JPH11510313A

JPH11510313A - Flat panel detector for radiation image formation and pixels used therein

Info

Publication number: JPH11510313A
Application number: JP9-507034A
Authority: JP
Inventors: パルシング，シュレンドラー
Original assignee: リトンシステムズカナダリミテッド
Filing date: 1995-07-31
Publication date: 1999-09-07

Abstract

(57)【要約】放射線像画形成用フラットパネル検出器２０は行と列とに配置された画素のアレイ２２を含んでいる。ゲート線２４が各行の画素を相互接続し、ソース線２６が各列の画素を相互接続する。放射線トランスジューサＣSEが画素のアレイ上に配置されている。各画素はＴＦＴスイッチ３８を含み、そのゲート電極は一方のゲート線２４に接続されそのソース線４２は他方のゲート線に接続されている。ＴＦＴスイッチ３８のドレイン電極４０は画素２２の画素電極を構成する。ドレイン電極および底部電極５２はソース線２６に接続されて蓄積キャパシタＣSTを構成する。ＴＦＴスイッチがバイアスされてドレイン電極が充電されると、ドレイン電極はＴＦＴスイッチを介してソース端子およびゲート線へ放電される。その結果、底部電極により保持された電荷が放出されてソース線に接続された電荷増幅器により感知される。 (57) Summary The radiation image forming flat panel detector 20 includes an array 22 of pixels arranged in rows and columns. Gate lines 24 interconnect the pixels in each row, and source lines 26 interconnect the pixels in each column. A radiation transducer CSE is arranged on the array of pixels. Each pixel includes a TFT switch 38, the gate electrode of which is connected to one gate line 24, and the source line 42 of which is connected to the other gate line. The drain electrode 40 of the TFT switch 38 forms a pixel electrode of the pixel 22. Drain electrode and bottom electrode 52 are connected to source line 26 to form storage capacitor CST. When the TFT switch is biased and the drain electrode is charged, the drain electrode is discharged to the source terminal and the gate line via the TFT switch. As a result, the charge held by the bottom electrode is released and sensed by a charge amplifier connected to the source line.

Description

【発明の詳細な説明】放射線画像形成用フラットパネル検出器およびそこに使用する画素技術分野本発明は画像形成システムに関し、特に、放射線画像形成用フラットパネル検出器およびそこで使用する画素に関する。背景技術Ｘ線放射画像形成システムに使用するフラットパネル検出器が知られている。これらのピクセルセンサアレイの例は米国特許第５，１８４，０１８号および第５，３８１，０１４号に記載されている。このような一種のフラットパネル検出器は２次元ＴＦＴスイッチアレイ上の厚いアモルファスセレン膜（ａ−Ｓｅ）を含んでいる。ＴＦＴスイッチは行と列に配置されて２次元像形成システムを形成している。ゲート線が各行のＴＦＴスイッチを相互接続し、ソース線が各列のＴＦＴスイッチを相互接続する。セレン厚膜はＴＦＴスイッチアレイの頂部に直接堆積され、頂部電極がセレン膜上に堆積される。Ｘ線がセレン膜上に入射して頂部電極が高電圧でバイアスされると、セレン膜厚両端間の電界により電子ホール対が分離される。電界により駆動されるホールはピクセル電極（すなわち、ＴＦＴスイッチのドレイン電極）へ向かって移動し蓄積される。その結果電荷が画素電極により保持されてＸ線画像を発生させるのに使用することができる。画素電極により保持される電荷は各ゲート線へパルスを加えることにより読み取ることができる。ゲート線がパルスを受信すると、行のＴＦＴスイッチがオンとされて、画素電極上の信号電荷をＴＦＴスイッチを介してソース線上へ放電することができる。ソース線に接続された電荷増幅器が電荷を感知して電荷に比例する、したがってセレン膜上の曝射に比例する、出力電圧信号を与える。この画素設計は満足なものではあるが、代わりの設計が継続的に求められている。したがって、新しい放射像形成用フラットパネル検出器およびその中で使用する画素を提供することが本発明の目的である。発明の開示本発明の一つの特徴に従って、放射像形成フラットパネル検出器用画素が提供され、それは、入射放射線に曝射される放射線トランスジューサと、前記放射線トランスジューサの曝射に比例する正電荷を蓄積する前記放射線トランスジューサの一面上の画素電極と、誘電体により前記画素電極から分離されてソース線に接続されている第２の電極であって、前記画素と蓄積キャパシタを構成し、前記画素電極により蓄積される正電荷の大きさにほぼ等しい負電荷を発生する第２の電極と、前記画素電極と低電位端子間に接続された半導体スイッチであって、ゲート信号に応答して前記画素電極を前記低電位端子に電気的に接続してその上の前記画素電極を放電させ、前記底部電極は前記画素電極が放電する時に前記ソース線上の前記負電荷を放出して電荷を検出できるようにする半導体スイッチと、を含んでいる。本発明のもう一つの特徴に従って、放射像形成用フラットパネル検出器が提供され、それは、放射線変換層とその一面上の電極を含む放射線トランスジューサと、前記放射線変換層の他面上に行列配置された画素アレイと、前記画素によりその上に蓄積された電荷を感知することができる複数のソース線であって、各々が前記アレイの個別の前記行もしくは列の一方の画素を接続する複数のソース線と、蓄積された電荷を感知できるようにゲート信号が供給される複数のゲート線であって、各々が前記アレイの個別の前記行もしくは列の他方の画素を接続する複数のゲート線とを含み、前記各画素は、前記電極がバイアスされている時に前記放射線トランスジューサが曝射された場合に前記放射線変換層内にホールドリフトが生じる結果正電荷を蓄積する画素電極と、誘電体により前記画素電極から分離されて前記ソース線の１本に接続されている第２の電極であって、前記画素および第２の電極は蓄積キャパシタを構成し、前記第２の電極は前記画素電極により蓄積される正電荷の大きさにほぼ等しい負電荷を発生する第２の電極と、前記画素電極と低電位端子間に接続された半導体スイッチであって、前記半導体スイッチはゲート信号に応答して前記画素電極を前記低電位端子に電気的に接続してその上の前記画素電極を放電させ、前記底部電極は前記画素電極が放電する時に前記ソース線上の前記負電荷を放出して電荷を検出できるようにする半導体スイッチと、を含んでいる。本発明のさらにもう一つの特徴に従って、放射像形成用フラットパネル検出器が提供され、それは、放射変換層とその一面上の電極を含む放射線トランスジューサと、前記放射線変換層の他面上に行列配置されて共通基板上に形成された画素アレイと、前記基板上に形成され前記画素によりその上に蓄積された電荷を感知することができ、各々が前記アレイの個別の前記行もしくは列の一方の画素を接続する複数のソース線と、蓄積された電荷を検出できるように、その上にゲート信号が供給される前記基板上に形成され、各々が前記アレイの個別の前記行もしくは列の他方の画素を接続する複数のゲート線とを含み、前記各画素は、前記電極がバイアスされている時に前記放射線トランスジューサが曝射される場合に前記放射線変換層内にホールドリフトが生じる結果正電荷を蓄積する画素電極を構成するドレイン電極と、誘電ゲート絶縁層により前記画素電極から分離されて前記ソース線の１本に接続されている底部電極であって、前記画素および底部電極は蓄積キャパシタを構成し、前記第２の電極は前記画素電極により蓄積される正電荷の大きさにほぼ等しい負電荷を発生する底部電極と、低電位端子に接続されたソース電極とを有する薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタイッチはゲート信号に応答して前記画素電極を前記低電位端子に電気的に接続してその上の前記画素電極を放電させ、前記底部電極は前記画素電極が放電する時に前記ソース線上の前記負電荷を放出して電荷を検出可能とする。本発明のさらにもう一つの特徴に従って、放射源およびフラットパネル検出器を含む放射線画像形成システムが提供され、前記フラットパネル検出器は、放射線変換層とその一面上の電極を含む放射トランスジューサと、前記放射線変換層の他面上に行列配置された画素アレイと、前記画素によりその上に蓄積された電荷を感知することができる複数のソース線であって、各々が前記アレイの個別の前記行、もしくは列の一方の画素を接続する複数のソース線と、蓄積された電荷を感知できるようにゲート信号が供給され、各々が前記アレイの個別の前記行、もしくは列の他方の画素を接続する複数のゲート線と、各々が前記ソース線の１本に接続されてその上の電荷を検出する電荷増幅器アレイと、前記ゲート線へ連続的にゲート信号を供給して前記画素により蓄積された電荷を行毎に検出することができるゲートドライバとを含み、前記各画素は、前記電極がバイアスされている時に前記放射線トランスジューサが曝射されると前記放射線変換層内にホールドリフトが生じる結果正電荷を蓄積する画素電極と、誘電体により前記画素電極から分離されて前記ソース線の１本に接続されている第２の電極であって、前記画素と蓄積キャパシタを構成し、前記画素電極により蓄積される正電荷の大きさにほぼ等しい負電荷を発生する第２の電極と、前記画素電極と低電位端子間に接続され、ゲート信号に応答して前記画素電極を前記低電位端子に電気的に接続してその上の画素電極を放電させ、かつ前記底部電極は画素電極が放電する時に前記ソース線上の前記負電荷を放出して前記電荷増幅器により電荷を検出できるようにする半導体スイッチとを含んでいる。本発明により、放射線トランスジューサの曝射を検出して容量性トランスジューサをトランジスタを介して電荷増幅器へ放電する必要性を回避する、最小限のハードウェア部品を有する比較的単純な回路設計が提供される。さらに、各画素に２本のソース線を使用すると、ソース線へのノイズの影響が著しく低減される。図面の簡単な説明次に、添付図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明を行うが、ここに、図１は本発明に従った放射線画像形成用フラットパネル検出器の模式図、図２は図１のフラットパネル検出器の一部を形成する画素の等価回路図、図３は図１のフラットパネル検出器の一部を形成する画素の平面図、図４は図３の画素の４−４線に沿った断面図、図５は放射像形成用フラットパネル検出器の画素の別の実施例の等価回路図、図６はフラットパネル検出器を内蔵する放射像形成システムの模式図。実施例図１を参照して、放射線画像形成用フラットパネル検出器を一般的に参照番号２０で示す。フラットパネル検出器は行列配置された複数の画素２２を含んでいる。クロムで形成されたゲート線２４が各行の画素２２を相互接続し、ソース線２６が各列の画素２２を相互接続する。ゲート線２４は制御回路２９からの入力に応答してゲート線２４へ連続的にパルスを与えるゲートドライバ回路２８に接続される。ソース線２６は電荷増幅器３０に接続され、それは次にアナログマルチプレクサ３２に接続される。アナログマルチプレクサは制御回路２９からの入力に応答してデジタル化された放射像を生成するようにデジタル化することができる画像出力を与える。図２は画素２２の一つの等化回路である。図からお判りのように、画素はノードＣおよび３ｋＶ程度の高電位電圧源７４に接続された放射トランスジューサＣ SEを含んでいる。蓄積キャパシタＣSTがソース線２６だけでなくノードＣにも接続されている。薄膜トランジスタ（“ＴＦＴ”）スイッチ３８のドレイン電極４０もノードＣに接続されており、画素２２の画素電極を画定する。ＴＦＴスイッチ３８のソース電極４２は一方のゲート線２４に接続され、ＴＦＴスイッチ３８のゲート電極は他方のゲート線２４に接続されている。図３および図４を参照して、本発明に従って形成される画素２２の一つを詳細に示す。底部電極５２がソース線２６と共にガラス基板５０上に形成されソース線２６に電気的に接続されている。誘電層５３がソース線２６、底部電極５２および基板５０に重畳されている。ゲート線２４は誘電層５３上に堆積されクロムにより形成されている。ＳｉＯ₂もしくはＳｉＮx により形成されたゲート絶縁層５４がゲート線２４および誘電層５３上に重畳されている。ゲート線２４上のゲート絶縁層５２上にはＴＦＴスイッチ３８のチャネル５６を画定するカドミウムセレナイド（ＣｄＳｅ）により形成された半導体材料層が堆積されている。チャネル５６にはＴＦＴスイッチ３８のそれぞれドレインおよびソース電極４０，４２が接触している。ＳｉＯ₂もしくはＳｉにより形成されたパシベーション層５８がチャネル５６のドレインおよびソース電極で被覆されない部分を被覆している。ＴＦＴスイッチアレイ上には放射トランスジューサＣSEがある。放射トランスジューサはおよそ３００μｍから５００μｍ厚のセレン（Ｓｅ）放射変換層７０の形状とされている。放射変換層上にＩｎ，ＡｌもしくはＡｕにより頂部電極７２が形成されている。頂部電極７２は高電位電圧源７４に接続されていて放射トランスジューサＣSEに必要なバイアスを与える。頂部電極７２およびドレイン電極４０は放射トランスジューサＣSEの電極を形成し、ドレイン電極４０および底部電極５２は蓄積キャパシタＣSTの電極を形成する。１個の画素２２しか図示されていないが、アレイ内の各画素２２は同じであり基板上に適切な層を堆積し必要に応じてそれらをエッチングすることにより画素は基板５０上に同時に形成されることをお判り願いたい。動作において、電極７２が電圧源７４により高電位へバイアスされフラットパネル検出器２０が曝射されて放射変換層７０内に電界が生じ、それにより電子は頂部電極７２に向かって移動しホールはドレインすなわち画素電極４０に向かって移動する。大多数のホールはドレイン電極へドリフトしそこに正電荷が蓄積される。フラットパネル検出器２０が曝射されている間、ゲート線２４は実質的にＴＦＴスイッチ３８をオフ状態に維持するようにされる。ドレイン電極４０が正電荷を蓄積してＴＦＴスイッチがオフとされると、ソース線２６を介して電荷増幅器３０から底部電極５２へ負電荷が引き出され、蓄積キャパシタＣSTを構成する電極４０，５２に等量の反対電荷が現れるようにされる。フラットパネル検出器２０が曝射された後で画像を生成したい場合には、制御回路２９からの入力に応答してゲートドライバ２８により各ゲート線２４へ連続的にバイアスが加えられる。ゲート線２４にバイアスが加えられると、そのゲート線に接続されたすべてのＴＦＴスイッチ３８がオンとされる。それにより、これらの画素の底部電極５２により保持された電荷は、これらの画素２２へ伸びるソース線２６に接続された電荷増幅器３０により感知することができる。したがって、ゲート線２４を連続的にバイアスすることにより、放射線画像を行毎に生成することができる。次に、１個の画素２２を参照して、底部電極５２により保持された電荷を感知する方法について説明する。ゲート線２４にバイアスが加えられると、ＴＦＴスイッチ３８はオン状態へ調整される。ＴＦＴスイッチがオンとされると、ドレイン電極４０はソース電極４２に電気的に接続され、したがって、ＴＦＴスイッチ３８を介して画素２２のもう一つの行に関連するゲート線２４に電気的に接続されている。この段階において、他方のゲート線２４は接地され、したがって、低電位である。これが生じると、ドレイン電極４０により保持された電荷はＴＦＴスイッチ３８を介して接地されたゲート線２４上へ放電される。これが生じると、ソース線２６を介して電荷増幅器３０から引き出された底部電極５２上の負電荷が放出される。ソース線２６上の電荷のこの変化は電荷増幅器３０により感知される。底部電極５２上の電荷は放射線トランスジューサＣSEの曝射に比例するため、電荷増幅器３０により感知される電荷の変化も放射線トランスジューサの曝射に比例する。次に、電荷増幅器３０は放射線トランスジューサＣSEの曝射を表す出力を発生してアナログマルチプレクサ３２へ運ぶ。次に、図５を参照して、フラットパネル検出器において放射線画像形成に使用する画素のもう一つの実施例を一般的に参照番号１２２で示す。ＴＦＴスイッチ３８のソース電極１４２がゲート線１２４ではなく第２のソース線１２６’に接続されている点を除けば、画素１２２は前の実施例に示すものと非常に似ている。この実施例では、画素１２２に関連するソース線１２６，１２６’は平衡電荷増幅器１３０に接続されている。各画素が２本のソース線を有するため、１本のソース線１２６により寄与されるノイズは他方のソース線１２６’により寄与されるノイズと相殺されて、ノイズの全体的な影響が低減される。また、２本のソース線を使用することにより奇数調波の影響が低減されるだけでなく、ＴＦＴスイッチ１３８により発生される偶数調波の影響を低減するのにも役立つ。画素２２の動作中に、フラットパネル検出器が曝射されて底部電極が充電された後で、ゲート線１２４にバイアスが加えられると、ドレイン電極１４０により保持されている電荷はＴＦＴスイッチ１３８を介してソース線１２６’上へ放電され、そこで電荷増幅器１３０により感知される。同時に、底部電極５２上の電荷は放出される。それによるソース線１２６上の電荷の変化も電荷増幅器１３０により感知される。平衡電荷増幅器１３０はソース線１２６，１２６’からの入力を検出して、画素１２２の曝射に比例する出力電圧を発生する。図６に被写体２０２の放射像を撮像するＸ線画像形成システム２００を示す。Ｘ線画像形成システム２００は放射源２０４およびフラットパネル検出器２０６を含んでいる。フラットパネル検出器は第２図および第５図に示す画素を含むことができる。図からお判りのように、被写体のＸ線画像を撮像する時は、被写体２０２は放射線源２０４とフラットパネル検出器２０６との間に配置されてＸ線に曝射される。被写体２０４を通過するＸ線放射はフラットパネル検出器２０６に接触して、前記したように被写体を撮像することができる。当業者にはお判りのように、本発明ではＴＦＴスイッチを介して電荷増幅器へ電荷を放電することなく、画素電極により蓄積された電荷を感知することができる。また、各画素に２本のソース線を使用すると、電子ノイズが低減される。画素のさまざまな構成要素を形成する特定の材料を参照してきたが、当業者ならば他の適切な材料も使用できることがお判りであろう。また、当業者ならば請求の範囲に明示された範囲を逸脱することなく、本発明にさまざまな変更および修正を施すことができるものと思われる。BACKGROUND OF THE INVENTION pixel TECHNICAL FIELD The present invention is radiographic imaging flat panel detector and used therein relates to an image forming system, in particular, relates to pixels used radiographic imaging flat panel detector and there. BACKGROUND ART Flat panel detectors for use in X-ray radiation imaging systems are known. Examples of these pixel sensor arrays are described in U.S. Patent Nos. 5,184,018 and 5,381,014. One such type of flat panel detector includes a thick amorphous selenium film (a-Se) on a two-dimensional TFT switch array. The TFT switches are arranged in rows and columns to form a two-dimensional imaging system. Gate lines interconnect the TFT switches in each row, and source lines interconnect the TFT switches in each column. A selenium thick film is deposited directly on top of the TFT switch array, and a top electrode is deposited on the selenium film. When X-rays are incident on the selenium film and the top electrode is biased at a high voltage, the electron hole pairs are separated by the electric field across the selenium film. The holes driven by the electric field move toward the pixel electrode (ie, the drain electrode of the TFT switch) and are accumulated. As a result, the charges are retained by the pixel electrodes and can be used to generate an X-ray image. The charge held by the pixel electrode can be read by applying a pulse to each gate line. When the gate line receives the pulse, the TFT switch in the row is turned on, and the signal charge on the pixel electrode can be discharged onto the source line via the TFT switch. A charge amplifier connected to the source line senses the charge and provides an output voltage signal that is proportional to the charge and thus proportional to the exposure on the selenium film. Although this pixel design is satisfactory, alternative designs are continuously being sought. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a new radiation imaging flat panel detector and pixels for use therein. DISCLOSURE OF THE INVENTION In accordance with one aspect of the present invention, there is provided a pixel for a radiation imaging flat panel detector, which stores a radiation transducer exposed to incident radiation and a positive charge proportional to the radiation transducer exposure. A pixel electrode on one surface of the radiation transducer; and a second electrode separated from the pixel electrode by a dielectric and connected to a source line, the second electrode forming a storage capacitor with the pixel, and storing by the pixel electrode. A second electrode for generating a negative charge substantially equal to the magnitude of the positive charge to be applied, and a semiconductor switch connected between the pixel electrode and a low potential terminal, wherein the pixel electrode is connected to a gate signal in response to a gate signal. The pixel electrode is electrically connected to a low potential terminal to discharge the pixel electrode thereon, and the bottom electrode is connected to the source line when the pixel electrode discharges. A semiconductor switch that emits the negative charge so that the charge can be detected. According to another aspect of the invention, there is provided a flat panel detector for radiation imaging, comprising: a radiation transducer comprising a radiation conversion layer and electrodes on one side thereof; and a matrix arranged on the other side of the radiation conversion layer. A plurality of source lines capable of sensing the charge stored thereon by the pixels, each source line connecting one pixel of a separate row or column of the array. A plurality of gate lines to which a gate signal is supplied so as to be able to sense the accumulated charge, each of the plurality of gate lines connecting the other pixel of the individual row or column of the array. Wherein each of the pixels is positive if the radiation transducer is exposed when the electrode is biased, resulting in a hole drift in the radiation conversion layer. A pixel electrode for accumulating electric charges, and a second electrode separated from the pixel electrode by a dielectric and connected to one of the source lines, wherein the pixel and the second electrode constitute a storage capacitor. Wherein the second electrode is a second electrode that generates a negative charge substantially equal to the magnitude of the positive charge stored by the pixel electrode, and a semiconductor switch connected between the pixel electrode and a low potential terminal. Responding to a gate signal, the semiconductor switch electrically connects the pixel electrode to the low potential terminal to discharge the pixel electrode thereon, and the bottom electrode is connected to the source line when the pixel electrode discharges. A semiconductor switch that emits the negative charge to detect the charge. In accordance with yet another aspect of the present invention, there is provided a flat panel detector for radiation imaging, comprising: a radiation transducer including a radiation conversion layer and an electrode on one surface thereof; and a matrix arrangement on the other surface of the radiation conversion layer. A pixel array formed on a common substrate and sensing the charge formed on the substrate and accumulated thereon by the pixels, each one of one of the individual rows or columns of the array. A plurality of source lines connecting the pixels, and formed on the substrate to which the gate signal is supplied so that the stored charge can be detected, each of which is the other of the individual rows or columns of the array. A plurality of gate lines connecting the pixels, wherein each of the pixels is in the radiation conversion layer when the radiation transducer is exposed when the electrodes are biased. A drain electrode forming a pixel electrode that accumulates positive charges as a result of a hole drift; and a bottom electrode that is separated from the pixel electrode by a dielectric gate insulating layer and connected to one of the source lines, And the bottom electrode constitutes a storage capacitor, the second electrode comprises a bottom electrode generating a negative charge substantially equal to the magnitude of the positive charge stored by the pixel electrode, and a source electrode connected to the low potential terminal. Wherein the thin film transistor switch electrically connects the pixel electrode to the low potential terminal in response to a gate signal to discharge the pixel electrode thereon, and the bottom electrode has the pixel electrode. When discharging, the negative charge on the source line is released to detect the charge. According to yet another aspect of the present invention, there is provided a radiation imaging system including a radiation source and a flat panel detector, the flat panel detector comprising: a radiation transducer including a radiation conversion layer and electrodes on one side thereof; A pixel array arranged in a matrix on the other surface of the radiation conversion layer, and a plurality of source lines capable of sensing charges stored thereon by the pixels, each of which is a separate row of the array; Alternatively, a plurality of source lines connecting one pixel of a column, and a plurality of gate lines supplied with a gate signal so as to be able to sense accumulated charge, each connecting the other pixel of the row or column of the array. A charge amplifier array, each connected to one of the source lines to detect charge thereon, and a gate signal to the gate line continuously A gate driver that can supply and detect the charge accumulated by the pixel on a row-by-row basis, wherein each pixel is configured to receive the radiation conversion when the radiation transducer is exposed when the electrode is biased. A pixel electrode that accumulates positive charges as a result of hole drift in the layer; and a second electrode that is separated from the pixel electrode by a dielectric and connected to one of the source lines. A second electrode that forms a capacitor and generates a negative charge substantially equal to the magnitude of the positive charge stored by the pixel electrode, and is connected between the pixel electrode and a low potential terminal, A pixel electrode is electrically connected to the low potential terminal to discharge the pixel electrode thereon, and the bottom electrode releases the negative charge on the source line when the pixel electrode discharges. And a semiconductor switch to be able to detect the charge by the charge amplifier. The present invention provides a relatively simple circuit design with minimal hardware components that detects the radiation transducer exposure and avoids the need to discharge the capacitive transducer through a transistor to a charge amplifier. . Further, when two source lines are used for each pixel, the influence of noise on the source lines is significantly reduced. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein FIG. 1 is a schematic diagram of a flat panel detector for radiation image formation according to the present invention, 2 is an equivalent circuit diagram of a pixel forming part of the flat panel detector of FIG. 1, FIG. 3 is a plan view of a pixel forming part of the flat panel detector of FIG. 1, and FIG. 4 is a pixel of FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of another embodiment of the pixel of the radiation image forming flat panel detector, and FIG. 6 is a schematic diagram of a radiation image forming system incorporating the flat panel detector. FIG. With reference to the embodiment FIG. 1, indicated generally by the reference numeral 20 to the flat panel detector for radiation imaging. The flat panel detector includes a plurality of pixels 22 arranged in a matrix. Gate lines 24 made of chromium interconnect the pixels 22 in each row, and source lines 26 interconnect the pixels 22 in each column. The gate line 24 is connected to a gate driver circuit 28 that continuously supplies a pulse to the gate line 24 in response to an input from the control circuit 29. Source line 26 is connected to charge amplifier 30, which is in turn connected to analog multiplexer 32. The analog multiplexer provides an image output that can be digitized to produce a digitized radiation image in response to input from control circuit 29. FIG. 2 shows one equalizing circuit of the pixel 22. As can be seen, the pixel includes a radiating transducer C SE connected to node C and a high potential voltage source 74 of the order of 3 kV. The storage capacitor CST is connected not only to the source line 26 but also to the node C. The drain electrode 40 of the thin film transistor ("TFT") switch 38 is also connected to node C and defines the pixel electrode of the pixel 22. The source electrode 42 of the TFT switch 38 is connected to one gate line 24, and the gate electrode of the TFT switch 38 is connected to the other gate line 24. Referring to FIGS. 3 and 4, one of the pixels 22 formed in accordance with the present invention is shown in detail. A bottom electrode 52 is formed on the glass substrate 50 together with the source line 26 and is electrically connected to the source line 26. A dielectric layer 53 is overlaid on the source line 26, the bottom electrode 52 and the substrate 50. Gate line 24 is deposited on dielectric layer 53 and is formed of chromium. A gate insulating layer 54 made of SiO ₂ or SiNx is superimposed on the gate line 24 and the dielectric layer 53. On the gate insulating layer 52 on the gate line 24, a semiconductor material layer formed of cadmium selenide (CdSe) that defines the channel 56 of the TFT switch 38 is deposited. The drain and source electrodes 40 and 42 of the TFT switch 38 are in contact with the channel 56, respectively. A passivation layer 58 made of SiO ₂ or Si covers a portion of the channel 56 that is not covered with the drain and source electrodes. On the TFT switch array is a radiation transducer CSE. The radiation transducer is in the form of a selenium (Se) radiation conversion layer 70 approximately 300 μm to 500 μm thick. The top electrode 72 is formed of In, Al, or Au on the radiation conversion layer. The top electrode 72 is connected to a high potential voltage source 74 to provide the necessary bias for the radiating transducer CSE. Top electrode 72 and drain electrode 40 form the electrodes of radiation transducer CSE, and drain electrode 40 and bottom electrode 52 form the electrodes of storage capacitor CST. Although only one pixel 22 is shown, each pixel 22 in the array is the same and the pixels are simultaneously formed on the substrate 50 by depositing the appropriate layers on the substrate and etching them as necessary. I hope you understand that. In operation, the electrode 72 is biased to a high potential by the voltage source 74 and the flat panel detector 20 is exposed, creating an electric field in the radiation conversion layer 70, which causes electrons to move toward the top electrode 72 and holes to drain. That is, it moves toward the pixel electrode 40. The majority of holes drift to the drain electrode where positive charges are stored. While the flat panel detector 20 is exposed, the gate line 24 is adapted to substantially keep the TFT switch 38 off. When the drain electrode 40 stores positive charges and the TFT switch is turned off, negative charges are drawn from the charge amplifier 30 to the bottom electrode 52 via the source line 26, and are transferred to the electrodes 40 and 52 constituting the storage capacitor CST. An equal amount of opposite charge is allowed to appear. If an image is desired to be generated after the flat panel detector 20 has been exposed, a gate driver 28 applies a continuous bias to each gate line 24 in response to an input from a control circuit 29. When a bias is applied to the gate line 24, all the TFT switches 38 connected to the gate line are turned on. Thereby, the charge held by the bottom electrodes 52 of these pixels can be sensed by the charge amplifier 30 connected to the source line 26 extending to these pixels 22. Therefore, by continuously biasing the gate lines 24, a radiation image can be generated for each row. Next, a method of sensing the charge held by the bottom electrode 52 with reference to one pixel 22 will be described. When a bias is applied to the gate line 24, the TFT switch 38 is adjusted to the ON state. When the TFT switch is turned on, the drain electrode 40 is electrically connected to the source electrode 42 and, therefore, is electrically connected to the gate line 24 associated with another row of the pixel 22 via the TFT switch 38. Have been. At this stage, the other gate line 24 is grounded and is therefore at a low potential. When this occurs, the charge held by the drain electrode 40 is discharged onto the grounded gate line 24 via the TFT switch 38. When this occurs, negative charges on the bottom electrode 52 drawn from the charge amplifier 30 via the source line 26 are released. This change in charge on source line 26 is sensed by charge amplifier 30. Since the charge on the bottom electrode 52 is proportional to the exposure of the radiation transducer CSE, the change in charge sensed by the charge amplifier 30 is also proportional to the exposure of the radiation transducer. Next, charge amplifier 30 generates an output representing the exposure of radiation transducer CSE and conveys it to analog multiplexer 32. Referring now to FIG. 5, another embodiment of a pixel used for radiation imaging in a flat panel detector is indicated generally by the reference numeral 122. The pixel 122 is very similar to that shown in the previous embodiment, except that the source electrode 142 of the TFT switch 38 is connected to the second source line 126 'instead of the gate line 124. In this embodiment, the source lines 126, 126 'associated with pixel 122 are connected to balanced charge amplifier 130. Because each pixel has two source lines, the noise contributed by one source line 126 cancels the noise contributed by the other source line 126 ', reducing the overall effect of the noise. . The use of two source lines not only reduces the effects of odd harmonics, but also helps to reduce the effects of even harmonics generated by the TFT switch 138. During operation of pixel 22, when a bias is applied to gate line 124 after the flat panel detector is exposed and the bottom electrode is charged, the charge held by drain electrode 140 is transferred through TFT switch 138. And discharged onto source line 126 ′ where it is sensed by charge amplifier 130. At the same time, the charge on the bottom electrode 52 is released. The change in charge on the source line 126 due to the change is also sensed by the charge amplifier 130. Balanced charge amplifier 130 detects inputs from source lines 126, 126 'and generates an output voltage proportional to the exposure of pixel 122. FIG. 6 shows an X-ray image forming system 200 that captures a radiation image of the subject 202. X-ray imaging system 200 includes a radiation source 204 and a flat panel detector 206. The flat panel detector may include the pixels shown in FIGS. 2 and 5. As can be seen from the figure, when capturing an X-ray image of the subject, the subject 202 is disposed between the radiation source 204 and the flat panel detector 206 and is exposed to X-rays. The X-ray radiation passing through the subject 204 contacts the flat panel detector 206 and can image the subject as described above. As will be appreciated by those skilled in the art, the present invention can sense the charge stored by the pixel electrode without discharging the charge to the charge amplifier via the TFT switch. When two source lines are used for each pixel, electronic noise is reduced. Although reference has been made to the specific materials forming the various components of the pixel, those skilled in the art will recognize that other suitable materials can be used. It is also contemplated that those skilled in the art may make various changes and modifications to the invention without departing from the scope specified in the claims.

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】１９９７年７月９日【補正内容】図３および図４を参照して、本発明に従って形成される画素２２の一つを詳細に示す。底部電極５２がソース線２６と共にガラス基板５０上に形成されソース線２６に電気的に接続されている。誘電層５３がソース線２６、底部電極５２および基板５０に重畳されている。ゲート線２４は誘電層５３上に堆積されクロムにより形成されている。ＳｉＯ₂もしくはＳｉＮx により形成されたゲート絶縁層５４がゲート線２４および誘電層５３上に重畳されている。ゲート線２４上のゲート絶縁層５４上にはＴＦＴスイッチ３８のチャネル５６を画定するカドミウムセレナイド（ＣｄＳｅ）により形成された半導体材料層が堆積されている。チャネル５６にはＴＦＴスイッチ３８のそれぞれドレインおよびソース電極４０，４２が接触している。ＳｉＯ₂もしくはＳｉにより形成されたパシベーション層５８がチャネル５６のドレインおよびソース電極で被覆されない部分を被覆している。ＴＦＴスイッチアレイ上には放射トランスジューサＣSEがある。放射トランスジューサはおよそ３００μｍから５００μｍ厚のセレン（Ｓｅ）放射変換層７０の形状とされている。放射変換層上にＩｎ，ＡｌもしくはＡｕにより頂部電極７２が形成されている。頂部電極７２は高電位電圧源７４に接続されていて放射トランスジューサＣSEに必要なバイアスを与える。頂部電極７２およびドレイン電極４０は放射トランスジューサＣSEの電極を形成し、ドレイン電極４０および底部電極５２は蓄積キャパシタＣSTの電極を形成する。１個の画素２２しか図示されていないが、アレイ内の各画素２２は同じであり基板上に適切な層を堆積し必要に応じてそれらをエッチングすることにより画素は基板５０上に同時に形成されることをお判り願いたい。動作において、電極７２が電圧源７４により高電位へバイアスされフラットパネル検出器２０が曝射されて放射変換層７０内に電界が生じ、それにより電子は頂部電極７２に向かって移動しホールはドレインすなわち画素電極４０に向かって移動する。大多数のホールはドレイン電極へドリフトしそこに正電荷が蓄積される。フラットパネル検出器２０が曝射されている間、ゲート線２４は実質的にＴＦＴスイッチ３８をオフ状態に維持するようにされる。ドレイン電極４０が正電荷【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】１９９７年１０月２０日【補正内容】請求の範囲１．放射線画像形成フラットパネル検出器用画素であって、入射放射線に曝射される放射線トランスジューサと、前記放射線トランスジューサの曝射に比例する正電荷を蓄積する前記放射線トランスジューサの一方の面上の画素電極と、誘電体により前記画素電極から分離されてソース線に接続され、前記画素とで蓄積キャパシタを構成し、前記画素電極により蓄積される正電荷の大きさに等しい負電荷を発生する第２の電極と、前記画素電極と接地端子間に接続され、ゲート信号に応答して前記画素電極を前記接地端子に電気的に接続してその上の前記画素電極を放電させ、前記第２の電極は前記画素電極が放電する時に前記ソース線上の前記負電荷を放出して電荷を検出できるようにする半導体スイッチと、を有する、放射線画像形成フラットパネル検出器用画素。２．前記半導体スイッチは前記画素電極を構成するドレイン端子と、ゲート線に接続されそこから受信される前記ゲート信号に応答するゲート端子と、前記接地端子に接続されたソース端子とを有する薄膜トランジスタの形態である、請求項１記載の画素。３．さらに、前記ソース線に接続されて前記負電荷の放出を検出する電荷増幅器を含む、請求項２記載の画素。４．前記接地端子が第２のソース線であり、前記第２のソース線が前記電荷増幅器にも接続されている、請求項３記載の画素。５．放射線画像形成用フラットパネル検出器であって、放射線変換層とその一面上の電極とを含む放射トランスジューサと、前記放射線変換層の他方の面上に行と列とに配置された画素アレイと、その上で前記画素により蓄積された電荷を感知することができ、各々が前記アレイの個別の前記行もしくは列の一方の画素を接続する複数のソース線と、蓄積された電荷を感知できるようにその上にゲート信号が連続して与えられ、各々が前記アレイの個別の前記行もしくは列の他方の画素を接続する複数のゲート線とを含み、前記各画素は、前記放射線トランジューサが曝射され、前記電極がバイアスされている時に、生じる前記放射線変換層内のホールドリフトにより正電荷を蓄積する画素電極と、誘電体により前記画素電極から分離されて前記ソース線の１本に接続され、前記画素との間で蓄積キャパシタを構成し、前記画素電極により蓄積される正電荷の大きさに等しい負電荷を発生する第２の電極と、前記画素電極と接地端子間に接続され、ゲート信号に応答して前記画素電極を前記接地端子に電気的に接続してその上の前記画素電極を放電させる半導体スイッチとを有し、前記第２の電極は前記画素電極が放電する時に前記ソース線上の前記負電荷を放出して電荷を検出できるようにする、放射線画像形成用フラットパネル検出器。６．前記半導体スイッチは薄膜トランジスタの形態を有し、前記画素、ゲートおよびソース線は共通基板上に形成されている請求項５記載のフラットパネル検出器。７．前記低電位端子は異なる行の画素を相互接続するゲート線である、請求項６記載のフラットパネル検出器。８．さらに、各々が前記ソース線の１本に接続されてその上の電荷を検出する電荷増幅器のアレイを含む、請求項６記載のフラットパネル検出器。９．さらに、前記ゲート線へ連続的にゲート信号を供給して前記画素により蓄積される電荷を行毎に検出できるようにするゲートドライバを含む、請求項７記載のフラットパネル検出器。１０．前記接地端子は前記画素に接続されている第２のソース線であり、前記電荷は両ソース線を感知することにより検出される、請求項６記載のフラットパネル検出器。１１．さらに、各々が前記アレイの個別の行もしくは列の一方を相互接続する両ソース線に接続されてその上の電荷を検出する電荷増幅器のアレイを含む、請求項１０記載のフラットパネル検出器。１２．放射線源およびフラットパネル検出器を含む放射線画像形成システムであって、前記フラットパネル検出器は、放射線変換層とその一方の面上の電極とを含む放射線トランスジューサと、前記放射線変換層の他方の面上に行と列とに配置された画素アレイと、その上に前記画素により蓄積される電荷を感知することができ、各々が前記アレイの個別の前記行もしくは列の一方の画素を接続し、蓄積された電荷を感知できるようにゲート信号が供給され、各々が前記画素アレイの個別の前記行もしくは列の他方の画素を接続する複数のゲート線と、各々が前記ソース線の１本に接続されてその上の電荷を検出する電荷増幅器のアレイと、前記ゲート線へ連続的にゲート信号を供給して前記画素により蓄積される電荷を行毎に検出できるようにするゲートドライバとを含み、前記各画素は、前記放射トランスジューサが曝射され、前記電極がバイアスされているときに生じる前記放射変換層内のホールドリフトにより正電荷を蓄積する画素電極と、誘電体により前記画素電極から分離されて前記ソース線の１本に接続され、前記画素との間で蓄積キャパシタを構成し、前記画素電極により蓄積される正電荷の大きさに等しい負電荷を発生する第２の電極と、前記画素電極と接地端子間に接続された半導体スイッチを有し、前記半導体スイッチはゲート信号に応答して前記画素電極を前記接地端子に電気的に接続してその上の前記画素電極を放電させ、前記第２の電極は前記画素電極が放電する時に前記ソース線上の前記負電荷を放出して前記電荷増幅器により電荷を検出できるようにする、放射線画像形成システム。【図３】【図４】 [Procedural Amendment] Article 184-8, Paragraph 1 of the Patent Act [Date of Submission] July 9, 1997 [Content of Amendment] Referring to FIGS. 3 and 4, one of the pixels 22 formed according to the present invention will be described. Is shown in detail. A bottom electrode 52 is formed on the glass substrate 50 together with the source line 26 and is electrically connected to the source line 26. A dielectric layer 53 is overlaid on the source line 26, the bottom electrode 52 and the substrate 50. Gate line 24 is deposited on dielectric layer 53 and is formed of chromium. A gate insulating layer 54 made of SiO ₂ or SiNx is superimposed on the gate line 24 and the dielectric layer 53. On the gate insulating layer 54 on the gate line 24, a semiconductor material layer formed of cadmium selenide (CdSe) that defines the channel 56 of the TFT switch 38 is deposited. The drain and source electrodes 40 and 42 of the TFT switch 38 are in contact with the channel 56, respectively. A passivation layer 58 made of SiO ₂ or Si covers a portion of the channel 56 that is not covered with the drain and source electrodes. On the TFT switch array is a radiation transducer CSE. The radiation transducer is in the form of a selenium (Se) radiation conversion layer 70 approximately 300 μm to 500 μm thick. The top electrode 72 is formed of In, Al, or Au on the radiation conversion layer. The top electrode 72 is connected to a high potential voltage source 74 to provide the necessary bias for the radiating transducer CSE. Top electrode 72 and drain electrode 40 form the electrodes of radiation transducer CSE, and drain electrode 40 and bottom electrode 52 form the electrodes of storage capacitor CST. Although only one pixel 22 is shown, each pixel 22 in the array is the same and the pixels are simultaneously formed on the substrate 50 by depositing the appropriate layers on the substrate and etching them as necessary. I hope you understand that. In operation, the electrode 72 is biased to a high potential by the voltage source 74 and the flat panel detector 20 is exposed, creating an electric field in the radiation conversion layer 70, which causes electrons to move toward the top electrode 72 and holes to drain. That is, it moves toward the pixel electrode 40. The majority of holes drift to the drain electrode where positive charges are stored. While the flat panel detector 20 is exposed, the gate line 24 is adapted to substantially keep the TFT switch 38 off. The drain electrode 40 has a positive charge. [Procedure for Amendment] Article 184-8, Paragraph 1 of the Patent Act [Date of Submission] October 20, 1997 [Contents of Amendment] Claims 1. A radiation imaging flat panel detector pixel, comprising: a radiation transducer exposed to incident radiation; a pixel electrode on one surface of the radiation transducer that stores a positive charge proportional to the radiation transducer exposure; is connected to the source line is separated from the pixel electrode by a dielectric, the pixel constitute a storage capacitor with the second to generate a negative charge that is equal to the magnitude of the positive charge accumulated by said pixel electrode An electrode, connected between the pixel electrode and a ground terminal, in response to a gate signal, electrically connecting the pixel electrode to the ground terminal to discharge the pixel electrode thereon, and the second electrode A semiconductor switch that releases the negative charge on the source line when the pixel electrode discharges to detect the charge. Pixel for rat panel detector. 2. The semiconductor switch in the form of a thin film transistor having a drain terminal constituting said pixel electrode, a gate terminal responsive to the gate signal received therefrom is connected to the gate line, and a source terminal connected to the grounding terminal The pixel according to claim 1, wherein 3. The pixel according to claim 2, further comprising a charge amplifier connected to the source line to detect emission of the negative charge. 4. The pixel according to claim 3, wherein the ground terminal is a second source line, and the second source line is also connected to the charge amplifier. 5. A flat panel detector for forming a radiation image, comprising: a radiation transducer including a radiation conversion layer and an electrode on one surface thereof; and a pixel array arranged in rows and columns on the other surface of the radiation conversion layer. The charge accumulated by the pixels can then be sensed, a plurality of source lines each connecting one pixel of the individual row or column of the array, and the accumulated charge can be sensed. the gate signal is given continuously on, and a plurality of gate lines, each of which connects the other pixels of the individual of the row or column of the array, each pixel has the radiation Tran juicer is exposure When the electrode is biased, a pixel electrode that accumulates positive charges due to a hole drift in the radiation conversion layer that occurs, and is separated from the pixel electrode by a dielectric. Connected to one of the serial source lines constitute a storage capacitor between the pixel and a second electrode for generating a negative charge equal to the magnitude of the positive charge accumulated by said pixel electrode, the pixel electrode and connected between the ground terminal, and a semiconductor switch for discharging the pixel electrode thereon and electrically connecting the pixel electrode in response to a gate signal to the ground terminal, the second electrode A flat panel detector for radiation image formation, wherein the negative charge on the source line is released when the pixel electrode discharges to detect the charge. 6. The flat panel detector according to claim 5, wherein the semiconductor switch has a form of a thin film transistor, and the pixel, the gate, and the source line are formed on a common substrate. 7. The flat panel detector according to claim 7, wherein the low potential terminal is a gate line interconnecting pixels in different rows. 8. 7. The flat panel detector of claim 6, further comprising an array of charge amplifiers each connected to one of said source lines to detect a charge thereon. 9. The flat panel detector according to claim 7, further comprising a gate driver that continuously supplies a gate signal to the gate line so that charges accumulated by the pixels can be detected for each row. 10. The flat panel detector according to claim 6, wherein the ground terminal is a second source line connected to the pixel, and the electric charge is detected by sensing both the source lines. 11. 11. The flat panel detector of claim 10, further comprising an array of charge amplifiers each connected to both source lines interconnecting one of the individual rows or columns of the array to detect charge thereon. 12. A radiation imaging system comprising a radiation source and a flat panel detector, said flat panel detector comprising: a radiation transducer including a radiation conversion layer and an electrode on one surface thereof; and a second surface of the radiation conversion layer. A pixel array arranged in rows and columns above, and capable of sensing the charge stored by the pixels thereon, each connecting a pixel of one of the individual rows or columns of the array; A gate signal is supplied so as to be able to sense the accumulated charge, and a plurality of gate lines each connecting the other pixel of the individual row or column of the pixel array, and each being connected to one of the source lines An array of charge amplifiers for detecting the electric charges thereon, and a gate signal continuously supplied to the gate lines to detect the electric charges accumulated by the pixels for each row. A pixel electrode that accumulates positive charges due to hole drift in the radiation conversion layer that occurs when the radiation transducer is exposed and the electrode is biased; the is separated from the pixel electrode is connected to one of said source lines, constitute a storage capacitor between the pixel, generating an equal have negative charge on the magnitude of the positive charge accumulated by said pixel electrode by A second electrode, and a semiconductor switch connected between the pixel electrode and a ground terminal, wherein the semiconductor switch electrically connects the pixel electrode to the ground terminal in response to a gate signal. The second electrode discharges the negative charge on the source line when the pixel electrode discharges so that the charge can be detected by the charge amplifier. Radiation imaging system. FIG. 3 FIG. 4

Claims

[Claims] 1. A pixel for a radiation imaging flat panel detector, A radiation transducer exposed to incident radiation; The radiation transducer accumulating a positive charge proportional to the radiation transducer exposure; A pixel electrode on one side of the transducer; It is separated from the pixel electrode by a dielectric, connected to a source line, and communicates with the pixel. Forming a storage capacitor, wherein the magnitude of the positive charge stored by the pixel electrode is substantially A second electrode generating an equal negative charge; The pixel electrode connected between the pixel electrode and a low potential terminal, Is electrically connected to the low potential terminal to discharge the pixel electrode thereon, The sub-electrode discharges the negative charge on the source line when the pixel electrode discharges, and A semiconductor switch for detecting a load; A pixel for a radiation image forming flat panel detector, comprising: 2. The semiconductor switch includes a drain terminal forming the pixel electrode, and a gate line. A gate terminal responsive to said gate signal connected thereto and received therefrom; A thin film transistor having a source terminal connected to a potential terminal; The pixel according to claim 1. 3. Further, a charge amplifier connected to the source line for detecting the emission of the negative charge 3. The pixel according to claim 2, comprising a vessel. 4. The low potential terminal is a second source line, and the second source line is the charge source. 4. The pixel according to claim 3, wherein the pixel is also connected to an amplifier. 5. A flat panel detector for forming a radiation image, A radiation transducer comprising a radiation conversion layer and an electrode on one side thereof; A pixel array arranged in rows and columns on the other surface of the radiation conversion layer, The charge accumulated by the pixels can then be sensed, each of which is A plurality of source lines connecting one pixel of each said row or column of the ray; A gate signal is provided thereon so that the accumulated charge can be sensed, A plurality of gate lines connecting the other pixels of the individual rows or columns of the array. Wherein each said pixel is exposed to said radiation transducer and said electrode is a via. Positive charge due to the resulting hole drift in the radiation conversion layer The pixel electrode to be accumulated and the source line separated from the pixel electrode by a dielectric. Connected to a single pixel, constitutes a storage capacitor with the pixel, and stores the image with the pixel electrode. A second electrode for generating a negative charge substantially equal to the magnitude of the positive charge to be accumulated; The pixel electrode is connected between an electrode and a low potential terminal, and the pixel electrode is connected to the low potential A semiconductor switch electrically connected to the ground terminal to discharge the pixel electrode thereon. Wherein the bottom electrode is connected to the negative electrode on the source line when the pixel electrode discharges. A flat panel detector for radiographic imaging that releases charges and detects charges. Dispenser. 6. The semiconductor switch has a form of a thin film transistor, and includes the pixel, the gate and the gate. 6. The flat panel detection according to claim 5, wherein the source line and the source line are formed on a common substrate. vessel. 7. 7. The low potential terminal is a gate line interconnecting pixels in different rows. The flat panel detector as described. 8. Further, each is connected to one of the source lines to detect a charge thereon. 7. The flat panel detector of claim 6, comprising an array of charge amplifiers. 9. Further, a gate signal is continuously supplied to the gate line and stored by the pixel. 8. A gate driver comprising: a gate driver for detecting a charge to be accumulated row by row. On-board flat panel detector. 10. The low potential terminal is a second source line connected to the pixel, 7. The flat plate according to claim 6, wherein said charge is detected by sensing both source lines. Panel detector. 11. Further, each interconnects one of the individual rows or columns of the array A contractor that includes an array of charge amplifiers connected to both source lines to detect charge thereon. A flat panel detector according to claim 10. 12. A flat panel detector for forming a radiation image, A radiation transducer comprising a radiation conversion layer and an electrode on one side thereof; Formed on a common substrate, arranged in rows and columns on the other surface of the radiation conversion layer Pixel array, Sensing charge formed on the substrate and accumulated by the pixels on the substrate Each of which connects a pixel in one of the individual rows or columns of the array. Multiple source lines, The substrate on which a gate signal is supplied so as to be able to sense the accumulated charge Formed on each, each connecting the other pixel of the individual row or column of the array Each of the pixels, When the radiation transducer is exposed and the electrodes are biased, A pixel electrode that accumulates positive charges due to hole drift in the radiation conversion layer. A thin film transistor having a drain electrode to be formed; It is separated from the pixel electrode by a dielectric gate insulating layer and contacts one of the source lines. To form a storage capacitor with the pixel and store the storage capacitor with the pixel electrode. A bottom electrode that produces a negative charge approximately equal to the magnitude of the positive charge A source electrode connected to a low potential terminal; Electrically connects the pixel electrode to the low potential terminal in response to a gate signal. Discharging the pixel electrode on the top, the bottom electrode said when the pixel electrode discharges A radiographic image form that releases the negative charge on the source line so that the charge can be detected Flat panel detector for commercial use. 13. The low potential terminal is a gate line interconnecting pixels in different rows. Item 13. A flat panel detector according to item 12. 14． Further, each is connected to one of the source lines to detect a charge thereon. 13. The flat panel detector of claim 12, comprising an array of charge amplifiers. 15. Further, a gate signal is continuously supplied to the gate line, and 2. A gate driver comprising: a gate driver configured to detect stored charges on a row-by-row basis. 4. The flat panel detector according to 4. 16. The low-potential terminal is a second source line connected to the pixel; 7. The flat panel according to claim 6, wherein the load is detected by sensing both source lines. Detector. 17． Further, each interconnects one of the individual rows or columns of the array A contractor that includes an array of charge amplifiers connected to both source lines to detect charge thereon. A flat panel detector according to claim 16. 18. In radiation imaging systems including radiation sources and flat panel detectors And the flat panel detector includes: A radiation transducer comprising a radiation conversion layer and an electrode on one side thereof; A pixel array arranged in rows and columns on the other surface of the radiation conversion layer, The charge stored by the pixel thereon can be sensed, each of which is Connect one pixel of each said row or column of a ray and sense the accumulated charge Gate signals are supplied to each of the individual rows or rows of the pixel array. Is a plurality of gate lines connecting the other pixels of the column, Charge amplifiers each connected to one of the source lines to detect the charge thereon An array, Charge stored in the pixel by continuously supplying a gate signal to the gate line And a gate driver that can detect for each row. When the radiating transducer is exposed and the electrodes are biased A pixel electrode that accumulates positive charges due to the resulting hole drift in the radiation conversion layer; Separated from the pixel electrode by a dielectric and connected to one of the source lines; A storage capacitor is formed between the pixel and the pixel, and a positive charge stored by the pixel electrode A second electrode that generates a negative charge approximately equal to the magnitude of A semiconductor switch connected between the pixel electrode and a low potential terminal; A switch electrically connects the pixel electrode to the low potential terminal in response to a gate signal And discharges the pixel electrode thereon, and the bottom electrode discharges the pixel electrode Sometimes the negative charge on the source line is released and the charge is detected by the charge amplifier. Radiation imaging system.