequency and at a higher degree of modulation. The method of use is also very simple. The present invention relates to optical communication, laser processing,
The demand for digital video discs and light sources for measuring distances and shapes can be met, and the demand for them is increasing.
【図１】本発明によるレーザー装置の構成例を示す模式
図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration example of a laser device according to the present invention.
【図２】本発明によるレーザー装置の他の構成例を示す
模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing another configuration example of the laser device according to the present invention.
【図３】本発明によるレーザー装置の他の構成例を示す
模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing another configuration example of the laser device according to the present invention.
【図４】本発明によるレーザー装置の他の構成例を示す
模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing another configuration example of the laser device according to the present invention.
【図５】本発明によるレーザー装置の他の構成例を示す
模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing another configuration example of the laser device according to the present invention.
【図６】本発明によるレーザー装置の他の構成例を示す
模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing another configuration example of the laser device according to the present invention.
【図７】本発明によるレーザー装置の他の構成例を示す
模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing another configuration example of the laser device according to the present invention.
【図８】実施例１における、課電圧（変調電圧）と、波
長変換され強度変調された出力光の計測結果を示すグラ
フである。FIG. 8 is a graph showing measurement results of the applied voltage (modulation voltage) and the output light subjected to wavelength conversion and intensity modulation in the first embodiment.
【図９】実施例２によるレーザー装置の構成を詳細に示
す上面図である。FIG. 9 is a top view showing the configuration of a laser device according to a second embodiment in detail.
【図１０】図９に示すレーザー装置を、該図の右側から
見たときの図である。FIG. 10 is a view of the laser device shown in FIG. 9 when viewed from the right side of the drawing.
【図１１】実施例２によるレーザー装置を稼働させたと
きの出力光の強度を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing the intensity of output light when the laser device according to the second embodiment is operated.
Ｌ１ 励起光 Ｌ２ 波長変換され強度変調された出力光 １ 励起光源（半導体レーザー素子） ２ 一方の共振器ミラー（入射側ミラー） ３ 発光部（レーザー活性媒体） ４ 変調−変換手段 ４１ 位相変調部位 ４２ 波長変換部位 ５ 課電手段 ６ 出力側ミラー L1 Excitation light L2 Wavelength-converted and intensity-modulated output light 1 Excitation light source (semiconductor laser element) 2 One resonator mirror (incident side mirror) 3 Light emitting unit (laser active medium) 4 Modulation-conversion means 41 Phase modulation section 42 Wavelength conversion part 5 Power application means 6 Output side mirror
Claims (9)
ーザー活性媒体を発光部とし、該発光部と、これをレー
ザー発振可能に挟んで設けられる共振器とを、基本波発
振手段として有するレーザー装置であって、 前記共振器の内部には、その基本のレーザー発振波長光
を非線形光学効果により波長変換する機能と、電気光学
効果により位相変調する機能とを有する変調−変換手段
がさらに設けられ、該変調−変換手段のうち位相変調す
る機能を有する変調部位に、変調電圧を印加し得るよう
電極が設けられた構成を有することを特徴とする、波長
変換されかつ強度変調されたレーザー光を出射し得るレ
ーザー装置。1. A laser device comprising a semiconductor light emitting element as a light emitting portion or a laser active medium as a light emitting portion, and the light emitting portion and a resonator provided so as to be capable of laser oscillation as fundamental wave oscillation means. Wherein, inside the resonator, a modulation-conversion unit having a function of wavelength-converting the fundamental laser oscillation wavelength light by a non-linear optical effect and a function of phase-modulating by an electro-optical effect is further provided, Emitting a wavelength-converted and intensity-modulated laser beam, wherein the modulation-conversion means has a configuration in which an electrode is provided so as to apply a modulation voltage to a modulation portion having a function of performing phase modulation. Laser device that can be used.
を電気光学効果により位相変調する機能と非線形光学効
果により波長変換する機能とを有し且つ該基本波発振手
段の共振器内に設置された変調−変換手段と、該変調
−変換手段の位相変調する機能を有する変調部位に上記
電極を通じて±１〜±１０００Ｖ／ｃｍの変調電界強度
を付与し得る課電手段と、を有する請求項１記載のレー
ザー装置。2. A laser beam oscillated by a fundamental wave oscillating means having a function of phase-modulating the laser light by an electro-optic effect and a function of converting the wavelength by a non-linear optical effect, and is provided in a resonator of the fundamental wave oscillating means. 2. The modulation / conversion means, and power applying means capable of applying a modulation electric field intensity of ± 1 to ± 1000 V / cm to the modulation portion having a function of modulating the phase of the modulation / conversion means through the electrode. Laser equipment.
位相変調する機能と、非線形光学効果により波長変換す
る機能の、両機能を有する結晶からなるものであり、該
結晶の少なくとも一部に上記電極が設けられている請求
項１記載のレーザー装置。3. The modulation / conversion means comprises a crystal having both a function of phase modulation by an electro-optic effect and a function of wavelength conversion by a non-linear optical effect. The laser device according to claim 1, further comprising an electrode.
３に記載のレーザー装置。4. The laser device according to claim 3, wherein the crystal is a domain-inverted crystal.
位相変調する機能を有する位相変調用結晶と、非線形光
学効果により波長変換する機能を有する波長変換用結晶
とからなるものであり、位相変調用結晶に上記電極が設
けられている請求項１記載のレーザー装置。5. A modulation / conversion means comprising: a phase modulation crystal having a function of performing phase modulation by an electro-optic effect; and a wavelength conversion crystal having a function of performing wavelength conversion by a non-linear optical effect. The laser device according to claim 1, wherein the electrode is provided on a crystal for use.
れもが、分極反転結晶である請求項５に記載のレーザー
装置。6. The laser device according to claim 5, wherein each of the phase modulation crystal and the wavelength conversion crystal is a domain-inverted crystal.
なる二以上の分極反転結晶からなるものである請求項６
記載のレーザー装置。7. The crystal for wavelength conversion comprises two or more domain-inverted crystals having different inversion periods.
The laser device as described.
波型電極を有する請求項１〜７のいずれかに記載のレー
ザー装置。8. The laser device according to claim 1, wherein the power application means has a lumped-constant electrode or a traveling-wave electrode.
ー装置を用い、該装置の共振器内に設けられた変調−変
換手段の位相変調機能を有する変調部位に、変調電圧を
±１〜±１０００Ｖ／ｃｍの電界強度で課電することを
特徴とする、波長変換されかつ強度変調されたレーザー
光の出射方法。9. A laser device according to claim 1, wherein a modulation voltage of ± 1 is applied to a modulation portion having a phase modulation function of a modulation-conversion means provided in a resonator of the laser device. A method of emitting wavelength-converted and intensity-modulated laser light, characterized in that power is applied at an electric field strength of ± 1000 V / cm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9958298A JPH117050A (en) | 1997-04-23 | 1998-04-10 | Laser device and projecting method for laser light using the device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10555097 | 1997-04-23 | ||
| JP9-105550 | 1997-04-23 | ||
| JP9958298A JPH117050A (en) | 1997-04-23 | 1998-04-10 | Laser device and projecting method for laser light using the device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH117050A true JPH117050A (en) | 1999-01-12 |
Family
ID=26440705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9958298A Pending JPH117050A (en) | 1997-04-23 | 1998-04-10 | Laser device and projecting method for laser light using the device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH117050A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012145890A (en) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Optical device, laser device and exposure apparatus |
| WO2012160746A1 (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | 富士電機株式会社 | Light source device, analyzer, and light generation method |
| JP5096379B2 (en) * | 2007-01-29 | 2012-12-12 | パナソニック株式会社 | Solid-state laser device, display device, and wavelength conversion element |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP9958298A patent/JPH117050A/en active Pending
Cited By (4)
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| WO2012160746A1 (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | 富士電機株式会社 | Light source device, analyzer, and light generation method |
| US8654801B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-02-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Light source device, analysis device, and light generation method |
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