JPH11352012A - 光学系の検査方法、光学系の製造方法及び露光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、露光装置等の光学装置が実際に設置
及び使用される環境条件とは異なる環境条件下でも投影
光学系等の光学系の結像性能を、装置が設置及び使用さ
れる環境条件と同じになるように調整及び評価でき得る
光学系の検査方法、その検査方法を用いた光学系及び露
光装置の製造方法を提供する。 【構成】所定の波長を持つ光を光学系へ導く導光工程
と、前記光学系の調整場所での環境条件と前記光学系の
使用場所での環境条件の差異に基づき前記光学系に入射
する前記光の波長を調整する波長調整工程とを有する光
学系の検査方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学系の評価方法
に関するものであり、特に、好ましくは半導体素子や液
晶表示素子を光リソグラフィー工程によって製造する露
光装置における投影光学系の評価方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子等の素子を製
造するために、所定のパターンが形成された投影原版と
してのマスクを、投影光学系を介して感光性基板上に投
影露光する露光装置が用いられている。このような露光
装置の投影光学系としては、露光波長の光に対して透過
性の光学特性を持つ屈折性の光学素子等のレンズで構成
される屈折型の投影光学系、あるいは屈折性の光学素子
等のレンズと反射性の光学素子としてのミラーとを組み
合わせて構成される反射屈折型の投影光学系が用いられ
ている。

【０００３】他方、近年においては、半導体素子、液晶
表示素子等に代表される素子の集積度が高まり、感光性
基板上に転写されるパターンも微細化の一途をたどって
いる。そして、マスクのパターンを感光性基板に良好に
転写し得る露光装置、さらにはより高い集積度を持つ半
導体素子を始めとした各種の素子を製造するための露光
装置を実現するためには、露光装置中の投影光学系にお
いてより高い解像力を持つ極めて高い光学性能が要求さ
れる。

【０００４】より高い解像力を達成するために、投影光
学系の開口数（ＮＡ）が大きくなっているのと同時に、
露光光を供給する光源もｇ線（436nm)やｉ線（365nm)を
発光する従来の超高圧水銀ランプから、より波長の短い
エキシマレーザ等が用いられ始められている。これらの
露光装置が設置されて実際に使用される場所は、露光装
置の投影光学系の調整及び評価が行われた環境条件と必
ずしも同じとは限らない。例えば、露光装置が設置され
て実際に使用される場所は、露光装置の投影光学系の調
整及び評価が行われた標高と比べて、はるかに標高が高
く、平均気圧の低い場所となるケースも多い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般的に、標高が変化
する大気圧が変化し、それに伴い空気の屈折率が変化す
る。そして、空気の屈折率が変化すると、レンズ等の屈
折性の光学素子等においては、屈折面での光線の屈折角
が変化し、その結果、光学系の結像性能が変化する。

【０００６】従来においては、露光装置の投影光学系の
調整、評価を行う標高（以下、低地と呼ぶ。）と露光装
置が実際に設置及び使用される標高（以下、高地と呼
ぶ。）が異なる場合には、一旦、低地において調整等に
よって投影光学系を所望の結像性能にする。その後、例
えば投影光学系のレンズ間隔を変更して、露光装置を高
地に移動及び設置した状態において、投影光学系の所望
の結像性能が再現できるように意図的に投影光学系の結
像性能を変化させている。

【０００７】しかしながら、投影光学系において異なる
標高向けの収差オフセットを加えた場合には、投影光学
系の結像性能が悪化し、低地において投影光学系の結像
性能の正確な評価が困難となる。このため、露光装置が
実際に設置及び使用される場所での投影光学系の光学性
能を予め低地において確認するためには、露光装置全体
が収納できる気圧可変チャンパー等の大掛かりな設備と
時間が必要となる。

【０００８】そこで、本発明は、以上の課題に鑑みてな
されたものであり、露光装置等の光学装置が実際に設置
及び使用される環境条件とは異なる環境条件下でも投影
光学系等の光学系の結像性能を、装置が設置及び使用さ
れる環境条件と同じになるように調整及び評価でき得る
光学系の検査方法、その検査方法を用いた光学系及び露
光装置の製造方法を提供することを目的としている。

【０００９】

【発明を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、請求項１に係る発明では、光学系の光学性能が検
査される第１環境条件と前記光学系が使用される第２環
境条件との差異に基づき、前記光学系の光学性能を検査
するための検査光の波長を調整する波長調整工程と、前
記波長調整工程によって調整された波長を持つ検査光を
用いて前記光学系の光学性能を検査する検査工程を有す
る光学系の検査方法を提供するものである。

【００１０】請求項２に係る発明では、第１波長を持つ
第１検査光を用いて光学系の光学性能を第１環境条件の
もとで検査する第１検査工程と、前記光学系が使用され
る第２環境条件のもとで前記光学系の光学性能が最適と
なるように前記光学系に関する調整量を算出する調整量
算出工程と、前記調整量算出工程にて得られた前記光学
系に関する調整量に基づいて前記光学系を調整する光学
調整工程と、前記第１波長の検査光とは異なる所定の第
２波長を持つ第２検査光を用いて、前記光学調整工程に
よって調整された前記光学系の光学性能を前記第１環境
条件のもとで検査する第２検査工程とを有する光学系の
製造方法を提供するものである。

【００１１】請求項３に係る発明では、光学系の光学性
能が検査される第１環境条件と前記光学系が使用される
第２環境条件との差異に基づいて、第２環境条件のもと
で前記光学系の光学性能が最適となるように前記光学系
に関する調整量を算出する調整量算出工程と、前記調整
量算出工程にて得られた前記光学系に関する調整量に基
づいて前記光学系を調整する光学調整工程と、前記光学
系の光学性能を検査するための検査用の光の波長を調整
する波長調整工程を、前記波長調整工程によって調整さ
れた波長を持つ検査用の光を用いて前記光学調整工程に
よって調整された前記光学系の光学特性を前記第１環境
条件のもとで検査する検査工程とを有する光学系の製造
方法を提供するものである。

【００１２】請求項４に係る発明では、上記請求項３の
発明に基づき、前記波長調整工程は、第１環境条件と前
記第２環境条件との差異に基づいて前記検査用の光の波
長を求める波長算出工程を含む光学系の製造方法を提供
するものである。請求項５に係る発明では、上記請求項
３及び請求項４の発明に基づき、前記光学系がマスク上
に形成される所定のパターンの像を感光性基板に投影す
る投影光学系である光学系の製造方法を提供するもので
ある。

【００１３】請求項６に係る発明では、第１環境条件の
もとで光学系を調整する第１調整工程と、前記第１調整
工程によって調整された前記光学系の光学性能を所定の
波長を持つ検査光を用いて前記第１環境条件のもとで検
査する第１検査工程と、前記第１調整工程及び前記第１
検査工程が実行される第１環境条件と前記光学系が使用
される第２環境条件との差異に基づいて、前記第２環境
条件のもとで前記光学系の光学性能が最適となるように
前記光学系に関する調整量を算出する調整量算出工程
と、前記調整量算出工程にて得られた前記光学系に関す
る調整量に基づいて前記光学系を調整する第２調整工程
と、前記検査光の波長を調整する波長調整工程と、前記
波長調整工程によって調整された検査光を用いて前記第
２調整工程によって調整された前記光学系の光学特性を
前記第１環境条件のもとで再検査する第２検査工程とを
有する光学系の製造方法を提供するものである。

【００１４】請求項７に係る発明では、請求項６の発明
に基づき、前記波長調整工程は、前記第１環境条件と前
記第２環境条件との差異に基づいて、前記光学系の光学
性能を再検査するための検査光の波長を求める波長算出
工程を含む光学系の製造方法を提供するものである。請
求項８に係る発明では、上記請求項６及び請求項７の発
明に基づき、前記光学系は、マスク上に形成される所定
のパターンの像を感光性基板に投影する投影光学系であ
る光学系の製造方法を提供するものである。

【００１５】請求項９に係る発明では、請求項８に記載
の光学系の製造方法によって製造された光学系を提供す
る工程と、前記光学系の物体面に前記マスクを設定する
マスク設定工程と、前記光学系の像面に前記感光性基板
を設定する基板設定工程と、前記第１検査工程で用いた
検査光または前記第１検査工程で用いた検査光と同じ波
長を持つ光を露光用の光として用いて前記マスクを照明
する照明工程と、前記投影光学系を介して前記マスクの
パターン像を前記感光性基板に投影する投影工程とを含
む露光方法を提供するものである。

【００１６】請求項１０に係る発明では、所定のパター
ンが形成されたマスクを照明するために、所定の基準波
長を持つ光を出力する光源と、前記マスクのパターンの
像を感光性基板に投影する投影光学系とを備えた露光装
置の製造方法において、前記露光装置が製造される第１
環境条件と前記露光装置が使用される第２環境条件との
差異に基づいて、第２環境条件のもとで前記投影光学系
の光学性能が最適となるように前記投影光学系に関する
調整量を算出する調整量算出工程と、前記調整量算出工
程にて得られた前記投影光学系に関する調整量に基づい
て前記投影光学系を調整する光学調整工程と、前記光源
から出力される光の基準波長を該基準波長とは異なる検
査用の光の波長に調整する波長調整工程と、前記波長調
整工程によって調整された波長を持つ検査用の光を用い
て前記調整工程によって調整された前記投影光学系の光
学特性を前記第１環境条件のもとで検査する検査工程と
を有する露光装置の製造方法を提供するものである。

【００１７】請求項１１に係る発明では、請求項１０の
発明に基づき、前記波長調整工程は、前記第１環境条件
と前記第２環境条件との差異に基づき、前記投影光学系
の光学性能を検査するための検査用の光の波長を求める
波長算出工程とを含む露光装置の製造方法を提供するも
のである。請求項１２に係る発明では、所定のパターン
が形成されたマスクを照明するために、所定の基準波長
を持つ光を出力する光源と、前記マスクのパターンの像
を感光性基板に投影する投影光学系とを備えた露光装置
の製造方法において、第１環境条件のもとで前記投影光
学系を調整する第１調整工程と、前記第１調整工程によ
って調整された前記投影光学系の光学性能を前記光源か
ら出力される前記基準波長を持つ光を用いて前記第１環
境条件のもとで検査する第１検査工程と、前記第１調整
工程及び前記第１検査工程が実行される第１環境条件と
前記露光装置が使用される第２環境条件との差異に基づ
いて、第２環境条件のもとで前記投影光学系の光学性能
が最適となるように前記投影光学系に関する調整量を算
出する調整量算出工程と、前記調整量算出工程にて得ら
れた前記投影光学系に関する調整量に基づいて前記投影
光学系を調整する第２調整工程と、前記光源から出力さ
れる光の基準波長を第２検査用の光の波長に調整する波
長調整工程と、前記波長調整工程によって調整された波
長を持つ前記第２検査用の光を用いて前記２調整工程に
よって調整された前記投影光学系の光学特性を前記第１
環境条件のもとで検査する第２検査工程とを有する露光
装置の製造方法を提供するものである。

【００１８】請求項１３に係る発明では、請求項１２の
発明に基づいて、前記波長調整工程は、前記第１環境条
件と前記第２環境条件との差異に基づき、前記投影光学
系の光学性能を再検査するための前記第２検査用の光の
波長を求める波長算出工程を含む露光装置の製造方法を
提供するものである。請求項１４に係る発明では、請求
項１０乃至請求項１３のいずれか１項の発明に基づき、
前記露光装置が使用される前記第２環境条件のもとに設
置される迄に、前記光源から出力される光の波長を前記
基準波長に設定する基準波長設定工程をさらに有する露
光装置の製造方法を提供するものである。

【００１９】請求項１５に係る発明では、請求項１４に
記載の露光装置の製造方法によって製造された露光装置
を提供する工程と、前記光源からの基準波長によって前
記マスクを照明する照明工程と、前記投影光学系を介し
て前記マスクのパターン像を前記感光性基板に投影する
投影工程とを含む露光方法を提供するものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】環境変化の１つの要因として、標
高差による気圧の変化が挙げられる。例えば、一般的に
標高が高くなると、それに伴い気圧が下がる。そして、
標高、気圧及び空気の温度との関係は以下の（１）式に
示す関係で表現できる。 （１） ｈ＝18400(log Ｂ₀ −log Ｂ)(１＋αＴ） ここで、ｈは標高（ｍ）、Ｂ₀ は低地での気圧（ｈＰ
ａ）、Ｂは高地での気圧（ｈＰａ）、αは空気膨張係数
（α＝0.0036728)、Ｔは標高ｈでの空気の温度（°Ｃ）
である。

【００２１】次に、標準空気（１５°Ｃ、1.01325 ×10
⁵ Ｐａ）中での光の波長λ（真空中では０．２〜１．３
５μｍ、）と標準空気の屈折率ｎ_S との関係は以下の
（２）式に示す関係で与えられる。 （２） （ｎ_S −１）×10⁸ ＝6432.8＋2949810 ／(146−λ^-2） ＋25540 ／(41 −λ^-2） また、気圧Ｐ（Ｐａ）、空気の温度Ｔ（°Ｃ）及び空気
の屈折率ｎ_air の関係は以下の（３）式に示す関係で与
えられる。 （３） ｎ_air ＝１＋[(ｎ_S −１）Ｐ（１＋7.501 ×10^-3Ｐβ_T )(１＋15α)]／ [1.013 ×10⁵(１＋760 β₁₅)(１＋αＴ)] ここで、β_T 及びβ₁₅にはそれぞれβ_T ＝(1.049−0.01
57Ｔ）×10^-6、β₁₅＝0.8135×10^-6の関係が成立する。

【００２２】そして、上記（１）乃至（３）式より、低
地と高地での空気の屈折率を求めることができる。ま
た、ここで、低地における光学系を構成するレンズ等の
屈折光学素子の屈折を考える。今、低地での空気の屈折
率をｎ_L 、光学系のレンズ等の屈折光学素子の第１波長
λ₁ に対する絶対屈折率をｎ_abs1、光学系のレンズ等の
屈折光学素子の屈折面への第１波長λ₁ の光線の入射角
をθ₁ 、光学系のレンズ等の屈折光学素子の屈折面から
の第１波長λ₁ の光線の射出角をθ₁'とするとき、屈折
光学素子の屈折面では、屈折の法則（スネルの法則）か
ら、以下の（４）式の関係が成立する。 （４） ｎ_airL×sin θ₁ ＝ｎ_abs1×sin θ₁' 一方、次に、高地における光学系を構成するレンズ等の
屈折光学素子の屈折を考える。今、高地での空気の屈折
率をｎ_H 、光学系のレンズ等の屈折光学素子の屈折面へ
の第１波長λ₁ の光線の入射角をθ₂ 、光学系のレンズ
等の屈折光学素子の屈折面からの第１波長λ₁ の光線の
射出角をθ₂'とするとき、屈折光学素子の屈折面では、
屈折の法則（スネルの法則）から、以下の（５）式の関
係が成立する。 （５） ｎ_airH×sin θ₂ ＝ｎ_abs1×sin θ₂' ここで、θ₁ ＝θ₂ 、θ₁'＝θ₂'の場合には、低地と高
地での屈折角が同じであるため、光学系にて発生する収
差は同じである。しかしながら、ｎ_airL≠ｎ_{ai rH}である
限り、低地と高地での収差は同じにならない。

【００２３】このため、低地での屈折角と高地での屈折
角とを同じくするためには、光学系のレンズ等の屈折光
学素子の屈折面への第２波長λ₂ の光線の入射角を
θ₂ 、光学系のレンズ等の屈折光学素子の屈折面からの
第２波長λ₂ の光線の射出角をθ ₂'、光学系のレンズ等
の屈折光学素子の第２波長λ₂ に対する絶対屈折率をｎ
_{ab s2}とするとき、以下の（６）式の関係を満足すれば良
い。 （６） ｎ_airL×sin θ₂ ＝ｎ_abs2×sin θ₂' 従って、上記（５）式及び上記（６）式の関係から以下
の（７）式が導出できる。 （７） ｎ_abs2＝ｎ_airL×ｎ_abs1／ｎ_airH 以上のように、光学系を低地に置いた状態で、光源から
供給される光の第１波長λ₁ を、光学系を構成する屈折
光学素子の絶対屈折率が上記（７）式に相当する第２波
長に変化させることによって、露光装置等の光学装置全
体を気圧可変チャンバー等の大掛かりな装置を用いるこ
となく、光学系の光学性能を例えば高地に置いた状態と
同じ条件で調整及び評価をすることができる。

【００２４】なお、この場合、光学系の光学性能をより
正確に調整及び評価するためには、光学系を構成する全
ての屈折光学素子が同じ分散、即ち同一種類の硝材から
構成されていることが望ましい。さて、次に、図１及び
図２を参照しながら本発明の実施の形態について説明す
る。

【００２５】図１は本発明の実施の形態による露光装置
の概略的な構成図である。図１に示すように、光源１
は、例えば、248nm の波長を持つレーザ光を発振するＫ
ｒＦエキシマレーザや193nm の波長を持つレーザ光を発
振するＡｒＦエキシマレーザ等のレーザ光源で構成され
ている。光源１から供給された光は照明光学系１２を介
して所定の回路パターンが形成されたマスクを均一に照
明する。

【００２６】なお、図１では図示していないが、照明光
学系１２は、光源１からの光束径（又は光束の断面形
状）を適切な大きさの光束径（又は光束の断面形状）に
整形するビーム整形光学系、そのビーム整形光学系から
の光を受けて多数の光源を形成するオプティカルインテ
グレータ系（１つまたは複数のフライアイレンズ又は内
面反射型のロッド状の棒状光学部材）、そのオプティカ
ルインテグレータ系からの複数の光源からの光をそれぞ
れ集光して、マスク１３を重畳的に照明するコンデンサ
ー光学系とを有している。

【００２７】さて、照明光学系１２によって照明された
マスク１３のパターン像は、投影光学系１４によって感
光性基板（ウエハ等）１４に転写（露光）される。ここ
で、投影光学系１４は、多数の屈折系光学素子で構成さ
れる屈折型投影光学系、あるいは多数の屈折系光学素子
と少なくとも１枚以上の反射型光学素子（凹面鏡や凸面
鏡等）との組合せで構成される反射屈折型投影光学系で
構成されている。

【００２８】図２は図１に示した露光装置の光源１１と
してのエキシマレーザ光源の構造を示している。図２に
示すように、エキシマレーザ光源は、共振器と放電電極
等を含むエキシマレーザ発振部（レーザチャンバー）２
３、プリズム２２と反射型回折格子２１とを含みエキシ
マレーザ発振部２３から出力されるレーザ光の波長を狭
帯化する波長狭帯部とを有している。そして、エキシマ
レーザ光源から射出される狭帯化されたレーザ光は、図
１に示す照明光学系１２へ導かれる。

【００２９】また、エキシマレーザ光源から出力される
レーザ光の射出側には、エキシマレーザ光源から出力さ
れるレーザ光の１部を分岐させる光分割部材２５が配置
され、光分割部材２５の反射方向には、光分割部材２５
を反射したレーザ光の波長を監視する波長検出装置とし
ての波長モニター２４が設けられている。この波長モニ
ター２４はエタロン等の光学素子を含み、このエタロン
等の光学素子を用いてレーザ光の波長が測定される。さ
らに、この波長モニター２４にて計測されたレーザ光の
出力波長が適切でない場合、波長モニター２４にて計測
された情報に基づいて、波長狭帯部中のプリズム２２や
反射型回折格子２１の傾き（角度）を算出する（波長狭
帯部の調整量を算出する）調整量算出部２６と、この調
整量算出部からの情報に基づいて、波長狭帯部中のプリ
ズム２２や反射型回折格子２１を適切な傾き（角度）に
設定する駆動部２７がそれぞれ設けられている。

【００３０】なお、設定すべき波長等の入力情報は、コ
ンソール等の入力部２８を介して調整量算出部２６に入
力され、調整量算出部２６は、波長モニター２４からの
計測情報と入力部２８からの入力情報とに基づいて波長
調整手段（プリズム２２や反射型回折格子２１）に関す
る波長調整量を算出する。以上の図２に示す出力波長調
整機構を備えたエキシマレーザ光源を光源として用いる
ことによって、適切な波長の光を照明光学系１２及び投
影光学系１４へ導くことができる。

【００３１】以上の図１及び図２に示した露光装置によ
って本発明による投影光学系１４の評価方法について図
３を参照しながら説明する。 〔ステップ１〕低地において、多数の光学部材（レン
ズ、レンズ保持部材等）で組み上げられた投影光学系１
４を調整する。つまり、このステップ１では、投影光学
系１３を構成する光学部材の製造誤差や組立て誤差等に
より発生する収差を補正するために、投影光学系１４を
構成する光学部材間の間隔（例えば、レンズ間の間隔）
を変化させたり、あるいは投影光学系１４を構成する光
学部材を傾斜、又は光軸と直交する方向に変位させる等
の手法により投影光学系１４を調整する。 〔ステップ２〕上記ステップ１において調整された投影
光学系１４が低地の環境条件において所定の光学性能
（結像性能）を満たしているか否かを確認するために、
ステップ２では投影光学系１４の光学性能を検査（又は
評価）する。投影光学系１４の光学性能は、例えば、試
し露光の手法によって評価される。試し露光とは、図１
に示すように、投影光学系１４を一旦露光装置本体に取
りつけて、投影光学系１４の物体面に所定のテストパタ
ーンが形成されたテストマスク１３を設定し、投影光学
系１４の像面に感光性基板（レジストが塗布されたウエ
ハ等）１５を設定する。そして、図１に示すように、光
源１からの光を照明光学系１２を介してテストマスク１
３を照明し、投影光学系１４を介してテストマスク１３
のテストパターン像を感光性基板１５に転写する。その
後、感光性基板１５上に転写されたテストパターン像を
電子顕微鏡等の観察装置を用いて観察や計測することに
より、投影光学系１４の光学性能を評価することができ
る。

【００３２】なお、投影光学系１４の光学性能を検査
（評価）する手法としては、試し露光の手法に限らな
い。例えば、投影光学系１４の物体面にテストマスクを
設定し、投影光学系１４の像面もしくはそれと共役な位
置にテストマスクの像を光電検出する検出系とその検出
系からの出力信号に対し所定の信号処理を行う処理装置
とを配置し、露光用の波長を持つ光を上記テストマスク
に照明する。これにより、その処理装置からの処理情報
に基づいて投影光学系１４の光学性能を光電的に検出・
評価することができる。さらには、投影光学系１４の光
学性能は、露光用の波長を持つ光を用いる干渉計システ
ムによっても検査（評価）することも可能である。

【００３３】ここで、以上に述べた手法によって投影光
学系１４の光学性能を評価した結果、もし、投影光学系
１４の光学性能が所定の光学性能を満たしていない場合
には再び上記ステップ１に戻って、再度投影光学系１４
の調整が実行される。また、もし、投影光学系１４の光
学性能が所定の光学性能を満たしている場合には、次の
ステップ３へ移行する。 〔ステップ３〕ステップ３では、まず、第１のサブステ
ップにおいて、低地と高地との環境条件の差異の１つと
しての気圧の差異に基づいて、低地での空気の屈折率、
高地での空気の屈折率について算出する。次に、第２の
サブステップにおいて、上記ステップ２を経た投影光学
系１４の調整後のレンズデータ、及び第１のサブステッ
プにて求められた低地での空気の屈折率、高地での空気
の屈折率及び波長変更量に基づいて、投影光学系１４の
高地向けのオフセット量を算出する。以下において、各
サブステップについて１例を挙げながら具体的に説明す
る。 （第１のサブステップ）第１のサブステップにおいて
は、低地と高地との気圧差に基づき、低地での空気の屈
折率、高地での空気の屈折率及び評価用または露光用の
光源から出力される光の波長変更量について算出する。

【００３４】まず、露光装置の投影光学系１４の調整、
評価を行う地点（低地）での標高を海抜５０ｍ、露光装
置を設置してこれを実際に使用する地点（高地）での標
高を海抜１０００ｍ、低地及び高地での空気の温度（露
光装置の設定温度）を２３°Ｃ、露光装置の光源である
エキシマレーザ光源から発振される光の波長λを０．２
４８４μｍ、標高０ｍ（海抜０ｍ）での大気圧を１気圧
（１０１３．２５ｈＰａ）、標高５０ｍ（低地）の地点
での大気圧をＢ_L とすると、標高５０ｍ（低地）の地点
での大気圧Ｂ_L は、前述した（１）式から以下に示す
（８）式のようになる。 （８） Ｂ_L ＝１００７．４２０７ｈＰａ また、標高１０００ｍ（高地）の地点での大気圧をＢ_H
とすると、標高１０００ｍ（高地）の地点での大気圧Ｂ
_H は、前述した（１）式から以下に示す（９）式のよう
になる。 （９） Ｂ_H ＝９０２．８２２１ｈＰａ また、標準空気（温度：１５°Ｃ、気圧：１．０１３２
５×１０⁵ Ｐａ＝１０１３．２５ｈＰａ）に対する波長
が０．２４８４μｍの光の屈折率は、上記（２）式より
以下に示す（１０）式のようになる。 （１０） ｎ_S ＝１．０００３０１９ 従って、標高５０ｍの地点（低地）での波長が０．２４
８４μｍの光に対する２３°Ｃの空気の屈折率ｎ
_airLは、上記（３）式に上記（８）式及び（１０）式の
値を代入することにより、以下に示す（１１）式のよう
になる。 （１１） ｎ_airL＝１．０００２９２０ 一方、海抜１０００ｍでの波長が０．２４８４μｍの光
に対する２３°Ｃの空気の屈折率ｎ_airHは、上記（３）
式に上記（９）式及び（１０）式の値を代入することに
より、以下に示す（１２）式のようになる。 （１２） ｎ_airH＝１．０００２６１７ （第２のサブステップ）以上の第１のサブステップにて
得られた低地の環境条件のもとでの空気の屈折率（ｎ
_airL＝１．０００２９２０）、高地の環境条件のもとで
の空気の屈折率（ｎ_airH＝１．０００２６１７）に基づ
いて、図１に示す投影光学系１４を構成する複数の光学
素子の少なくとも１つに関して高地での結像性能が最適
となるように高地向けの調整量又は調整値を求める。

【００３５】ここで、一例として、図４に示す投影光学
系１４のレンズデータを表１に掲げる。以下の表１に示
されるレンズデータは、上記ステップ１の調整工程及び
上記ステップ２の低地の環境条件のもとでの検査工程
（評価工程）を経て低地での光学性能が十分に引き出さ
れた状態でのものである。表１において、Ｂは投影光学
系の投影倍率、ＮＡは投影光学系の像側（ウエハ側）で
の開口数、Ｌは物体面Ｒ（レチクル１３）から像面Ｗ
（ウエハ１５）までの距離（物像間距離）、左端の数字
は物体（レチクル１３）側からのレンズ面の順序、ｒは
レンズ面の曲率半径、ｄは各レンズ面の間隔、左端の記
号は図３に示すレンズの番号を示している。但し、表１
に示す全てのレンズは合成石英で構成され、波長λが
０．２４８４μｍの光に対する合成石英の屈折率は、
１．５０８３９００である。 図５及び図６には図４に示した投影光学系の収差図を示
している。図５における（ａ）及び（ｂ）は、上記表１
に示したレンズデータに基づいて得られる球面収差の様
子を示している。図５において、（ａ）は標高５０ｍの
地点（低地）での波長λ＝０．２４８４μｍ（第１波
長）に対する球面収差の様子を示す図、（ｂ）は標高１
０００ｍの地点（高地）での波長λ＝０．２４８４μｍ
（第１波長）に対する球面収差の様子を示す図である。
但し、図５（ａ）及び図６（ｂ）に示す球面収差図は表
１に示されるレンズデータの空気の屈折率をｎ_airL＝
１．０００２９２０（上記（１１）式にて示される標高
５０ｍの低地での空気の屈折率）とした場合のものであ
る。

【００３６】また、図６における（ａ）及び（ｂ）は、
上記表１に示したレンズデータに基づいて得られる歪曲
収差の様子を示している。図６において、（ａ）は標高
５０ｍの地点（低地）での波長λ＝０．２４８４μｍ
（第１波長）に対する歪曲収差の様子を示す図、（ｂ）
は標高１０００ｍの地点（高地）での波長λ＝０．２４
８４μｍ（第１波長）に対する歪曲収差の様子を示す図
である。但し、図６（ａ）及び図６（ｂ）の歪曲収差図
は表１に示されるレンズデータの空気の屈折率をｎ_airH
＝１．０００２６１７（上記（１２）式にて示される標
高１０００ｍの高地での空気の屈折率）とした場合のも
のである。

【００３７】以上のように、図５（ａ）及び図６（ａ）
に示されるように、表１に示す投影光学系は標高５０ｍ
の地点（低地）において収差が良好に補正されることが
分かる。しかしながら、図５（ｂ）及び図６（ｂ）に示
されるように、表１に示す投影光学系は標高１０００ｍ
の地点（高地）において収差が悪化しており、例えば、
球面収差が最大で−５μｍ発生していることがが分か
る。

【００３８】このように、大きな球面収差や歪曲収差等
の諸収差が発生している状況では、投影光学系の所望の
光学性能を発揮させることはできない。従って、投影光
学系において、事前に標高１０００ｍの高地向けのオフ
セットを持たせることが必要となる。そこで、第２のサ
ブステップでは、標高１０００ｍの地点（高地）におい
て良好なる光学性能を引き出すために、図４に示す投影
光学系を構成する各光学素子（レンズ）の調整量又は調
整値を求める。各光学素子（レンズ）の調整量又は調整
値は、計算機等の演算装置を用いて表１に示されるレン
ズデータに基づき光線追跡等の自動設計を行ことにより
求められる。このとき、光線追跡等の自動設計される
時、表１の空気の屈折率は、上記（１２）式にて示した
ように、標高１０００ｍの高地での空気の屈折率（ｎ
_airH＝１．０００２６１７）である。

【００３９】以下の表２において、表１に示されるレン
ズデータに基づき計算機等の演算装置によって求められ
た投影光学系を構成する光学素子（レンズ）の高地向け
の調整値を示すレンズデータを掲げる。表２に示す例で
は、標高１０００ｍの地点（高地）において良好なる光
学性能を引き出すために、表１に示すレンズＬ2 〜Ｌ29
のレンズ間隔（空気間隔）を僅かに変更して、高地向け
の収差オフセットを加えた状態のレンズデータを示して
いる。ここで、表２では、レンズＬ2 〜Ｌ29のレンズ間
隔（空気間隔）の値をレンズの調整値として示してい
る。 図５における（ｃ）及び（ｄ）は、上記表２に示したレ
ンズデータに基づいて得られる球面収差の様子を示して
いる。図５において、（ｃ）は標高１０００ｍの地点
（高地）向けの収差オフセットを投影光学系に持たせた
場合において、波長λ＝０．２４８４μｍ（第１波長）
に対する低地での環境条件のもとでの球面収差の様子を
示す図、（ｂ）は標高１０００ｍの地点（高地）向けの
収差オフセットを投影光学系に持たせた場合において、
波長λ＝０．２４８３１８μｍ（第２波長）に対する高
地での環境条件のもとでの球面収差の様子を示す図であ
る。但し、図５（ｃ）に示す球面収差図は表２に示され
るレンズデータの空気の屈折率をｎ_airL＝１．０００２
９２０（標高５０ｍの低地での空気の屈折率）とした場
合のものであり、図５（ｄ）に示す球面収差図は表２に
示されるレンズデータの空気の屈折率をｎ_airH＝１．０
００２６１７（標高１０００ｍの高地での空気の屈折
率）とした場合のものである。

【００４０】また、図６における（ｃ）及び（ｄ）は、
上記表２に示したレンズデータに基づいて得られる球面
収差の様子を示している。図６において、（ｃ）は標高
１０００ｍの地点（高地）向けの収差オフセットを投影
光学系に持たせた場合において、波長λ＝０．２４８４
μｍ（第１波長）に対する低地での環境条件のもとでの
歪曲収差の様子を示す図、（ｂ）は標高１０００ｍの地
点（高地）向けの収差オフセットを投影光学系に持たせ
た場合において、波長λ＝０．２４８３１８μｍ（第２
波長）に対する高地での環境条件のもとでの歪曲収差の
様子を示す図である。但し、図６（ｃ）に示す歪曲収差
図は表２に示されるレンズデータの空気の屈折率をｎ
_airL＝１．０００２９２０（標高５０ｍの低地での空気
の屈折率）とした場合のものであり、図５（ｄ）に示す
歪曲収差図は表２に示されるレンズデータの空気の屈折
率をｎ_airH＝１．０００２６１７（標高１０００ｍの高
地での空気の屈折率）とした場合のものである。

【００４１】なお、図５（ｄ）に示す球面収差図及び図
６（ｄ）に示す歪曲収差図は、後述するが、表２に示さ
れるレンズデータの空気の屈折率をｎ_airL＝１．０００
２９２０（上記（１２）式にて示される標高５０ｍの低
地での空気の屈折率）とし、光の波長をλ＝０．２４８
３１８μｍ（第２波長）に変更した場合での球面収差曲
線と歪曲収差曲線に合致する。

【００４２】以上の表２に示すように投影光学系の収差
オフセット（例えば、Ｌ2 〜Ｌ29のレンズ間隔（空気間
隔））の値が求められると、次のステップ４へ移行す
る。 〔ステップ４〕ステップ４では、上記ステップ３の第２
サブステップにて求められた投影光学系の収差オフセッ
ト（例えば、表２に示されるＬ2 〜Ｌ29のレンズ間隔
（空気間隔））の値に基づいて、投影光学系を構成する
各レンズの設定位置等を再調整する。そして、この再調
整の工程が完了すると、その差異調整された投影光学系
は図１に示す露光装置本体に取りつけられ、その後、次
のステップ５の出力波長の調整工程へ移行する。 〔ステップ５〕ステップ５では、投影光学系の検査（評
価）に際して、低地での環境条件のもとで高地での環境
条件を疑似的に再現するために、まず、投影光学系１４
を検査（評価）するための露光用の光源１１から供給さ
れる検査用の光の波長（第１波長）を所定の波長（第２
波長）に設定及び調整する。

【００４３】ステップ５では、光源１１から供給される
光の波長を調整するに先立って、まず、設定波長又は調
整波長としての第２波長（第２波長とは異なる波長）を
算出する。つまり、ステップ５では、光源１１から供給
される検査用の光の波長の調整量（又は検査用の光の波
長の値）を算出する第１サブステップと、光源１１から
供給される検査用の光の波長を調整（又は検査用の光の
波長を所定の第２波長に設定）する第２サブステップと
を有している。

【００４４】ここで、表１及び表２に示した図４の投影
光学系１４に基づいて、第５ステップの具体例を説明す
る。 （第１サブステップ）表１及び表２に示したように、図
４の投影光学系１４を構成する屈折性光学部材として、
例えば、表１及び表２に示されるように合成石英が用い
られている。

【００４５】今、０．２４８４μｍ（第１波長）の光に
対する合成石英の相対屈折率ｎ_relが１．５０８３９０
０であるものとすると、その合成石英の絶対屈折率ｎ
_abs1は、上記（７）式、（１１）式及び（１２）式の関
係から以下の（１３）式のようになる。 （１３） ｎ_abs1＝ｎ_rel ×ｎ_airL＝１．５０８８３０５ さらに、第２波長の光に対する合成石英の絶対屈折率ｎ
_abs2は、上記（７）式に上記（１１）式〜（１３）式の
値を代入すると、以下の（１４）式のようになる。 （１４） ｎ_abs2＝ｎ_airL×ｎ_abs1／ｎ_airH＝１．５０８８７６２ また、波長がλ＝０．２４８４μｍ付近での合成石英の
分散を以下の（１５）式の関係にあるものとする。 （１５） Δｎ／Δλ＝−５６×１０^-2（μｍ^-1） すると、Δｎ＝ｎ_abs2−ｎ_abs1であるため、光源の波長
の変更量Δλは、上記（１３）式〜（１５）式の関係か
ら約−８．２×１０^-5μｍとなる。

【００４６】従って、光源の波長を０．２４８４μｍ
（第１波長）から０．２４８３１８μｍ（第２波長）に
変更することにより、標高が５０ｍの地点において標高
が１０００ｍに相当する大気圧の環境下で投影光学系１
４の光学性能の評価が可能となる。 （第２サブステップ）ステップ５の第２サブステップで
は、算出された波長変化量（Δλ＝−８．２×１０^-5μ
ｍ）に基づいて、図１に示す光源１１の出力波長がλ＝
０．２４８３１８μｍ（第２波長）となるように光源１
１の出力波長を調整する。

【００４７】つまり、図２に示すように、ステップ５の
第１サブステップにて求められた設定波長としての第２
波長（λ＝０．２４８３１８μｍ）に関する情報をコン
ソール等の入力部２８を介して調整量算出部２６に入力
する。そして、調整量算出部２６は、波長モニター２４
からの計測情報と入力部２８からの入力情報とに基づい
て波長調整手段（プリズム２２や反射型回折格子２１）
に関する波長調整量を算出する。その後、調整量算出部
２６は、駆動部２７を介して波長調整手段（プリズム２
２や反射型回折格子２１）を駆動させる。これにより、
最終的にエキシマレーザ発振部２３（光源１）から発振
される光の出力波長が第２波長（λ＝０．２４８３１８
μｍ）となるように調整される。このステップ５での出
力波長の調整工程が完了すると、次のステップ６の検査
工程（評価工程）へ移行する。 〔ステップ６〕ステップ６では、上記ステップ４の再調
整によって高地向けの収差オフセットが付与された投影
光学系１４が第２波長（λ＝０．２４８３１８μｍ）の
もとで所定の光学性能を満たしているか否かを確認する
ために、投影光学系１４の光学性能を上記ステップ２と
同様な手法によって検査（評価）する。投影光学系１４
の光学性能は、例えば、試し露光の手法によって評価さ
れる。そして、例えば、表２に示すように調整された投
影光学系１４に関して球面収差が図５（ｄ）に示すよう
に補正され、投影光学系１４の歪曲収差が図６（ｄ）に
示すように補正されいるか否かを検査（評価）する。

【００４８】なお、図５（ｄ）及び図６（ｄ）に示す収
差図は、高地での環境条件（空気の屈折率ｎ_airHが１．
０００２６１７）のもとでの第１波長（λ＝０．２４８
４μｍ）に対する球面収差及び歪曲収差の曲線を示して
いるが、高地向けの収差オフセットを付与された投影光
学系１４の光学性能（結像性能）が良好であれば、ステ
ップ６において検査される投影光学系１４の球面収差及
び歪曲収差は、図５（ｄ）及び図６（ｄ）に示す収差曲
線と合致する。

【００４９】ここで、投影光学系１４の光学性能を評価
した結果、もし、投影光学系１４の光学性能が所定の光
学性能を満たしていない場合には以下のステップ７の再
調整工程へ移行して、再度投影光学系１４の調整が実行
される。また、もし、投影光学系１４の光学性能が所定
の光学性能を満たしている場合には、以下のステップ６
の基準波長への波長再設定工程へ移行する。 〔ステップ７〕ステップ７では、以上のステップ６にお
いて投影光学系１４の光学性能が所定の光学性能を満た
していないと判断された時に、上記ステップ２と同じ手
法によって多数の光学部材（レンズ、レンズ保持部材
等）で組み上げられた投影光学系１４を再調整する。つ
まり、このステップ７では、高地向けの収差オフセット
が付与された投影光学系１４の性能を十分に引き出すた
めに、投影光学系１３を構成する光学部材間の間隔（例
えば、レンズ間の間隔）を変化させたり、あるいは投影
光学系１４を構成する光学部材を傾斜、又は光軸と直交
する方向に変位させる等の手法により投影光学系１４を
再調整する。このステップ７の再調整工程が完了する
と、再び上記ステップ６へ戻り、投影光学系１４の光学
性能が再検査（再評価）される。 〔ステップ８〕以上のステップ６において投影光学系１
４の光学性能が所定の光学性能を満たしていないと判断
された後に、ステップ８では、露光用光源から出力され
る波長を高地において実際に使用される露光波長（基準
波長）に設定し直す。

【００５０】ここで、以上のステップ５及び６におい
て、投影光学系１４が図１に示す露光装置に取りつけら
れた場合に、ステップ８では露光装置の光源１を実際の
使用状態の基準波長（第１波長）に戻す。露光装置の光
源１を実際の使用状態に戻す手法は、まず、図２に示す
ように、設定波長（基準波長）としての第１波長（λ＝
０．２４８４μｍ）に関する情報をコンソール等の入力
部２８を介して調整量算出部２６に入力する。そして、
調整量算出部２６は、波長モニター２４からの計測情報
と入力部２８からの入力情報とに基づいて波長調整手段
（プリズム２２や反射型回折格子２１）に関する波長調
整量を算出する。その後、調整量算出部２６は、駆動部
２７を介して波長調整手段（プリズム２２や反射型回折
格子２１）を駆動させる。これにより、最終的にエキシ
マレーザ発振部２３（光源１）から発振される光の出力
波長が第１波長（λ＝０．２４８４μｍ）となるように
調整される。

【００５１】以上のように、ステップ１〜８を経ること
によって露光装置は完成する。このため、この完成した
露光装置を例えば高地へ移送及び設置したとしても露光
装置の投影光学系１４を調整及び評価した低地の環境下
での性能が高地の環境下においても再現することができ
る。また、ステップ８の工程は露光装置が実際に設置及
び使用される場所（例えば、高地）において実行しても
良い。この場合、ステップ７とステップ８との間では、
露光装置の性能を損なうことなくしかも露光装置の高地
への輸送を容易にするために、露光装置を各ユニット
（光源１１、照明光学系１２、投影光学系１４等）毎に
一旦分解し、高地において露光装置を組み立てるように
することが望ましい。

【００５２】以上のステップ１〜８を経た露光装置をそ
のまま高地へ移送及び設置（あるいはステップ１〜８を
経た露光装置を各ユニット毎に一旦分解した上で高地へ
移送し、高地において露光装置を組立て設置）する。そ
の後、図１に示す露光装置によって露光工程を実行する
ことによって良好なる半導体デバイスを高地においても
製造することができる。この時の露光工程は、図１に示
すように、まず、不図示のマスクステージ上に露光用マ
スク１３を載置して投影光学系１４の物体面に露光用マ
スク１３を設定すると共に、不図示の基板ステージ上に
感光性基板（ウエハ等）を載置して投影光学系１４の像
面に感光性基板１５を設定する。次に、光源１からの光
を照明光学系１２を介して露光用マスク１３を照明し、
投影光学系１４を介して露光用マスク１３の回路パター
ン像を感光性基板１５に投影する。これによって、高地
の環境下においても良好なるマスク１３のパターン像を
感光性基板１５に転写することができる。よって、高地
の環境下においても良好なる半導体デバイスを製造する
ことができる。

【００５３】ところで、以上においては、投影光学系の
光学性能を検査又は評価するに際して、図１に示す露光
本体に設けられている露光用の光源１１自身から出力さ
れる光を用いた例を図３を参照しながら説明した。しか
しながら、本発明は、図１及び図２に示す露光装置と同
じ構成を持つ検査専用の検査装置を用いて投影光学系の
光学性能を検査又は評価することもできる。この場合で
の作業手順は図７のフローチャートに示している。

【００５４】図７に示すステップ１１〜１６はそれぞれ
図３に示すステップ１〜６と同じであるため説明を省略
する。図７に示すステップ１６での検査装置の光源から
出力される検査用の第２波長の光を用いた検査の結果、
投影光学系の光学性能が良好であると判断された場合に
は、ステップ１８に移行する。そして、ステップ１８で
は、上記ステップ１６を経た投影光学系は、第１波長と
しての露光波長を出力するように設定された光源を持つ
露光装置本体に取りつけられ、露光装置が完成する。

【００５５】このステップ１８では、以上のステップ１
６を経た投影光学系１４及び図１に示す露光装置本体を
各ユニット（光源１１、照明光学系１２、投影光学系１
４等）毎に分離した状態で高地へ移送し、これらのユニ
ットを高地にて組立て及び設置して、露光装置を完成さ
せても良い。以上のように、以上のステップ１１〜１８
を経た露光装置を高地へ移送及び設置し、その後、その
露光装置によって露光工程を実行することによって良好
なる半導体デバイスを高地においても製造することがで
きる。

【００５６】なお、図７に示した例では、１つの検査装
置を用いて光源の波長を第１検査用の露光波長（基準波
長）としての第１波長から第２検査用の第２波長に変更
（変化）させる例を述べたが、本発明は、この手法に限
ることはない。例えば、２つの検査装置を用いることに
よって、図７に示すステップ１６の波長調整工程（波長
変化工程）を省略することができる。つまり、第１検査
用の露光波長（基準波長）としての第１波長の光を供給
する光源を備えた第１検査装置を用いて上記ステップ１
２の第１検査工程を実行し、投影光学系が検査又は製造
される低地の環境条件と投影光学系が実際に使用される
高地と環境条件との差異に基づいて設定された所定の第
２波長の第２検査用の光を供給する光源を備えた第２検
査装置を用いて上記ステップ１６の第２検査工程を実行
する手法を採用しても良い。

【００５７】また、以上の各例では、投影系を含む露光
装置の調整及び評価する場所と投影系を含む露光装置を
実際に設置及び使用する場所との環境条件の差異として
気圧に着目したが、これに限ることはなく、温度差、湿
度差等の環境差を考慮しても良いことは言うまでもな
い。このように、本発明によれば、光学系の調整、評価
を行って所望の性能を達成した後、露光装置等の装置が
実際に設置及び使用される場所の環境に見合った収差オ
フセットを与え、次に高地での光学系の光学性能を予め
確認するために、露光装置等の装置の光源の波長を変化
させることにより、光学系の光学性能を精度良く調整及
び評価することが可能となる。

【００５８】また、以上の例では、光学系の調整及び評
価を行う地点よりも、露光装置等の装置を実際に設置及
び使用する地点での標高が高い例を示したが、本発明
は、この逆の場合でも良いことは言うまでもない。な
お、以上の特許請求の範囲の請求項１、３、４、６、
７、１０、１１、１２、１３等の「第１環境条件と第２
環境条件との差異に基づき、」という旨の記載を「第１
環境条件と第２環境条件との差異に起因して生ずる光学
系（投影光学系）を包囲する気体（媒質）の屈折率の変
化（差異）に応じて、」という旨の記載とすることもで
きる。

【００５９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光学系
の調整及び検査を行う場所とその光学系が実際に設置又
は使用される場所との環境条件の差異があったとして
も、その光学系が実際に設置又は使用される場所での環
境下と疑似的に同一な環境を、その光学系の光学性能を
調整及び検査を行う環境下において簡便に作り出すとこ
が可能となる。従って、光学系の調整及び検査を行う場
所においても、光学系が実際に設置又は使用される場所
と同一の光学系の光学性能を精度良く調整及び検査する
ことができる。これによって、良好なる光学性能を有す
る光学系を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】露光装置の概略的構成を示す図である。

【図２】図１に示す露光装置の光源として使用されるエ
キシマレーザの構造を示す図である。

【図３】本発明による１つの手法に関する手順を説明す
るための図である。

【図４】図１に示す露光装置における投影光学系の１例
を示すレンズ構成図である。

【図５】図４に示す投影光学系の球面収差の様子を示す
図である。

【図６】図４に示す投影光学系の歪曲収差の様子を示す
図である。

【図７】本発明による別つの手法に関する手順を説明す
るための図である。

【符号の説明】

１１・・・・・ 光源 １２・・・・・ 照明光学系 １３、Ｒ・・・・・ レチクル １４・・・・・ 投影光学系 １５、Ｗ・・・・・ 基板（ウエハ） ２１・・・・・ 反射型回折格子 ２２・・・・・ プリズム ２３・・・・・ エキシマレーザ発振部（レーザチャンバー） ２４・・・・・ 波長モニター ２５・・・・・ ハーフミラー ２６・・・・・ 調整量算出部 ２７・・・・・ 駆動部 ２８・・・・・ 入力部

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光学系の光学性能が検査される第１環境条
   件と前記光学系が使用される第２環境条件との差異に基
   づき、前記光学系の光学性能を検査するための検査光の
   波長を調整する波長調整工程と、 前記波長調整工程によって調整された波長を持つ検査光
   を用いて前記光学系の光学性能を検査する検査工程を有
   することを特徴とする光学系の検査方法。
2. 【請求項２】第１波長を持つ第１検査光を用いて光学系
   の光学性能を第１環境条件のもとで検査する第１検査工
   程と、 前記光学系が使用される第２環境条件のもとで前記光学
   系の光学性能が最適となるように前記光学系に関する調
   整量を算出する調整量算出工程と、 前記調整量算出工程にて得られた前記光学系に関する調
   整量に基づいて前記光学系を調整する光学調整工程と、 前記第１波長の検査光とは異なる所定の第２波長を持つ
   第２検査光を用いて、前記光学調整工程によって調整さ
   れた前記光学系の光学性能を前記第１環境条件のもとで
   検査する第２検査工程とを有することを特徴とする光学
   系の製造方法。
3. 【請求項３】光学系の光学性能が検査される第１環境条
   件と前記光学系が使用される第２環境条件との差異に基
   づいて、第２環境条件のもとで前記光学系の光学性能が
   最適となるように前記光学系に関する調整量を算出する
   調整量算出工程と、 前記調整量算出工程にて得られた前記光学系に関する調
   整量に基づいて前記光学系を調整する光学調整工程と、 前記光学系の光学性能を検査するための検査用の光の波
   長を調整する波長調整工程を、 前記波長調整工程によって調整された波長を持つ検査用
   の光を用いて前記光学調整工程によって調整された前記
   光学系の光学特性を前記第１環境条件のもとで検査する
   検査工程とを有することを特徴とする光学系の製造方
   法。
4. 【請求項４】前記波長調整工程は、第１環境条件と前記
   第２環境条件との差異に基づいて前記検査用の光の波長
   を求める波長算出工程を含むことを特徴とする請求項３
   に記載の光学系の製造方法。
5. 【請求項５】前記光学系は、マスク上に形成される所定
   のパターンの像を感光性基板に投影する投影光学系であ
   ることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の光学
   系の製造方法。
6. 【請求項６】第１環境条件のもとで光学系を調整する第
   １調整工程と、前記第１調整工程によって調整された前
   記光学系の光学性能を所定の波長を持つ検査光を用いて
   前記第１環境条件のもとで検査する第１検査工程と、 前記第１調整工程及び前記第１検査工程が実行される第
   １環境条件と前記光学系が使用される第２環境条件との
   差異に基づいて、前記第２環境条件のもとで前記光学系
   の光学性能が最適となるように前記光学系に関する調整
   量を算出する調整量算出工程と、 前記調整量算出工程にて得られた前記光学系に関する調
   整量に基づいて前記光学系を調整する第２調整工程と、 前記検査光の波長を調整する波長調整工程と、 前記波長調整工程によって調整された検査光を用いて前
   記第２調整工程によって調整された前記光学系の光学特
   性を前記第１環境条件のもとで再検査する第２検査工程
   とを有することを特徴とする光学系の製造方法。
7. 【請求項７】前記波長調整工程は、前記第１環境条件と
   前記第２環境条件との差異に基づいて、前記光学系の光
   学性能を再検査するための検査光の波長を求める波長算
   出工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の光学系
   の製造方法。
8. 【請求項８】前記光学系は、マスク上に形成される所定
   のパターンの像を感光性基板に投影する投影光学系であ
   ることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の光学
   系の製造方法。
9. 【請求項９】請求項８に記載の光学系の製造方法によっ
   て製造された光学系を提供する工程と、 前記光学系の物体面に前記マスクを設定するマスク設定
   工程と、 前記光学系の像面に前記感光性基板を設定する基板設定
   工程と、 前記第１検査工程で用いた検査光または前記第１検査工
   程で用いた検査光と同じ波長を持つ光を露光用の光とし
   て用いて前記マスクを照明する照明工程と、 前記投影光学系を介して前記マスクのパターン像を前記
   感光性基板に投影する投影工程とを含むことを特徴とす
   る露光方法。
10. 【請求項１０】所定のパターンが形成されたマスクを照
    明するために、所定の基準波長を持つ光を出力する光源
    と、前記マスクのパターンの像を感光性基板に投影する
    投影光学系とを備えた露光装置の製造方法において、 前記露光装置が製造される第１環境条件と前記露光装置
    が使用される第２環境条件との差異に基づいて、第２環
    境条件のもとで前記投影光学系の光学性能が最適となる
    ように前記投影光学系に関する調整量を算出する調整量
    算出工程と、 前記調整量算出工程にて得られた前記投影光学系に関す
    る調整量に基づいて前記投影光学系を調整する光学調整
    工程と、 前記光源から出力される光の基準波長を該基準波長とは
    異なる検査用の光の波長に調整する波長調整工程と、 前記波長調整工程によって調整された波長を持つ検査用
    の光を用いて前記調整工程によって調整された前記投影
    光学系の光学特性を前記第１環境条件のもとで検査する
    検査工程とを有することを特徴とする露光装置の製造方
    法。
11. 【請求項１１】前記波長調整工程は、前記第１環境条件
    と前記第２環境条件との差異に基づき、前記投影光学系
    の光学性能を検査するための検査用の光の波長を求める
    波長算出工程とを含むことを特徴とする請求項１０に記
    載の露光装置の製造方法。
12. 【請求項１２】所定のパターンが形成されたマスクを照
    明するために、所定の基準波長を持つ光を出力する光源
    と、前記マスクのパターンの像を感光性基板に投影する
    投影光学系とを備えた露光装置の製造方法において、 第１環境条件のもとで前記投影光学系を調整する第１調
    整工程と、 前記第１調整工程によって調整された前記投影光学系の
    光学性能を前記光源から出力される前記基準波長を持つ
    光を用いて前記第１環境条件のもとで検査する第１検査
    工程と、 前記第１調整工程及び前記第１検査工程が実行される第
    １環境条件と前記露光装置が使用される第２環境条件と
    の差異に基づいて、第２環境条件のもとで前記投影光学
    系の光学性能が最適となるように前記投影光学系に関す
    る調整量を算出する調整量算出工程と、 前記調整量算出工程にて得られた前記投影光学系に関す
    る調整量に基づいて前記投影光学系を調整する第２調整
    工程と、 前記光源から出力される光の基準波長を第２検査用の光
    の波長に調整する波長調整工程と、 前記波長調整工程によって調整された波長を持つ前記第
    ２検査用の光を用いて前記２調整工程によって調整され
    た前記投影光学系の光学特性を前記第１環境条件のもと
    で検査する第２検査工程とを有することを特徴とする露
    光装置の製造方法。
13. 【請求項１３】前記波長調整工程は、前記第１環境条件
    と前記第２環境条件との差異に基づき、前記投影光学系
    の光学性能を再検査するための前記第２検査用の光の波
    長を求める波長算出工程を含むことを特徴とする請求項
    １２に記載の露光装置の製造方法。
14. 【請求項１４】前記露光装置が使用される前記第２環境
    条件のもとに設置される迄に、前記光源から出力される
    光の波長を前記基準波長に設定する基準波長設定工程を
    さらに有することを特徴とする請求項１０乃至請求項１
    ３のいずれか１項に記載の露光装置の製造方法。
15. 【請求項１５】請求項１４に記載の露光装置の製造方法
    によって製造された露光装置を提供する工程と、 前記光源からの基準波長によって前記マスクを照明する
    照明工程と、 前記投影光学系を介して前記マスクのパターン像を前記
    感光性基板に投影する投影工程とを含むことを特徴とす
    る露光方法。