JPH1154600A - Temperature control device, substrate processing device, and, coating and development processing device - Google Patents

Temperature control device, substrate processing device, and, coating and development processing device

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JPH1154600A
JPH1154600A JP22430497A JP22430497A JPH1154600A JP H1154600 A JPH1154600 A JP H1154600A JP 22430497 A JP22430497 A JP 22430497A JP 22430497 A JP22430497 A JP 22430497A JP H1154600 A JPH1154600 A JP H1154600A
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temperature
unit
mounting table
substrate
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貴志 竹熊
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雅敏 出口
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政紀 佐竹
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control temperature of two mountings with one circulatory system of heat conductive medium. SOLUTION: Two cooling water flowing pipes 33 and 43 in each mounting 32 and 42 corresponding to two cooling processing devices CPI and CP2 are connected together by a connection pipe 22 in series. The cooling water supplied from a supplying device 21 circulates a forward pipe 23, the flowing pipe 33, the connection pipe 22, and a returning pipe 24. A temperature control mechanism 28 controlling the cooling water is controlled by the temperature of the cooling water detected by a temperature sensor 26 installed in the connection pipe 22.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の温度を調整
するための温度調整装置、基板処理装置及び塗布現像処
理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature adjusting device for adjusting the temperature of a substrate, a substrate processing apparatus, and a coating and developing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるフォ
トレジスト処理工程においては、半導体ウエハ(以下、
「ウエハ」という)などの基板の表面にレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し、所定のパターンで露光した
後に現像液で現像処理しているが、従来からかかるレジ
スト液塗布、現像処理を行うにあたっては、コータ・デ
ベロッパと呼ばれる塗布現像処理装置が使用されてい
る。
2. Description of the Related Art For example, in a photoresist processing step in a semiconductor manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a semiconductor wafer) is used.
A resist solution is applied to the surface of a substrate such as a "wafer") to form a resist film, which is exposed in a predetermined pattern and then developed with a developing solution. For this purpose, a coating and developing apparatus called a coater / developer is used.

【0003】この塗布現像処理装置においては、塗布現
像処理に必要な各種処理、例えばウエハ表面の疎水性を
高めるアドヒージョン処理、アドヒージョン処理後の冷
却処理、レジスト液塗布処理、レジスト液塗布後のレジ
ストを硬化するための加熱処理、露光処理後のウエハを
加熱するための加熱処理、露光処理後のウエハを現像す
る現像処理、現像処理後のウエハを加熱する加熱処理、
加熱処理後のウエハを冷却する冷却処理などの各種処理
を、枚葉式に実施するための各処理ユニットが集約した
形態で配置されている。
In this coating and developing apparatus, various processes necessary for the coating and developing process, such as an adhesion process for increasing the hydrophobicity of the wafer surface, a cooling process after the adhesion process, a resist solution coating process, and a resist after the resist solution coating are performed. Heat treatment for curing, heat treatment for heating the wafer after the exposure treatment, development treatment for developing the wafer after the exposure treatment, heat treatment for heating the wafer after the development treatment,
Various processing units for performing various processes such as a cooling process for cooling a wafer after the heating process in a single-wafer manner are arranged in an integrated manner.

【0004】この中でウエハを所定温度にまで冷ます処
理を行う冷却処理ユニットは、一般にクーリングプレー
トとも呼ばれ、従来、次のような構成を有している。す
なわち、ウエハを載置するアルミニウム等でできたプレ
ート内部に、伝熱媒体、例えば冷却水の流路を形成し、
プレート外部に設置されている冷却水の供給装置から供
給される冷却水を循環させる。この場合、既述したよう
に、塗布現像処理装置においては、複数の冷却処理ユニ
ットが設けられているが、各冷却処理ユニットに対して
は、各々対応する個別の供給装置が設けられている。そ
の理由は、各冷却処理ユニットにおいては、冷却すべき
ウエハの温度がその前の処理段階によって異なっている
から、各々別個の制御を行う必要があるからである。そ
のため従来は、1つの冷却処理ユニットに対しては1つ
の冷却水等、伝熱媒体の循環系、並びに温度を制御する
ための制御装置が各々設けられていた。
A cooling unit for cooling a wafer to a predetermined temperature is generally called a cooling plate, and conventionally has the following configuration. That is, a heat transfer medium, for example, a flow path of cooling water is formed inside a plate made of aluminum or the like on which a wafer is placed,
The cooling water supplied from the cooling water supply device installed outside the plate is circulated. In this case, as described above, a plurality of cooling processing units are provided in the coating and developing processing apparatus, and each cooling processing unit is provided with a corresponding individual supply device. The reason is that in each cooling processing unit, since the temperature of the wafer to be cooled differs depending on the preceding processing stage, it is necessary to perform separate control for each. Therefore, conventionally, one cooling processing unit is provided with one cooling water or the like, a circulation system of a heat transfer medium, and a control device for controlling the temperature.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の塗布現像処理装置においてスループットを向上させよ
うとすると、数多くの冷却処理ユニットを装備する必要
があり、そうなると、従来の冷却処理ユニットでは、冷
却水の循環系が錯綜してしまい、しかも冷却水の供給装
置もそれに応じて設置数を増加させなければならない。
その結果、必要スペースが肥大化し、またメンテナンス
の点で好ましくない。
However, in order to improve the throughput in this type of coating and developing processing apparatus, it is necessary to equip a large number of cooling processing units. Therefore, the number of cooling water supply devices must be increased accordingly.
As a result, the required space is enlarged, which is not preferable in terms of maintenance.

【0006】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、冷却処理ユニットや加熱処理ユニットなど、伝
熱媒体を用いてウエハなどの基板を所定温度にするため
の温度調整装置において、1つの伝熱媒体の循環系で2
つのユニットの載置台の温度調整を行うことができる温
度調整装置を提供して、前記従来の問題の解決を図るこ
とを第1の目的としている。また本発明は、かかる温度
調整装置の主たる構成を利用した基板温度調整ユニット
と、レジスト液塗布ユニットとを組み合わせた基板処理
装置を提供することを第2の目的としている。さらにま
た本発明は、前記温度調整装置の主たる構成を利用した
基板温度調整ユニットと、レジスト液塗布ユニットと、
現像ユニットとを組み合わせ、処理に応じた好適な温度
調整が可能な塗布現像処理装置を提供することを第3の
目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and is directed to a temperature control apparatus for setting a substrate such as a wafer to a predetermined temperature using a heat transfer medium, such as a cooling processing unit or a heating processing unit. 2 in the circulation system of two heat transfer media
It is a first object of the present invention to provide a temperature adjusting device capable of adjusting the temperature of a mounting table of two units and to solve the above-mentioned conventional problems. It is a second object of the present invention to provide a substrate processing apparatus in which a substrate temperature adjusting unit utilizing the main configuration of such a temperature adjusting apparatus and a resist liquid applying unit are combined. Still further, the present invention provides a substrate temperature adjustment unit using a main configuration of the temperature adjustment device, a resist liquid application unit,
It is a third object of the present invention to provide a coating and developing apparatus capable of suitably adjusting a temperature according to processing by combining with a developing unit.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記第1の目的を達成す
るため、請求項1によれば、載置台に載置された基板を
所定温度に調節するための温度調整装置であって、基板
を載置する第1の載置台及び第2の載置台と、これら第
1、第2の各載置台の内部に形成された流路に伝熱媒体
を供給する供給装置とを備え、前記供給装置には、供給
する伝熱媒体の温度を調節する温度調節機構が備えら
れ、この供給装置から供給される伝熱媒体が、第1の載
置台の流路を経た後第2の載置台の流路を流れるよう
に、前記供給装置、第1の載置台の流路及び第2の載置
台の流路は直列に系統接続され、さらに第1の載置台の
流路を出た後第2の載置台の流路に導入される前の段階
の伝熱媒体の温度を検出する温度検出装置を有し、前記
温度検出装置からの検出結果に基づいて、前記温度調節
機構を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする、
温度調整装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, there is provided a temperature adjusting device for adjusting a temperature of a substrate mounted on a mounting table to a predetermined temperature. And a supply device for supplying a heat transfer medium to a flow path formed inside each of the first and second mounting tables. The apparatus is provided with a temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the heat transfer medium to be supplied, and the heat transfer medium supplied from the supply device is supplied to the second mounting table after passing through the flow path of the first mounting table. The supply device, the flow path of the first mounting table, and the flow path of the second mounting table are system-connected in series so as to flow through the flow path, and after exiting the flow path of the first mounting table, A temperature detecting device for detecting the temperature of the heat transfer medium at a stage before being introduced into the flow path of the mounting table, and detecting the temperature from the temperature detecting device. Based on the results, characterized by comprising a control device for controlling the temperature adjusting mechanism,
A temperature control device is provided.

【0008】このような構成の温度調整装置によれば、
供給装置から供給される伝熱媒体が、第1の載置台の流
路を経た後第2の載置台の流路を流れるように直列に系
統接続されているので、1台の伝熱媒体の循環系で2つ
のユニットの温度調整を行うことができる。しかも温度
制御につては、第1の載置台の流路を出た後第2の載置
台の流路に導入される前の段階の伝熱媒体の温度に基づ
いて、供給装置の温度調節機構を制御しているので、第
1の載置台の温度制御の方をより正確に行える。したが
って、第1、第2の載置台の用途を、必要に応じた温度
調整用に使い分けることにより、効率のよい運用が可能
になる。もちろん循環系の配管も簡素化される。
According to the temperature control device having such a configuration,
Since the heat transfer medium supplied from the supply device is systematically connected in series so as to flow through the flow path of the first mounting table and then flow through the flow path of the second mounting table, The temperature of the two units can be adjusted in the circulation system. In addition, in the temperature control, based on the temperature of the heat transfer medium at a stage after exiting the flow path of the first mounting table and before being introduced into the flow path of the second mounting table, a temperature adjusting mechanism of the supply device is used. , The temperature of the first mounting table can be controlled more accurately. Accordingly, efficient use of the first and second mounting tables can be achieved by selectively using them for temperature adjustment as needed. Of course, the piping of the circulation system is also simplified.

【0009】なお本願各請求項において、伝熱媒体と
は、冷却水や加熱水、冷却ガスや加熱ガスなど、温度調
整に供する流体をいう。したがって、本発明の温度調整
装置は、冷却装置、加熱装置、さらには冷却、加熱の双
方を実施できる冷却・加熱装置としても具体化可能であ
る。もちろんヒートパイプ方式の加熱装置にも適用可能
である。
In the claims of the present application, the term "heat transfer medium" refers to a fluid used for temperature adjustment, such as cooling water or heating water, cooling gas or heating gas. Therefore, the temperature adjusting device of the present invention can be embodied as a cooling device, a heating device, or a cooling / heating device capable of performing both cooling and heating. Of course, the present invention is also applicable to a heat pipe type heating device.

【0010】また本発明の第2の目的を達成するため、
請求項2によれば、基板に対してレジスト液を塗布する
レジスト液塗布ユニットと、基板を所定温度にする基板
温度調整ユニットとを備えた基板の処理装置において、
前記基板温度調整ユニットは、基板を載置する載置台を
備えた第1のユニット及び第2のユニットとからなり、
さらに第1、第2の各ユニットにおける各載置台の内部
に形成された流路に伝熱媒体を供給する供給装置を備
え、前記供給装置には、供給する伝熱媒体の温度を調節
する温度調節機構が備えられ、この供給装置から供給さ
れる伝熱媒体が、第1のユニットの載置台の流路を経た
後第2のユニットの載置台の流路を流れるように、前記
供給装置、第1のユニットの載置台の流路及び第2のユ
ニットの載置台の流路は直列に系統接続され、さらに第
1のユニットの載置台の流路を出た後第2のユニットの
載置台の流路に導入される前の段階の伝熱媒体の温度を
検出する温度検出装置を有し、前記温度検出装置からの
検出結果に基づいて、前記温度調節機構を制御する制御
装置とを備え、前記第1のユニットは、前記レジスト液
塗布ユニットに基板を搬入する前段階の基板の温度調整
に使用されるものであることを特徴とする、基板処理装
置が提供される。
In order to achieve the second object of the present invention,
According to claim 2, in a substrate processing apparatus including a resist liquid application unit that applies a resist liquid to the substrate, and a substrate temperature adjustment unit that sets the substrate to a predetermined temperature,
The substrate temperature adjustment unit includes a first unit and a second unit including a mounting table for mounting the substrate,
The apparatus further includes a supply device for supplying a heat transfer medium to a flow path formed inside each mounting table in each of the first and second units, wherein the supply device has a temperature for adjusting the temperature of the supplied heat transfer medium. An adjusting mechanism, wherein the heat transfer medium supplied from the supply device passes through the flow path of the mounting table of the first unit and then flows through the flow path of the mounting table of the second unit; The flow path of the mounting table of the first unit and the flow path of the mounting table of the second unit are system-connected in series, and after exiting the flow path of the mounting table of the first unit, the mounting table of the second unit A temperature detecting device for detecting the temperature of the heat transfer medium at a stage before being introduced into the flow path, and a control device for controlling the temperature adjusting mechanism based on a detection result from the temperature detecting device. And the first unit includes a substrate on the resist liquid application unit. Characterized in that it is intended to be used in the temperature adjustment of the substrate before the step of loading, the substrate processing apparatus is provided.

【0011】かかる構成有する基板処理装置の基板温度
調整ユニットは、前出請求項1の温度調整装置の機能を
備えている。したがって、第1のユニットは、第2のユ
ニットよりも温度制御をより正確に行える。そのため、
温度に敏感なレジスト液を塗布する前の温度調整にこの
第1のユニットを使用することで、好適なレジスト処理
が行えると共に、循環系を共用している第2のユニット
を他の温度調整用に使用することができる。その結果基
板処理装置全体として、循環系の配管、装置周りは簡素
化される。
The substrate temperature adjusting unit of the substrate processing apparatus having such a configuration has the function of the temperature adjusting apparatus of the first aspect. Therefore, the first unit can perform temperature control more accurately than the second unit. for that reason,
By using this first unit for temperature adjustment before applying a temperature-sensitive resist solution, suitable resist processing can be performed, and the second unit sharing the circulation system can be used for another temperature adjustment. Can be used for As a result, the circulation system piping and the periphery of the apparatus are simplified as a whole of the substrate processing apparatus.

【0012】この場合、第2のユニットは、例えば請求
項3のように、基板の処理装置内における他の処理ユニ
ットに基板を搬入する前段階の基板の温度調整に使用し
たり、請求項4のように、基板の処理装置に並設された
インターフェース部に配置して、受け渡し待機部に適用
してもよい。
In this case, the second unit may be used for adjusting the temperature of the substrate before loading the substrate into another processing unit in the substrate processing apparatus. As described above, it may be arranged in an interface unit arranged in parallel with a substrate processing apparatus and applied to a transfer standby unit.

【0013】また本発明の第3の目的を達成するため、
請求項5によれば、基板に対してレジスト液を塗布する
レジスト液塗布ユニットと、露光処理後の基板に対して
現像処理する現像ユニットと、基板を所定温度にする基
板温度調整ユニットとを備えた、基板の塗布現像処理装
置において、前記基板温度調整ユニットは、基板を載置
する載置台を備えた第1のユニット及び第2のユニット
とからなり、さらに第1、第2の各ユニットの載置台の
内部に形成された流路に伝熱媒体を供給する供給装置を
備え、前記供給装置には、供給する伝熱媒体の温度を調
節する温度調節機構が備えられ、この供給装置から供給
される伝熱媒体が、第1のユニットの載置台の流路を経
た後第2のユニットの載置台の流路を流れるように、前
記供給装置、第1のユニットの載置台の流路及び第2の
ユニットの載置台の流路は直列に系統接続され、さらに
第1のユニットの載置台の流路を出た後第2のユニット
の載置台の流路に導入される前の段階の伝熱媒体の温度
を検出する温度検出装置を有し、前記温度検出装置から
の検出結果に基づいて、前記温度調節機構を制御する制
御装置とを備え、前記第1のユニットは、前記レジスト
液塗布ユニットに基板を搬入する前段階の基板の温度調
整に使用されるものであり、前記第2のユニットは、前
記現像ユニットでの処理が終了した後の基板の温度調整
に使用されるものであることを特徴とする、塗布現像処
理装置が提供される。
Further, in order to achieve the third object of the present invention,
According to claim 5, a resist liquid applying unit for applying a resist liquid to the substrate, a developing unit for developing the exposed substrate, and a substrate temperature adjusting unit for setting the substrate to a predetermined temperature are provided. Further, in the substrate coating and developing apparatus, the substrate temperature adjusting unit includes a first unit and a second unit each having a mounting table on which the substrate is mounted, and further includes a first unit and a second unit. A supply device that supplies a heat transfer medium to a flow path formed inside the mounting table; the supply device includes a temperature control mechanism that controls a temperature of the heat transfer medium to be supplied; The supply device, the flow path of the mounting table of the first unit, and the flow path of the mounting table of the first unit so that the heat transfer medium flows through the flow path of the mounting table of the first unit after passing through the flow path of the mounting table of the first unit. Mounting table for the second unit The flow paths are system-connected in series, and further detects the temperature of the heat transfer medium at a stage after exiting the flow path of the mounting table of the first unit and before being introduced into the flow path of the mounting table of the second unit. A control device for controlling the temperature adjustment mechanism based on a detection result from the temperature detection device, wherein the first unit is provided before the substrate is loaded into the resist liquid application unit. Wherein the second unit is used for adjusting the temperature of the substrate after the processing in the developing unit is completed. A development processing device is provided.

【0014】かかる塗布現像処理装置における基板温度
調整ユニットも、前出請求項2の基板温度調整ユニット
と同一の機能を有しており、第1のユニットは、第2の
ユニットよりも温度制御をより正確に行える。そのた
め、第1のユニットを温度に敏感なレジスト液を塗布す
る前の温度調整に、第2のユニットを現像処理が終わっ
た後、乾燥のための加熱処理が終わった後の基板の冷却
処理に用いれば、循環系を共用している第1、第2のユ
ニットの効率のよい運用が可能になる。したがって、塗
布現像処理装置における基板温度調整ユニットの循環系
の配管や供給装置周りが簡素化される。
The substrate temperature adjusting unit in such a coating and developing apparatus also has the same function as the substrate temperature adjusting unit according to the second aspect, and the first unit controls the temperature more than the second unit. More accurate. Therefore, the first unit is used for temperature adjustment before applying a temperature-sensitive resist solution, and the second unit is used for cooling processing of the substrate after completion of the development processing and then heating processing for drying. If it is used, efficient operation of the first and second units sharing the circulatory system becomes possible. Therefore, the piping around the circulating system of the substrate temperature adjusting unit and the periphery of the supply device in the coating and developing apparatus are simplified.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の好ましい実施の形態について説明する。図1は、本
発明の実施の形態にかかる塗布現像処理装置1の外観を
示しており、この塗布現像処理装置1は、カセットステ
ーション2と処理ステーション3とによって構成されて
いる。このカセットステーション2にある載置部4上の
所定位置には、処理対象であるウエハWを複数枚収容す
る複数のカセットCが載置自在となっている。またカセ
ットステーション2におけるカセットCの正面側(ウエ
ハWの搬入、搬出口がある側)には、副搬送装置5が配
置されている。この副搬送装置5は、カセットステーシ
ョン2のカセットCの配列方向(X方向)に沿って設定
されている搬送路6上を移動自在であり、カセットCに
対してウエハWを搬入出自在である。またこの副搬送装
置5には、ウエハWの位置決めを行うためのアライメン
ト機構(図示せず)が装備されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the appearance of a coating and developing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The coating and developing apparatus 1 includes a cassette station 2 and a processing station 3. A plurality of cassettes C accommodating a plurality of wafers W to be processed can be mounted at predetermined positions on the mounting portion 4 in the cassette station 2. A sub-transfer device 5 is disposed on the front side of the cassette C in the cassette station 2 (the side where the wafer W is loaded and unloaded). The sub-transfer device 5 is movable on a transfer path 6 set along the arrangement direction (X direction) of the cassettes C in the cassette station 2, and is capable of loading and unloading wafers W from and into the cassette C. . The sub-transfer device 5 is provided with an alignment mechanism (not shown) for positioning the wafer W.

【0016】処理ステーション3においては、その長手
方向、すなわち前記副搬送装置5の搬送路6と直角な方
向(Y方向)に、主搬送装置7の搬送路8が設定されて
おり、この主搬送装置7は、副搬送装置5との間でウエ
ハWの授受が自在である。そして、ウエハWに対して所
定の塗布現像処理を施すユニットとしての各種処理装置
は、前記搬送路8を挟んだ両側に配置されており、主搬
送装置7は、これら各種処理装置に対してウエハWを搬
入出自在である。
In the processing station 3, a transport path 8 of a main transport unit 7 is set in the longitudinal direction, that is, a direction (Y direction) perpendicular to the transport path 6 of the sub-transport apparatus 5. The apparatus 7 is capable of exchanging the wafer W with the sub-transfer apparatus 5. Various processing apparatuses as units for performing a predetermined coating and developing process on the wafer W are disposed on both sides of the transfer path 8. W can be carried in and out freely.

【0017】前記塗布現像処理装置1においては、カセ
ットCから取り出されたウエハWを洗浄するためのブラ
シスクラバ11、ウエハWに対して高圧ジェット洗浄す
るための洗浄装置12、ウエハWの表面を疎水化処理す
るアドヒージョン処理装置13、ウエハWの表面にレジ
スト液を塗布するレジスト液塗布装置14、15、露光
処理した後のウエハWを現像するための現像処理装置1
6、17、さらにウエハWを所定温度にまで加熱する複
数の加熱処理装置HP1〜HPn、ウエハWを所定温度
にまで冷却する複数の冷却処理装置CP1〜CPnが配
置されている。
In the coating and developing apparatus 1, a brush scrubber 11 for cleaning the wafer W taken out of the cassette C, a cleaning apparatus 12 for high-pressure jet cleaning of the wafer W, and a surface of the wafer W are made hydrophobic. Processing apparatus 13 for applying a resist liquid to the surface of wafer W, developing processing apparatus 1 for developing wafer W after exposure processing
6, 17 and a plurality of heat treatment devices HP1 to HPn for heating the wafer W to a predetermined temperature and a plurality of cooling treatment devices CP1 to CPn for cooling the wafer W to a predetermined temperature are arranged.

【0018】各冷却処理装置CP1〜CPnは、いずれ
も冷却水の供給装置から供給される冷却水を装置内に設
けられた載置台内に循環させるこで、載置台上のウエハ
を冷却する構成を有しているが、本実施形態において
は、図2に示したように、2台の冷却処理装置、例えば
冷却処理装置CP1、CP2を1組として、冷却水の供給
装置21から供給される冷却水をこれら2台の冷却処理
装置CP1、CP2に直列に循環するように構成されてい
る。
Each of the cooling devices CP1 to CPn cools a wafer on the mounting table by circulating cooling water supplied from a cooling water supply apparatus through a mounting table provided in the apparatus. However, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, two cooling processing devices, for example, cooling processing devices CP1 and CP2 are supplied as a set from the cooling water supply device 21. The cooling water is configured to circulate in series between these two cooling processing devices CP1 and CP2.

【0019】より詳述すると、まず冷却処理装置CP1
の処理容器31内の下部にはアルミニウム製の載置台3
2が設けられ、この載置台32内には、冷却水を通流さ
せる流路33が形成されている。なお載置台32には、
ウエハを直接支持するための上下動自在な支持ピン(図
示せず)が内設されている。冷却処理装置CP2の方
も、処理容器41内に設けられた載置台42上にウエハ
が載置自在であり、載置台42内には、冷却水を通流さ
せる流路43が形成されている。もちろんこの載置台4
2にも、上下動自在な支持ピン(図示せず)が内設され
ている。そして冷却処理装置CP1の流路33と冷却処
理装置CP2の流路43とは、接続路22を介して直列
に系統接続されている。
More specifically, first, the cooling processing device CP1
The mounting table 3 made of aluminum is provided at the lower part of the processing vessel 31 of FIG.
2 are provided, and a flow path 33 through which the cooling water flows is formed in the mounting table 32. The mounting table 32 includes
A vertically movable support pin (not shown) for directly supporting the wafer is provided therein. In the cooling processing apparatus CP2 as well, a wafer can be freely mounted on a mounting table 42 provided in the processing container 41, and a flow path 43 through which cooling water flows is formed in the mounting table 42. . Of course, this stage 4
2 also has a vertically movable support pin (not shown). The flow path 33 of the cooling processing device CP1 and the flow path 43 of the cooling processing device CP2 are system-connected in series via the connection path 22.

【0020】冷却処理装置CP1の流路33の入口側に
は、往路23が接続され、冷却処理装置CP2の流路4
3の出口側には、還路24が接続されている。そして往
路23は供給装置21の供給側に接続され、還路24は
供給装置21の戻り側に接続されている。往路23には
ポンプ25が介装されており、供給装置21から供給さ
れる冷却水は、往路23→冷却処理装置CP1の流路3
3→接続路22→冷却処理装置CP2の流路43→還路
24→供給装置21へと循環する。
The outward path 23 is connected to the inlet side of the flow path 33 of the cooling processing device CP1, and the flow path 4 of the cooling processing device CP2 is
The return path 24 is connected to the exit side of the third. The forward path 23 is connected to the supply side of the supply device 21, and the return path 24 is connected to the return side of the supply device 21. A pump 25 is interposed in the outward path 23, and the cooling water supplied from the supply device 21 is supplied to the outward path 23 → the flow path 3 of the cooling processing device CP1.
3 → the connection path 22 → the flow path 43 of the cooling processing device CP2 → the return path 24 → the supply device 21.

【0021】接続路22における冷却処理装置CP1の
流路33の出口側には、流路33を出た冷却水の温度を
検出する温度センサ26が介装されており、この温度セ
ンサ26からの温度信号は制御装置27へと出力され
る。制御装置27は、供給装置21に付設された、冷却
水の温度を調整する温度調節機構28に対して、流路3
3を出た冷却水が所定の水温となるようにフィードバッ
ク制御を行うように構成されている。具体的には、供給
装置21の出口側に設置した冷却水の温度を検出する出
口温度センサ29と、前出温度センサ26によって測定
される冷却水の温度差を監視しつつ温度制御を実施して
いる。
A temperature sensor 26 for detecting the temperature of the cooling water flowing out of the flow path 33 is provided at the outlet side of the flow path 33 of the cooling processing device CP1 in the connection path 22. The temperature signal is output to control device 27. The control device 27 controls a temperature control mechanism 28 attached to the supply device 21 for controlling the temperature of the cooling water.
The feedback control is performed so that the cooling water flowing out of the cooling water 3 has a predetermined water temperature. Specifically, the temperature control is performed while monitoring the temperature difference between the cooling water measured by the outlet temperature sensor 29 and the outlet temperature sensor 29 that detects the temperature of the cooling water installed on the outlet side of the supply device 21. ing.

【0022】そして本実施形態においては、冷却処理装
置CP1では、アドヒージョン処理装置13での疎水処
理が終了して、レジスト液塗布装置14又はレジスト液
塗布装置15でのレジスト液塗布処理に入る前のウエハ
に対して冷却処理を行うように配置やプログラムが設定
され、他方、冷却処理装置CP2で、現像処理装置16
又は現像処理装置17での現像処理が終了し、加熱装置
HPでの加熱処理が終わってカセットCに戻す前のウエ
ハに対して冷却処理を行うように、その配置やプログラ
ムが設定されている。
In the present embodiment, in the cooling processing unit CP1, the hydrophobic processing in the adhesion processing unit 13 is completed and before the resist liquid coating unit 14 or the resist liquid coating unit 15 starts the resist liquid coating process. The arrangement and the program are set so as to perform the cooling process on the wafer.
Alternatively, the arrangement and the program are set so that the cooling process is performed on the wafer before the return to the cassette C after the completion of the heating process in the heating device HP after the completion of the developing process in the developing device 17.

【0023】本実施形態にかかる現像処理装置1は、以
上のように構成されており、副搬送装置5によってカセ
ットCから取り出されたウエハW1は、主搬送装置7に
移載され、以後所定のレシピに従って、たとえばブラシ
スクラバ11→洗浄装置12→加熱処理装置HP→アド
ヒージョン処理装置13へと、順次主搬送装置7によっ
て搬送され、各処理装置において所定の処理が順次施さ
れていく。そしてアドヒージョン処理装置13において
レジストの定着性を高める疎水処理が終了したウエハW
1は、冷却処理装置CP1内の載置台32上に載置され、
所定温度まで冷却される。
The developing apparatus 1 according to the present embodiment is configured as described above. The wafer W1 taken out of the cassette C by the sub-transfer device 5 is transferred to the main transfer device 7, and thereafter, is moved to a predetermined position. In accordance with the recipe, for example, the brush scrubber 11 → the cleaning device 12 → the heat treatment device HP → the adhesion treatment device 13 are sequentially transferred by the main transfer device 7, and predetermined processing is sequentially performed in each processing device. Then, the wafer W that has been subjected to the hydrophobic processing for improving the fixability of the resist in the adhesion processing apparatus 13 is completed.
1 is mounted on a mounting table 32 in the cooling processing device CP1,
It is cooled to a predetermined temperature.

【0024】このとき、冷却処理装置CP1内の載置台
32内の流路33には、供給装置21からの冷却水が通
流しており、この冷却水によって載置台32が冷却さ
れ、載置台32上のウエハW1は冷却される。しかしな
がら、ウエハW1はアドヒージョン処理装置13での処
理によって高温(例えば120℃)になっているため、
載置台32を介しての熱交換によって流路33内で冷却
水の温度は上昇する。例えば温度調節機構28によって
23℃に温度調整されていた冷却水は、冷却処理装置C
P1内の載置台32上に載置された高温のウエハW1によ
って23℃以上、例えば24℃まで昇温する。
At this time, the cooling water from the supply device 21 flows through the passage 33 in the mounting table 32 in the cooling processing device CP1, and the mounting table 32 is cooled by the cooling water. The upper wafer W1 is cooled. However, since the wafer W1 has been heated to a high temperature (for example, 120 ° C.) by the processing in the adhesion processing apparatus 13,
The temperature of the cooling water increases in the flow path 33 due to the heat exchange via the mounting table 32. For example, the cooling water whose temperature has been adjusted to 23 ° C. by the temperature adjusting mechanism 28 is changed to the cooling processing device C.
The temperature is raised to 23 ° C. or higher, for example, 24 ° C., by the high-temperature wafer W1 mounted on the mounting table 32 in P1.

【0025】冷却水の当該温度の上昇は、接続路22に
おいて温度センサ26によって検出され、制御装置27
へと出力される。制御装置27では、温度センサ26で
検出される冷却水の温度、すなわち冷却処理装置CP1
の載置台32の流路33から出た冷却水の温度が所定温
度、例えば23℃となるように、供給装置21の温度調
節機構28に対してフィードバック制御を行う。例えば
供給装置21から供給される温度を、22℃となるよう
に冷却水の温度を下げる制御を行う。かかる制御によっ
て冷却処理装置CP1内の載置台32内の流路33に
は、初期段階においては22℃に近い温度の冷却水が通
流することになる。その結果、載置台32上のウエハW
1は、23℃の冷却水で冷却する場合よりも急速に冷却
され、しかも流路33の出口側の温度に基づいてそのよ
うに冷却水が調整されているため、精度よく冷却され
る。
The rise in the temperature of the cooling water is detected by the temperature sensor 26 in the connection passage 22 and the control device 27
Is output to. In the control device 27, the temperature of the cooling water detected by the temperature sensor 26, that is, the cooling processing device CP1
The feedback control is performed on the temperature adjustment mechanism 28 of the supply device 21 so that the temperature of the cooling water flowing out of the flow path 33 of the mounting table 32 becomes a predetermined temperature, for example, 23 ° C. For example, control is performed to lower the temperature of the cooling water so that the temperature supplied from the supply device 21 becomes 22 ° C. With this control, in the initial stage, cooling water having a temperature close to 22 ° C. flows through the passage 33 in the mounting table 32 in the cooling processing device CP1. As a result, the wafer W on the mounting table 32
1 is cooled more rapidly than the case of cooling with cooling water of 23 ° C., and furthermore, the cooling water is so adjusted based on the temperature of the outlet side of the flow path 33, so that it is cooled with high accuracy.

【0026】他方、冷却処理装置CP2の載置台42に
は、現像処理装置16又は現像処理装置17での現像処
理が終了し、加熱装置HPでの加熱処理が終わったウエ
ハW2が載置される。そして冷却処理装置CP2内の載置
台42内の流路43にも、冷却処理装置CP1を通過し
た冷却水が通流しているので、当該冷却水によって載置
台42が冷却され、当該載置台32上のウエハW2が冷
却される。
On the other hand, on the mounting table 42 of the cooling processing device CP2, the wafer W2 which has been subjected to the developing process in the developing device 16 or 17 and has been heated by the heating device HP is placed. . Since the cooling water that has passed through the cooling processing device CP1 flows through the flow path 43 in the mounting table 42 in the cooling processing device CP2, the mounting table 42 is cooled by the cooling water. Is cooled.

【0027】このとき載置台42内の流路43内に流入
する冷却水は、その入口側で23℃に制御された冷却水
が通流している。したがって、冷却処理装置CP2内の
載置台42内の流路43には、ウエハW2の温度によっ
て冷却水の温度が上昇しても、冷却処理装置CP1内の
載置台32内の流路33を流れる冷却水よりも低い温度
の冷却水が通流することはない。そのため、冷却の速度
は、冷却処理装置CP1の方が速い。しかしながら冷却
処理装置CP2で冷却処理に付されるウエハW2は、現像
処理が終わり、事実上全ての化学処理が終了したウエハ
であり、その後は実質的に他の処理には付されないもの
である。したがって、冷却速度についても、次に他の処
理が控えている冷却処理装置CP1程には必要がない。
また次の処理がないので、ウエハW2に対しては厳格な
温度制御する必要もない。
At this time, the cooling water flowing into the flow path 43 in the mounting table 42 is a cooling water controlled at 23 ° C. at the inlet side. Therefore, even if the temperature of the cooling water rises due to the temperature of the wafer W2, the flow channel 43 in the mounting table 42 in the cooling processing device CP2 flows through the flow channel 33 in the mounting table 32 in the cooling processing device CP1. Cooling water at a lower temperature than the cooling water does not flow. Therefore, the cooling speed is higher in the cooling processing device CP1. However, the wafer W2 subjected to the cooling processing by the cooling processing apparatus CP2 is a wafer that has been subjected to the development processing and has been substantially subjected to all the chemical processing, and is not substantially subjected to other processing thereafter. Therefore, the cooling rate is not necessary for the cooling processing apparatus CP1 in which other processing is to be performed next.
Since there is no next process, it is not necessary to perform strict temperature control on the wafer W2.

【0028】かかる点に着目すれば、冷却処理装置CP
2に対しても冷却処理装置CP1と同等の冷却速度、厳格
な温度制御を持たせる必要はない。むしろ2台の冷却処
理装置CP1、CP2を循環する冷却水で冷却する場合
に、本実施形態のように1つの供給装置21による1つ
の循環系でまかなっていることのメリットの方がはるか
に大きい。すなわち本実施形態によれば、まず1台の供
給装置21によって2台の冷却処理装置CP1、CP2を
稼働させることができ、それに伴って循環系の配管が簡
素化される。したがって、スペース、メンテナンスの点
で、従来よりも優れている。しかも1つの温度センサ2
6によって制御しているので、制御系も簡素化されてい
る。この場合、冷却処理の速度が高く、また精度も高い
方の冷却処理装置CP1を、レジスト液塗布前のウエハ
W1の冷却用に使用し、次の処理がなくまた厳格な温度
制御が必要のないウエハW2の冷却用に冷却処理装置C
P2を使用しているので、実情に適合した装置構成とな
っている。したがって実用上は全く支障のない冷却処理
が実施できる。
Focusing on this point, the cooling processing device CP
It is not necessary to provide the cooling rate and strict temperature control equivalent to those of the cooling processing device CP1 for the device 2. Rather, when cooling with the cooling water circulating through the two cooling processing devices CP1 and CP2, the merit of being provided by one circulation system with one supply device 21 as in the present embodiment is much greater. . That is, according to the present embodiment, first, two cooling processing devices CP1 and CP2 can be operated by one supply device 21, and accordingly, the piping of the circulation system is simplified. Therefore, in terms of space and maintenance, it is superior to the related art. Moreover, one temperature sensor 2
6, the control system is also simplified. In this case, the cooling processing device CP1, which has a higher cooling processing speed and higher accuracy, is used for cooling the wafer W1 before the application of the resist liquid, so that there is no subsequent processing and strict temperature control is not required. Cooling processing device C for cooling wafer W2
Since P2 is used, the device configuration is adapted to the actual situation. Therefore, a cooling process that does not hinder practically can be performed.

【0029】なお冷却処理装置CP1に載置されたウエ
ハW1は、所定の温度、例えば23℃に達した時点で載
置台32から離して冷却処理装置CP1から搬出する必
要があるが、かかるタイミングは、あらかじめダミーウ
エハ等で同様な冷却処理を実施して得たデータに基づい
て設定した時間に基づいてレシピ設定すればよい。
The wafer W1 mounted on the cooling processing unit CP1 needs to be separated from the mounting table 32 and carried out of the cooling processing unit CP1 when the temperature reaches a predetermined temperature, for example, 23 ° C. Alternatively, the recipe may be set based on a time set based on data obtained by performing a similar cooling process on a dummy wafer or the like in advance.

【0030】もちろんそのような時間による制御に代え
て、温度制御による離隔、搬出のタイミングを決定して
もよい。例えば図3に示したように、冷却処理装置CP
1の載置台32に温度センサ51を設け、この温度セン
サ51が検出した載置台32の温度が所定の温度、例え
ば23℃に達した時点でウエハW1を載置台32から離
して冷却処理装置CP1から搬出するように制御する。
この場合、載置台32から引き離してもしばらくは冷却
が進むことを見越して、所定温度よりも未だ若干高い温
度(前記例に即していえば、例えば23.1℃)に達し
た時点でウエハW1を載置台32から離して冷却処理装
置CP1から搬出するように制御してもよい。
Of course, instead of such time-based control, separation and unloading timing by temperature control may be determined. For example, as shown in FIG.
A temperature sensor 51 is provided on one of the mounting tables 32, and when the temperature of the mounting table 32 detected by the temperature sensor 51 reaches a predetermined temperature, for example, 23 ° C., the wafer W1 is separated from the mounting table 32 and is cooled. Is controlled to be carried out from
In this case, in anticipation of cooling for a while even if the wafer W1 is detached from the mounting table 32, when the temperature reaches a temperature slightly higher than the predetermined temperature (for example, 23.1 ° C. according to the above example), the wafer W1 is reached. May be controlled to be separated from the mounting table 32 and carried out of the cooling processing device CP1.

【0031】なお前記実施形態においては、冷却処理装
置CP2は、現像処理後の加熱処理が終わったウエハの
冷却処理用として具体化したが、もちろんこれに限ら
ず、厳格な温度制御や、急速な冷却が必要がない状態の
ウエハの冷却処理用として具体化してもよい。例えば現
像前のウエハの冷却用や、パターンの露光を行う露光装
置との間に設置されるインターフェース部におけるウエ
ハの冷却用として適用してもよい。
In the above-described embodiment, the cooling apparatus CP2 is embodied for cooling the wafer after the heating processing after the developing processing. However, the present invention is not limited to this. The present invention may be embodied for cooling a wafer that does not require cooling. For example, the present invention may be applied for cooling a wafer before development or for cooling a wafer in an interface unit provided between the wafer and an exposure apparatus for exposing a pattern.

【0032】さらにまた前記実施形態は、冷却処理に適
用した例であったが、本発明はこれに限らず、ヒートパ
イプなど、昇温させるための伝熱媒体としての流体、例
えば温水や油等を用いて載置台上の基板を加熱する加熱
処理装置に対しても適用可能である。基板も、ウエハに
限らずLCD基板やその他の基板であってもよい。
Further, the above-described embodiment is an example in which the present invention is applied to a cooling process. However, the present invention is not limited to this, and a fluid such as a heat pipe or the like as a heat transfer medium for raising the temperature, such as hot water or oil, may be used. The present invention is also applicable to a heat treatment apparatus that heats a substrate on a mounting table by using the method. The substrate is not limited to the wafer, and may be an LCD substrate or another substrate.

【0033】[0033]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、1つの伝熱媒
体の循環系で2つの載置台の温度調整を行うことができ
るから、従来よりも供給装置周りや配管を簡素化でき、
必要なスペースの節約が図れ、メンテナンス性も良好と
なる。請求項2〜4の基板処理装置によれば、1つの伝
熱媒体の循環系で、2つのユニットの温度調整が可能で
あり、また特に厳格な温度調整を必要とするレジスト液
の前段階で、より制御が正確で応答性のよい第1のユニ
ットを使用するようにしたので、好適なレジスト液塗布
処理が行える。もちろん基板処理装置全体としての、伝
熱媒体の循環系の配管、装置周りは簡素化される。そし
て請求項5の発明によれば、第1のユニットを温度に敏
感なレジスト液を塗布する前の温度調整に、第2のユニ
ットを現像処理が終わった後、乾燥のための加熱処理が
終わった後の基板の冷却処理に用いれことができるか
ら、第1、第2のユニットの効率のよい運用が可能にな
る。しかも塗布現像処理装置における基板温度調整ユニ
ットの循環系の配管や供給装置周りも簡素化されるか
ら、必要なスペースも従来より小さくて済み、またメン
テナンス性も良好である。
According to the first aspect of the present invention, the temperature of the two mounting tables can be adjusted by the circulation system of one heat transfer medium.
The required space can be saved, and the maintainability can be improved. According to the substrate processing apparatus of claims 2 to 4, the temperature of the two units can be adjusted by the circulation system of one heat transfer medium, and particularly in the stage before the resist solution that requires strict temperature adjustment. Since the first unit having a more precise control and a high response is used, a suitable resist liquid coating process can be performed. Of course, the piping of the heat transfer medium circulating system and the periphery of the apparatus as the entire substrate processing apparatus are simplified. According to the fifth aspect of the present invention, after the first unit is subjected to the temperature adjustment before the application of the temperature-sensitive resist solution, the second unit is subjected to the development processing, and then the heat treatment for drying is completed. Since the first and second units can be used for the cooling process of the substrate after the cooling, efficient operation of the first and second units becomes possible. In addition, since the piping of the circulating system of the substrate temperature adjusting unit and the periphery of the supply device in the coating and developing apparatus are simplified, the required space is smaller than before, and the maintainability is good.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理装置
の外観を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a coating and developing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の塗布現像処理装置における冷却処理装置
の系統の概略を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an outline of a system of a cooling processing apparatus in the coating and developing processing apparatus of FIG. 1;

【図3】他の載置台の温度を検出することができる他の
冷却処理装置の系統の概略を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view schematically showing a system of another cooling processing device capable of detecting the temperature of another mounting table.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 塗布現像処理装置 14、15 レジスト液塗布装置 16、17 現像処理装置 31、41 処理容器 21 供給装置 22 接続路 23 往路 24 還路 25 ポンプ 26 温度センサ 32、42 流路 33、43 載置台 CP1、CP2 冷却処理装置 W ウエハ REFERENCE SIGNS LIST 1 coating / developing processing apparatus 14, 15 resist liquid coating apparatus 16, 17 developing processing apparatus 31, 41 processing vessel 21 supply apparatus 22 connection path 23 forward path 24 return path 25 pump 26 temperature sensor 32, 42 flow path 33, 43 mounting table CP1 , CP2 cooling processing equipment W wafer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 載置台に載置された基板を所定温度に調
節するための温度調整装置であって、基板を載置する第
1の載置台及び第2の載置台と、これら第1、第2の各
載置台の内部に形成された流路に伝熱媒体を供給する供
給装置とを備え、前記供給装置には、供給する伝熱媒体
の温度を調節する温度調節機構が備えられ、この供給装
置から供給される伝熱媒体が、第1の載置台の流路を経
た後第2の載置台の流路を流れるように、前記供給装
置、第1の載置台の流路及び第2の載置台流路は直列に
系統接続され、さらに第1の載置台の流路を出た後第2
の載置台の流路に導入される前の段階の伝熱媒体の温度
を検出する温度検出装置を有し、前記温度検出装置から
の検出結果に基づいて、前記温度調節機構を制御する制
御装置とを備えたことを特徴とする、温度調整装置。
1. A temperature adjusting device for adjusting a substrate mounted on a mounting table to a predetermined temperature, comprising: a first mounting table and a second mounting table for mounting a substrate; A supply device that supplies a heat transfer medium to a flow path formed inside each of the second mounting tables; and the supply device includes a temperature adjustment mechanism that adjusts a temperature of the heat transfer medium to be supplied. The supply device, the flow path of the first mounting table, and the second flow path of the first mounting table so that the heat transfer medium supplied from the supply device flows through the flow path of the first mounting table after passing through the flow path of the first mounting table. 2 are connected in series in a system, and after exiting the flow path of the first mounting table,
A control device for detecting the temperature of the heat transfer medium in a stage before being introduced into the flow path of the mounting table, and for controlling the temperature adjustment mechanism based on a detection result from the temperature detection device And a temperature adjusting device.
【請求項2】 基板に対してレジスト液を塗布するレジ
スト液塗布ユニットと、基板を所定温度にするための基
板温度調整ユニットとを備えた基板の処理装置におい
て、前記基板温度調整ユニットは、基板を載置する載置
台を備えた第1のユニット及び第2のユニットとからな
り、さらに第1、第2の各ユニットの各載置台の内部に
形成された流路に伝熱媒体を供給する供給装置を備え、
前記供給装置には、供給する伝熱媒体の温度を調節する
温度調節機構が備えられ、この供給装置から供給される
伝熱媒体が、第1のユニットの載置台の流路を経た後第
2のユニットの載置台の流路を流れるように、前記供給
装置、第1のユニットの載置台の流路及び第2のユニッ
トの載置台の流路は直列に系統接続され、さらに第1の
ユニットの載置台の流路を出た後第2のユニットの載置
台の流路に導入される前の段階の伝熱媒体の温度を検出
する温度検出装置を有し、前記温度検出装置からの検出
結果に基づいて、前記温度調節機構を制御する制御装置
とを備え、前記第1のユニットは、前記レジスト液塗布
ユニットに基板を搬入する前段階の基板の温度調整に使
用されるものであることを特徴とする、基板処理装置。
2. A substrate processing apparatus comprising: a resist solution applying unit for applying a resist solution to a substrate; and a substrate temperature adjusting unit for adjusting a temperature of the substrate to a predetermined temperature. A first unit and a second unit each having a mounting table for mounting the first and second units, and a heat transfer medium is supplied to flow paths formed inside the respective mounting tables of the first and second units. Equipped with a supply device,
The supply device is provided with a temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the heat transfer medium to be supplied. The supply device, the flow path of the mounting table of the first unit, and the flow path of the mounting table of the second unit are system-connected in series so as to flow through the flow path of the mounting table of the first unit. Having a temperature detecting device for detecting the temperature of the heat transfer medium at a stage after exiting the flow path of the mounting table and before being introduced into the flow path of the mounting table of the second unit, and detecting the temperature from the temperature detecting device. A control device for controlling the temperature adjustment mechanism based on the result, wherein the first unit is used for adjusting the temperature of the substrate before the substrate is carried into the resist liquid application unit. A substrate processing apparatus, characterized in that:
【請求項3】 前記第2のユニットは、基板の処理装置
内における他の処理ユニットに基板を搬入する前段階の
基板の温度調整に使用されるものであることを特徴とす
る、請求項2に記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second unit is used for adjusting the temperature of the substrate before the substrate is carried into another processing unit in the substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to claim 1.
【請求項4】 前記第2のユニットは、基板の処理装置
に並設されたインターフェース部に配置されたことを特
徴とする、請求項2に記載の基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second unit is arranged in an interface unit provided in parallel with the substrate processing apparatus.
【請求項5】 基板に対してレジスト液を塗布するレジ
スト液塗布ユニットと、露光処理後の基板に対して現像
処理する現像ユニットと、基板を所定温度にする基板温
度調整ユニットとを備えた、基板の塗布現像処理装置に
おいて、前記基板温度調整ユニットは、基板を載置する
載置台を備えた第1のユニット及び第2のユニットとか
らなり、さらに第1、第2の各ユニットの各載置台の内
部に形成された流路に伝熱媒体を供給する供給装置を備
え、前記供給装置には、供給する伝熱媒体の温度を調節
する温度調節機構が備えられ、この供給装置から供給さ
れる伝熱媒体が、第1のユニットの載置台の流路を経た
後第2のユニットの載置台の流路を流れるように、前記
供給装置、第1のユニットの載置台の流路及び第2のユ
ニットの載置台の流路は直列に系統接続され、さらに第
1のユニットの載置台の流路を出た後第2のユニットの
載置台の流路に導入される前の段階の伝熱媒体の温度を
検出する温度検出装置を有し、前記温度検出装置からの
検出結果に基づいて、前記温度調節機構を制御する制御
装置とを備え、前記第1のユニットは、前記レジスト液
塗布ユニットに基板を搬入する前段階の基板の温度調整
に使用されるものであり、前記第2のユニットは、前記
現像ユニットでの処理が終了した後の基板の温度調整に
使用されるものであることを特徴とする、塗布現像処理
装置。
5. A resist liquid applying unit for applying a resist liquid to a substrate, a developing unit for developing the exposed substrate, and a substrate temperature adjusting unit for setting the substrate to a predetermined temperature. In the substrate coating and developing apparatus, the substrate temperature adjusting unit includes a first unit and a second unit each having a mounting table on which the substrate is mounted, and further includes a mounting unit for each of the first and second units. A supply device for supplying a heat transfer medium to a flow path formed inside the mounting table is provided, and the supply device is provided with a temperature control mechanism for controlling the temperature of the supplied heat transfer medium, and supplied from the supply device. The supply device, the flow path of the mounting table of the first unit, and the flow path of the first mounting unit so that the heat transfer medium flows through the flow path of the mounting table of the first unit after passing through the flow path of the mounting table of the first unit. Flow of mounting table of unit 2 The path is system-connected in series, and further detects a temperature of the heat transfer medium at a stage after exiting the flow path of the mounting table of the first unit and before being introduced into the flow path of the mounting table of the second unit. A control device for controlling the temperature adjustment mechanism based on a detection result from the temperature detection device, wherein the first unit is a stage before carrying the substrate into the resist liquid application unit. Wherein the second unit is used for adjusting the temperature of the substrate after the processing in the developing unit is completed. Processing equipment.
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KR100959566B1 (en) * 2003-03-11 2010-05-27 주식회사 코미코 Electrostatic Chuck System and Electrostatic Chuck having a improved cooling system
CN107976868A (en) * 2016-10-21 2018-05-01 上海微电子装备(集团)股份有限公司 A kind of immersion mask cooling device and cooling means

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